化硅气定仪

仪器简介：LSH-SiC200碳化硅红外光源室碳化硅红外光源包括光源室、直流稳压稳流电源和一个冷却用水箱三个组成。碳化硅红外光源室又分为成像室和碳化硅棒及其冷却室。成像室采用反射成像光路，反射镜镀金，以增加红外反射率。冷却室采用循环水冷却方式，有效避免了风冷造成的空气扰动，建议用户采用外循环水系统。系统标配有潜水泵和不锈钢水箱，并且配有水流保护，方便不具备外循环水系统的用户选择使用。技术参数：规格参数型号/参数 LSH-SiC200功率(W) 200光谱范围(&mu m) 1～16孔径比 f/4碳化硅发光面(mm) 5× 14碳化硅的额定电流(A) 18光源寿命(h) 400光路中心高(mm) 128～168(可调)光源工作温度(K) 900-1200主要特点：主要特点◆ 功率：200W◆ 光谱范围：1-16&mu m◆ 辐射系数大，效率光◆ 光源室反射镜全部镀金膜，单片镜片反射率98%◆ 输出相对孔径设计与&ldquo 谱王&rdquo 光谱仪匹配，提高光谱测量时的光收集效率

Orion 8030cX 二氧化硅分析仪Thermo ScientificTM Orion 8030cX 在线二氧化硅分析仪根据杂多钼蓝比色法原理自动测量二氧化硅浓度，准确、可靠且重现性好。Orion 8030cX 二氧化硅分析仪采用最先进的专利工业设计，具有直观的触摸屏用户界面和抗干扰测量过程，可用于各种应用，以满足过程控制要求。该分析仪作为Thermo ScientificTM Orion 8000 系列分析仪平台的一部分同一界面适用于多个参数。Orion 8030cX 分析仪性能优越可靠，设置简单，只需少量维护。市场电力石油和天然气工业净水化学半导体纸浆和造纸应用脱矿质剂锅炉RO出水混床出水概述二氧化硅是用于检测、控制和尽量减少涡轮机、换热器和锅炉结垢的一种关键度量。在线实时测量活性二氧化硅可尽量降低因结垢而产生的维修/更换成本，实现安全高效的长期运行，这款在线二氧化硅分析仪可用于对二氧化硅超标的生产用水的去除或回收进行即时或自动的决策。连续实时二氧化硅监测可快速通知离子交换树脂的RO穿透或饱和情况，从而使系统效率最大化，尽量减少维修停机时间。Orion 8030cX 在线二氧化硅分析仪可配置为在二氧化硅峰值出现时发送警告/警报或测量数据来警告用户，触发纠正措施，防止下游出现问题。优点1. 8030cX二氧化硅分析仪具有一流的准确度、检测限和可靠性，可满足过程控制和监测要求。2. 自动量程切换功能（0-5000 μg/L）可在整个量程内确保数据有效性和准确度。3. 专利流路系统设计和优化化学试剂可确保较低的LOD，并减少磷酸盐干扰。4. 先进软件功能包括自动校准、自动验证、按设定时间间隔自动测量、自动清洁、警告、警报和系统诊断功能。这些自动功能可减少手动干预和维护需求。5. 由于试剂消耗量少，维护需求低，因此运行成本较低。只需每100天更换一次试剂。6. 直观图形触摸屏界面非常容易理解，与智能手机操作类似。7. 该分析仪紧凑、稳健，已在各种发电厂和工业超纯水厂中成功进行案例研究。8. 外壳防护等级达IP65，关键部件经全面测试且寿命较长，可确保长期稳定运行。订购信息

三凯医学焦磷酸法测定粉尘中游离二氧化硅含量尘肺是因为吸入粉尘引起肺组织反应,导致的间质性肺病。根据粉尘的成分不同分为常见的矽肺(二氧化硅粉尘)引起，有煤工尘肺、石棉肺、金属粉尘等。根据中华人民共和国国家职业卫生标准《工作场所空气中粉尘测定 第4部分：游离二氧化硅含量》GBZ/T192.4-2007，游离二氧化硅测定有三种方法分别为：焦磷酸法、X线衍射法、红外分光光度法。其中焦磷酸法是检测游离二氧化硅常用分析方法该方法检测稳定、预处理简便、准确度高、干扰少；对于质控样品考核及样品检测准确度。我公司和国内疾控中心经过多年研发验证推出全自动游离二氧化硅预处理仪。一、全自动游离二氧化硅分析仪产品介绍：空气粉尘中游离二氧化硅含量仪器，用于工作场所空气中粉尘游离二氧化硅含量测定。仪器可大批量制备焦磷酸，缩短实验时间。整个过程可全程自动无人值守，保护人员健康，操作便捷，降低劳动强度；按照国标方法执行。二、全自动游离二氧化硅分析仪仪器特点：制备焦磷酸功能仪器带制备焦磷酸功能，可实现自动制备焦磷酸。自动化模组无需人工干预，实现全自动处理。加热系统加热采用进口热辐射加热材质，样品升温至246℃-249℃，并保持恒温状态。清洗系统360度清洗，实避免实验交叉污染。过滤系统智能自动化快速过滤系统、提高实验效率。排风系统仪器自带排风系统，不占用通风橱空间。

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SiC碳化硅功率器件动态特性测试系统 我们专业致力于功率元器件的测试仪器设备，主要致力于碳化硅器件的测试仪器设备。 我们的优势在于能够深入的进行理论运用到实践中。技术能力和实践能力的结合，才能在市场上推出使用方便，测试结果准确的高技术产品 我们的工程师具有超过20年的大功率半导体专业设计及测试评估的经验 如有任何需求，欢迎与我们联系各种电子测试的需求。 全面的测试方案：双脉冲测试 用于碳化硅二极管 和FETs检测 高压器件 1.2 kV - 1.7 kV - 3.3 kV - 4.5 kV 及更高 功率器件（包括模块） 电压可调至：50 A ( 500 A )清晰的开关波形 非常低且非常容易判断寄生现象精确 包含分析和补偿程序为模具，紧凑型包装，模块组件而设计 裸芯片, TO220, TO247, TO254, 任何碳化硅模块模块化和前瞻性 新包装和模块化的可调谐开关插头高温测试 DUT 集成化加热器- 可调谐到 250°C快速 快速部署，测试周期 短标准和具体应用 集成化或定制栅极驱动器；寄生现象可调谐高性能系统 工业等级设计及制造安全 IEC61010安全标准设计 技术规格动态特性主要针对于是碳化硅技术中的功率器件的特性，也同样应用于碳化硅技术的的各种仪器设备的特性。基于碳化硅技术的半导体功率器件动态性能测试是我们的核心技术。随着碳化硅测试设备的快速发展需要对带宽和寄生原件的测试需求。如：负载感应器和直流电等寄生元器件将会成为碳化硅功率器件的使用方案。功能：描述SiC离散变量的动力学行为配置：在相位腿配置的二极管mosfet(或IGBTs)设备等级：优化的额定电压600V到4500V 优化额定电流10A到50A包装：可与TO220,TO247,TO254包接口的装置系统接受其他包的fixture输入电压：230Vac, 50Hz，单相接地保护输入电流：8A保险丝额定值：10A，T，250V直流电压范围：100V to 4500V开关电流范围：10A to 50ADUT温度:热板温度可调至200℃

氧化硅阻隔膜水蒸气透过仪应用范围 薄膜： 适用于各种塑料薄膜、复合膜水蒸气透过率的定量测定，如：铝箔复合膜、镀铝膜、PVC 硬片、药用铝箔、 共挤膜、流延膜、太阳能背板等。 容器： 适用于各种瓶、盒、袋等包装容器水蒸气透过率的定量测定，如：各种口服及外用液体瓶、各种药用固体 瓶等药品包装容器；包装盒、酸奶杯等各种食品包装容器。 主要特点 1．电解法测试原理 2．三腔独立测试 3．计算机控制，试验全自动，一键式操作 4．智能模式等多种试验模式可选择，可满足各种标准、非标测试 5．可支持容器测试 （选购） 6．三腔循环介质控温，各自独立温度传感器实时监控试验温度 7．试验湿度可自行设置、调节 8．数据审计追踪、溯源；系统日志记录 9．5 级用户权限管理 10．温度、流量、湿度、透过率等曲线显示 11．支持 DSM 实验室数据管理系统，可实现数据统一管理。（选购）测试原理 薄膜： 将待测试样装夹在恒温的干、湿腔之间，使试样两侧存在一定的湿度差，由于试样两侧湿度差的存在，水 蒸气会从高湿侧向低湿侧扩散渗透，在低湿侧，水蒸气被干燥载气携带至水分析传感器，通过对传感器电 信号的分析计算，从而得到试样的水蒸气透过率和透湿系数。 容器： 容器的外侧是高湿气体，内侧则是流动的干燥气体，由于容器内外湿度差的存在，水蒸气将穿透容器壁进 入容器内部，进入容器内部的水蒸气将由流动的干燥载气携带至水分析传感器，通过对传感器电信号的分 析计算，可得到容器的水蒸气透过率等结果。

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一、设备简介： HD-TSi型二氧化硅检测仪是山东霍尔德电子科技有限公司自主研发产品，依据《二氧化硅含量测定分光光度法》标准研发设计制造，适用于国内外众多检测标准。 本仪器主要检测水质二氧化硅浓度指标，兼具智能数据分析功能，图表、列表显示数据，分析一目了然；高清晰度彩色液晶触摸显示屏，Android智能操作系统，中文显示界面，中英文键盘，人性化操作，使用更简单。 二、应用广泛： 能够广泛的应用于各种行业（工业废水、城市污水、生活污水及江湖流域地表水）废水的检测，可适合不同用户的多种需求，可在化工、石油、焦化、造纸、冶金、酿造、医药等工业废水及各种生活污水监测应用。 三、功能特点： 1、采用全新安卓7.1.1智能操作系统，人性化中文操作界面，运转速度更快速，稳定性更强。 2、8英寸液晶触摸屏显示，人性化中文操作界面，读数直观、简单。 3、采用精密比色池设计，使用光源一致，可以解决由于光源误差带来的检测结果误差问题，检测结果更加准确。 4、光源采用进口超高亮发光二极管，光源亮度可以自动调节与校准。 5、支持10mm、30mm、50mm皿比色和φ16mm管比色等比色方式，多元选择，确保测量的准确性； 6、具有无线通讯功能，支持WIFI、RJ45、手机热点联网传输，检测数据亦可通过U盘导出； 7、多功能样品管理，可对样品进行中英文命名，方便样品记录和数据存储； 8、仪器可存储800万组数据，为方便大量数据查找，可通过时间检索，并随意选择分析； 9、支持HDMI输出，方便用户培训、讲解、及大屏展示。 10、仪器带有监管云平台，数据可通过局域网和互联网上传，亦可对接上传至环境监管部门平台。 11、内置热敏行式打印机，打印纸上的内容可自由选择（包括二维码打印）； 12、交流220V，可选配6ah大容量充电锂电池，方便户外流动测试； 13、内置教学演示视频，用户可一边看仪器内操作视频，一边进行实验操作，更易上手；14、后期产品固件可升级； 四、技术参数： 波长配置：420nm、470nm、520nm、560nm、620nm、700nm； 示值误差：≤±5%； 仪器稳定性：＜0.5%； 仪器重复性：＜0.5%； 光化学稳定性：20min内数值漂移≤0.002A（10万小时寿命）； 依据标准：二氧化硅含量测定分光光度法； 检测量程：0-25mg/L（分段）； 检测下限：0.01mg/L；五、物理参数 比色方式：30mm比色皿； 操作系统：Android7.1.1智能操作系统； 操作界面：中文或英文操作界面； 显示屏：8英寸（1024*768分辨率）高清晰度彩色液晶触摸屏； 曲线数量：3条标准曲线，亦可自定义标准曲线； 网络接口：USB2.0、HDMI、WiFi、蓝牙、热点、RJ45； 云平台：仪器带有监管平台，连接有线/无线网络，检测结果直接传输至环境安全监管平台；打印机：热敏行式打印机； 数据储存：800万组，可自由调用查看； 数据导出格式：Excel表格； 仪器尺寸：367x243x125mm； 仪器重量：5.3kg； 六：环境及工作参数 环境温度：（5-40）℃； 环境湿度：相对湿度＜85%（无冷凝）； 额定功率：10W 工作电源：AC220V±10%/50Hz； 可配置：大容量锂电池。

三凯医学游离二氧化硅前处理工作站根据中华人民共和国国家职业卫生标准《工作场所空气中粉尘测定 第4部分：游离二氧化硅含量》GBZ/T192.4-2007，游离二氧化硅测定有三种方法分别为：焦磷酸法、X线衍射法、红外分光光度法。其中焦磷酸法是检测游离二氧化硅常用分析方法该方法检测稳定、预处理简便、准确度高、干扰少；对于质控样品考核及样品检测准确度。我公司经过多年研发验证推出全自动游离二氧化硅预处理仪。本仪器适合疾控中心、职业卫生检测、矿山等行业生产环境中呼吸性粉尘的分析与测试。具有运行速度快、检测周期短、准确性高，操作简便等优点。能够满足批量检测要求。一、产品介绍：空气粉尘中游离二氧化硅含量仪器，用于工作场所空气中粉尘游离二氧化硅含量测定。仪器可大批量制备焦磷酸，缩短实验时间。整个过程可全程自动无人值守，保护人员健康，操作便捷，降低劳动强度；按照国标方法执行。二、仪器特点：制备焦磷酸功能仪器带制备焦磷酸功能，可实现自动制备焦磷酸。自动化模组无需人工干预，实现全自动处理。加热系统加热采用进口热辐射加热材质，样品升温至246℃-249℃，并保持恒温状态。清洗系统360度清洗，实避免实验交叉污染。过滤系统智能自动化快速过滤系统、提高实验效率。排风系统仪器自带排风系统，不占用通风橱空间。

1. 反应器芯片原材料为亚微米级高纯碳化硅,纯度99.5%以上,采用无压烧结工艺烧制；①　单组反应器芯片为多片式结构,采用专有技术高温键合成一个整体,消除了泄露风险。芯片自带温度探头,实时监控反应温度变化；②　反应器芯片采用“反应/换热一体式”设计,一面是反应通道,一面是换热通道,两种功能集成在一块碳化硅板上,极大的提高了换热效率；③　换热系统的冷热媒介可直接注入反应器芯片的换热通道内,通道采用流线型设计并安装扰流散器,既满足了媒介的快速流动,不会产生明显压降,又可使媒介与芯片本体充分接触,有利于控制反应温度；④　反应器模块单元带有保温隔热层,使用特殊保温材料将碳化硅反应器芯片充分包裹，碳化硅芯片与外部金属大部分无接触,保温隔热性能大大提高,节约能耗,同时增加了设备使用中的安全性；⑤　本反应器体积紧凑、结构清晰,可方便进行串联或并联操作,满足各种不同需求；⑥　反应路径无仼何金属接触,进岀液口使用锥形连接器,便于快速连接PTFE管线,另外也可根据具体需求定制进出口接头；⑦　反应器芯片可灵活定制。公司具备碳化硅制品生产加工线,可根据用户具体需求定制加工。Ø 反应器模块芯片采用整体键合，一体成型方式，耐高压，防漏液；Ø 碳化硅材质，耐酸耐碱耐盐，耐腐蚀；Ø 各种持液量规格的模块均可根据客户要求定制；Ø 超纯碳化硅材料及碳化硅反应器模块生产厂家，源头工厂；Ø 产品至少是“不差于”；Ø 一对一服务，无论何种规格，客户至上。

游离二氧化硅前处理工作站根据中华人民共和国国家职业卫生标准《工作场所空气中粉尘测定 第4部分：游离二氧化硅含量》GBZ/T192.4-2007，游离二氧化硅测定有三种方法分别为：焦磷酸法、X线衍射法、红外分光光度法。其中焦磷酸法是检测游离二氧化硅常用分析方法该方法检测稳定、预处理简便、准确度高、干扰少；对于质控样品考核及样品检测准确度。我公司经过多年研发验证推出全自动游离二氧化硅预处理仪。本仪器适合疾控中心、职业卫生检测、矿山等行业生产环境中呼吸性粉尘的分析与测试。具有运行速度快、检测周期短、准确性高，操作简便等优点。能够满足批量检测要求。一、产品介绍：空气粉尘中游离二氧化硅含量仪器，用于工作场所空气中粉尘游离二氧化硅含量测定。仪器可大批量制备焦磷酸，缩短实验时间。整个过程可全程自动无人值守，保护人员健康，操作便捷，降低劳动强度；按照国标方法执行。二、仪器特点：制备焦磷酸功能仪器带制备焦磷酸功能，可实现自动制备焦磷酸。自动化模组无需人工干预，实现全自动处理。加热系统加热采用进口热辐射加热材质，样品升温至246℃-249℃，并保持恒温状态。清洗系统360度清洗，实避免实验交叉污染。过滤系统智能自动化快速过滤系统、提高实验效率。排风系统仪器自带排风系统，不占用通风橱空间。

1. 反应器芯片原材料为亚微米级高纯碳化硅,纯度99.5%以上,采用无压烧结工艺烧制；①　单组反应器芯片为多片式结构,采用专有技术高温键合成一个整体,消除了泄露风险。芯片自带温度探头,实时监控反应温度变化；②　反应器芯片采用“反应/换热一体式”设计,一面是反应通道,一面是换热通道,两种功能集成在一块碳化硅板上,极大的提高了换热效率；③　换热系统的冷热媒介可直接注入反应器芯片的换热通道内,通道采用流线型设计并安装扰流散器,既满足了媒介的快速流动,不会产生明显压降,又可使媒介与芯片本体充分接触,有利于控制反应温度；④　反应器模块单元带有保温隔热层,使用特殊保温材料将碳化硅反应器芯片充分包裹，碳化硅芯片与外部金属大部分无接触,保温隔热性能大大提高,节约能耗,同时增加了设备使用中的安全性；⑤　本反应器体积紧凑、结构清晰,可方便进行串联或并联操作,满足各种不同需求；⑥　反应路径无仼何金属接触,进岀液口使用锥形连接器,便于快速连接PTFE管线,另外也可根据具体需求定制进出口接头；⑦　反应器芯片可灵活定制。公司具备碳化硅制品生产加工线,可根据用户具体需求定制加工。

联系我们：X射线透射显微成像/能谱(同步辐射)用氮化硅薄膜窗口 产品概述： X-射线薄膜窗能够实现软X-射线(如真空紫外线)的最大透射率。主要用于同步辐射X射线透射显微成像时承载样品。 X-射线越软(能量越低)，穿透能力越差，所需氮化硅薄膜窗越薄。特别在“离轴”状态工作(即薄膜与光束成一定角度)时，也需要较薄的薄膜窗口，便于X射线更好地穿透。 氮化硅薄膜窗口是利用现代MEMS技术制备而成，由于此种氮化硅窗口选用低应力氮化硅(0-250MP)薄膜，因此比计量式和ST氮化硅薄膜更坚固耐用。提供的氮化硅薄膜窗口非常适合应用于透射成像和透射能谱等广泛的科学研究领域，例如，X-射线(上海光源透射成像/能谱线站)、TEM、SEM、IR、UV等。 现在提供X-射线显微成像/能谱(同步辐射)用氮化硅薄膜窗系列产品，规格如下： 外框尺寸 (4种标准规格): 5 mm x 5 mm (窗口尺寸：1.0 mm或和 1.5 mm 方形) 7.5 mm x 7.5 mm (窗口尺寸：2.0 mm或 2.5 mm) 10 mm x 10 mm (窗口尺寸：3.0 mm或 5 mm 方形) 边框厚度： 200µ m、381µ m、525µ m。 Si3N4薄膜厚度：50、100、150和200nm 我们也可以为用户定制产品(30-500nm)，但要100片起订。 本产品为一次性产品，不建议用户重复使用，本产品不能进行超声清洗，适合化学清洗、辉光放电和等离子体清洗。 技术指标： 透光度： 对于X射线用窗口，500nm厚的氮化硅薄膜有很好的X光穿透效果，对于软X射线(例如碳边吸收谱)，100-200nm厚的氮化硅薄膜窗口是用户首选。 真空适用性： 真空适用性数据如下：　 薄膜厚度 窗口面积 压力差 ≥50 nm ≤1.0 x 1.0 mm 1 atm ≥100 nm ≤1.5 x 1.5 mm 1 atm ≥200 nm ≤2.5 x 2.5 mm 1 atm 表面平整度： 氮化硅薄膜窗口产品的表面平整性很稳定(粗糙度小于1nm)，对于X射线应用没有任何影响。 温度特性： 氮化硅薄膜窗口产品是耐高温产品，能够承受1000度高温，非常适合在其表面利用CVD方法生长各种纳米材料。 化学特性： 氮化硅薄膜窗口是惰性衬底。 应用简介和优点： 1、同步辐射X射线(紫外或极紫外)透射成像或透射能谱应用中是不可或缺的样品承载体。 2、耐高温、惰性衬底，适应各种聚合物、纳米材料、半导体材料、光学晶体材料和功能薄膜材料的制备环境，利于制备理想的用于X射线表征用的自组装单层薄膜或薄膜(薄膜直接沉积在窗口上)。 3、生物和湿细胞样本的理想承载体。特别是在等离子体处理后，窗口具有很好的亲水性。 4、耐高温、惰性衬底，也可以用于化学反应和退火效应的原位表征。 5、适合做为胶体、气凝胶、有机材料和纳米颗粒等的表征实验承载体。 氮化硅薄膜窗口系列 SN-LDE-505-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：50nm SN-LDE-510-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：100nm SN-LDE-515-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：150nm SN-LDE-520-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：200nm SN-LDE-705-25 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：2.5×2.5mm，膜厚：50nm SN-LDE-710-25 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：2.5×2.5mm，膜厚：100nm SN-LDE-715-25 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：2.5×2.5mm，膜厚：150nm SN-LDE-720-25 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：2.5×2.5mm，膜厚：200nm SN-LDE-105-30 氮化硅薄膜窗口，框架：10×10mm，窗口：3×3mm，膜厚：50nm SN-LDE-110-30 氮化硅薄膜窗口，框架：10×10mm，窗口：3×3mm，膜厚：100nm SN-LDE-115-30 氮化硅薄膜窗口，框架：10×10mm，窗口：3×3mm，膜厚：150nm SN-LDE-120-30 氮化硅薄膜窗口，框架：10×10mm，窗口：3×3mm，膜厚：200nm 氮化硅薄膜窗口阵列系列 SN-AR-522-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，2×2阵列，膜厚：50nm SN-AR-733-15 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：1.5×1.5mm，3×3阵列；膜厚：50nm SN-AR-1044-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：100nm 氧化硅薄膜窗口系列 SO-505-15 氧化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：50nm SO-510-15 氧化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：100nm SO-520-15 氧化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：150nm SO-705-25 氧化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：1.5×1.5mm，3×3阵列，膜厚：50nm SO-710-25 氧化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：1.5×1.5mm，3×3阵列，膜厚：100nm SO-720-25 氧化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：1.5×1.5mm，3×3阵列，膜厚：200nm 氮化硅薄膜窗口系列 SN-1010-2-AU10 氮化硅基底框架：10×10mm，窗口：2×2mm，膜厚：100nm，金膜厚度：10nm SN-1020-2-AU10 氮化硅基底框架：10×10mm，窗口：2×2mm，膜厚：200nm，金膜厚度：10nm SN-710-2-AU10 氮化硅基底框架：7.5×7.5mm，窗口：2×2mm，膜厚：100nm，金膜厚度：10nm SN-720-2-AU10 氮化硅基底框架：7.5×7.5mm，窗口：2×2mm，膜厚：200nm，金膜厚度：10nm 特殊定制产品 SN-5H5-15 氮化硅基底框架：5×5mm，硅片厚度：200um，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：500nm SN-5H10-15 氮化硅基底框架：5×5mm，硅片厚度：200um，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：1000nm SN-LDE-4-10 氮化硅片100nm-4英寸整张，10×10mm切片 衬底厚度：200um 温度范围：1000℃ 真空适应：1个大气压 厚度可以选择：200um，381um，525um，需要提前说明。联系我们：

纳米二氧化硅高速研磨分散机，循环型纳米粉体高速分散机，中剪切高速粉体高速分散混合机，纳米SiO2立式研磨高速分散机，中试小试纳米材料高速分散机，纳米粉体改性高速分散混合机 纳米二氧化硅是及其重要的高科技超微细无机新材料之一,由于其粒径很小，因此比表面积大，表面吸附力强，表面能大，化学纯度高、分散性能好、热阻、电阻等方面具有特异的性能，以其优越的稳定性、补强性、增稠性和触变性，在众多学科及域内独具特性，有着不可取代的作用。纳米二氧化硅俗称“超微细白炭黑”，广泛用于各行业作为添加剂、催化剂载体，石油化工，脱色剂，消光剂，橡胶补强剂，塑料充填剂，油墨增稠剂，金属软性磨光剂，绝缘绝热填充剂，日用化妆品填料及喷涂材料、医药、环保等各种域。并为相关工业域的发展提供了新材料基础和技术保证。由于它在磁性、催化性、光吸收、热阻和熔点等方面与常规材料相比显示出特异功能，因而得到人们的大重视。　　使用纳米SiO2的关键是确保其在不饱和聚酯树脂中达到良好的分散，分散越好，则触变指数越大，力学强度越高。【纳米粉体分散的常用设备】　　1、超声分散机，超声方式分散，对于小批量的物料还行，但无法放大生产。　　2、机械搅拌分散机，这种在工业化分散中比较常见，但是由于自身的结构，转速低，分散有死角，导致终分散效果差，并且分散的效率很低。　　3、混合分散机，这种分散机适合高粘度的物料的分散，电机功率大，但是也存在和机械搅拌分散机一样的问题，分散效率低，效果差。　　现在市面上纳米SiO2基本都是用化学法和物理法，化学法是将有机硅化合物，氢气与氢气或者空气混合燃烧，有机硅化合物在高温燃烧后，在反应生成的水中进行高位水解，从而制得纳米二氧化硅。 物料法主要是机械粉碎，通过超细粉碎产生的冲击，剪切，摩擦等力的综合作用，对大颗粒二氧化硅进行超细粉碎。然后利用高效分组装置分离不同的粒径的颗粒，从而实现纳米二氧化硅末粒度分布的均匀的与特定化。纳米二氧化硅高速研磨分散机，循环型纳米粉体高速分散机，中剪切高速粉体高速分散混合机，纳米SiO2立式研磨高速分散机，中试小试纳米材料高速分散机，纳米粉体改性高速分散混合机从设备角度分析，影响分散结果的因素有以下几点：1 分散头的形式（批次式和连续式）（连续式比批次好）2 分散头的剪切速率 （越大，效果越好）3 分散头的齿形结构（分为初齿，中齿，细齿，超细齿，约细齿效果越好）4 物料在分散腔体的停留时间，分散时间（可以看作同等的电机，流量越小，效果越好）5 循环次数（越多，效果越好，到设备的期限，就不能再好）【IKN分散机在纳米粉体分散中优势】　　1、随着纳米粉体分散的进一步发展，上海IKN研发出的分散设备-研磨分散机。结构为胶体磨头+分散头定转子，先研磨打开团聚体，在瞬时通过分散工作组进行分散，分散效率快，分散效果好。　　2、IKN研磨分散机在纳米粉体的分散中有着突出的应用和优势，如纳米氢氧化镁、纳米氢氧化铝、石墨烯、碳纳米管、二氧化硅、纳米树脂、纳米涂料、医药纳米混悬液等都有着成功的经验和案例。　　3、IKN研磨分散机的研发初衷就是为了解决纳米物料分散，解决粉体分散到液体中，二次团聚的问题。IKN研磨分散设备该机特别适合于需要研磨分散乳化均质一步到位的物料。我们将三高剪切均质乳化机进行改装，我们将三变更为一，然后在乳化头上面加配了胶体磨磨头，使物料可以先经过胶体磨细化物料，然后再经过乳化机将物料分散乳化均质。IKN研磨分散机由电动机通过皮带传动带动转齿（或称为转子）与相配的定齿（或称为定子）作相对的高速旋转，同时，可将电机能量更有效地转化为尺寸减小力，从而在粉末研磨和精细化学粉碎方面先于其他同行业设备。被加工物料通过本身的重量或外部压力（可由泵产生）加压产生向下的螺旋冲击力，透过胶体磨定、转齿之间的间隙（间隙可调）时受到强大的剪切力、摩擦力、高频振动等物理作用，使物料被有效地乳化、分散和粉碎，达到物料超细粉碎及乳化的效果。纳米二氧化硅研磨分散机设备结构： 第yi由具有精细度递升的三层锯齿突起和凹槽。定子可以无限制的被调整到所需要的与转子之间的距离。在增强的流体湍流下，凹槽在每都可以改变方向。第二由转定子组成。分散头的设计也很好地满足不同粘度的物质以及颗粒粒径的需要。在线式的定子和转子（乳化头）和批次式机器的工作头设计的不同主要是因为 在对输送性的要求方面，特别要引起注意的是：在粗精度、中等精度、细精度和其他一些工作头类型之间的区别不光是转子齿的排列，还有一个很重要的区别是 不同工作头的几何学特征不一样。狭槽数、狭槽宽度以及其他几何学特征都能改变定子和转子工作头的不同功能。根据以往的惯例，依据以的经验选取工作头来满 足一个具体的应用。在大多数情况下，机器的构造是和具体应用相匹配的，因而它对制造出产品是很重要。当不确定一种工作头的构造是否满足预期的应用。纳米二氧化硅高速研磨分散机，循环型纳米粉体高速分散机，中剪切高速粉体高速分散混合机，纳米SiO2立式研磨高速分散机，中试小试纳米材料高速分散机，纳米粉体改性高速分散混合机

一、设备简介： 二氧化硅检测仪参考标准《二氧化硅含量测定分光光度法》研发设计制造，适用于国内外众多检测标准。 本仪器主要检测水质二氧化硅浓度指标，兼具智能数据分析功能，图表、列表显示数据，分析一目了然；高清晰度彩色液晶触摸显示屏，Android智能操作系统，中文显示界面，中英文键盘，人性化操作，使用更简单。 二、应用广泛： 能够广泛的应用于各种行业（工业废水、城市污水、生活污水及江湖流域地表水）废水的检测，可适合不同用户的多种需求，可在化工、石油、焦化、造纸、冶金、酿造、医药等工业废水及各种生活污水监测应用。 三、功能特点： 1、采用全新安卓7.1.1智能操作系统，人性化中文操作界面，运转速度更快速，稳定性更强。 2、8英寸液晶触摸屏显示，人性化中文操作界面，读数直观、简单。 3、采用精密比色池设计，使用光源一致，可以解决由于光源误差带来的检测结果误差问题，检测结果更加精准。 4、光源采用进口超高亮发光二极管，光源亮度可以自动调节与校准。 5、支持10mm、30mm、50mm皿比色和φ16mm管比色等比色方式，多元选择，确保测量的准确性； 6、具有无线通讯功能，支持WIFI、RJ45、手机热点联网传输，检测数据亦可通过U盘导出； 7、多功能样品管理，可对样品进行中英文命名，方便样品记录和数据存储； 8、仪器可永久存储800万组数据，为方便大量数据查找，可通过时间检索，并随意选择分析； 9、支持HDMI输出，方便用户培训、讲解、及大屏展示。 10、仪器带有监管云平台，数据可通过局域网和互联网上传，亦可对接上传至环境监管部门平台。 11、内置热敏行式打印机，打印纸上的内容可自由选择（包括二维码打印）； 12、交流220V，可选配6ah大容量充电锂电池，方便户外流动测试； 13、内置教学演示视频，用户可一边看仪器内操作视频，一边进行实验操作，更易上手；14、后期产品固件可升级； 四、技术参数： 示值误差：≤±5%； 仪器稳定性：＜0.5%； 仪器重复性：＜0.5%； 光化学稳定性：20min内数值漂移≤0.002A（10万小时寿命）； 参考标准：二氧化硅含量测定分光光度法； 检测量程：0-25mg/L（分段）； 检测下限：0.01mg/L；五、物理参数 比色方式：30mm比色皿； 操作系统：Android7.1.1智能操作系统； 操作界面：中文或英文操作界面； 显示屏：8英寸（1024*768分辨率）高清晰度彩色液晶触摸屏； 曲线数量：3条标准曲线，亦可自定义标准曲线； 网络接口：USB2.0、HDMI、WiFi、蓝牙、热点、RJ45； 云平台：仪器带有监管平台，连接有线/无线网络，检测结果直接传输至环境安全监管平台；打印机：热敏行式打印机； 数据储存：800万组，可自由调用查看； 数据导出格式：Excel表格； 仪器尺寸：367x243x125mm； 仪器重量：5.3kg； 六：环境及工作参数 环境温度：（5-40）℃； 环境湿度：相对湿度＜85%（无冷凝）； 额定功率：10W 工作电源：AC220V±10%/50Hz； 可配置：大容量锂电池。

我们来自国外技术陶瓷有限公司先进技术和引进进口设备相结合的手段,精选高品质原料专业设计、生产和销售陶瓷、耐火陶瓷、及新型无机非金属等先进材料，以氧化铝、氧化锆、氧化镁、氮化硅及碳化硅等主要原料，经过一系列人工合成及提炼处理制成超细末，通过1700℃以上超高温高压工艺烧结而成，主要提供:氧化铝陶瓷管棒、99刚玉管、电炉管。95/99瓷件、耐火制品。并可根据用户特殊要求进行加工。公司产品的优点：1.耐化学腐蚀2.耐高温，正常使用在1800℃3.耐骤冷骤热，不易炸裂4.可重复使用。5.结构性能稳定。6.高温稳定性。7.热传导性高

1. 反应器芯片原材料为亚微米级高纯碳化硅,纯度99.5%以上,采用无压烧结工艺烧制；①　单组反应器芯片为多片式结构,采用专有技术高温键合成一个整体,消除了泄露风险。芯片自带温度探头,实时监控反应温度变化；②　反应器芯片采用“反应/换热一体式”设计,一面是反应通道,一面是换热通道,两种功能集成在一块碳化硅板上,极大的提高了换热效率；③　换热系统的冷热媒介可直接注入反应器芯片的换热通道内,通道采用流线型设计并安装扰流散器,既满足了媒介的快速流动,不会产生明显压降,又可使媒介与芯片本体充分接触,有利于控制反应温度；④　反应器模块单元带有保温隔热层,使用特殊保温材料将碳化硅反应器芯片充分包裹，碳化硅芯片与外部金属大部分无接触,保温隔热性能大大提高,节约能耗,同时增加了设备使用中的安全性；⑤　本反应器体积紧凑、结构清晰,可方便进行串联或并联操作,满足各种不同需求；⑥　反应路径无仼何金属接触,进岀液口使用锥形连接器,便于快速连接PTFE管线,另外也可根据具体需求定制进出口接头；⑦　反应器芯片可灵活定制。公司具备碳化硅制品生产加工线,可根据用户具体需求定制加工。

VERIC A6151A 碳化硅高温退火炉1、适用于碳化硅高温激活 & 退火的设备 SiC high temperature activation & annealing equipment 2、最高温度 2000℃，升温速率可达 100℃/min Max.temp 2000℃, Max.ramp rate100℃/min 3、石墨电阻加热，工艺腔室洁净 Graphite resistance heating, high cleanliness chamber 4、自动装片，Cassette to Cassette Automatic loading, cassette to cassette 5、SEMI S2/S6 认证 SEMI S2/S6 certification技术参数1、晶圆尺寸 4/6 英寸兼容2、适用材料 碳化硅、氮化铝3、适用工艺 注入后激活、Ar 退火、Ar/H2 退火、沟槽平滑4、适用领域 科研、化合物半导体

二氧化硅的用途很广，目前已被使用的高性能通讯材料光导纤维的主要原料就是二氧化硅。二氧化硅水分测定仪具有温度设定、微调温度补偿及自动控制等功能, 采用目前国际通用的热解原理研制而成的新一代卤素快速水分测定仪器。深圳冠亚SFY系列二氧化硅水分检测仪,硅微粉含水率测定仪引进进口自动称重显示系统，人性化系统操作, 无需特殊培训，自动校准功能、自动测试模式，取样、干燥、测定一机化操作。深圳冠亚SFY系列二氧化硅水分检测仪,硅微粉含水率测定仪技术参数: 1、称重范围：0-90g★★可调试测试空间为3cm、5cm、10cm 2、固含量测定范围：0.01-** 3、 净重：3.7Kg★★JK称重系统传感器 4、样品质量：0.5-90g 5、加热温度范围：起始-205℃★★加热方式：应变式混合气体加热器★★微调自动补偿温度15℃ 6、固含量可读性：0.01% 7、显示7种参数：★★ 固含量值，样品初值，样品终值，测定时间，温度初值，终值，恒重值★★红色数码管独立显示模式 8、双重通讯接口：RS 232（打印机） RS 232（计算机） 9、外型尺寸：380×205×325(mm) 10、电源：220V±10%/110V±10%(可选) 11、频率：50Hz±1Hz/60Hz±1Hz(可选)深圳冠亚SFY系列二氧化硅水分检测仪,硅微粉含水率测定仪产品证书及专利SFY系列快速水分测定仪器(专利号：2005301013706)发证单位：深圳市质量技术监督局《中华人民共和国制造计量器具许可证》 MC 粤制 03000235号深圳市冠亚电子科技有限公司集团成立于2004年,是一家专业从事快速水分仪器研制、开发、制造以及销售的高新技术集团公司。 我们追求在实用技术上的精益求精和精雕细刻，追求系统质量的可靠与稳定，用前沿的科研技术、**的产品品质、专诚的服务意识赢取客户的信赖,立志于为用户提供快速、准确而高效的分析检测仪器。

全自动游离二氧化硅前处理仪DFS-08依据国家职业卫生标准《GBZ/T192.4-2007 工作场所空气中粉尘测定 第4部分 游离二氧化硅含量》中规定的步骤，仪器可自动控温搅拌，清洗，自动批量样品过滤分离，实现游离二氧化硅分离前处理的一键式操作。

一、产品介绍：空气粉尘中游离二氧化硅含量仪器（焦磷酸法），用于工作场所空气中粉尘游离二氧化硅含量测定。仪器可大批量制备焦磷酸，缩短实验时间。整个过程可全程全自动无人值守，保护人员健康，操作便捷，降低劳动强度；完全按照国标方法执行。二、执行标准《GBZT192.4-2007工作场所空气中粉尘测定第四部分：游离二氧化硅含量测定》

AGF系列 电阻式碳化硅长晶炉1、适用于 6、8 英寸，导电 / 高纯半绝缘型 SiC 晶体生长 Applicable for 6, 8 inch conductive/HPSI SiC crystal growth 2、4 组加热器独立控制，灵活的温场调节机能力 4 units of heater independent control, temperature field can adjust ment flexible 3、坩埚系统具备升降、旋转功能，温场更均匀 Crucible system with lifting and rotating functions, better uniformity of temperature field 4、下装载，上维护，操作便捷 Individual loading area and maintenance area, bottom loading, top maintenance, operation more convenient技术参数 Technical Parameters1、晶体尺寸 6、8 英寸2、加热方式 电阻加热3、适用材料 碳化硅4、适用工艺 物理气相输运法（PVT 法）5、适用领域 科研、化合物半导体

鸿初仪器全自动游离二氧化硅前处理仪，是在与疾控系统相关理化分析专家充分沟通与交流，根据《GBZ/T 192.4—2007 工作场所空气中粉尘测定 第4部分：游离二氧化硅含量》提出的创新的空气粉尘中游离二氧化硅前处理自动化方案。可实现5通道以上同时处理，自动消解、自动过滤、自动清洗，在线PH检测，制备焦磷酸。

碳化硅晶片生产厂家碳化硅（SiC）是Ⅳ-Ⅳ族二元化合物, 也是元素周期表Ⅳ组元素中稳定固态化合物, 是一种重要的半导体材料。 它具有优良的热学、力学、化学和电学性质, 不仅是制作高温、高频、大功率电子器件的优质材料之一，也可以用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料。苏州恒迈瑞公司目前用于衬底的碳化硅晶片以4H为主，导电类型分为半绝缘型（非掺、掺杂）与N型。 产品类型：4H-SI碳化硅晶片掺杂：钒厚度：500um±25um尺寸：2英寸，3英寸，4英寸，6英寸晶向：on axis 0°0001±0.5° 产品类型：4H-SI碳化硅晶片掺杂：非掺杂厚度：500um±25um尺寸：2英寸，3英寸，4英寸，6英寸晶向：on axis 0°0001±0.5°

VERIC O6151A 碳化硅高温氧化炉1、适用于碳化硅栅氧制备的氧化设备 Oxidation equipment suitable for SiC gate oxygen preparation 2、最高温度 1500℃，优异的温区均匀性 Max.temp 1500℃, excellent flat uniformity 3、石墨电阻加热，工艺腔室洁净 Graphite resistance heating, high cleanliness chamber 4、自动装片，Cassette to Cassette Automatic loading, cassette to cassette 5、SEMI S2/S6 认证 SEMI S2/S6 certification技术参数1、晶圆尺寸 4/6 英寸兼容2、适用材料 碳化硅3、适用工艺 干氧氧化 、湿氧、Ar/N2 退火、NO/N2O 退火、H2 退火、DCE 清洗4、适用领域 科研、化合物半导体

Orion 8030cX 二氧化硅分析仪Thermo ScientificTM Orion 8030cX 在线二氧化硅分析仪根据杂多钼蓝比色法原理自动测量二氧化硅浓度，准确、可靠且重现性好。Orion 8030cX 二氧化硅分析仪采用最先进的专利工业设计，具有直观的触摸屏用户界面和抗干扰测量过程，可用于各种应用，以满足过程控制要求。该分析仪作为Thermo ScientificTM Orion 8000 系列分析仪平台的一部分同一界面适用于多个参数。Orion 8030cX 分析仪性能优越可靠，设置简单，只需少量维护。市场电力石油和天然气工业净水化学半导体纸浆和造纸应用脱矿质剂锅炉RO出水混床出水概述二氧化硅是用于检测、控制和尽量减少涡轮机、换热器和锅炉结垢的一种关键度量。在线实时测量活性二氧化硅可尽量降低因结垢而产生的维修/更换成本，实现安全高效的长期运行，这款在线二氧化硅分析仪可用于对二氧化硅超标的生产用水的去除或回收进行即时或自动的决策。连续实时二氧化硅监测可快速通知离子交换树脂的RO穿透或饱和情况，从而使系统效率最大化，尽量减少维修停机时间。Orion 8030cX 在线二氧化硅分析仪可配置为在二氧化硅峰值出现时发送警告/警报或测量数据来警告用户，触发纠正措施，防止下游出现问题。优点1. 8030cX二氧化硅分析仪具有一流的准确度、检测限和可靠性，可满足过程控制和监测要求。2. 自动量程切换功能（0-5000 μg/L）可在整个量程内确保数据有效性和准确度。3. 专利流路系统设计和优化化学试剂可确保较低的LOD，并减少磷酸盐干扰。4. 先进软件功能包括自动校准、自动验证、按设定时间间隔自动测量、自动清洁、警告、警报和系统诊断功能。这些自动功能可减少手动干预和维护需求。5. 由于试剂消耗量少，维护需求低，因此运行成本较低。只需每100天更换一次试剂。6. 直观图形触摸屏界面非常容易理解，与智能手机操作类似。7. 该分析仪紧凑、稳健，已在各种发电厂和工业超纯水厂中成功进行案例研究。8. 外壳防护等级达IP65，关键部件经全面测试且寿命较长，可确保长期稳定运行。订购信息

我们的优势：1. 反应器模块芯片采用整体键合，一体成型方式，耐高压，防漏液；2. 碳化硅材质，耐酸耐碱耐盐，耐腐蚀；3. 各种持液量规格的模块均可根据客户要求定制；4. 超纯碳化硅材料及碳化硅反应器模块生产厂家，源头工厂；5. 产品至少是“不差于”；6. 一对一服务，无论何种规格，客户至上。 产品参数：工作温度（℃）：-60-200工作压力（bar) ： ≦50芯片尺寸(mm）：300*300持液量（ml）：3、8、50、250、300通道尺寸（mm）：3.2-6.0 流量范围：通用款有8、50、250、300ml，可根据实际工况灵活调配，多组串联；机型：单组模块为5层碳化硅板式芯片结构，整体键合；多组模块之间采用全氟醚O型密封圈密封；模块外部由碳纤维保温隔热外壳包覆；外接配管：进出管为6-8mmPTFE管、1/4合金管等； 产品应用：硝化、氧化、还原、重氮化、缩合、酰胺化、溴化等反应。适用于医药，农药，染料，香料，表面活性剂等精细化工中间体和其它特种助剂，以及基本化学品的合成工艺研发和商业化生产。

1. 反应器芯片原材料为亚微米级高纯碳化硅,纯度99.5%以上,采用无压烧结工艺烧制；①　单组反应器芯片为多片式结构,采用专有技术高温键合成一个整体,消除了泄露风险。芯片自带温度探头,实时监控反应温度变化；②　反应器芯片采用“反应/换热一体式”设计,一面是反应通道,一面是换热通道,两种功能集成在一块碳化硅板上,极大的提高了换热效率；③　换热系统的冷热媒介可直接注入反应器芯片的换热通道内,通道采用流线型设计并安装扰流散器,既满足了媒介的快速流动,不会产生明显压降,又可使媒介与芯片本体充分接触,有利于控制反应温度；④　反应器模块单元带有保温隔热层,使用特殊保温材料将碳化硅反应器芯片充分包裹，碳化硅芯片与外部金属大部分无接触,保温隔热性能大大提高,节约能耗,同时增加了设备使用中的安全性；⑤　本反应器体积紧凑、结构清晰,可方便进行串联或并联操作,满足各种不同需求；⑥　反应路径无仼何金属接触,进岀液口使用锥形连接器,便于快速连接PTFE管线,另外也可根据具体需求定制进出口接头；⑦　反应器芯片可灵活定制。公司具备碳化硅制品生产加工线,可根据用户具体需求定制加工。产品优势：我们的优势：1. 反应器模块芯片采用整体键合，一体成型方式，耐高压，防漏液；2. 碳化硅材质，耐酸耐碱耐盐，耐腐蚀；3. 各种持液量规格的模块均可根据客户要求定制；4. 超纯碳化硅材料及碳化硅反应器模块生产厂家，源头工厂；5. 产品至少是“不差于”；6. 一对一服务，无论何种规格，客户至上。 产品参数：工作温度（℃）：-60-200工作压力（bar) ： ≦50芯片尺寸(mm）：300*300持液量（ml）：3、8、50、250、300通道尺寸（mm）：3.2-6.0 流量范围：通用款有8、50、250、300ml，可根据实际工况灵活调配，多组串联；机型：单组模块为5层碳化硅板式芯片结构，整体键合；多组模块之间采用全氟醚O型密封圈密封；模块外部由碳纤维保温隔热外壳包覆；外接配管：进出管为6-8mmPTFE管、1/4合金管等； 产品应用：硝化、氧化、还原、重氮化、缩合、酰胺化、溴化等反应。适用于医药，农药，染料，香料，表面活性剂等精细化工中间体和其它特种助剂，以及基本化学品的合成工艺研发和商业化生产。

电力和煤炭行业生产环境中粉尘的种类较多, 主要有矽尘、煤尘、锅炉尘、石棉尘、水泥尘、电焊烟尘等, 其特点是粉尘中游离二氧化硅含量较高, 粉尘的分散度也比较高, 即多为呼吸性粉尘, 因此对接尘人员的危害较大。根据生产性粉尘的理化性质、空气中浓度、进入人体的量和作用部位, 产生的危害也有不同, 主要包括鼻炎、咽炎、气管炎、支气管炎等呼吸系统疾病。我国政府以及电力和煤炭行业部门对防尘工作高度重视, 因此, 加强对粉尘中游离二氧化硅含量的检测是一件非常重要和紧迫的工作。以往检测粉尘中游离二氧化硅含量, 均采用《作业场所空气中粉尘测定方法》(GB5748—85) 规定的“焦磷酸重量法”, 该方法存在操作步骤复杂、使用试剂种类繁多、检测周期长、准确性差、试验室条件要求苛刻等一系列问题, 难以满足现场批量检测的要求。 我国测定作业场所粉尘中游离二氧化硅很多仍沿用焦磷酸重量法，该法需用试样量大,一般只能测定矿(岩)石或自然降尘样,对呼吸性粉尘中的游离二氧化硅尚无法直接测定。国外常用 X—射线衍射法和红外法。由于红外法的仪器价格较便宜,也不会产生对人体有害的放射性辐射,故很受重视。美英等国已把红外法作为测定煤尘中游离二氧化硅的标准方法。为了提高检测的准确性, 实现批量检测的目的,根据红外光谱法原理专门研制FC-2000D粉尘中游离二氧化硅分析仪用来检测粉尘中游离二氧化硅含量。 粉尘中游离二氧化硅分析仪主要数据处理功能：数据处理功能－轻松处理分析结果，包括标峰、峰面积积分、基线校准等操作快速创建实验报告，打印实验报告标准文件格式－保持实验结果，方便共享和处理光谱文件存储打印光谱背景基线记忆 光谱背景基线校正 光谱数据累加运算 %T与ABS转换 性能指标：波数范围：2.5-25Um波数精度: ≤±2 cm-1全波长扫描狭缝程序五档可调杂散光≤0.5%T(4000-650cm-1)；样品研磨至粒度小于8Lm； 仪器特点：主机大屏幕液晶显示，无需连接电脑可以直接测试；配套谱图数据自动分析系统，自动化程度高；完全符合国标检测要求；行业用户多：华能集团，中煤集团，辽宁职业卫生检测中心，重庆能源集团；具有快速、灵敏、能鉴别游离二氧化硅的三种晶形等特点, 而因其设备投资较少、操作简便、可适用于自动分析等优势获得了广泛的应用。坚固的设计和实用的外观尺寸适合各种分析测试环境，优异的灵敏度和信噪比 将检测元件、信号放大器与24 位的模／数转换器集成在一起，直接输出数字信号（模拟信号在传输过程中衰减较大且易受到干扰，而数字信号则可完全避免)，进一步降低电子噪声；24 位模／数转换器则将系统的弱信号检测能力提高了一个数量级。采用高性能计算机进行仪器控制和数据处理，WINDWOS全中文操作界面由电磁驱动装置和精密机械导轨构成的运动部件，改善了对使用环境的要求。 高强度光源采用球形反射装置，可获得均匀、稳定的红外辐射。