晶体管

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晶体管相关的厂商

  • 泰兴市和宸晶体科技公司位于长江之滨泰兴市,距无锡常州苏州扬州泰州距离均在150公里以内,交通方便,公司主要产品有:蓝宝石精密光学窗口片保护片、蓝宝石精密部件、蓝宝石光学透镜棱镜等,其中高面型蓝宝石产品享誉市场。拥有技术研发团队和多年浸染光电加工行业的高素质技工团队,并采购了国内和国际顶尖水平的加工和检测设备。和宸晶体的蓝宝石产品已广泛应用于:深海探测、高铁监控监测、油田监测、航空航天等领域。热忱欢迎国内外客商莅临我公司参观指导!
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  • 1. 提供氟化物晶体材料,CAF2, BAF2, MGF2, LIF2. 提供光学元件:透镜,柱面,棱镜,楔角,平面3. 质量稳定,信誉可靠
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  • 深圳市中冀联合通讯技术有限公司创立于2006年,是国内领先的无线通讯卫星导航产品测试解决方案供应商,公司下设射频事业处和半导体事业处,我们围绕客户的需求持续创新,我们将多元产品标准化为客户节约测试成本,多元化配套产品解决了测试复杂产品选型问题节约了客户的采购时间,实现设备配件耗材一体化供应,在业界享有“通讯微波器件百货”之称。 近年来不断增加研发投入以产学研为研发主体,中冀联合研发来自通讯卫星导航界专家,以博士后为科研带头人,硕士生为研发主体的研发团队,先后与国防科学技术大学,桂林电子科技大学等国内外知名院校合作。取得专利3项、软件著作权6项,获得“国家高新技术企业、深圳软件企业荣誉”。 公司核心竞争力一、无线通讯产品测试解决方案二、卫星导航产品测试解决方案三、微波器件,天线四、半导体功率晶体管
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晶体管相关的仪器

  • 泰克Tektronix370A 晶体管测试仪TEK370A 泰克Tektronix 370A 晶体管测试仪名称:泰克Tektronix 370A 晶体管测试仪主要参数:半导体器件高精度测量-上限达2000V或电流到10A的源(370A/B)-上限到3000V(371A)-上限到220W(370A/B)-上限到400A(371A)-1nA的测量分辨率-上限到3000W(371A)-上限到2mV的测量分辨率(370A/B)-波形对比-包络显示-波形平均-点光标(370A)-Kelvin传感测量-全程控-MS-DOS兼容的软盘,方便设置参孝存储和调用交互式程-所有交互式程控测量是通过有鲜明特点的前面板或GPIB来完成的。使用几种存储方式,调整和存储操作参数,包括370A的非易失存储器、内置的MS-DOS兼容的软盘或到外部控制器。测试夹具-测试夹具是标准附件,它提供被测器件安全防护,以保护测量人员的安全。测试夹具适应标准的A1001,中间通过Kelvin传感的A1005适配器、无Kelvin传感的3芯适配器和A1023、A1024表面封装适配器。程控特性曲线图示仪高分辨率特性曲线图示仪,可应用到许多场合。370A能完成晶体管、闸流管、二极管、可控硅、场效应管、光电元件、太阳能电池、固态显示和其它半导体器件的直流参数特性的测试。-在研发实验室,用370A来完成新器件、SPIEC参数的提取、失败分析和产生数据报告这些具体的测试工作。应用-手动或自动进行半导体高分辨率DC参数测量-来料检查-生产测试-过程监视及质量控制-数据报告的生成-元件配对-失效分析-工程测试370A.jpg标签泰克Tektronix 370A 晶体管测试仪,泰克Tektronix 370A 晶体管测试仪价格相关产品半导体测试仪半导体测试仪备注: 本公司十年专业销售、租赁、维修、回收二手仪器,公司货源广阔,绝大部分直接从国外引进,成色新,价格低,资金雄厚,库存充足,售前严格,售后快捷是我们的特点:致力于为客户提供更专业,方便,快捷的人性化服务是我们的宗旨;勇于创新,敢于探索是我们的优势;凡在我司购买的仪器免费送较准服务一年!-鹏庆电子
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  • SWT-6000A微电脑晶体管焊接电源是电阻焊接里面最理想的焊接电源,主机采用高速微处理器控制,控制精度高,时间响应快, 工作模式丰富,它具有电流上升快、输出电流稳定、熔接处于两焊接接触面,被焊接处氧化少、焊接自检等主要特性,主要用于 锂离子电池组焊接、动力电池、电动工具电池焊接之用,是保证高品质焊接必选机型。整机电源全为开关电源控制,电源适应能力强。该电源是我司最新推出高端焊接电源,焊接电流通过晶体管进行高速切换,无需变压器,焊接电流上升速度成倍提高,可极短时间内对工件进行高品质焊接。具有焊机参数自检对比功能,以确保每个焊点质量达标。规格型号:SWT-6000A(4000A/10000A)最*焊接电流:6000A(4000A/10000A)焊接电压:12V焊接能力:0.01-0.20mm(0.01-0.12mm/0.01-0.30mm)焊接模式:定电压/定电流焊接时间:1.0-3.0mS外型尺寸:380*230*320mm输入电源:AC220V±10%/50Hz
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  • 产品目录? 晶体管图示仪(曲线追踪仪)? 半导体分立器件测试筛选系统。? 静态测试设备:包括导通、关断、击穿、漏电、增益等直流参数? 动态测试设备:包括 Tr, Trr , Qg , Rg , FRD , UIS , SC , Ci , RBSOA 等? 环境老化测试:包括 HTRB , HTGB , H3TRB , Surge 等? 热特性测试:包括 PC , TC , Rth , Zth , Kcurve 等? 测试范围:Si , SiC , GaN 材料的 IPM , IGBT , MOSFET , DIODE , BJT , SCR等分立器件及功率器件。ST-SP2000_5 (Curve版)晶体管曲线追踪仪可测试 19大类27分类 的大中小功率分立器件及模块的 静态直流参数(测试范围包括Si/SiC/GaN材料的 IGBTs/DIODEs/MOSFETs/BJTs/SCRs 等器件)主极2000V / 50~1250A,分辨率*高至1mV / 10pA支持曲线扫描图示功能?产品应用应用领域军工院所、高校、半导体器件生产厂商、电源、变频器、逆变器、变流器、数控、电焊机、白色家电、新能源汽车、轨道机车等所有的半导体器件应用产业链 ……主要用途? 测试分析(功率器件研发设计阶段的初始测试)? 失效分析(对失效器件进行测试,查找失效机理。以便于对电子整机的整体设计和使用过程提出改善方案 )? 选型配对(在器件焊接至电路板之前进行全部测试,将测试数据比较一致的器件进行分类配对)? 来料检验(研究所及电子厂的质量部(IQC)对入厂器件进行抽检/全检,把控器件的良品率)? 产线自动化测试(可连接机械手、扫码枪、分选机等各类辅助机械设备,实现规模化、自动化测试)?产品简述 产品扩展性强,通过选件可以提高电压、电流和测试品种范围。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条点击即可完成测试任务。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座,自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降,保证测试结果准确可靠。面板显示装置可及时显示系统的各种工作状态和测试结果,前面板的功能按键方便了系统操作。通过功能按键,系统可以脱离主控计算机独立完成多种工作。 曲线追踪仪(晶体管图示仪)功能则是利用高速ATE测试步骤逐点生成曲线,可快速而准确地生成精确的数据点。数据增量是可编程的线性或对数,典型的每步测试时间为6到20ms。一个两百条数据点曲线通常只需几秒钟就能完成。使用该系列跟踪仪更容易获取诸如 Transistor hFE vs. IC, Transistor VCESAT vs. IB and MOSFET RDSvs. VGS 等曲线数据。此外, 针对多条曲线,设备可以根据每条曲线的数据运行并将所获数据自动发送到一个单独的 Excel 工作表。系统能够更快,更简洁的创建曲线(单击,双击,选择输入菜单,单击)。就是这么简单。设备支持在单个 DUT 上运行高达 10 条不同曲线的能力,在运行过程中,每个图表都是可视的,每个数据集都被加载到一个被命名的 Excel 工作表中。系统运行速度快,可进行数据记录,提供更高级的数据工具箱,能够运行多条曲线并自动排序,自动将数据存入 Excel 表格,具有缩放功能,光标重新运行功能以及其他许多优点。 系统提供与机械手、探针台、电脑的连接口,可以支持各种不同辅助设备的相互连接使用。?可供选择的曲线Tel:d173h4295a2894
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晶体管相关的资讯

  • 最小耐高温的等离子体晶体管问世(图)
    美国犹他大学的研究人员研制了迄今为止最小的等离子体晶体管,其可承受核反应堆的高温和离子辐射环境条件,有助于研制在战场上收集医用X射线的智能手机、实时监测空气质量的设备、无需笨重的镜头和X射线光束整形装置的X射线光刻技术。  这种晶体管有潜力开辟适用于核环境工作的新一类电子器件,能用于控制、指引机器人在核反应堆中执行任务,也能在出现问题时控制核反应堆,在核攻击事件中继续工作。  作为当代电子设备的关键组成元件,硅基晶体管通过利用电场控制电荷的流动来实现晶体管的打开或关闭,当温度高于550华氏度时失效,这是核反应堆通常工作的温度。而此次美研究人员将利用传导离子和电子的等离子体空气间隙作为导电沟道,研制了可在极高温度下工作的等离子体晶体管。它的长度为1-6微米,为当前最先进的微型等离子体器件的1/500,工作电压是其六分之一,工作温度高达华氏1450度。核辐射可将气体电离成等离子体,因此这种极端的环境更易于等离子体器件工作。
  • 可在P型与N型间转换的新式晶体管问世
    据美国物理学家组织网12月21日(北京时间)报道,德国科学家研制出一种新式的通用晶体管,其既可当p型晶体管又可当n型晶体管使用,最新晶体管有望让电子设备更紧凑 科学家们也可用其设计出新式电路。相关研究发表在最新一期的《纳米快报》杂志上。  目前,大部分电子设备都包含两类不同的场效应晶体管:使用电子作为载荷子的n型和使用空穴作为载荷子的p型。这两种晶体管一般不会相互转化。而德累斯顿工业大学和德奇梦达公司携手研制的新式晶体管可通过电信号对其编程,让其自我重新装配,游走于n型晶体管和p型晶体管之间。  新晶体管由单条金属—半导体—金属结构组成的纳米线嵌于一个二氧化硅外壳中构成。从纳米线一端流出的电子或空穴通过两个门到达纳米线的另一端。这两个门采用不同方式控制电子或空穴的流动:一个门通过选择使用电子或空穴来控制晶体管的类型 另一个门则通过调谐纳米线的导电性来控制电子或空穴。  传统晶体管通过在制造过程中掺杂不同元素来确定其是p型还是n型,而新式晶体管不需要在制造过程中掺杂任何元素,通过在一个门上施加外部电压即可重新配置晶体管的类型。施加的电压会使门附近的肖特基结阻止电子或空穴流过设备,如果电子被阻止,空穴能流动,那么,晶体管就是p型,反之则是n型。  研究人员解释道,使这种再配置能起作用的关键是调谐分别通过肖特基结(每个门一个)的电子流动情况,模拟显示,纳米线的几何形状在这方面起关键作用。  尽管该研究还处于初期阶段,但新式晶体管展示出了极佳的电学特性。比如,与传统纳米线场效应晶体管相比,其开/闭比更高,且漏电更少。该研究的领导者沃尔特韦伯表示:“除采用人造纳米线外,采用目前先进的硅半导体制造技术也可以制造出这种晶体管,还可以用到自对准技术,大大提高工作频率和速度。”  接下来,科学家们计划通过改变材料的组成来改进新式晶体管的性能,并制造出由其运行的电路。他们表示,最大的挑战是,在将其与其他晶体管结合在一起时,如何将额外的门信号整合进来。
  • 分子大小的晶体管新鲜出炉
    在一个砷化铟晶体上,12个带正电的铟原子环绕着一个酞菁染料分子,这就是科学家最新研制的分子大小的晶体管。按照摩尔定律的硬限制,这很可能是一个晶体管所能达到的最小尺寸。  新型晶体管是由德国PDI固体电子学研究所、柏林自由大学、日本NTT基础研究实验室和美国海军研究实验室研究人员组成的国际团队开发的。这一发表在科学期刊《自然物理》上的最新成果朝着量子计算迈出一大步。  构成晶体管的每个铟原子的直径是167皮米(0.167纳米),比目前的最小电路——IBM公司刚刚推出的7纳米芯片(晶体管尺寸为7纳米)要小42倍。人类发丝厚度为10万纳米,大约是铟原子尺寸的60万倍 红血球直径6000纳米,是它的36000倍 甚至只有2.5纳米宽的DNA链,大小也达到了铟原子的15倍。  在这样的原子尺度上,电子流通常很难得到可靠地控制,电子会跳到晶体管外,导致晶体管无效。英国《卫报》网站21日报道称,研究团队使用一个扫描隧道电子显微镜,将铟原子放置在精确位置上,并对通过栅极的电子流进行控制。他们意外发现,位于晶体管中心的酞菁染料分子的方向是由其电荷决定的,这意味着,与传统晶体管只有一种简单的类似开关的状态相比,新型晶体管可能并不只限于此。  研究证明,通过精确控制原子来创建一个比现有任何其他量子系统都要小的晶体管是可能的,它也为进一步研究如何将这些微晶体管应用于处理能力超过目前水平几个数量级的计算机和系统打开了大门。  摩尔定律说,集成电路上可容纳的元器件的数目约每隔18个月到24个月便会增加一倍,性能也将提升一倍。芯片上集成的晶体管越多,其功能越强大。目前最新款计算机芯片已经突破7纳米尺度,向更小型化发展越来越难。虽然单分子晶体管距离集成到芯片中还很遥远,但这项新研究仍将有助于下一代计算机——量子计算机的开发。

晶体管相关的方案

晶体管相关的资料

晶体管相关的试剂

晶体管相关的论坛

  • 晶体管知识简介

    晶体管知识简介

    晶体管(transistor)是一种固体半导体器件,可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关,基于输入的电压,控制流出的电流,因此晶体管可做为电流的开关,和一般机械开关(如Relay、switch)不同处在于晶体管是利用电讯号来控制,而且开关速度可以非常之快,在实验室中的切换速度可达100GHz以上。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2012/12/201212201403_414109_1841898_3.jpghttp://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2012/12/201212201403_414110_1841898_3.jpg

  • 【原创】晶体管特性图示仪

    晶体管特性图示仪是一种可以检测晶体管的特性参数的电子测量仪器。晶体管特性图示仪操作简便,主要有六个旋钮,每个旋钮代表不同的功能作用。它们分别是用来测试调控电流开关、电压开关、峰值电压开关、功耗限制电阻、零电压、零电流开关。晶体管特性图示仪的工作原理大致是这样的:通过示波管的内刻度可直接读测半导体管的低频直流参数,通过摄影装置可记录所需的特性曲线;根据需要还可以测试隧道二极管、场效应管、VMOS管、达林顿管及可控硅等半导体材料制做的器件。晶体管特性图示仪可同时在示波器管荧光屏上显示两只同类型半导器件的特性曲线。晶体管特性图示仪的具体参数如下:集电极扫描电压0-500V 二端测试电压0-5KV、 集电极电流1μA-500mA/div 、具有脉冲阶梯信号。

  • 美制造出超小型单电子晶体管

    据美国物理学家组织网4月19日(北京时间)报道,由美国匹兹堡大学领导的一个研究小组日前宣布,他们制造出了一种核心组件直径只有1.5纳米的超小型单电子晶体管。该装置是制造下一代低功耗、高密度超大规模集成电路理想的基本器件,具有极为广泛的应用价值。相关论文发表在最新一期《自然·纳米技术》杂志上。  单电子晶体管是用一个或几个电子就能记录信号的晶体管,其尺度都处于纳米级别。随着集成电路技术的发展,电子元件的尺寸越来越小,由单电子晶体管组成的电路日益受到研究人员的青睐,其高灵敏度的特性和独特的电气性能使其成为未来随机存储器和高速处理器制造材料的有力竞争者。  据研究人员介绍,这种新型单电子晶体管的核心组件是一个直径只有1.5纳米的库伦岛,另外还有一两个电子负责对信号进行记录。负责该项研究的匹兹堡大学文理学院物理学和天文学教授杰里米·利维称,该晶体管未来可用于研制具有超密存储功能的量子处理器。这种处理器将能轻松应对那些让目前全世界所有的计算机同时工作数年也计算不完的复杂问题。同时因其中央的库伦岛可以被当作人工原子,该晶体管还可用来制造自然界原本并不存在的新型超导材料。  利维和其同事将这种超小型单电子晶体管命名为“SketchSET”。原因在于这项技术受到了一种名为蚀刻素描画板(Etch A Sketch)的启发,这种晶体管的制造原理也与其类似。在实验中,通过原子力显微镜,研究人员用一种极为尖锐的电导探针就能在钛酸锶晶体界面上用1.2纳米厚的一层铝酸镧“蚀刻”出所需的晶体管。  据介绍,SketchSET是第一个完全由氧化物制成的单电子晶体管,并且其库伦岛内能容纳两个电子。经过库伦岛的电子数量可以是0、1或2,而不同数量的电子将决定其具有怎样的导电性能。  利维表示,这种单电子晶体管对电荷极为敏感,且所使用的氧化物材料具有铁电效应,该晶体管还可制成固态存储器,即便没有外部电源,该晶体管存储器也不会丢失此前存储的信息。此外,这种晶体管对压力变化也极为敏感,根据这一特性可用其来制成纳米尺度的高灵敏度压力传感设备。  1959年一个芯片上只能放一个晶体管,今天家用计算机微处理器上的晶体管数量已达11.7亿,是半导体材料支撑起了电子计算机时代。下一代计算机如何发展?无论是基于单电子晶体管的量子计算机,还是基于蛋白质技术的生物计算机,我们还是要从新材料上找答案。当前已经有多种单电子晶体管研制出来,也许这些方案将来都派不上用场,然而每次实验都会向成功迈进一步,最后开启计算机新时代的新材料一定会在这些实验中脱颖而出。

晶体管相关的耗材

  • 铌酸钾晶体 光折变晶体KNbO3晶体 光折变晶体铌酸钾
    铌酸钾晶体 光折变晶体KNbO3晶体 光折变晶体铌酸钾 铌酸钾KNbO3为优异的非线性光学晶体,属钙钛矿结构,其晶胞这样构成:K+离子占据立方体角顶位置,Nb5+占据体心位置,O2-占据面心位置。铌酸钾(KNbO3,简称KN)晶体除有优异的激光倍频性能外,还具有优异的电光、光折变、压电等性能。它的非线性光学品质因数、电光品质因数、光折变品质因数以及压电性能在非线性晶体及压电晶体中都名列前茅,KN不潮解,耐一般酸碱,化学性质十分稳定。铌酸钾晶体标准特性?- 可用于电光和非线性光学的高质量非掺杂铌酸钾晶体- 可用于可见红外波段光折变高质量掺杂Rh(铑), Fe(铁), Mn(锰), 和 Ni(镍)的铌酸钾晶体- 非常低的散射损耗可选特性- 高光敏性铌酸钾晶体,长波可至1000nm- 毫秒级的响应时间应用- 电光晶体和非线性光学- 光折变应用 (和激光二极管)- 可见红外波段的动态全息和光学相位结合光折变光栅记录时间(photorefractive grating recording times)Selected KNbO3 crystal at different wavelengths for I=1W/cm2铌酸钾晶体波长记录时间KNbO3: Fe488nm1sKNbO3: Mn515nm860nm1s3sKNbO3: Fereduced488nm515nm0.01s0.01sKNbO3: Rhreduced860nm1064nm0.5s50s铌酸钾晶体吸收光谱更多晶体相关产品碲化锌晶体ZnTe晶体铌酸锂晶体LiNbO3晶体硒化锌晶体ZnSe晶体硒化镓晶体GaSe晶体硫化锌晶体ZnS晶体磷化镓晶体GaP晶体有机晶体DAST晶体有机晶体DSTMS晶体有机晶体OH1晶体
  • 键合晶体
    我们提供世界上先进的键合晶体技术和优质的键合晶体。 我们采用独特的非粘合剂(光胶)的晶体粘结技术,基于晶体段边界的精密光学接触和扩散键合技术制造键合晶体,We use our own adhesive free bond technology based on precise optical contact of bonded surfaces and diffusion bonding across of solid state boundary of crystal segments.基于上述先进的技术,我们提供先进的键合晶体,这些键合晶体或复合晶体作为晶体微片,可用于微片激光(microchip laser)的制造和实验。我们设计制造YAG+ Nd:YAG键合晶体,YAG+Tm:YAG键合晶体,YAP+Tm:YAP键合晶体,YAG/Er:YAG键合晶体, YAG/Yb:YAG复合晶体,YAG/Yb:LuAG键合晶体等非掺杂段和掺杂段梯度键合的晶体微片.我们还提供被动Q开关V:YAG或Cr:YAG与上述增益激光材料键合的晶体微片。 We design predominantly diffusion bonded Nd:YAG, Tm:YAG, Er:YAG, Yb:YAG and Yb:LuAG rods consisting of undoped and doped segments with gradient doping. We also produce diffusion bonded gain material to passive Q-switch of V:YAG or Cr4+:YAG.Nd:YAG键合晶体棒我 们提供键合Nd:YAG晶体和Nd:YAG晶体棒,由掺杂Nd:YAG晶体和不掺杂Nd:YAG晶体组成。这种 Nd:YAG键合晶体棒有助于减小热透镜效应和其他热应力效应,特别适用于二极管轴向泵浦的谐振腔。例如:Nd:YAG复合晶体,5x(4+8)mm规 格,二极管轴向泵浦的效率超过29.5%。 微片激光器和晶体微片微片激光非常适用于无Q开关的准直的谐振腔。这种紧凑的晶体微片融合了制冷的非掺杂部件,Nd:YAG晶体工作物质和主动的可饱和的吸收器部分。镜片可以直接放在晶体正面,这种晶体微片结构可以有效地从Nd:YAG晶体和可饱和吸收部分消除热量。 这种键合晶体采用先进键合晶体技术,基于晶体段边界光学接触和扩散键合技术,是全球最佳的晶体微片和复合晶体.
  • Nd:YAG晶体
    Nd:YAG晶体(包括Nd:YAG激光棒和Nd:YAG晶体棒)是采用Czochralski法生长而成的掺钕钇铝石榴石晶体,在Nd:YAG晶体棒生长过程中使用了保护性的大气,精确控制退火,保证了Nd:YAG晶体棒良好的激光产生效率。我们标准的Nd:YAG晶体棒包括: I)Nd粒子掺杂浓度从0.3%到1.3%的Nd:YAG晶体棒和切片;II)Nd:YAG晶体棒直径从2mm到12mm长达160mmIV)Nd:YAG晶体棒按DIN和MIL标准的良好抛光,V)Nd:YAG晶体棒与布儒斯特角垂直或倾斜竖立VI)Nd:YAG晶体棒宽范围的增透,局部或高反镀膜VII)Nd:YAG晶体棒增透膜的R键合Nd:YAG晶体棒我 们提供键合Nd:YAG晶体棒,由掺杂Nd:YAG晶体棒和不掺杂Nd:YAG晶体组成。这种键合Nd:YAG晶体棒有助于减小热透镜效应和其他热应力效 应,特别适用于二极管轴向泵浦的谐振腔。例如:Nd:YAG键合晶体,5x(4+8)mm规格,二极管轴向泵浦的效率超过29.5%。 微芯片激光非常适用于无Q开关的准直的谐振腔。这种紧凑的产品融合了制冷的非掺杂部件,Nd:YAG晶体工作物质和主动的可饱和的吸收器部分。绝缘镜片可以直接放在晶体正面,这种结构可以有效地从Nd:YAG晶体和可饱和吸收部分消除热量。我们提供的Nd:YAG晶体包括Nd:YAG晶体棒,是采用Czochralski法生长而成的掺钕钇铝石榴石晶体,保证了Nd:YAG晶体棒良好的激光产生效率.领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪!Nd:YAG晶体棒由孚光精仪进口,孚光精仪公司是中国进口激光器件的第一品牌, 最大的进口精密光学器件和仪器供应商!提供的Nd:YAG晶体棒, 掺钕钇铝石榴石系高质量原装进口晶体, 在国外生长, 切割,抛光,高质量的镀膜,并进行严格的质量控制后进口到国内,质量非常可靠,在中科院上海光机所,安徽光机所,中国工程物理研究院等单位成功使用。
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