晶体管

泰克Tektronix370A 晶体管测试仪TEK370A 泰克Tektronix 370A 晶体管测试仪名称：泰克Tektronix 370A 晶体管测试仪主要参数:半导体器件高精度测量-上限达2000V或电流到10A的源（370A/B）-上限到3000V（371A）-上限到220W（370A/B）-上限到400A（371A）-1nA的测量分辨率-上限到3000W（371A）-上限到2mV的测量分辨率（370A/B）-波形对比-包络显示-波形平均-点光标（370A）-Kelvin传感测量-全程控-MS-DOS兼容的软盘，方便设置参孝存储和调用交互式程-所有交互式程控测量是通过有鲜明特点的前面板或GPIB来完成的。使用几种存储方式，调整和存储操作参数，包括370A的非易失存储器、内置的MS-DOS兼容的软盘或到外部控制器。测试夹具-测试夹具是标准附件，它提供被测器件安全防护，以保护测量人员的安全。测试夹具适应标准的A1001，中间通过Kelvin传感的A1005适配器、无Kelvin传感的3芯适配器和A1023、A1024表面封装适配器。程控特性曲线图示仪高分辨率特性曲线图示仪，可应用到许多场合。370A能完成晶体管、闸流管、二极管、可控硅、场效应管、光电元件、太阳能电池、固态显示和其它半导体器件的直流参数特性的测试。-在研发实验室，用370A来完成新器件、SPIEC参数的提取、失败分析和产生数据报告这些具体的测试工作。应用-手动或自动进行半导体高分辨率DC参数测量-来料检查-生产测试-过程监视及质量控制-数据报告的生成-元件配对-失效分析-工程测试370A.jpg标签泰克Tektronix 370A 晶体管测试仪，泰克Tektronix 370A 晶体管测试仪价格相关产品半导体测试仪半导体测试仪备注： 本公司十年专业销售、租赁、维修、回收二手仪器，公司货源广阔，绝大部分直接从国外引进，成色新，价格低，资金雄厚，库存充足，售前严格，售后快捷是我们的特点：致力于为客户提供更专业，方便，快捷的人性化服务是我们的宗旨；勇于创新，敢于探索是我们的优势；凡在我司购买的仪器免费送较准服务一年！-鹏庆电子

SWT-6000A微电脑晶体管焊接电源是电阻焊接里面最理想的焊接电源，主机采用高速微处理器控制，控制精度高，时间响应快， 工作模式丰富，它具有电流上升快、输出电流稳定、熔接处于两焊接接触面，被焊接处氧化少、焊接自检等主要特性，主要用于 锂离子电池组焊接、动力电池、电动工具电池焊接之用，是保证高品质焊接必选机型。整机电源全为开关电源控制，电源适应能力强。该电源是我司最新推出高端焊接电源，焊接电流通过晶体管进行高速切换，无需变压器，焊接电流上升速度成倍提高，可极短时间内对工件进行高品质焊接。具有焊机参数自检对比功能，以确保每个焊点质量达标。规格型号:SWT-6000A(4000A/10000A)最*焊接电流：6000A(4000A/10000A)焊接电压：12V焊接能力：0.01-0.20mm（0.01-0.12mm/0.01-0.30mm）焊接模式：定电压/定电流焊接时间：1.0-3.0mS外型尺寸：380*230*320mm输入电源：AC220V±10%/50Hz

产品目录? 晶体管图示仪（曲线追踪仪）? 半导体分立器件测试筛选系统。? 静态测试设备：包括导通、关断、击穿、漏电、增益等直流参数? 动态测试设备：包括 Tr， Trr , Qg , Rg , FRD , UIS , SC , Ci , RBSOA 等? 环境老化测试：包括 HTRB , HTGB , H3TRB , Surge 等? 热特性测试：包括 PC , TC , Rth , Zth , Kcurve 等? 测试范围：Si , SiC , GaN 材料的 IPM , IGBT , MOSFET , DIODE , BJT , SCR等分立器件及功率器件。ST-SP2000_5 (Curve版)晶体管曲线追踪仪可测试 19大类27分类 的大中小功率分立器件及模块的 静态直流参数（测试范围包括Si/SiC/GaN材料的 IGBTs/DIODEs/MOSFETs/BJTs/SCRs 等器件）主极2000V / 50~1250A，分辨率*高至1mV / 10pA支持曲线扫描图示功能?产品应用应用领域军工院所、高校、半导体器件生产厂商、电源、变频器、逆变器、变流器、数控、电焊机、白色家电、新能源汽车、轨道机车等所有的半导体器件应用产业链 ……主要用途? 测试分析（功率器件研发设计阶段的初始测试）? 失效分析（对失效器件进行测试，查找失效机理。以便于对电子整机的整体设计和使用过程提出改善方案 ）? 选型配对（在器件焊接至电路板之前进行全部测试，将测试数据比较一致的器件进行分类配对）? 来料检验（研究所及电子厂的质量部（IQC）对入厂器件进行抽检/全检，把控器件的良品率）? 产线自动化测试（可连接机械手、扫码枪、分选机等各类辅助机械设备，实现规模化、自动化测试）?产品简述 产品扩展性强，通过选件可以提高电压、电流和测试品种范围。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条点击即可完成测试任务。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座，自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降，保证测试结果准确可靠。面板显示装置可及时显示系统的各种工作状态和测试结果,前面板的功能按键方便了系统操作。通过功能按键，系统可以脱离主控计算机独立完成多种工作。 曲线追踪仪（晶体管图示仪）功能则是利用高速ATE测试步骤逐点生成曲线，可快速而准确地生成精确的数据点。数据增量是可编程的线性或对数，典型的每步测试时间为6到20ms。一个两百条数据点曲线通常只需几秒钟就能完成。使用该系列跟踪仪更容易获取诸如 Transistor hFE vs. IC, Transistor VCESAT vs. IB and MOSFET RDSvs. VGS 等曲线数据。此外， 针对多条曲线，设备可以根据每条曲线的数据运行并将所获数据自动发送到一个单独的 Excel 工作表。系统能够更快，更简洁的创建曲线（单击，双击，选择输入菜单，单击）。就是这么简单。设备支持在单个 DUT 上运行高达 10 条不同曲线的能力，在运行过程中，每个图表都是可视的，每个数据集都被加载到一个被命名的 Excel 工作表中。系统运行速度快，可进行数据记录，提供更高级的数据工具箱，能够运行多条曲线并自动排序，自动将数据存入 Excel 表格，具有缩放功能，光标重新运行功能以及其他许多优点。 系统提供与机械手、探针台、电脑的连接口，可以支持各种不同辅助设备的相互连接使用。?可供选择的曲线Tel:d173h4295a2894

产品系列晶体管图示仪半导体分立器件测试筛选系统静态测试（包括IGEs/VGE(th)/VCEsat/VF/ICEs/VCEs等）动态测试（包括Turn_ON&OFF_L/Qrr_FRD/Qg/Rg/UIS/SC/RBSOA等）环境老化测试（包括 HTRB/HTGB/H3TRB/Surge等）热特性测试（包括 PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等）可测试 Si/SiC/GaN 材料的IGBTs/MOSFETs/DIODEs/BJTs/SCRs等功率器件FBSOA1000Forward Bias Safe Operating Area 1000A晶体管正向偏置安全工作区测试系统Transistor Forward Bias Safe Operating Area Test System&bull 用于 Si , SiC , GaN , 材料的器件级和模块级的IGBT , MOS-FET的正向偏置安全工作区测试&bull FBSOA和对应的IV曲线&bull ICE电流0~1000A&bull VCE电压0~100V。&bull VGE驱动电压0~30V&bull vF热敏电压≤5V&bull Pmax最大功率100KW.&bull 脉宽10us~10ms，&bull 柜式结构，气动安全（支持手动式）工装柜，计算机全自动程控一、关于安全工作区晶体管的安全工作区，英文全称safe operating area，简称SOA。顾名思义，也就是说只要使用的条件（电压、电流、结温等）不超出SOA圈定的边界，晶体管必然能够按照电路设计正常运行，反之则死。所以，FBSOA是指全控型晶体管的门极电压VGE处于正向偏置（VGEVGEth）时，沟道处于导通状态时的安全工作区。FBSOA是全控型晶体管各种工作状态的集合，必须集合晶体管的其它特性去理解安全工作区的含义。失效器件送到原厂做FA分析，看到的字眼通常包含over voltage，over current，short circuit，EOS等，但是，其失效的深层原因与整机的应用环境和系统设计是密切相关的。整机产品里面包含的元器件数量少则几十，多则上万甚至更多，应用环境千奇百怪，元器件的失效就不可避免，作为工程师，能做的就是根据整机性能要求充分评估、测试元器件的各项关键参数，出现失效后，复盘设计，复现失效，找出根因，避免失效再次复现。二、FBSOA参数定义右图是简化的FBSOA曲线，本质上讲，FBSOA曲线划定了 四条电压-电流关系的边界线，分别由AB段，BC段，CD段，DE段构成。AB段规定了处于饱和导通状态下IGBT的最大工作电流，这个电流与IGBT的门极驱动电压幅值密切相关，从图4可以看出，IGBT的门极驱动电压幅值越高，饱和导通状态下的最大工作电流越大。BC段规定了IGBT的最大可重复电流ICpuls，这个电流是4倍的标称电流；FBSOA简化曲线CD段是最复杂的，需要结合IGBT的瞬态热阻来看。大家知道，IGBT有两个工作区，线性区和饱和区，跨越过AB段之后，其实IGBT就处于线性区了，也就是退出饱和导通区了，IGBT的损耗急剧上升，所以，这条边界体现了IGBT能承受的最大耗散功率Ptot。同时可以看出，集射极CE两端电压越高，IGBT所能承受的电流脉冲幅值越低，另外，电流脉冲宽度越大，IGBT所能承受的电流幅值也越低。从图可以看出，蓝色CD段各种脉冲宽度下的SOA，均是单脉冲安全工作区，非连续工作情况下的工作区，所以，必须参考上一页的右下角的IGBT瞬态热阻曲线，由公式（1）计算出在指定VCE条件下允许的电流IC的幅值和脉宽。DE段最容易理解，它规定了IGBT的集射极CE击穿电压，需要注意的是，IGBT的CE击穿电压是和结温正相关的，结温越低，CE击穿电压也越低。三、规格及环境要求&bull  设备尺寸∶800*800*1800mm（2组）∶&bull  设备质量∶800kg∶&bull  海拔高度∶海拔不超过4000m；  &bull 环境要求∶-20℃～60℃（储存）、5℃～45℃（工作）；&bull  相对湿度∶20%RH～75%RH（无凝露，湿球温度计温度45℃以下）；&bull  大气压力∶86Kpa～106Kpa；&bull  防护条件∶无较大灰尘，腐蚀或爆炸性气体，导电粉尘等；&bull  电网要求AC220V、±10%、50Hz±1Hz &bull  压缩空气∶根据配置；&bull  工作时间∶连续。四、产品特点&bull 测试规范：国际标准IEC60747-9、IEC60747-2、国家标准GB/T29332、GB/T4023&bull 测试工装有“手动式”“气动式”“电子开关式”供用户选择，针对不同的封装外观，通过更换“DUT适配器”即可&bull 高温测试，支持室温~200℃，±1℃@0.5℃&bull 计算机程控，测试数据可存储为 Excel 文件以及生成PDF格式，且内置多种通用文档模板供用户选择，还可自定义&bull 安全稳定（PLC 对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁）设备具有安全工作保护功能&bull 采用品牌工控机，具有抗电磁干扰能力强，排风量大等特点&bull 智能化，通过主控计算机进行操控及数据编辑，测试结果自动保存及上传指定局域网，支持MES系统和扫码枪连接&bull 安全性，防爆，防触电，防烫伤，短路保护等多重保护措施，确保操作人员、设备、数据及样品安全&bull 电压源电流源模块化设计，根据用户需求等级，自选搭配5. 部分配件清单&bull 系统主机：数量/1 套，品牌/天光测控，型号/SOA-1000，规格/?； &bull 高压电源：数量/1 套，品牌/顾伟，型号/PSW160-14.4，规格/电流0-14.4A 电压0-160V 功率720W 单输出多量程；&bull 驱动电源： 数量/1 套，品牌/顾伟，型号/GPP-2323，规格/双通道输出 电压32V 电流3A；&bull 工 控 机：数量/1 套，品牌/研华，型号/610L，规格/；CPU:酷睿i7.操作系统windows10&bull 机 柜：数量/1 套，品牌/天光测控，型号/SOA-A，规格/高≥2000mm 宽≤800mm 深≤800mm&bull 采集卡: 数量/1 套，品牌/阿尔泰，型号/USB8504，规格/ADC分辨率：14位 输入通道：4通道 采样率：40MS\s 存储深度2GB &bull 多功能数据卡: 数量/1 套，品牌/阿尔泰，型号/USB3132A，规格/操作系统win：XP.7.8.10 AI.AO输入分辨率:16位250K &bull 电压变送器: 数量/1 套，品牌/阿尔泰，型号/S1205，规格/输入-2~+2 输出-10V~+10V？&bull 霍尔电流传感器: 数量/1 套，品牌/深圳知用，型号/CTA1000，规格/连续直流电流1000A 有效电流707 传输比：1：1000 带宽：500KHZ&bull 探头: 数量/1 套，品牌/深圳知用，型号/P6251，规格/带宽：250MHZ 衰减比10：1 上升时间：1.4ns？&bull 柔性电流探头：品牌/深圳知用，型号/CP9120L，规格/灵敏度5mv/A 电流1.2KA低频带宽1dB 高频带宽10dB&bull 集成配套包、鼠标、电源线六、系统架构原理图七、局部示意图驱动模块气动工装示意图

监视器附件 6SY8101-0AA31干扰抑制滤波器 6SB2076-4AA00-0AA0干扰抑制滤波器 6SY8101-0AA37风扇 6SY8101-0AA66电源变压器 短路器 6SY8101-0AA77风扇 6SY8101-0AB06风扇 6SL3994-0FX05-0AA0干扰抑制滤波器 6SY8101-0AC00风扇 6SL3994-0FX03-0AA0制动电阻 6SY8101-0AC07SITOR 模块 6QA5111-0AK21闸流晶体管 6SB2071-0AA00-0AA0闸流晶体管 6SB2071-1AA00-0AA0晶闸管 6SD2180-3AA0闸流晶体管 6SB2071-4BA00-0AA0闸流晶体管 6SB2071-6AA00-0AA0闸流晶体管 6SB2071-7AA00-0AA0变压器 6SB2072-1AA00-0AA0电流互感器 6SB2072-4AA00-0AA0电流互感器 6SB2072-5AA00-0AA0电流互感器 6SB2072-5BA00-0AA0电流互感器 6SB2072-6AA00-0AA0电容器 6SB2073-3DA00-0AA0闸流晶体管 6SD2180-1AA0闸流晶体管 6SD2180-2AA0风扇 6SL3994-0FX04-0AA0闸流晶体管 6SD2180-5AA0闸流晶体管 6SD2180-6AA0电流实际值转换器 6SD2181-2AA0变压器 6SD2181-4AA0电泳放电器面板 6SD2182-0AA0电泳放电器面板 6SD2182-1AA0电泳放电器面板 6SD2182-2AA0电泳放电器面板 6SD2182-3AA0径流式风扇 6SL3944-0FX00-0AA0晶闸管 6SL3953-6PX00-0AA0

BW-3010B晶体管光耦参数测试仪（双功能版）品牌： 博微电通名称：晶体管光耦参数测试仪(光耦&光电传感器双功能版)型号： BW-3010B用途： BW-3010B型光藕参数测试仪是专为各种4脚三极管型的光电耦合器的功能和参数测试及参数”合格/不合格”(OK/NO)判断测试。 BW-3010B型光藕参数测试仪是专为各种4脚三极管型的光电耦合器和光电传感器的功能和参数测试及参数”合格/不合格”(OK/NO)判断测试，BW-3010B为各种三极管型4脚光藕提供了输入正向压降（VF）和输出反向耐(ICEO)、耐压BVCEO、传输比(CTR)等 。中文软件界面友好,简化了系统的操作和编程,提供了快速的一次测试条件和测试参数的设定,测试条件及数据同步存入EEPROM中，测试条件可以任意设置，测试正向压降和输出电流可达1A，操作简便，实用性强。广泛应用与半导体电子行业、新能源行业、封装测试、家电行业、科研教育等领域来料检验、产品选型等重要检测设备之一。产品电气参数：产品信息产品型号：BW-3022A产品名称：晶体管光耦参数测试仪；物理规格主机尺寸：深 305*宽 280*高 120(mm)主机重量：＜4.5Kg主机颜色：白色系电气环境主机功耗：＜75W环境要求：-20℃～60℃（储存）、5℃～50℃（工作）；相对湿度：≯85%；大气压力：86Kpa～106Kpa；防护条件：无较大灰尘，腐蚀或爆炸性气体，导电粉尘等；电网要求：AC220V、±10%、50Hz±1Hz；工作时间：连续；服务领域： 应用场景： ▶ 选型配对（在器件焊接至电路板之前进行全部测试，将测试数据比较一致的器件进行分类配对） ▶ 检验筛选（研究所及电子厂的质量部（IQC）对入厂器件进行抽检/全检，把控器件的良品率） 产品特点： ▶ 大屏幕液晶,中文操作界面,显示直观简洁,操作方面简单 ▶ 大容量EEPROM存储器,储存量可多达1000种设置型号数. ▶ 全部可编程的DUT恒流源和电压源. ▶ 内置继电器矩阵自动连接所需的测试电路,电压/电流源和测试回路. ▶ 高压测试电流分辨率1uA,测试电压可达1500V； ▶ 重复”回路”式测试解决了元件发热和间歇的问题； ▶ 软件自校准功能； ▶ 自动测试测DUT短路、开路或误接现象,如果发现,就立即停止测试； ▶ DUT的功能检测通过LCD显示出被测器件/DUT的类型，显示测试结果是否合格,并有声光提示； ▶ 两种工作模式：手动、自动测试模式。 BW-3010B主机和DUT的管脚对应关系型号类型P1 T1P2 T2P3T3P4T4光藕PC817AA测试端KK测试端EE测试端CC测试端 BW-3010B测试技术指标：1、光电传感器指标:输入正向压降(VF)测试范围分辨率精度测试条件0-2V2mV1%+2RD0-1000MA反向电流(Ir)测试范围分辨率精度测试条件0-200UA0.2UA2%+2RDVR:0-20V集电极电流(Ic)测试范围分辨率精度测试条件0-40mA0.2MA1%+2RDVCE:0-20V IF:0-40MA输出导通压降(VCE(sat))测试范围分辨率精度测试条件0-2.000V2mV1% +5RDIC：0-40mAIF:0-40mA输出漏电流(Iceo)测试范围分辨率精度测试条件0-2.000mA2UA2%+2RDVR:0-20V2、光电耦合器：耐压(VCEO)测试指标测试范围分辨率精度测试条件0-1400V1V2%+2RD0-2mA输入正向压降(VF)测试范围分辨率精度测试条件0-2V2mV1%+2RD0-1000MA反向漏电流(ICEO)测试范围分辨率精度测试条件0-2000uA1UA5% +5RDBVCE=25V反向漏电流(IR)测试范围分辨率精度测试条件0-2000uA1UA5% +5RDVR=0-20V电流传输比(CTR)测试范围分辨率精度测试条件0-99991%1% +5RDBVCE：0-20VIF:0-100MA输出导通压降(VCE(sat))测试范围分辨率精度测试条件0-2.000V2mV1% +5RDIC：0-1.000AIF:0-1.000A可分档位总数：10档 BW-3010B测试定义与规范：AKEC:表示引脚自左向右排列分别为 光耦的,A K E C极.VF:IF: 表示测试光耦输入正向VF压降时的测试电流.Vce:Bv:表示测试光耦输出端耐压BVCE时输入的测试电压.Vce:Ir: 表示测试光耦输出端耐压BVCE时输入的测试电流.CTR:IF:表示测试光耦传输比时输入端的测试电流。CTR:Vce:表示测试光耦传输比时输出端的测试电压。Vsat:IF:表示测试光耦输出导通压降时输入端的测试电流。Vsat:Ic:表示测试光耦输出导通压降时输出端的测试电流。

品牌： 华科智源 名称： 晶体管图示仪 型号： HUSTEC-DC-2020 用途： 测试二三极管，MOS管，IGBT，晶闸管，可控硅等件测试仪设备扩展性强，通过选件可以提高电压、电流和测试品种范围。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条件点击即可完成测试任务。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座，自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降，保证测试结果准确可靠。面板显示装置可及时显示系统的各种工作状态和测试结果,前面板的功能按键方便了系统操作。通过功能按键，系统可以脱离主控计算机独立完成多种工作。系统提供与机械手、探针台、电脑的连接口，可以支持各种不同辅助设备的相互连接使用。产品介绍 产品为桌面放置的台式机结构，由测试主机和程控电脑两大部分组成。外接各类夹具和适配器，还能 够通过 Prober 接口、Handler 接口可选（16Bin）连接分选机和机械手建立工作站，实现快速批量化测 试。通过软件设置可依照被测器件的参数等级进行自动分类存放。能够极好的应对“来料检验”“失效分 析”“选型配对”“量产测试”等不同场景。 产品的可靠性和测试数据的重复性以及测试效率都有着非常优秀的表现。创新的“点控式夹具”让操 作人员在夹具上实现一点即测。操作更简单效率更高。测试数据可保存为 EXCEL 文本。 应用场景Ø 模化、自动化测试） 测试分析（功率器件研发设计阶段的初始测试） Ø 失效分析（对失效器件进行测试分析，查找失效机理。以便于对电子整机的整体设计和使用过程提 出改善方案） Ø 选型配对（在器件焊接至电路板之前进行全部测试，将测试数据比较一致的器件进行分类配对） Ø 来料检验（研究所及电子厂的质量部（IQC）对入厂器件进行抽检/全检，把控器件的良品率） Ø 量产测试（可连接机械手、扫码枪、分选机等各类辅助机械设备，实现规 产品特点(1) 可测试 7 大类 26 分类的各类电子元器件； (2) PC 机为系统的主控机； (3) 基于 Lab VIEW 平台开发的填充式菜单软件界面； (4) 自动识别器件极性 NPN/PNP (5) 16 位 ADC，100K/S 采样速率； (6) 程控高压源 10~1400V，提供 2KV 选配； (7) 程控高流源 1uA~40A，提供 100A,300A,500A 选配； (8) 驱动电压 10mV~40V； (9) 控制极电流 10uA~10mA； (10) 四线开尔文连接保证加载测量的准确；(11) 通过 RS232 接口连接校准数字表，对系统进行校验； (12) Prober 接口、Handler 接口可选（16Bin） (13) 可为用户提供丰富的测试适配器(14) 连接分选机最高测试量为每小时 1 万个 (15) 可以测试结电容，诸如 Cka，Ciss，Crss，Coss； (16) 脉冲电流自动加热功能，方便高温测试，无需另加升温装置； 测试参数 (1) 二极管类：二极管 Diode Kelvin，Vrrm，Irrm，Vf，△Vf，△Vrrm，Cka，Tr（选配）；(2) 二极管类：稳压二极管 ZD（Zener Diode）Kelvin，Vz，lr，Vf，△Vf，△Vz，Roz，lzm，Cka； (3) 二极管类：稳压二极管 ZD（Zener Diode）Kelvin、Vz、lr、Vf、△Vf、△Vz、Roz、lzm、Cka；(4) 二极管类：三端肖特基二极管 SBD（SchottkyBarrierDiode）Kelvin 、Type_ident 、Pin_test 、Vrrm、Irrm、Vf、△Vf、V_Vrrm、I_Irrm、△Vrrm、Cka、Tr（选配）；(5) 二极管类：瞬态二极管 TVSKelvin 、Vrrm 、Irrm、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka ； (6) 二极管类：整流桥堆 Kelvin 、Vrrm、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka；(7) 二极管类：三相整流桥堆Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm、Cka；(8) 三极管类：三极管Kelvin 、Type_ident、Pin_chk 、V(br)cbo 、V(br)ceo 、V(br)ebo 、Icbo、lceo、Iebo、Hfe、Vce(sat)、 Vbe(sat)、△Vsat、△Bvceo 、△Bvcbo 、Vbe、lcm、Vsd 、Ccbo 、Cces、Heater、Tr （选配）、Ts （选配）、Value_process； (9) 三极管类：双向可控硅 Kelvin、Type_ident、Qs_chk、Pin_test、Igt、Vgt、Vtm、Vdrm、Vrrm、Vdrm rrm、Irrm、 Idrm、Irrm_drm、 Ih、IL、C_vtm、△Vdrm、△Vrrm、△Vtm；(10)三极管类：单向可控硅Kelvin、 Type_ident、 Qs_chk、 Pin test、 lgt、 Vgt、 Vtm、 Vdrm Vrrm、 IH、IL、△Vdrm△Vrrm、 Vtm； (11)三极管类：MOSFETKelvin 、Type_ident、Pin_test、VGS(th) 、V(BR)Dss 、Rds(on) 、Bvds_rz、△Bvds、Gfs、Igss、ldss 、 Idss zero 、Vds(on)、 Vsd、Ciss、Coss、Crss、Bvgs 、ld_lim 、Heater、Value_proces、△Rds(on) ； (12)三极管类：双 MOSFET Kelvin、 Pin_chk、Ic_fx_chk、 Type_ident、 Vgs1(th)、 VGs2(th)、 VBR)Dss1、 VBR)Dss2、 Rds1(on)、 Rds2(on)、 Bvds1 rz、 Bvds2_rz、 Gfs1、Gfs2、lgss1、lgss2、Idss1、Idss2、Vsd1、Vsd2、Ciss、 Coss、Crss；(13)三极管类：JFET Kelvin、VGS(off )、V(BR)Dss、Rds(on)、Bvds_rz、Gfs、lgss、 Idss(off)、 Idss(on)、 vds(on)、 Vsd、 Ciss、Crss、Coss； (14)三极管类：IGBTKelvin、VGE(th)、V(BR)CES、Vce(on)、Gfe、lges、 lces、Vf、Ciss、Coss、Crss；(15)三极管类：三端开关功率驱动器Kelvin、Vbb(AZ)、 Von(CL)、 Rson、Ibb(off)、Il(lim)、Coss、Fun_pin_volt； (16)三极管类：七端半桥驱动器 Kelvin、lvs(off)、lvs(on)、Rson_h、Rson_l、lin、Iinh、ls_Volt、Sr_volt； (17)三极管类：高边功率开关Kelvin、Vbb(AZ)、Von(CL)、Rson、Ibb(off)、ll(Iim)、Coss、Fun_pin_volt； (18)保护类：压敏电阻Kelvin、Vrrm、 Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、 △Vr (19)保护类：单组电压保护器 Kelvin 、Vrrm、Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、△Vr； (20)保护类：双组电压保护器Kelvin、Vrrm、Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、△Vr； (21)稳压集成类：三端稳压器 Kelvin 、Type_ident 、Treg_ix_chk 、Vout 、Reg_Line、Reg_Load、IB、IB_I、Roz、△IB、VD、 ISC、Max_lo、Ro、Ext _Sw、Ic_fx_chk； (22)稳压集成类：基准 IC（TL431）Kelvin、Vref、△Vref、lref、Imin、loff、Zka、Vka； (23)稳压集成类：四端稳压Kelvin、Type_ident、Treg_ix_chk、Vout、Reg_Line、Reg_Load、IB、IB_I、Roz、△lB、VD、Isc、 Max_lo、Ro、Ext_Sw、Ic_fx_chk； (24)稳压集成类：开关稳压集成器 选配； (25)继电器类：4 脚单刀单组、5 脚单刀双组、8 脚双组双刀、8 脚双组四刀、固态继电器 Kelvin、Pin_chk、Dip6_type_ident、Vf、Ir、Vl、Il、Ift、Ron、Ton（选配）、Toff（选配）； (26)光耦类：4 脚光耦、6 脚光耦、8 脚光耦、16 脚光耦 Kelvin、Pin_chk、Vf、Ir、Bvceo、Bveco、Iceo、Ctr、Vce(sat)、Tr、Tf；(27)传感监测类： 电流传感器（ACS712XX 系列、CSNR_15XX 系列）（选配）； 霍尔器件（MT44XX 系列、A12XX 系列）（选配）； 电压监控器（选配）； 电压复位 IC（选配）；

SWT-10000A微电脑晶体管焊接电源是电阻焊接里面最理想的焊接电源，主机采用高速微处理器控制，控制精度高，时间响应快， 工作模式丰富，它具有电流上升快、输出电流稳定、熔接处于两焊接接触面，被焊接处氧化少、焊接自检等主要特性，主要用于 锂离子电池组焊接、动力电池、电动工具电池焊接之用，是保证高品质焊接必选机型。整机电源全为开关电源控制，电源适应能力强。微电脑晶体管点焊机为机头与电控箱分离式，可做成单针/双针机头，该焊接电源广泛用于自动化设备焊接配套使用，具有焊接质量自动检测功能，极大的提高了焊接品质。主要用于：组合电池连接片的焊接，电池组合，五金件焊接。规格型号：SWT-10000A（6000A）电流：10000A （6000A） 驱动形式：气动预焊电流：0-99%焊接电音：0-99%焊接时间：1-3.0mS焊接电源：晶体管电源输入电源：AC220V±10%/50Hz焊接电流：0-9.99KA对比电流：0-9.99KA输入气源：4-8MPa电极直径：φ3/φ6焊针压力：0.5-2.5KGF电极行程：1-10mm高度可调范围：65-130mm（可定制）台面尺寸：850*700mm

SWT-1419微电脑晶体管焊接电源是电阻焊接里面最理想的焊接电源，主机采用高速微处理器控制，控制精度高，时间响应快， 工作模式丰富，它具有电流上升快、输出电流稳定、熔接处于两焊接接触面，被焊接处氧化少、焊接自检等主要特性，主要用于 锂离子电池组焊接、动力电池、电动工具电池焊接之用，是保证高品质焊接必选机型。整机电源全为开关电源控制，电源适应能力强。 SWT-1418微电脑晶体管点焊机带自动送料装置专用于镍片与电子线 焊接，也可以分开使用，方便快捷，焊接牢固。专用焊棒，不粘针，不炸火。规格型号：SWT-1419电流：8000A焊接能力：0.01-0.20驱动形式：气动焊接时间：1.0-3.0mS焊接电流：0-99%电极直径：φ6输入电源：AC220V±10%/50Hz

SWT系列点焊机采用最先进晶体管电源，它具有瞬间大功率焊接功能。是目前电阻焊接工艺中最理想的焊接方法，它能达到瞬间完 成焊接的目的，使得焊接物品具有焊接牢固，焊点美观无氧化发黑现象，由于焊接时间极短，焊接热能量小，对焊件的影响和伤 害甚微。该机采用微电脑控制，各项参数键盘设置，LCD显示各项参数和状态，使得该机具有很好的易用性。它广泛用于锂电池 制造和精密五金件制造焊接工序。SWT-2119/2419晶体管点焊机适用于动力锂电池组连接片的焊接、五金件焊接，广泛用于新能源汽车、电动车生产。1、规格型号:SWT-2119电流：8000A焊接能力：0.01mm-0.25mm驱动形式：气动/脚踏焊接时间：1.0-4.0mS焊接电流：0-99%电极直径：φ6输入电源：AC220V±10%/50Hz2、规格型号:SWT-2419电流：8000A焊接能力：0.01mm-0.25mm驱动形式：气动/脚踏焊接时间：1.0-4.0mS焊接电流：0-99%电极直径：φ6输入电源：AC220V±10%/50Hz

微电脑晶体管焊接电源是电阻焊接里面最理想的焊接电源，主机采用高速微处理器控制，控制精度高，时间响应快， 工作模式丰富，它具有电流上升快、输出电流稳定、熔接处于两焊接接触面，被焊接处氧化少、焊接自检等主要特性，主要用于 锂离子电池组焊接、动力电池、电动工具电池焊接之用，是保证高品质焊接必选机型。整机电源全为开关电源控制，电源适应能力强。SWT-1418点焊机专用于圆柱电芯底部电极焊接。单针对焊，底部电 极固定于带滑动块的支撑体上，点焊时手拿电芯钢壳轻推其滑块将待 焊接电芯套入上部焊针上，启动焊接完成焊接过程。规格型号:SWT-1418电流：4000A焊接能力：0.01-0.15驱动形式：气动焊接时间：1.0-3.0mS焊接电流：0-99%电极直径：φ3/φ6输入电源：AC220V±10%/50Hz

SWT系列点焊机采用最先进晶体管电源，它具有瞬间大功率焊接功能。是目前电阻焊接工艺中最理想的焊接方法，它能达到瞬间完 成焊接的目的，使得焊接物品具有焊接牢固，焊点美观无氧化发黑现象，由于焊接时间极短，焊接热能量小，对焊件的影响和伤 害甚微。该机采用微电脑控制，各项参数键盘设置，LCD显示各项参数和状态，使得该机具有很好的易用性。它广泛用于锂电池 制造和精密五金件制造焊接工序。单针对焊点焊机主要用于五金片、软包电池极耳加电子线焊接、五金件焊线以及保护片的焊接 规格型号:SWT-1116大电流：4000A焊接能力：0.01-0.15驱动形式：脚踏焊接时间：1.0-3.0mS焊接电流：0-99%电极直径：φ3/φ6输入电源：AC220V±10%/50Hz

SWT系列点焊机采用最先进晶体管电源，它具有瞬间大功率焊接功能。是目前电阻焊接工艺中最理想的焊接方法，它能达到瞬间完 成焊接的目的，使得焊接物品具有焊接牢固，焊点美观无氧化发黑现象，由于焊接时间极短，焊接热能量小，对焊件的影响和伤 害甚微。该机采用微电脑控制，各项参数键盘设置，LCD显示各项参数和状态，使得该机具有很好的易用性。它广泛用于锂电池 制造和精密五金件制造焊接工序。该机为单脚踏驱动双针点焊机，不用气源，只需电源，操作简单灵活，应用于：扣式电池连接片焊接、五金件焊接、数码电池连接片的焊接、动力电池组合。 1、规格型号：SWT-2118电流：4000A焊接能力：0.01mm-0.15mm驱动形式：气动/脚踏焊接时间：1.0-3.0mS焊接电流：0-99%电极直径：φ3输入电源：AC220V±10%/50Hz 2、规格型号：SWT-2418电流：4000A焊接能力：0.01mm-0.15mm驱动形式：气动焊接时间：1.0-3.0mS焊接电流：0-99%电极直径：φ3输入电源：AC220V±10%/50Hz

西门子CPUST30晶体管输出模块6ES7288-1ST30-0AA0S7-200 SMART，CPU ST30，标准型 CPU 模块，晶体管输出，24 V DC 供电，18 输入/12 输出上海斌勤电气技术有限公司 业务经理；康工竭诚为你服务，急你所需、公司地址：上海市松江区三新北路1800弄（电子商务园）24号楼5005室所售均为西门子原装全新未开封产品，图片仅供参考,一切以型号为准，实物保证全新，敬请放心购买.本公司销售的产品一律（全新原装*假一罚十*质保一年） 本公司可以签约正式的销售合同，并可以开具16%票、如需票，税点另算。S7-200接地指南对于您的应用，佳的接地方案应该确保S7-200及其相关设备的所有接地点在一点接地。这个单独的接地点应该直接连接到大地。为了提高抗电子噪声保护特性，建议将所有直流电源的公共点连接到同一个单一接地点上。同样建议将24 VDC传感器供电的公共点(M)接地。所有的接地线应该尽量短并且用较粗的线径(2 mm2或者14 AWG)。当选择接地点时，应当考虑安全接地要求和对隔离器件的适当保护。S7-200接线指南在设计S7-200的接线时，应该提供一个单独的开关，能够同时切断S7-200CPU、输人电路和输出电路的所有供电。提供熔断器或断路器等过流保护装置来限制供电线路中的电流。您也可以为每一输出电路都提供熔断器或其它限流设备作为额外的保护。在有可能遭受雷击浪涌的线路上安装浪涌抑制器件。避免将低压信号线和通讯电缆放在与AC导线和高能量、快速转换的DC导线相同的线盒中。应始终成对布线，导线采用中性导线或通用导线，并用热电阻线或信号线进行配对。导线尽量短并且保证线粗能够满足电流要求。端子排适合的线粗为2 mm2到0.3 mm2(14 AWG到22AWG)。使用屏蔽电缆可以得到的抗电子噪声特性。通常将屏蔽层接地可以得到佳效果。当输人电路由一个外部电源供电时，要在电路中添加过流保护器件。如果使用S7-200 CPU上的24VDC传感器供电电源，则无需额外添加过流保护器件，因为此电源已经有限流保护。大多数的S7-200模块有可拆卸的端子排。（附录A中标明了哪些模块有端子排)。为了防止连接松动，要确保端子排插接牢固，同时也要确保导线牢固地连接在端子排上。为了避免损坏端子排，螺钉不要拧得太紧。螺钉连接的扭矩为0.56N-m (5 inch-pounds)。为了避免意想不到的电流流人系统，S7-200在合适的部分提供电气隔离。当您设计系统走线时，应考虑这些隔离。附录A中给出了电路中包含哪些隔离及它们的隔离级别。级别低于1500 VAC的隔离不能作为安全隔离。提示在通讯网络中，如果不使用中继器，通讯电缆的长度为50m。S7-200的通讯口是不隔离的。详细内容参见第7章。藝告使用与交流电路不隔离或者单隔离的电源给低压电路供电，会在安全电路，例如通讯电路或者低压传感器电路中产生不安全电压。这种高电压会导致死亡或者严重的人身伤害和设备损坏。只使用经过安全认证的高低压变换器。21S7-200可编程序控制器系统手册感性负载设计指南在使用感性负载时，要加人抑制电路来限制输出关断时电压的升高。抑制电路可以保护输出点不至于因为高感抗开关电流而过早的损坏。另外，抑制电路还可以限制感性负载开关时产生的电子噪声。提示您应该根据具体情况，选择合适的抑制电路。要确保所有器件参数与实际应用相符合。直流输出和控制直流负载的继电器输出直流输出有内部保护，可以适应大多数场合。由于继电器型输出既可以连接直流负载，又可以连接交流负载，因而没有内部保护。图3-3给出了直流负载抑制电路的一个实例。在大多数的应用中，用附加的二极管A即可，但如果您的应用中要求更快的关则推荐您加上齐纳二极管B确极管能够满足输出电路的电流要求。图3-3直流负载的抑制电路输出点A- I1N4001二极管或类似器件B-直流输出选8.2V齐纳二极管继电器输出选36V齐纳二极管交流输出和控制交流负载的继电器输出交流输出有内部保护，可以适应大多数场合。由于继电器型输出既可以连接直流负载，又可以连接交流负载，因而没有内部保护。图3-4给出了交流负载抑制电路的一个实例。当您采用继电器或交流输出来切换115 V/230 V交流负载时，交流负载电路中请采用该图所示的电阻/电容网络。您也可以使用金属氧化物可变电阻器(MOV)来限制峰值电压。确保MOV的工作电压比正常的线电压至少高出20%。藝告当继电器扩展模块用于切换AC感性负载时，外部电阻/电容器噪声抑制电路必须放在AC负载上，防止意外的机器或过程操作。参见图3-4。.1 ^ F100至120 Q图3-4交流负载的抑制电路灯负载设计指南灯负载会因高的接通浪涌电流而造成对继电器触点的损坏。对于一个钨丝灯，其浪涌电流实际上将是其稳态电流大小的10到15倍。对于使用期内高切换次数的灯负载，建议使用可替换的插人式继电器或加人浪涌限制器。22PLC的基本概念S7-200的基本功能是监视现场的输人，根据您的控制逻辑去控制现场输出设备的接通和关断。本章为您解释有关程序执行、存储器种类以及存储器掉电保持等方面的一些概念。在本章中理解S7-200如何执行您的控制逻辑................................. 24访问S7-200的数据........................................ 27理解S7-200如何保存和恢复数据.................................. 36选择S7-200 CPU的操作模式.................................. 40使用S7-200资源管理器..................................... 41S7-200的特征......................................... 4123S7-200可编程序控制器系统手册理解S7-200如何执行您的控制逻辑S7-200周而复始地执行程序中的控制逻辑和读写数据。S7-200将您的程序和物理输入输出点联系起来S7-200的基本操作非常简单：□CPU读取输人状态□CPU中存储的程序利用输人执行控制逻辑。当程序运行时，CPU刷新有关数据。□CPU将数据写到输出。图4-1给出了一个简图，说明一个继电器图如何与S7-200联系起来。在本例中，电机启动开关的状态和其他输人点的状态结合在一起。它们计算的结果，最终决定了控制执行机构启动电机的输出点状态。启动_PBE_#M_启动器- )电机启/停开关图4-1输人和输出的控制S7-200在扫描循环中完成它的任务S7-200周而复始地执行一系列任务。任务循环执行一次称为-描周期中，S7-200将执行部分或全部下列操作：十扫描周期。如图4-2所示，在一个扫读取输人：S7-200将实际输人的状态复制到过程映像输人寄存器。执行程序中的控制逻辑：S7-200执行程序指令，并在不同的存储区存储数值。S7-200执行通讯所需的所有处理通讯请求：任务。执行CPU自检诊断：S7-200可确保固件、程序存储器和所有扩展模块正确工作。写人输出：将存储在过程映像输出寄存器中的数值写人到实际输出。图4-2S7-200扫描周期用户程序的执行取决于S7-200是处于STOP模式还是RUN模式。在RUN模式中，执行程序；在STOP模式中，不执行程序。24PLC的基本概念第4章读取输入数字量输人:每个扫描周期从读取数字量输人的当前值开始，然后将这些值写人到过程映像输人寄存器。模拟量输人:除非启用了模拟量输人过滤，否则，S7-200在正常扫描周期中不更新来自扩展模块的模拟量输人。模拟量滤波会使您得到较稳定的信号。可以启用每个模拟量输人通道的滤波功能。当您启用了模拟量输人滤波功能后，S7-200会在每一个扫描周期刷新模拟量、执行滤波功能并且在内部存储滤波值。当程序中访问模拟量输人时使用滤波值。如果没有启用模拟量输人滤波，则当程序访问模拟量输人时，S7-200都会直接从扩展模块读取模拟值。在每次扫描期间，CPU224XP的AIW0和AIW2模拟量输人都会读取模-数转换器生成的值，从而完成刷新。该转换器求取的是均值(sigma-delta),因此通常无需软件滤波。提示模拟量滤波会使您得到较稳定的信号。在模拟量输人信号随时间变化缓慢时使用模拟量输人滤波。如果信号变化很快，不应该选用模拟量滤波。不要对在模拟量字中传递数字信息或者报警指示的模块使用模拟量输人滤波。对于RTD、TC和ASI主站模块，不能使用模拟量输人滤波。执行程序在扫描周期的执行程序阶段，CPU从头至尾执行应用程序。在程序或中断程序的执行过程中，立即I/O指令允许您直接访问输人与输出。如果在程序中使用子程序，则子程序作为程序的一部分存储。当由主程序、另一个子程序或中断程序调用时，则执行子程序。从主程序开始时子程序嵌套深度是8,从中断程序开始时子程序嵌套深度是1如果在程序中使用了中断，与中断事件相关的中断程序就作为程序的一部分被存储。中断程序并不作为正常扫描周期的一部分来执行，而是当中断事件发生时才执行（可能在扫描周期的任意点)。为11个实体中的每一个保留局部存储器：当从主程序开始时，为1个主程序、8个子程序嵌套级别；当从中断程序开始时，为1个中断和1个子程序嵌套级别。局部存储器有一个局部范围，在该范围内它只能供其相关的程序实体使用，其他程序实体无法访问。有关局部存储器的更多信息，请参见本章中的局部存储区：L。图4-3描述了一个典型的扫描流程，该流程包括局部存储器应用和两个中断事件(一个事件发生在程序执行阶段，另一个事件发生在扫描周期的通讯阶段)。子程序由下一个较高级别调用，并在调用时得到执行。不调用中断程序；中断程序是发生相关中断事件的结果。

西门子CPUST40晶体管输出模块6ES7288-1ST40-0AA0S7-200 SMART，CPU ST40，标准型 CPU 模块，晶体管输出，24 V DC 供电，24 输入/16 输出 上海斌勤电气技术有限公司 高级业务顾问；康晓肆竭诚为你服务.所有产品均为西门子全新原装，所有产品非人为损坏质保一年，（烧坏、客户保管不善）。全新原装，千万库存。本公司宗旨：本着以诚信为本，以顾客为中心，让顾客满意，创造一个舒心的购物环境因为诚信所以简单，成交只是开始，服务永不止步。原装承诺,诚信服务,价格实惠.本店所售均为西门子原装全新未开封产品，图片仅供参考,一切已型号为准，实物保证全新，敬请放心购买！量大价优，欢迎选购！S7-200可编程序控制器系统手册模拟量输出：AQS7-200把1个字长(16位)数字值按比例转换为电流或电压。可以用区域标识符(AQ)、数据长度(W)及字节的起始地址来改变这些值。因为模拟量为一个字长，且从偶数字节(如0、2、4)开始，所以必须用偶数字节地址(如AQWO、AQW2、AQW4)来改变这些值。模拟量输出值是只写数据。格式：AQW[起始字节地址]AQW4顺序控制继电器(SCR)存储区：SSCR或S位用于组织机器操作或者进人等效程序段的步骤。SCR提供控制程序的逻辑分段。可以按位、字节、字或双字来存取S位。位:SI字节地址.〖位地址S3.1字节、字或双字：S[大小K起始字节地址SB4实数的格式实数(浮点数)由32位单精度数表示，其格式按照ANSI/IEEE 754-1985标准中所描述的形式，参见图4-9。实数按照双字长度来存取。对于S7-200来说，浮点数精确到小数点后第六位。因而当您使用一个浮点数常数时，最多可以指定到小数点后第六位。MSB31 3023 22LSB0指数尾数符号位图4-9实数的格式S实数运算的精度在计算中涉及到非常大和非常小的数，则有可能导致计算结果不精确。例如数值相差10的x次方倍，而x6时。例如:100 000 000 + 1 = 100 000 000字符串的格式字符串指的是一系列字符，每个字符以字节的形式存储。字符串的一个字节定义了字符串的长度，也就是字符的个数。4-10给出了一个字符串的格式。一个字符串的长度可以是0到254个字符，再加上长度字节，一个字符串的长度为255个字节。而一个字符串常量的长度为126字节。长度宇符1宇符2宇符3宇符4宇符254字节0字节1字节2字节3字节4字节254图4-10字符串的格式32PLC的基本概念第4章在S7-200指令中输入常数值在S7-200的许多指令中，都可以使用常数值。常数可以是字节、字或者双字。S7-200以二进制数的形式存储常数，可以分别表示十进制数、十六进制数、ASCII码或者实数(浮点数)。见表4-2。表4-2常数表示法数制格式举例十进制[十进制值]20047十六进制16#[十六进制值]16#4E4F二进制2#[二进制数]2#1010_0101_1010_0101ASCII码’[ASCII码文本]’!ABCD!实数ANSI/IEEE 754-1985+1.175495E-38 (正数)-1.175495E-38 (负数）字符串“[字符串文本]”“ABCDE”提示S7-200CPU不支持数据类型检测(例如指定常数存储为一个整数、有符号整数或者双整数)。例如：可以在加法指令中使用VW100中的值作为有符号整数，同时也可以在异或指令中将VW100中的数据当作无符号的二进制数。本地I/O和扩展I/O的寻址CPU提供的本地I/O具有固定的I/O地址。您可以将扩展模块连接到CPU的右侧来增加I/O点，形成I/O链。对于同种类型的输人输出模块而言，模块的I/O地址取决于I/O类型和模块在I/O链中的位置。举例来说，输出模块不会影响输人模块上的点地址，反之亦然。类似的，模拟量模块不会影响数字量模块的寻址，反之亦然。提示数字量模块总是保留以8位(1个字节)增加的过程映像寄存器空间。如果模块没有给保留字节中每一位提供相应的物理点，那些未用位不能分配给I/O链中的后续模块。对于输人模块，这些保留字节中未使用的位会在每个输人刷新周期中被清零。模拟量I/O点总是以两点增加的方式来分配空间。如果模块没有给每个点分配相应的物理点，则这些I/O点会消失并且不能够分配给I/O链中的后续模块。33S7-200可编程序控制器系统手册图4-11中是一个特定的硬件配置中的I/O地址。地址间隙(用灰色斜体文字表示)无法在程序中使用。CPU224XP4输入/4输出8输入4模拟霣输入 1模拟量输出8输出I0.0Q0.0■0.1Q0.1I0.2Q0.2I0.3Q0.3I0.4Q0.4I0.5Q0.5I0.6Q0.6I0.7Q0.7I1.0Q1.0I1.1Q1.1I1.2Q1.2I1.3Q1.3I1.4Q1.4I1.5Q1.511.6Q1.611.7Q1.7AIWAAQW0AIWAAQW2本地丨/O扩展I/O模块0模块1模块2模块3I2.0Q2.0I3.0AIW4AQW4Q3.0I2.1Q2.1I3.1AIW6AQW6Q3.1I2.2Q2.2I3.2AIW8Q3.2I2.3Q2.3I3.3AIW10Q3.312.4Q2.4I3.4Q3.412.5Q2.5I3.5Q3.512.6Q2.6I3.6Q3.612.7Q2.7I3.7Q3.7模块4AIW12 AQW8AIW14 AQW10AIW16AIW18图4-11CPU224XP的本地和扩展I/O地址举例用指针对S7-200存储区间接寻址间接寻址是指用指针来访问存储区数据。指针以双字的形式存储其他存储区的地址。只能用v存储器、L存储器或者累加器寄存器(AC1、AC2、AC3)作为指针。要建立一个指针，必须以双字的形式，将需要间接寻址的存储器地址移动到指针中。指针也可以作为参数传递到子程序中。S7-200允许指针访问下列存储区：I、Q、V、S、AI、AQ、SM、T (仅当前值)和C (仅当前值)。无法用间接寻址的方式访问单独的位，也不能访问HC或者L存储区。要使用间接寻址，应该用符号加上要访问的存储区地址来建立一个指针。指令的输人操作数应该以符号开头来表明是存储区的地址，而不是其内容将移动到指令的输出操作数(指针)中。当指令中的操作数是指针时，应该在操作数前面加上“号。如图4-12所示，输人*AC1指定AC1是一个指针，MOVW指令决定了指针指向的是一个字长的数据。在本例中，存储在VB200和VB201中的数值被移动到累加器AC0中。V199V200V201V202V203AC1VW200的地址AC012 3 4图4-12创建和使用指针MOVD &VW200, AC1将VB200的地址(VW200的起始地址)作为指针存人ACMOVW *AC1, AC0将AC1所指向的字(VW202)中的值送人AC034PLC的基本概念第4章如图4-13所示，您可以改变一个指针的数值。由于指针是一个32位的数据，要用双字指令来改变指针的数值。简单的数学运算，如加法指令或者增加指令，可用于改变指针的数值。MOVD &VW200, AC1将VB200的地址(VW200的起始地址)作为指针存人AC1中。MOVW *AC1, AC0将AC1所指向的字(VW200)中的值送人AC0+D +2, AC1将AC1中的数值加2指向下一个字MOVW *AC1, AC0将AC1所指向的字(VW202)中的值送人AC0图4-13改变指针V199V200V201V202V203V199V200V201V202V203提示切记调整所访问数据的大小：访问字节时，指针值加1 访问字或定时器或计数器的当前值时，指针值加2 访问双字时，指针值加4。用地址偏移量来访问V存储区数据的范例程序本例中用LD10作为VB0的地址指针。然后可以利用VD1004中存储的地址偏移量来改变指针值。经过改变后，LD10指向V区中的另外一个地址(VB0 +偏移量)。然后将LD10指向的V区地址中存储的数值复制到VB1900中。通过改变VD1004中的数值，您可以访问V存储器中的任意单元。Network 1 //如何使用偏移量读取//所有VB位置的数值：//1.将V存储器的起始地址装载到指针中。//2.将偏移量值添加到指针中。//3.将V存储器位置(偏移量)中的数值复制到VB1900。LDSM0.0MOVD &VB0, LD10+DVD1004, LD10MOVB *LD10, VB190035S7-200可编程序控制器系统手册用指针访问数据表的范例程序本例中用LD14作为指向一个配方表的指针，配方表的起始地址为VB100。在本例中VW1008用来存储一个指定的配方在表中的索引号。如果每条配方的长度为50个字节，则用这个索引号乘以50就可以得到这条配方起始地址的偏移量。用指针加上偏移量，您就可以访问表中的每一条配方。在本例中，配方被复制到从VB1500开始的50个字节中。Network 1 //如何从配方表传送配方：//-每个配方的长度为50个字节。-索引值(VW1008)指定装载哪一条配方。//1.创建一个指向配方表// 起始地址的指针。//2.将配方的索引转换为//双字值。//3.増加偏移量，以容纳//每个配方的大小。//4.将调节后的偏移量添加到指针中。//5.将选定的配方传送到//VB1500至 VB1549。LDSM0.0MOVD&VB100, LD14ITDVW1008, LD18*D+50, LD18+DLD18, LD14BMB *LD14, VB1500, 50

产品介绍 产品为桌面放置的台式机结构，由测试主机和程控电脑两大部分组成。各类夹具和适配器，还能 够通过 Prober 接口、Handler 接口可选（16Bin）连接分选机和机械手建立工作站，实现快速批量化测 试。通过软件设置可依照被测器件的参数等级进行自动分类存放。能够极好的应对“来料检验”“失效分 析”“选型配对”“量产测试”等不同场景。 产品的可靠性和测试数据的重复性以及测试效率都有着非常优秀的表现。创新的“点控式夹具”让操 作人员在夹具上实现一点即测。操作更简单效率更高。测试数据可保存为 EXCEL 文本。 应用场景Ø 测试分析（功率器件研发设计阶段的初始测试） Ø 失效分析（对失效器件进行测试分析，查找失效机理。以便于对电子整机的整体设计和使用过程提 出改善方案） Ø 选型配对（在器件焊接至电路板之前进行全部测试，将测试数据比较一致的器件进行分类配对） Ø 来料检验（研究所及电子厂的质量部（IQC）对入厂器件进行抽检/全检，把控器件的良品率） Ø 量产测试（可连接机械手、扫码枪、分选机等各类辅助机械设备，实现规模化、自动化测试） 产品特点(1) 可测试 7 大类 26 分类的各类电子元器件； (2) PC 机为系统的主控机； (3) 基于 Lab VIEW 平台开发的填充式菜单软件界面； (4) 自动识别器件极性 NPN/PNP (5) 16 位 ADC，100K/S 采样速率； (6) 程控高压源 10~1400V，提供 2KV 选配； (7) 程控高流源 1uA~40A，提供 100A,300A,500A 选配； (8) 驱动电压 10mV~40V； (9) 控制极电流 10uA~10mA； (10) 四线开尔文连接保证加载测量的准确；(11) 通过 RS232 接口连接校准数字表，对系统进行校验； (12) Prober 接口、Handler 接口可选（16Bin） (13) 可为用户提供丰富的测试适配器(14) 连接分选机测试量为每小时 1 万个 (15) 可以测试结电容，诸如 Cka，Ciss，Crss，Coss； (16) 脉冲电流自动加热功能，方便高温测试，无需升温装置； 测试参数 (1) 二极管类：二极管 Diode Kelvin，Vrrm，Irrm，Vf，△Vf，△Vrrm，Cka，Tr（选配）；(2) 二极管类：稳压二极管 ZD（Zener Diode）Kelvin，Vz，lr，Vf，△Vf，△Vz，Roz，lzm，Cka； (3) 二极管类：稳压二极管 ZD（Zener Diode）Kelvin、Vz、lr、Vf、△Vf、△Vz、Roz、lzm、Cka；(4) 二极管类：三端肖特基二极管 SBD（SchottkyBarrierDiode）Kelvin 、Type_ident 、Pin_test 、Vrrm、Irrm、Vf、△Vf、V_Vrrm、I_Irrm、△Vrrm、Cka、Tr（选配）；(5) 二极管类：瞬态二极管 TVSKelvin 、Vrrm 、Irrm、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka ； (6) 二极管类：整流桥堆 Kelvin 、Vrrm、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka；(7) 二极管类：三相整流桥堆Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm、Cka；(8) 三极管类：三极管Kelvin 、Type_ident、Pin_chk 、V(br)cbo 、V(br)ceo 、V(br)ebo 、Icbo、lceo、Iebo、Hfe、Vce(sat)、 Vbe(sat)、△Vsat、△Bvceo 、△Bvcbo 、Vbe、lcm、Vsd 、Ccbo 、Cces、Heater、Tr （选配）、Ts （选配）、Value_process； (9) 三极管类：双向可控硅 Kelvin、Type_ident、Qs_chk、Pin_test、Igt、Vgt、Vtm、Vdrm、Vrrm、Vdrm rrm、Irrm、 Idrm、Irrm_drm、 Ih、IL、C_vtm、△Vdrm、△Vrrm、△Vtm；(10)三极管类：单向可控硅Kelvin、 Type_ident、 Qs_chk、 Pin test、 lgt、 Vgt、 Vtm、 Vdrm Vrrm、 IH、IL、△Vdrm△Vrrm、 Vtm； (11)三极管类：MOSFETKelvin 、Type_ident、Pin_test、VGS(th) 、V(BR)Dss 、Rds(on) 、Bvds_rz、△Bvds、Gfs、Igss、ldss 、 Idss zero 、Vds(on)、 Vsd、Ciss、Coss、Crss、Bvgs 、ld_lim 、Heater、Value_proces、△Rds(on) ； (12)三极管类：双 MOSFET Kelvin、 Pin_chk、Ic_fx_chk、 Type_ident、 Vgs1(th)、 VGs2(th)、 VBR)Dss1、 VBR)Dss2、 Rds1(on)、 Rds2(on)、 Bvds1 rz、 Bvds2_rz、 Gfs1、Gfs2、lgss1、lgss2、Idss1、Idss2、Vsd1、Vsd2、Ciss、 Coss、Crss；(13)三极管类：JFET Kelvin、VGS(off )、V(BR)Dss、Rds(on)、Bvds_rz、Gfs、lgss、 Idss(off)、 Idss(on)、 vds(on)、 Vsd、 Ciss、Crss、Coss； (14)三极管类：IGBTKelvin、VGE(th)、V(BR)CES、Vce(on)、Gfe、lges、 lces、Vf、Ciss、Coss、Crss；(15)三极管类：三端开关功率驱动器Kelvin、Vbb(AZ)、 Von(CL)、 Rson、Ibb(off)、Il(lim)、Coss、Fun_pin_volt； (16)三极管类：七端半桥驱动器 Kelvin、lvs(off)、lvs(on)、Rson_h、Rson_l、lin、Iinh、ls_Volt、Sr_volt； (17)三极管类：高边功率开关Kelvin、Vbb(AZ)、Von(CL)、Rson、Ibb(off)、ll(Iim)、Coss、Fun_pin_volt； (18)保护类：压敏电阻Kelvin、Vrrm、 Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、 △Vr (19)保护类：单组电压保护器 Kelvin 、Vrrm、Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、△Vr； (20)保护类：双组电压保护器Kelvin、Vrrm、Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、△Vr； (21)稳压集成类：三端稳压器 Kelvin 、Type_ident 、Treg_ix_chk 、Vout 、Reg_Line、Reg_Load、IB、IB_I、Roz、△IB、VD、 ISC、Max_lo、Ro、Ext _Sw、Ic_fx_chk； (22)稳压集成类：基准 IC（TL431）Kelvin、Vref、△Vref、lref、Imin、loff、Zka、Vka； (23)稳压集成类：四端稳压Kelvin、Type_ident、Treg_ix_chk、Vout、Reg_Line、Reg_Load、IB、IB_I、Roz、△lB、VD、Isc、 Max_lo、Ro、Ext_Sw、Ic_fx_chk； (24)稳压集成类：开关稳压集成器 选配； (25)继电器类：4 脚单刀单组、5 脚单刀双组、8 脚双组双刀、8 脚双组四刀、固态继电器 Kelvin、Pin_chk、Dip6_type_ident、Vf、Ir、Vl、Il、Ift、Ron、Ton（选配）、Toff（选配）； (26)光耦类：4 脚光耦、6 脚光耦、8 脚光耦、16 脚光耦 Kelvin、Pin_chk、Vf、Ir、Bvceo、Bveco、Iceo、Ctr、Vce(sat)、Tr、Tf；(27)传感监测类： 电流传感器（ACS712XX 系列、CSNR_15XX 系列）（选配）； 霍尔器件（MT44XX 系列、A12XX 系列）（选配）； 电压监控器（选配）； 电压复位 IC（选配）；

X射线自动定向仪是根据市场对晶体角度测量越来越高的精度要求而推出的手动定向仪的升级产品，它是利用X射线衍射原理，设计制造的光，机，电三为一体精密仪器，能快速地测定天然和人造晶体（压晶体管、光学晶体、激光晶体、半导体晶体）的晶面，可与各种切割、研磨等加工设备配套使用。是精密加工制造晶体器件不可缺少的仪器，上述各种晶体的定向与切割。广泛适用于各种晶体材料加工行业和科研院校。 技术特点： 1. 采用进口PLC控制，自动化程度高、故障率极低、抗干扰能力强、系统稳定性好。 2. 全中文人机界面，7英寸TFT触摸屏，接口直观、操作简单。 3. 自动测角扫描方式，并采用进口高分辨率编码器，大大提高测量精度，规避了人工测量的读数误差，极大降低了操作者的劳动强度和操作难度。 4. 测量方式灵活，只需轻触触摸屏或踩脚踏开关，二者任选。 5. 自动标晶校对准确方便、自动扫描10次，取平均值。 6. 满足客户不同需求，设置单点、两点、四点测量模式。 7. 显示可在任一位置调零，便于显示晶体片角度偏差值。 8. 具有峰值放大的特殊积分器，采用高压模块器件，提高检测精度。 9. 模块化的电子线路，射线管高压电缆一体结构，使用维修简单。 10. 自动控制关闸设计，只在必要时打开，安全方便无隐患。 11. 可根据被测样品不同，定制各种样品台，保证测量精度和使用的方便性。 技术参数： 本技术参数根据中华人民共和国机械行业标准，JB/5482 —91 1)、使用条件： 1) 海拔不超过1000米 （超过1000.米、客户与制造厂协商解决） 2) 环境温度+5°~+35°C ； 3) 相对湿度不得大于75%,(如超过此湿度必须采取相应措施)； 4) 单相交流220V，50HZ 5A，电源电压波动不大于±10%，容量不低0.5KW ； 5) 有良好的接地装置，接地电阻不应大于4Ω； 6) 供电线路中不得有电焊机，高频炉等设备引起的高频和电弧干扰。 2、技术指标： (1) X射线发生器部分 输入电源：单相交流220V、50HZ、0.5KW； X射线管：铜靶阳极接地，强迫风冷； X管电压：-30KVP，全压合闸； X管电流：0~5mA，连续可调； 功 率：总功率不大于0.5KW； 保 护：自动光闸、高压连锁、温度保护； 静态检测精度：≤±10″ （用标准石英片SIO2、1011面）（θ：13°20′）（2θ：26°40′） (2) 测 角 仪 部 分： 样品台转角度：θ，0~+55°； 计数器转角度：2θ，0°~+100°； 狭 缝：发散度为4′.5′.6′插入式； (3) 触 摸 屏： 角度最小读值：1″； 数字显示：度、分、秒。 角 度 调 整：数字显示可予置任何角度值。 （3）记录部分： 计 数 管：GJ5101盖革计数管工作电压0~1100V 。 强度显示；微安表显示被测晶体角强度值。 （4）外型尺寸：1150（长）×650（宽）×1500（高）。 （5）重 量：约200Kg。

光敏晶体三极管 光敏晶体三极管用来放大入射光产生的电流。与光电二极管相比，晶体三极管即使在很小的感光面积上也可以产生很大的输出电流。欢迎您登陆滨松中国全新中文网站 查看该产品更多详细信息！产品图像产品型号产品名称封装封装类型光电流暗电流集电极-发射极电压（最大值）峰值响应波长 S4404-01光敏晶体三极管塑料带透镜2.5 mA100 nA0.4 V870 nm S2829光敏晶体三极管塑料带透镜1 mA100 nA0.4 V850 nm

碘化铯闪烁晶体可分为Tl激活、Na激活和纯碘化铯三种，其化学式分别为CsI(Tl) 、CsI(Na)和CsI，它们均为无色透明的立方晶体。CsI(Tl)晶体的光输出可达NaI(Tl)晶体的85%，发光主峰位在550nm，能与硅光电二极管很好地匹配，从而使读出系统大为简化。它的衰减时间与入射粒子的电离本领有关，特别适宜于在强g本底下探测重带电粒子。碘化铯晶体没有解理面、较软且有一定的可塑性，所以晶体可以制成各种各样形状的探测器，同时能够承受猛烈的冲击、震动以及大的温度梯度不损坏。CsI(Na)的发光效率与NaI(Tl) 接近，发射光谱的主峰位在420nm，更容易与光电倍增管配合；温度效应好。特别适合于在高温环境和空间科学研究中使用。它的缺点是在低能(20keV)下发光效率很快下降，潮解作用比CsI(Tl)厉害。纯CsI晶体的潮解性比CsI(Tl)弱得多。其发射光谱中含有一个波长在305nm的快分量(10ns) 和波长在350-600nm附近的慢分量(100-4000ns) 。通过对慢分量的抑制，快/慢分量比可以达到4倍，总的光输出可达NaI:Tl 的4-5%。该晶体的应用有利于获得比较好的时间分辨率。

高纯锗晶体（12N,13N） 1、晶体习性与几何描述： 该晶体使用直拉法在晶体（100）方向延伸。圆柱形表面（表面光洁度小于2.5 μm RMS）。经红外成像法检测晶体结构稳定可靠。晶体几个结构由直径和长度决定。当一个晶体属于原生态晶体时，其当量直径为： D ----外形尺寸当量直径 W----锗晶体重量 L-----晶体长度 测量值是四舍五入最小可达到毫米级别。为了便于订单出货，我们会依据晶体的体积、直径和长度进行分类。同时我们可以满足客户的特殊需求，提供定制服务。 2、纯度：残留载荷 最大允许净载流子杂质浓度与探头二极管的几个构造有关，请参照如列公式。其纯度依据据霍尔效应测量和计算。 同轴探测器：同轴探测器适用于下列公式： Nmax = 每立方厘米最大杂质含量 VD = 耗尽层电压 = 5000 V εo = 介电常数 = 8,85 10-14 F/cm εr = 相对介电常数(Ge) = 16 q = 电子电荷1,6 10-19C (elementary charge) r1 = 探测器内孔半径 r2 = 探测器外孔半径 3、纯度 ： 假如晶体表面半径减少2mm,由于锂的漫射和刻蚀，内径8毫米的内孔半径， 适用公式变为： D = 晶体外表面 平面探测器：平面探测器（厚度小于2厘米）适用于以下公式： d=探测器外观尺寸厚度 径向分散载荷子（绝对值） 迁移：霍尔迁移 性能： P 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s N 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s 能级： P 型晶体 通过深能瞬态测量，Cutot ≤ 4.5*109 cm-3 N 型晶体 通过深能瞬态测量点缺陷 5*108 cm-3 晶体主要指标： P 型晶体 N 型晶体 错位密度 ≤ 10000 ≤ 5000 星型结构 ≤ 3 ≤ 3 镶嵌结构 ≤ 5 ≤ 5 4、高纯度高纯锗HPGe晶体说明： 高纯锗晶体产地法国物理性质颜色银灰色属性半导体材料密度5.32g/cm3熔点937.2℃沸点2830℃ 技术指标材料均匀度特级光洁度特优纯度99.99999%-99.99999999999%（7N-13N)制备方式锗单晶是以区熔锗锭为原料，用直拉法（CZ）法或者垂直梯度法（VGF法）等方法制备的锗单晶体。产品规格P、N型按客户要求定制产品用途超高纯度，红外器件、γ辐射探测器P型N型高纯锗在高纯金属锗中掺入三价元素如铟、镓、硼等，得到p型锗；在高纯金属锗中掺入五价元素如锑、砷、磷等，得到n型锗。交货期90天

产品型号：SKJ-50产品简介：SKJ-50晶体生长炉 是用提拉法生长高质量氧化物单晶材料YAG,LSAT,SrLaAlO4,LaAlO3等）的设备。每位材料研究者都知道可靠的数据来源于完整性好的单晶。 在新材料研究时，为了避免可变因数造成的影响，一台性能稳定的单晶生长设备时非常必要的，然而很多晶体生长设备时非常昂贵的。KMT可提供性能稳定，价格适中的SKJ 50 单晶生长炉，可生长多种氧化物高熔点晶体，晶体尺寸达 2-3" 。 我公司供应的产品符合国家有关环保法律法规的规定（含采购商ISO14000环境体系要求），不会造成环境污染； 该产品符合采购商OHSMS18000职业安全健康管理体系标准的要求，不会对接触产品的人员健康造成损害！主要特点：中频感应电源：25KW,频率 0.2 - 20 KHz 提拉速度:0.1-10mm/h 旋转速度:0-40 RPM 最高熔炼温度 : 2100oC 电源要求: 三相, AC 380V, 100A , 25KW 真空腔尺寸 : 50 cm dia. X 70 cm ，机械泵真空度可达 10-3 torr ， 扩散泵真空度（选配）可达 10-6 torr 欧陆温控仪可获得温度精度 +/-0.2 oC 电子秤 ( 下称重)在生长过程中可自动控制晶体的直径 水冷要求 水压：0.13-0.18MPa 水流量:60 L/minute 炉子尺寸: 炉体:88L× 125W× 285H cm 控制单元:68L× 54W× 170H cm 中频感应电源:110L× 50W× 150H cm 相关配件：提拉机构是永磁直流电机驱动 带水冷和机械泵的真空腔体. 控制拉速、转速、温度和电子秤的控制柜. 风冷的中频感应电源. 带水冷的感应线圈（铜管）可选配件：铱坩埚,控制晶体直径的电子秤具体信息请点击查看：

PPLN and MgO:PPLN容易结合到您光学装置中的全套PPLN系统氧化镁掺杂的周期极化铌酸锂（MgO:ppln）晶体产品负责人：姓名：许工(Gary)电话：（微信同号）邮箱：MgO:PPLN是用于460nm~5100nm范围的高效波长变换的非线性光学晶体，英国Covesion公司在PPLN晶体领域的专业加工，提供了高精度的4.5um至33um极化周期，并且适用于大批量制造。在铌酸锂中添加5%的氧化镁可显著提高晶体的光学损伤和光折变阈值，同时又保留高的非线性系数。与类似的未掺杂的晶体相比，可实现可见光波段和较低温度下运行的更稳定的性能。MgO:PPLN晶体可在室温下运行，在某些情况下，不需要控制温度。从室温到200摄氏度，与未掺杂的PPLN晶体相比，MgO:PPLN晶体可提供明显更宽的波长适用范围。英国Covesion公司在PPLN晶体领域的专业加工，提供了高精度的4.5um至33um以上极化周期，尤其对红-绿-蓝光的产生和高功率中红外波段的应用，可为OEM量产提供优质原材料。我们的优势：1. 世界一流的PPLN技术2. 高品质1）10年以上的生产经历2）世界顶级镀膜公司合作伙伴3. 稳定可重复使用的性能均匀计划贯穿整个晶体厚度4. 完善的温度控制方案可实现无时间延迟的简单、大范围的温度调谐5. 丰富的库存和高效的服务1）1周内可以收到库存产品2）8周可以收到定制产品，半定制产品时间周期小于8周 以下是我们部分库存产品，有其他频率转换需求随时联系上海昊量光电！二次谐波（SHG）MgO:PPLN晶体型号： 光学参量振荡/产生（OPO/OPG）MgO:PPLN晶体型号：差频（DFG）MgO:PPLN晶体型号：和频（SFG）MgO:PPLN晶体型号：我们为更特别的应用提供掩膜版：更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是国内知名光电产品专业代理商，代理品牌均处于相关领域的发展前沿；产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、精密光学元件等，涉及应用领域涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防及更细分的前沿市场如量子光学、生物显微、物联传感、精密加工、先jjin激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等优质服务。您可以通过我们昊量光电的官方网站了解更多的产品信息，或直接来电咨询。

EKSMA OPTICS提供各种高质量的非线性晶体，如LBO，beta BBO，KTP，KDP，DKDP，LiIO3，各种红外非线性晶体，AgGaS2, AgGaSe2, GaSe, ZnGeP2等，我们提供标准尺寸和定向的晶体，并支持快速库存发货。同时，我们亦针对客户的特定需求提供各种定制化产品。非线性晶体具有极其广泛的应用，如激光谐波振荡，频率反转（SFG，DFG），光学参量振荡和放大（OPG，OPA），电光调制Q-switching等。-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------超薄型晶体在飞秒光学中有多种不同应用谐波振荡（SHG，SFG）光学参量振荡和光学参量放大（OPG，OPA）差频振荡（DFG）脉宽测量——自相关仪或互相关仪太赫兹振荡（GaSe晶体）极化纠缠态光子对超短光脉冲在晶体中传播中会因群速失配(GVM)产生延迟，于是脉冲将会因群延迟色散(GDD)和频率啁啾而展宽。这种效应就迫使频率产生方案中必须限制非线性晶体的厚度。对两个具有不同群速的共线传播的脉冲，他们的准静态相互作用长度(Lqs)定义为：在一个脉冲宽度时间内（或所期望的脉冲宽度时间内），他们所分开的路径长度Lqs = τ/GVM 这里GVM为群速度失配，τ为脉冲宽度。对最常用几类晶体在Type1相位匹配，我们把GVM的计算结果列在表格一。而针对Type1，800nm的SHG效应， BBO，LBO，KDP和LiIO3等常用晶体因GVM所限，在各种不同基频光脉冲宽度下的厚度极限则列在表格二中，同时也列出了在室温（20°C）时的相位匹配角和转化效率因子。这时如果采用更长的晶体，则二次谐波的脉冲将会展宽至大于基频光脉冲宽度（或期望脉冲宽度）群延迟色散（GDD）对脉冲的传播有非常重要的影响。因为脉冲总是会有一定的光谱宽度，所以色散会导致其各频率分量以不同的速度进行传播。当晶体处于正常色散时，折射率随波长的增加而降低，这将导致高频分量产生更低群速度，于是引起正啁啾.群速度的频率相关特性也会对脉冲宽度产生影响。如果脉冲最初没有啁啾现象，晶体中色散将会不断增加脉冲宽度。这种现象被称作脉冲色散展宽。对非啁啾高斯脉冲，脉冲初始宽度为 0，其脉宽会按以下公式增加:L – 晶体厚度 mmD- 二阶群时延色散或色散参数表格三给出了各种晶体800nm二倍频的Type1相位匹配下的D因子

EKSMA OPTICS提供各种高质量的非线性晶体，如LBO，beta BBO，KTP，KDP，DKDP，LiIO3，各种红外非线性晶体，AgGaS2, AgGaSe2, GaSe, ZnGeP2等，我们提供标准尺寸和定向的晶体，并支持快速库存发货。同时，我们亦针对客户的特定需求提供各种定制化产品。非线性晶体具有极其广泛的应用，如激光谐波振荡，频率反转（SFG，DFG），光学参量振荡和放大（OPG，OPA），电光调制Q-switching等。-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------红外非线性晶体AgGaS2, AgGaSe2, GaSe, ZnGeP2 由于极其独特的材料特性，红外光学非线性晶体ZnGeP2, AgGaSe2, AgGaS2, GaSe在中红外和远红外的应用方面赢得了人们极大的兴趣。这些红外非线性晶体拥有非常大的有效光学非线性，接收光谱和接收角度宽，透光范围广，对温度稳定性和振动控制没有苛刻要求，非常易于机械加工(GaSe除外)。 红外晶体ZnGeP2(ZGP)透光范围从074um至12um，其中有用的透过范围为1.9um至8.6um，以及9.6um到10.2um。ZGP晶体拥有最大的非线性光学系数和较高的激光损伤阈值。ZGP晶体目前已经成功的应用于各种领域： 通过谐波与混频效应实现CO2和CO激光辐射到近红外的上转换脉冲式CO，CO2，DF化学激光器的高效倍频通过OPO实现钬，铥，铒激光波长像中红外的下转换 EKSMA光学提供抗高损伤BBAR镀膜，并且具备超低的吸收损耗，2.05-2.1um泵浦波长下，吸收系数为α 0.05 cm-1；2.5-8.2um范围吸收系数为：α0.03 cm-1红外晶体AgGaSe透光波段在0.73um到18um之间。而具有高应用价值的透过范围为0.9-16um，这个范围具有非常宽的相位匹配能力，对当前大多数可用的激光泵浦光源均可提供潜在的OPO应用。2.05um的Ho:YLF激光泵浦已获得2.5-12um的可调谐输出。而通过1.4-1.55um的泵浦，也获得了非关键相位匹配下的1.9-5.5um输出。AgGaSe2(AgGaSe)也同时早已被证明为脉冲式CO2激光的高效倍频晶体。 红外晶体AgGaS2(AGS)透光波段为0.53-12um。虽然其非线性光学系数在上述提到的红外晶体中最小，但其透明波长短波边缘至550nm，因此可作为Nd:YAG激光器泵浦的OPO应用；同时也被大量应用于利用二极管，钛宝石，Nd:YAG，以及3-12um红外染料激光器进行的差频混频实验；还可以直接应用于红外对抗系统，以及CO2激光器的二倍频。而AgGaS（AGS）薄片晶体通过近红外波段脉冲差频效应在产生中红外超短脉冲方面也应用的非常普遍。 红外晶体 GaSe透光波长在0.65-18um。GaS3晶体已经成功的用于CO2激光的高效倍频；脉冲式CO、CO2和DF激光（λ = 2.36 μm）的二倍频；CO和CO2激光到可见光的上转换；Nd激光与燃料激光器或（F-）-central激光脉冲差频、混频产生红外脉冲；3.5-18um范围内的OPG。同时GaSe晶体薄片还广泛用于飞秒-太赫兹振荡。当然，由于材料结构（沿(001)平面解理）的特殊性，无法获得特定的相位匹配角度，也限制了其应用的领域

Ppxx散装芯片关键词：PPLN晶体,PPLT晶体,PPMGOLN,非线性晶体_PPLN晶体,非线性晶体 基于准相位匹配（QPM），使新的波生成和xx型谱是困难的或不可能的工程实现由传统的非线性材料。xx型芯片和全谱（LN、LT：氧化镁：镁和适当的非线性频率转换计划）（DFG SFG，倍频、OPO，收购，联合，一个CAN，等），实现期望的输出波长（紫外/可见到/从太赫兹光谱反演和特殊功能（），两个频谱转换。频谱工程等）有效。 HCP提供以下全光谱configurations xx型散装芯片来满足你的应用要求和规格。我们可以帮助你设计结构合适的外加电压和外加电压为选定的时间获得所需的材料/ PPLT极化相匹配指定的操作温度和光谱.思考与输入和输出功率/能量/脉冲以及它们的光谱特性。请为您的特殊要求，也具有挑战。Ref-1: Materials and Application Wavelength?Ref-2: Chip StructureRef-3: Conversion ConfigurationRef-4: Dimension and Surface Specification ???

产品名称：硅锗(Si-Ge)晶体基片产品简介：Al2O3（Sapphire,又称白宝石，蓝宝石）有着很好的热特性，极好的电气特性和介电特性，并且防化学腐蚀，它耐高温，导热好，硬度高，透红外，化学稳定性好。广泛用于耐高温红外窗口材料和III-V族氮化物及多种外延薄膜基片材料，为满足日益增长的蓝、紫、白光发光二极管（LED）和蓝光激光器（LD）的需要，科晶公司专业生产高质量的蓝宝石晶体和外延抛光基片，将为您提供大量高质量低价格的单晶和基片。技术参数：单晶: Si-Ge （ wt 2%）导电类型: P type电阻: 7-8 ohm-cm抛光情况：单面抛光 产品规格：常规晶向：100；常规尺寸：dia4″x0.5mm；注：可按照客户要求加工尺寸及方向。标准包装：1000级超净室100级超净袋相关产品：A-Z系列晶体列表等离子清洗机基片包装盒系列切割机旋转涂层机

光折变晶体 SBNSBN晶体，又名铌酸锶钡，是一种非常优异的光折变晶体材料。 纯SBN晶体和掺杂 Ce, Cr, Co, Fe 的铌酸锶钡 (SBN:60, SBN:61, SBN:75)是优良的光折变晶体，用于电光，声光和光折变等非线性光学研究。我司提供的进口SBN晶体采用优良的晶体生长技术，具有出色的光学质量。晶体内部无生长条纹，包裹体和其他不均匀性现象。SBN晶体指标参数：可根据客户需求提供极化处理等。SBN晶体应用领域：1. 光学信息记录，动态全息干涉，光学全息放大等；2. 高效相位共轭，自泵浦相位共轭镜，双相位共轭镜：3. 用于电光器件和声光器件；4. 用于Pyroelectrical 探测器；更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等服务。您可以通过我们昊量光电的官方网站了解更多的产品信息，或直接来电咨询。

STX-620型晶体定向切割一体机，主要用于材料分析样品的精密切割，本系统由金刚石线切割机和X射线定向仪组合而成，金刚石线切割机的Y轴可通过程序控制平行进入定向仪，并带有360度水平旋转的载样台，满足晶体在定向仪中的位置要求，晶体定向后，再利用连接的Y轴进入回切割设备中，避免了二次装夹带来的切割角度误差，从而实现快速定向并切割。适用于脆性、容易解离晶体的精密切割。采用X射线晶体定向仪和金刚石线切割机进行连接组合，精准测量，无缝衔接切割。整体采用铝型材结构，美观轻便。产品名称STX-620型晶体定向切割一体机产品型号STX-620主要参数金刚石线切割机部分1、供电接口：国标带保险三极插座 AC220 50Hz 10A2、总功率：350W3、主体构成：铝合金框架4、金刚石线长度 ：≤150m5、金刚石线直径 ：φ0.25-0.45mm6、金刚石线张紧方式 ：可调气动张紧7、张紧压力调节范围 ：0.1-0.4Mpa8、主轴切割旋转方式 ：往复式旋转9、主轴驱动电机 ：交流变频+减速机 AC220V 300W10、主轴转速 ：5m/s 可调11、Z轴工作台有效行程 ：≤160mm（选配机以实物为准）12、Y轴工作台有效行程 ：≤480mm13、Z、Y 轴进给精度 ：0.01mm14、样品台 ：电动三维转台，水平 0-360°15、角度台 ：电动：±15°16、Y轴、Z 轴、R 轴驱动电机 ：精密步进电机17、两导向轮内侧最大间距 ：≤180mm18、切割最大工件直径和长度 ：Φ150mmX150mm19、工作台中心承重 ：≤10Kg20、控制方式 ：PLC 编程器+4.3 寸触摸屏21、参数显示形式 ：数字22、安全控制装置 ：绕线筒超行程、 断线自停 急停开关23、产品规格：尺寸：640x700x1450mm重量：约170kgX射线晶体定向仪原子曲面分析系统V2.0一、功能概述：1. 此仪器一台多角度、多功能的晶体定向仪，用于：晶锭端面定向；2. 仪器支持多角度测量。3. 免校准、仪器手动上下被测材料。4. 仪器θ轴及2θ轴自动调节方式。5. X光焦点采取机械接触式顶针。6. HMI显示数据。7. 故障提示。二、被测晶体：序号项目内容（规格、参数）1材料单晶2形状晶棒3规格直径8英寸以下。4被测部位端面三、技术参数：序号项目内容（规格、参数）1工作台此仪器有一个工作位2测量方式手动上、下物料。3电源输入单相交流 220V，50Hz，电源电压波动不大于±10%。电源应备有单相三芯插座，接线应符合国家标准，即三芯左零、右火、上脚为地线。4X射线管铜靶，风扇冷却，阳极接地。5管 电 压最大管电压为 30KV、全压合闸。6管 电 流0-1mA、连续可调（超过1mA有可能损坏X光管）。7总耗电功率整机总耗电功率不大于1.2KW。8仪器精度±30”（以供方提供的石英标准片10ī1面测量）。9最小读数3”。10校 准免校准（断电后免校机）。11显示方式PLC 触摸屏操作及显示（度及度分秒两种）。12测量角度范围2θ角：0~+104°，θ角：0°~+52°。13保护Door interlock、EMO、高压连锁，温控保护。14测量空间φ300*300mm。15接收器接收器B。四、环境要求：序号项目内容（规格、参数）1电源单相交流 220V，50Hz，电源电压波动不大于±10%。2插座电源应备有单相三芯插座，接线应符合国家标准，即三芯左零、右火、上脚为地线。3环境温度环境温度+5~+35℃。建议恒温使用，最好安装在有空调的房间内使用（温度变化大，可能会影响测量精度）4环境湿度相对湿度不得大于 65%。5接地装置有良好的接地装置，接地电阻不应大于4Ω。6配水需求无7空气源需求无五、验收标准：序号项目内容（规格、参数）1精准检测以卖方提供的标准片石英片10ī1面测量以标准石英片 10ī1面对设备检测，仪器精度为±30"，微安表下降±2个小格，最小读数为1"。2重复精度测量重复精度，98%以上在精度范围内。

产品名称：Ge晶体基片产品简介：化学符号为Ge ，主要用途有：制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底。技术参数：晶体结构：立方：a = 5.6754 ?；生长方法：提拉法；密度：5.765 g/cm3 熔点：937.4 ℃热传导性：640掺杂物质：不掺杂；掺Sb；掺Ga类型：/；N；P；电阻率W.cm：35；0.05；0.05-0.1；EPD： 4x103/cm2； 产品规格：晶体方向: 111，100and110± 0.5o 标准尺寸:dia1"x 0.50 mm；dia2"x0.5mm；dia4"x0.5mm（110 Ra5A，不化抛）注：可按照客户要求加工尺寸及方向。标准包装：1000级超净室100级超净袋或单片盒装 相关产品： A-Z系列晶体列表清洗机 基片包装盒系列划片机旋转涂层机

设备名称:一、设备名称：YX-8D型X射线晶体定向仪二、该仪器主要为大尺寸、超重的硅单晶棒（或方砖）设计的，仪器配置：此设备由两部分组成；（1）主机：由机台、管套及各种机械附件组成的机械部分；（2）控制柜:由稳压器、控制器、高压变压器、放大器、计数器、风冷电机、X射线管及各种指示仪表组成的电气部分构成； 技术指标：项 目参 数电 源单相交流 220V 50Hz管电压0～5mA（可调）管 电压0～5mA（可调）精 度15"操 作手动操作操作方式手 动光 闸手动开关光闸狭 缝4' 5' 6' 角 度θ 度 分 秒 最小计数1"2θ -10～110o （θ范围）峰 值μA表 射线强度计数管电压直流 700～1200V左右托 板300×800（mm）晶 体圆棒、方棒 ；设备所能测量的最大晶锭用来测量直径为160mm-220mm；长度不超过800mm ；数 显海德汉ND280数显 直读编码器承 重不超过80kgX射线管风冷 铜靶