化硅气定仪

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化硅气定仪相关的厂商

  • 中环北方(北京)仪器仪表有限公司是一家集技术研发、制造、销售及售前售后服务为一体的现代化企业。主营产品: 电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP-OES)系列、多功能原子荧光烷基汞分析仪、粉尘中游离二氧化硅分析仪系列、智能蒸馏装置系列、COD消解仪、智能微波消解仪、智能石墨消解赶酸仪、智能石墨电热板、过滤器、土壤研磨器及干燥箱、萃取仪、红外测油仪、硫化物测定仪、固体废弃物毒性特性进出系统、挥发性VOCS色谱前处理(顶空进样器、吹扫捕集、热解吸、低温浓缩装置、气体进样器、气体发生器)及各类振荡器等一系列产品。 公司产品获得中国环境科学研究院、中国环境监测总站以及各省市县环境监测站、清华大学、北京大学、PONY谱尼测试集团等广大客户一致好评。 企业始终坚持以实验室能力提升需求“专注创新、专心产品、专诚服务”为宗旨,致力于先进技术推广、专业的技术研发团队、生产团队,销售团队,售后服务团队,便捷、高效全面技术支持和服务。
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  • 宜兴精刚陶瓷科技有限公司成立于2012年,座落于中国江苏宜兴。我们拥有国外先进高科技技术和进口设备,是一家集研发、设计、生产特种陶瓷材料产品的专业性高科技企业。主要产品有:99氧化铝、氧化锆、碳化硅、氮化硅、ZTA特种陶瓷的结构件、高温耐火陶瓷管、棒、密封件、研磨件、基板、刀具以及各种异形件。产品具有高强度、高硬度、耐高温、耐磨损、耐腐蚀及绝缘等特性,是逐渐代替金属材料的新一代环保材料。 公司主专业生产95~99.9氧化铝结构陶瓷以及氧化锆陶瓷、氮化硅特种精密陶瓷,ZTA、堇青石等陶瓷材料产品 电热电器行业用各种规格材质的耐热、耐磨、耐电压、酸碱性陶瓷件。高铝质、刚玉质、碳化硅质,莫来石质耐高温陶瓷。普瓷、钛瓷,、高频瓷,75,85,95,99氧化铝陶瓷(管、棒、条、板、片、等陶瓷件),氧化铝刚玉管、电炉管.高温特种瓷件、耐火材料制品。  本公司拥有先进的生产加工设备,以及科研人员和技术人员,可根据客户图纸生产、加工、研发各类陶瓷异形件。产品尺寸精度高,性能稳定。
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  • 400-860-5168转1566
    上海楚定分析仪器有限公司是一家专业经营各种分析仪器配件、色谱耗材、化学试剂及标准品、实验室常规仪器、气体发生器、玻璃器皿及实验室安全防护用品的高科技公司。公司致力于为客户提供质优价廉的产品和热忱周到的服务,自成立以来,得到了广大客户的一致好评和认可。公司和多家知名仪器供应商建立了良好的合作关系,可以提供Agilent,Waters,Varian,岛津等知名仪器厂商的色谱配件和耗材,另外公司还代理国内外多个知名品牌的实验室常用仪器设备。我们的产品广泛应用于检验检疫、化工、农药、化肥、医疗卫生、生化制药、食品、环境保护、农业、军工、卫生防疫、大专院校及科研等部门。专业的销售技术人员和品种齐全的优质产品是客户最佳的选择,良好的信誉和热忱的服务为客户提供可靠的售后保障。 公司主营产品: 色谱配件及耗材,气体发生器(氢气发生器,空气发生器,氮气发生器,氮、氢、空一体机),化学试剂及标准品,实验室常用仪器设备。实验室安全防护用品。
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化硅气定仪相关的仪器

  • 仪器简介:LSH-SiC200碳化硅红外光源室碳化硅红外光源包括光源室、直流稳压稳流电源和一个冷却用水箱三个组成。碳化硅红外光源室又分为成像室和碳化硅棒及其冷却室。成像室采用反射成像光路,反射镜镀金,以增加红外反射率。冷却室采用循环水冷却方式,有效避免了风冷造成的空气扰动,建议用户采用外循环水系统。系统标配有潜水泵和不锈钢水箱,并且配有水流保护,方便不具备外循环水系统的用户选择使用。技术参数:规格参数型号/参数 LSH-SiC200功率(W) 200光谱范围(&mu m) 1~16孔径比 f/4碳化硅发光面(mm) 5× 14碳化硅的额定电流(A) 18光源寿命(h) 400光路中心高(mm) 128~168(可调)光源工作温度(K) 900-1200主要特点:主要特点◆ 功率:200W◆ 光谱范围:1-16&mu m◆ 辐射系数大,效率光◆ 光源室反射镜全部镀金膜,单片镜片反射率98%◆ 输出相对孔径设计与&ldquo 谱王&rdquo 光谱仪匹配,提高光谱测量时的光收集效率
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  • Orion 8030cX 二氧化硅分析仪Thermo ScientificTM Orion 8030cX 在线二氧化硅分析仪根据杂多钼蓝比色法原理自动测量二氧化硅浓度,准确、可靠且重现性好。Orion 8030cX 二氧化硅分析仪采用最先进的专利工业设计,具有直观的触摸屏用户界面和抗干扰测量过程,可用于各种应用,以满足过程控制要求。该分析仪作为Thermo ScientificTM Orion 8000 系列分析仪平台的一部分同一界面适用于多个参数。Orion 8030cX 分析仪性能优越可靠,设置简单,只需少量维护。市场电力石油和天然气工业净水化学半导体纸浆和造纸应用脱矿质剂锅炉RO出水混床出水概述二氧化硅是用于检测、控制和尽量减少涡轮机、换热器和锅炉结垢的一种关键度量。在线实时测量活性二氧化硅可尽量降低因结垢而产生的维修/更换成本,实现安全高效的长期运行,这款在线二氧化硅分析仪可用于对二氧化硅超标的生产用水的去除或回收进行即时或自动的决策。连续实时二氧化硅监测可快速通知离子交换树脂的RO穿透或饱和情况,从而使系统效率最大化,尽量减少维修停机时间。Orion 8030cX 在线二氧化硅分析仪可配置为在二氧化硅峰值出现时发送警告/警报或测量数据来警告用户,触发纠正措施,防止下游出现问题。优点1. 8030cX二氧化硅分析仪具有一流的准确度、检测限和可靠性,可满足过程控制和监测要求。2. 自动量程切换功能(0-5000 μg/L)可在整个量程内确保数据有效性和准确度。3. 专利流路系统设计和优化化学试剂可确保较低的LOD,并减少磷酸盐干扰。4. 先进软件功能包括自动校准、自动验证、按设定时间间隔自动测量、自动清洁、警告、警报和系统诊断功能。这些自动功能可减少手动干预和维护需求。5. 由于试剂消耗量少,维护需求低,因此运行成本较低。只需每100天更换一次试剂。6. 直观图形触摸屏界面非常容易理解,与智能手机操作类似。7. 该分析仪紧凑、稳健,已在各种发电厂和工业超纯水厂中成功进行案例研究。8. 外壳防护等级达IP65,关键部件经全面测试且寿命较长,可确保长期稳定运行。订购信息
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  • 三凯医学焦磷酸法测定粉尘中游离二氧化硅含量尘肺是因为吸入粉尘引起肺组织反应,导致的间质性肺病。根据粉尘的成分不同分为常见的矽肺(二氧化硅粉尘)引起,有煤工尘肺、石棉肺、金属粉尘等。根据中华人民共和国国家职业卫生标准《工作场所空气中粉尘测定 第4部分:游离二氧化硅含量》GBZ/T192.4-2007,游离二氧化硅测定有三种方法分别为:焦磷酸法、X线衍射法、红外分光光度法。其中焦磷酸法是检测游离二氧化硅常用分析方法该方法检测稳定、预处理简便、准确度高、干扰少;对于质控样品考核及样品检测准确度。我公司和国内疾控中心经过多年研发验证推出全自动游离二氧化硅预处理仪。一、全自动游离二氧化硅分析仪产品介绍:空气粉尘中游离二氧化硅含量仪器,用于工作场所空气中粉尘游离二氧化硅含量测定。仪器可大批量制备焦磷酸,缩短实验时间。整个过程可全程自动无人值守,保护人员健康,操作便捷,降低劳动强度;按照国标方法执行。二、全自动游离二氧化硅分析仪仪器特点:制备焦磷酸功能仪器带制备焦磷酸功能,可实现自动制备焦磷酸。自动化模组无需人工干预,实现全自动处理。加热系统加热采用进口热辐射加热材质,样品升温至246℃-249℃,并保持恒温状态。清洗系统360度清洗,实避免实验交叉污染。过滤系统智能自动化快速过滤系统、提高实验效率。排风系统仪器自带排风系统,不占用通风橱空间。
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化硅气定仪相关的资讯

  • 晶盛机电:拟57亿定增加码碳化硅、半导体设备
    10月25日晚间,晶盛机电发布定增预案,拟向不超过35名(含)特定对象发行募集资金总额不超过57亿元(含本数),在扣除发行费用后拟全部用于以下项目:31.34亿元用于碳化硅衬底晶片生产基地项目,5.64亿元用于12英寸集成电路大硅片设备测试实验线项目,4.32亿元用于年产80台套半导体材料抛光及减薄设备生产制造项目,15.7亿元用于补充流动资金。据悉,本次晶盛机电向特定对象发行股票的发行数量不超过2.57亿股(含本数)。发行价格不低于定价基准日前20个交易日公司A股股票交易均价的80%。受惠于光伏和半导体热潮的影响,今年以来,晶盛机电股价持续走高,在9月初总市值一度触及千亿大关。截止到10月25日收盘,该股报价74.96元,上涨1.99%,总市值为963.66亿。半年报显示,晶盛机电为硅、碳化硅、蓝宝石三大主要半导体材料设备生产商。在硅材料领域,公司开发出了应用于光伏和集成电路领域两大产业的系列关键设备,包括全自动晶体生长设备(直拉单晶生长炉、区熔单晶炉)、晶体加工设备(单晶硅滚磨机、截断机、开方机、金刚线切片机等)、晶片加工设备(晶片研磨机、减薄机、抛光机)、CVD设备(外延设备、LPCVD设备等)、叠瓦组件设备等;在碳化硅领域,公司的产品主要有碳化硅长晶设备及外延设备;在蓝宝石领域,公司可提供满足LED照明衬底材料和窗口材料所需的蓝宝石晶锭、晶棒和晶片。公司产品主要应用于集成电路、太阳能光伏、LED、工业4.0等具有广阔发展前景的新兴产业。从近期公开的生产信息看,公司半导体等领域订单均处于产销两旺的状态,本次定增募资扩大产能也属于有的放矢。
  • 30亿元!碳化硅厂商钛芯电子收获大订单,还有60亿投资协议
    近日,湖南钛芯电子科技有限公司(以下简称“钛芯电子”)举办了全新功率器件品牌“钛芯特能”SiCtron全应用链全国产品首发仪式。据华声在线报道,SiCtron是SiC+electron的缩写字,意指碳化硅可以发挥强大的电子能量,这意味着钛芯电子作为中国第一个,也是唯一一个成功打造碳化硅全应用链的企业,正在开启第三代化合物半导体碳化硅在我国绿色能源应用领域的全新篇章。发布会现场,钛芯电子签署了多项重磅协议。●与开福区政府签订总投资金额达60亿的投资协议。●与湖南崇友智能科技、上海玫克生储能科技合作伙伴签订以第三代半导体碳化硅为核心设计智能充电模组的160KW直流快充桩产品战略合作协议,采购金额10亿元,总体采购金额达30亿元。●与全球最大的服务器制造商与全球前五大笔记型计算机代工厂——英业达集团,签订服务器电源、笔记本电脑适配器、消费电子手机快充头的碳化硅芯片全方位应用战略合作伙伴关系。资料显示,钛芯电子成立于2020年9月,是一家以第三代化合物半导体碳化硅材料为核心,研制大功率电力电子功率器件设计与产品多样应用的科技公司,企业总部于2021年5月落地湖南省长沙市开福区。钛芯电子董事长尹其言表示,在中国加速推进碳达峰、碳中和的背景下,对新能源电动汽车而言,提升充电速度、降低充电成本和加强能源使用效率是行业发展的三大目标。在充电桩电源模块中使用碳化硅功率器件,可以实现充电桩电源模块的高效能和高功率,进而实现充电速度的提升和用电成本的降低。
  • 总投资25亿元,上海天岳碳化硅半导体材料项目开工
    8月18日,2021年临港新片区第三季度建设项目集中开工仪式举行,本次集中开工24个项目,总投资496.9亿元,其中就包括上海天岳碳化硅半导体材料项目。“浦东发布”指出,上海天岳承接了母公司山东天岳的生产技术和人才资源,在临港重装备产业区新征用土地100亩,建设“碳化硅半导体材料项目” 总建筑面积9.5万平方米,总投资25亿元,在达产年,形成年产导电型碳化硅晶锭2.6万块,对应衬底产品30万片的生产能力。宽禁带半导体衬底材料在5G通信、新能源、国防军工等市场具有明确且可观的市场前景,是半导体产业重要的发展方向。资料显示,上海天岳半导体材料有限公司成立于2020年6月,注册资本6000万元,是山东天岳先进科技股份有限公司的全资子公司。山东天岳成立于2010年,注册资本3.87亿元,是一家国内领先的宽禁带半导体衬底材料生产商,主要从事碳化硅衬底的研发、生产和销售,产品可广泛应用于电力电子、微波电子、光电子等领域。目前,山东天岳正在向科创板发起冲击。据披露,山东天岳此次拟募集资金20亿元,拟全部投入“碳化硅半导体材料项目”,该项目的实施主体正是上海天岳半导体材料有限公司。项目建设期为6年,自2020年10月开始前期准备进行工厂研究、设计,计划于2022年试生产,预计2026年100%达产。目前,该项目已被上海市发改委列入《2021年上海市重大建设项目清单》。7月底,山东天岳在其披露的首轮问询中回复称,公司于2015年实现了4英寸半绝缘型碳化硅衬底的量产能力。并于2017年开始向下游行业主要的领先客户客户A小批量发货并验证,2018年1月通过其验证并开始批量下单。此后公司通过获得下游行业主要客户客户B的认证并获取其大批量订单。山东天岳还透露,6英寸半绝缘型衬底的生产计划将根据下游行业和客户的需求情况制定,预计在2023年形成量产。

化硅气定仪相关的方案

化硅气定仪相关的资料

化硅气定仪相关的试剂

化硅气定仪相关的论坛

  • 【求助】测定四氯化硅含量选择什么固定液

    大家好,我是一个刚参加工作的学生,领导让我用TCD测定四氯化硅的含量,其中含有氯化氢,三氯氢硅,和高沸点化合物,杂质,请问选择什么固定液?ov-101的填充柱可以吗?知道的请告诉一下,谢谢!

化硅气定仪相关的耗材

  • 一氧化硅(SiO)支持膜
    一氧化硅(SiO)支持膜一种是载网上附纯一氧化硅膜, 膜厚约15-30nm。销售信息:货号产品名称规格SF200-Cu200 mesh50/boxSF300-Cu300 mesh50/boxSF400-Cu400 mesh50/boxSF200-Ni200 mesh50/boxSF300-Ni300 mesh50/boxSF400-Ni400 mesh50/box另一种是载网上先镀上方华膜,方华膜上再稳定一层极薄的一氧化硅膜,一氧化硅膜较碳膜具有更高的亲水性。FSF200-Cu200 mesh50/boxFSF300-Cu300 mesh50/boxFSF400-Cu400 mesh50/boxFSF200-Ni200 mesh50/boxFSF300-Ni300 mesh50/boxFSF400-Ni400 mesh50/box
  • 二氧化硅测定仪试剂
    二氧化硅测定仪/便携二氧化硅测定仪/二氧化硅检测仪型号:仪器特点:1、检测速度5-10分钟2、一次性专用试剂盒3、直接显示样品检测结果4、可现场定量检测出水质中二氧化硅的含量技术指标:测定下限:0.5mg/L测定范围:0.0——20mg/L测量精度:5%
  • 一氧化硅A型可去除方华膜
    网另一面含可去除的方华膜衬底。用溶液溶去方华膜时,保留下来的为纯一氧化硅膜。这些膜在方华膜无法承受的电镜操作条件下依然稳定。纯一氧化硅膜较含方华膜衬底的支持膜更为精细,制样时须更细心
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