晶圆硅片划遗线检测统计

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晶圆硅片划遗线检测统计相关的厂商

  • 西安中特计量检测研究院有限公司
    在国家质检总局和各级计量行政部门的统一规划和指导下，目前，我国共建立了国家计量基准和各级社会公用计量标准，负责保存这些计量基标准资源的是遍布全国31个省市自治区的2000多家法定计量技术机构。也是利用计量基标准资源为社会开展计量服务的生力军。西安中特计量检测研究院是在国家号召下，重在专注于研究、建立和保存西北五省（区）油液监测领域计量基、标准，承担化学量值的传递和溯源，开展油液监测设备的检定、校准和检测工作，开展计量技术研发、计量技术规范起草和计量技术咨询以及计量检定、校准人员培训等任务。检定、校准和检测能力：校准：密度、粘度、冷滤点、馏程、凝点、酸值、水分、冰点、颗粒计数器、不溶性微粒检查仪等标物：乳胶球、油中颗粒标准物质、水中颗粒标准物质、密度标准物质、粘度标准物质、冷滤点标准物质、馏程标准物质、凝点标准物质、酸值标准物质、水分标准物质、冰点标准物质同时承担地质勘查及测试；工程技术与试验研究，工业制造自动化软件、工程软件的开发与销售。
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  • 西安广博检测设备有限公司
    西安广博检测设备有限公司是由国内资深力学环境试验设备研发专家和知名检测设备营销团队联合组建的创新型高科技企业。公司注册资本600万元，专业研发团队30余人，其中高级工程师5人，工程师10人，研究生5人 。公司依托国内知名企业及对口高等院校雄厚的技术实力和研发团队，实施价值升华、理想放飞、不拘一格、唯真务实的创新战略，致力于试验设备的设计、开发，非标专用设备的设计、研发，电气自动控制系统的设计、研发，检测仪器、设备的研发，试验设备技术升级改造、环境试验技术咨询等完整解决方案。 西安广博检测设备有限公司以“客户价值是我们执行的方向，人才价值是我们执行的保证，你我共赢是我们追求的目标”作为开放创新的理念，秉承融汇国内外先进的环境试验技术和产品，实行广纳贤能，博采众长，人有我优，人优我精立业方针，搭建科技自主创新平台，为用户提供高品质的产品和全面的技术服务，为推进试验科技的发展不懈努力。
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  • 中认国质（北京）检测技术研究院
    中认国质(北京)检测技术研究院（机构代码:91110108351644860Q）并经工业和信息化部备案的公益性检验检测认证技术研究服务机构，承担检验检测机构资质认定和实验室认可科学研究、标准制定、技术培训、技术咨询、仪器销售、政策解读和国际交流等服务工作，是行业领先的检验认证综合技术服务机构，在管理体系认证、产品认证、检验检测机构资质认定、实验室认可、进出口商品检验鉴定、二方审核和培训领域具有丰富的经验，在全国32个省市、自治区、直辖市为全国近千家实验室认可机构、检验检测机构提供检验认证服务，帮助企业、机构、建立符合要求的管理体系，满足实验室的要求， 作为一家全国性、公益性检验检测认证、技术培训的服务机构，我院的服务获得了各行业评审组及各地质量技术监督部门的承认和认可，我院本着公平、公正、科学、严谨的态度全心全意为全国实验室认可机构、检验检测机构服务，努力成为国内一流的检验检测认证、技术培训的服务机构。
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晶圆硅片划遗线检测统计相关的仪器

  • 晶圆/硅片划遗线检测/统计Slip Finder 400-860-5168转2024
    晶圆/硅片划遗线检测/统计slip finder广泛应用于各大半导体FAB，主要用于如下一些热处理工艺后的晶圆/硅片：Polishing, Epitaxy, RTP, Diffusion, Incoming Inspection, SOI, Anneal部分客户参考如下：国内主要大客户有如：中芯国际，先进半导体，华宏半导体，成都德州仪器等等。MEMC S.E.H SUMCO IBM KOMATSU LG OKMETIC MAXIM PHILIPS MOTOROLA DISCO MITSUBISHI TOSHIBA SAMSUNG SONY ST MICRO TEXAS INSTRUMENTS HITACHI IBIS...中国地区销售服务商美国赛伦科技上海办事处吴惟雨
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    厂商： 赛伦科技
    品牌： 未知
    型号： YIS-200SP/YIS-300SP/YIS-200HM/YIS-300HM
    价格： 面议
  • 美国Lumina晶圆表面缺陷检测仪 400-860-5168转4306
    一、简介Lumina AT1光学表面缺陷分析仪可对玻璃、半导体及光电子材料进行表面检测。Lumina AT1既能够检测SiC、GaN、蓝宝石和玻璃等透明材料，又能对Si、砷化镓、磷化铟等不透明基板进行检测，其价格优势使其成为适合于研发/小批量生产过程中品质管理及良率改善的有力工具。 Lumina AT1结合散射测量、椭圆偏光、反射测量与表面斜率等基本原理，以非破环性方式对Wafer表面的残留异物，表面与表面下缺陷，形状变化和薄膜厚度的均匀性进行检测。1.偏振通道用于薄膜、划痕和应力点；2.坡度通道用于凹坑、凸起；3.反射通道用于粗糙表面的颗粒；4.暗场通道用于微粒和划痕；二、 功能l 主要功能1. 缺陷检测与分类2. 缺陷分析3. 薄膜均一性测量4. 表面粗糙度测量5. 薄膜应力检测l 技术特点1.透明、半透明和不透明的材料均可测量，比如硅、化合物半导体或金属基底；2.实现亚纳米的薄膜涂层、纳米颗粒、划痕、凹坑、凸起、应力点和其他缺陷的全表面扫描和成像；3.150mm晶圆全表面扫描的扫描时间为3分钟，50x50mm样品30秒内可完成扫描并显示结果；4.高抗震性能，系统不旋转，形状无关，可容纳非圆形和易碎的基底材料；5.高达300x300mm的扫描区域；可定位缺陷，以便进一步分析；技术能力三、应用案例1. 透明/非透明材质表面缺陷检测2. MOCVD外延生长成膜缺陷管控3. PR膜厚均一性评价4. Clean制程清洗效果评价5. Wafer在CMP后表面缺陷分析6. 多个应用领域，如AR/VR、玻璃、光掩模版、蓝宝石、硅片等
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    厂商： 上海艾尧科学仪器有限公司
    品牌： 儒米娜/LUMINA
    型号： AT1
    价格： 面议
  • MDPinline 晶圆片在线面扫检测仪 400-860-5168转4058
    MDPinline是一种用于快速定量测量载流子寿命并集成扫描功能的检测仪。通过工厂安装的传送带将晶圆片移至仪器，在不到一秒的时间内，就可以“动态”测量出晶圆图。 优势介绍：一秒一片!可集成在生产线上的高速晶圆载流子寿命的面扫测试，在不到一秒内就能形成单个硅片的二维图像。 该仪器本身不使用机械运动部件，因此在连续操作下也非常可靠。它为每个晶圆片提供完整的拓扑结构，这为提高生产线的成本效益和效率提供了新的途径，而这些都是迄今为止无可比拟的。例如，在不到3个小时的时间内，对10000个晶圆片的拓扑结构进行自动统计评估，结果可以显示出晶体生长炉的性能和材料质量的各种细节。 实时的质量检测可以帮助提高和优化诸如扩散和钝化等处理步骤。在运行的生产过程中，MDPinline可以立即检测到某个处理步骤的任何故障，从而使产品达到的性能。 优势介绍◆ 在不到一秒的时间内，可对一个晶圆片进行全电特性测试。测量参数：载流子寿命(拓扑图)、电阻率(双线扫描)。◆在非常短的时间内获得数以千计的晶圆片的统计信息可有效地帮助晶圆厂控制过程和生产。◆适用于测量晶圆片的材料质量，以及识别晶圆片层面的结晶问题，例如在光伏行业。◆适用于扩散过程的完整性控制、钝化效率和均匀性控制。技术参数样品厚度100 μm up to 1 mm样品尺寸在125 x 125 和210 x 210 mm2 之间，或 4”到18”电阻率0.2 - 103 Ohm cm传导类型p, n材质硅晶圆，部分或完全加工的晶圆片，复合半导体等 测量性能少数载流子寿命（稳态或非平衡(μ-PCD)可选择的）测量位置默认2.8 mm， 其它可选检测时间获得完整的一张晶圆图时间小于1秒尺寸400 x 400 x 450 mm，重量：29 kg电源24 V DC, 4 A其它细节 允许单片控制 参数自动设置，预定义的排序菜单 多达15个质量等级的晶圆片自动分拣 监控材料质量、工艺的完整性和稳定性 快速提升工艺和生产线
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    厂商： 束蕴仪器（上海）有限公司
    品牌： Freiberg Instruments
    型号： MDPinline
    价格： 面议
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  • 国晶半导体12英寸大硅片实现全自动量产 规划年产能480万片
    1月9日，国晶（嘉兴）半导体有限公司（以下简称“国晶半导体”）举行全自动12英寸半导体大硅片生产线量产新闻发布会，宣布打通了全自动生产线，公司的12英寸抛光片处于国内领先水平。（国晶半导体董事长陆仁军讲解项目进展）需要强调的是，国晶半导体建成全自动12英寸半导体硅片生产线，意味着柘中股份转型半导体材料业务迈出一大步。目前，柘中股份持有国晶半导体44.44%股权，并合计持有其58.69%的表决权。全自动大硅片生产线建成一辆辆天车在天花板上来回穿梭，配合各类机台有条不紊地递送着大硅片，自动完成倒角、抛光等一系列步骤。这是记者在国晶半导体看到的大硅片生产流程。（国晶半导体的长晶车间）“国晶半导体在成立之初，就确立了对标全球最先进半导体大硅片厂商的目标，立志组建全球顶尖的专家技术团队，造全球领先的大尺寸硅片。”在发布会上，国晶半导体董事长陆仁军介绍，国晶半导体主要研发、生产、销售集成电路核心半导体材料12英寸大硅片及满足28纳米以下制程标准的抛光片和外延片。需要提及的一个产业背景是，全球对集成电路的需求持续增长，半导体硅片尤其是12英寸大硅片供不应求，产能缺口持续增长。SEMI（国际半导体产业协会）统计，2020年全球晶圆制造材料市场总额达349亿美元，其中硅片和硅基材料的销售额占比达到36.64%约为128亿美元。SEMI预测，全球半导体制造商将在2022年前开建29座高产能晶圆厂，绝大部分为12英寸晶圆厂，这将持续提升12英寸硅片的需求。但在供给端，全球半导体硅片市场垄断在日本信越、日本三菱住友SUMCO、环球晶圆、德国Siltronic、韩国SKSiltron等五大供应商手里，合计占据了全球超过90%的市场份额。“不管是从存量市场看，还是从增量市场展望，国内半导体厂商包括大硅片厂商都迎来巨大的发展前景。”陆仁军介绍，目前，国内外晶圆厂持续处于满负荷运转，且产品不断涨价。产能方面，国晶半导体规划产能为年产12英寸半导体硅片480万片。该项目分为两期实施，其中一期规划建设月产能15万片，二期规划建设月产能30万片。转型半导体业务迈出一大步国晶半导体建成全自动12英寸半导体硅片生产线，意味着柘中股份转型半导体材料业务迈出一大步。柘中股份2021年9月27日公告，为布局集成电路上游产业，促进公司产业结构转型升级，公司拟出资8.16亿元，认购中晶半导体8亿元新增注册资本。本次增资完成后，中晶半导体注册资本增至18亿元，柘中股份持有中晶半导体44.44%股份；同时，康峰投资将其持有的中晶半导体14.25%股权对应表决权无条件委托给柘中股份；最终，柘中股份合计持有中晶半导体58.69%表决权，成为其控股股东。2021年11月24日，柘中股份披露，公司控股子公司中晶（嘉兴）半导体有限公司改名为国晶（嘉兴）半导体有限公司。柘中股份表示，公司根据现金流安排和国晶半导体目前经营情况及未来发展，在国晶半导体尚未投产前增资入股，有利于在避免承担国晶半导体设立初期投资风险的前提下，锁定投资低价，降低上市公司投资成本。本次投资后，柘中股份主营业务将涉及半导体材料行业。陆仁军介绍，国晶半导体12英寸硅片生产线是嘉兴市着力引进的项目，也是南湖区重大集成电路项目。为提升技术及硅片品质，国晶半导体成立了晶体生长实验室、物理、化学以及应用实验室，并争取2022年跻身为国家一流实验室；届时将填补南湖区在集成电路产业核心原材料方面的空白，并带动长三角地区大硅片相关辅助材料、设备投资及相关配套产业发展。柘中股份已经与其客户建立起广泛的业务合作。据悉，包括中芯国际、华虹宏力等国内晶圆厂，广泛采购柘中股份的电力系统相关设备。近年来，柘中股份也深度参与了多个国内晶圆厂的建设任务。
    时间： 2022-01-11
    作者： 管晨光
  • 一分钟快速了解硅片沾污检测技术与仪器
    p style="text-indent: 2em text-align: justify "半导体器件生产中硅片须经严格清洗。微量污染也会导致器件失效。硅片是从硅棒上切割下来的晶片表明的多层晶格处于被破坏的状态，布满了不饱和的悬挂键，悬挂键的活性非常高，十分容易吸附外界的杂质粒子，导致硅片表面被污染且性能变差。清洗的目的在于清除表面污染杂质，包括有机物和无机物。这些杂质会导致各种缺陷。/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "随着大规模集成电路的发展，集成度不断提高，线宽不断减小，抛光片表面的颗粒和金属杂质沾污对器件的质量和成品率影响越来越严重。对于线宽为span0.35/spanμspanm/span的span64/span兆spanDRAM/span器件，影响电路的临界颗粒尺寸为span0.06/spanμspanm/span，抛光片的表明金属杂质沾污全部小于span5/span× span10sup16/supat/cmsup2/sup/span，抛光片表面大于span0.2/spanμspanm/span的颗粒数应小于span20/span个span//span片。因此对硅片的质量要求也越来越高，特别是对硅抛光片的质量要求越来越严，对硅片沾污的检测便显得尤为关键。/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "以下为硅片沾污检测技术与仪器概览：/ptable border="1" cellspacing="0" cellpadding="0" style="border-collapse:collapse border:none" align="center"tbodytr class="firstRow"td width="56" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p沾污种类/p/tdtd width="113" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p杂质成分/p/tdtd width="156" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p沾污危害/p/tdtd width="118" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p检测技术或仪器/p/tdtd width="110" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p主要厂商/p/td/trtrtd width="56" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p颗粒沾污/p/tdtd width="113" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p聚合物、光致抗蚀剂等/p/tdtd width="156" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p图形缺陷、离子注入不良、spanMOS/span晶体管特性不稳定/p/tdtd width="118" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px word-break: break-all " align="center"p硅片颗粒检测设备/p/tdtd width="110" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"pspanKLA/span等/p/td/trtrtd width="56" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p有机沾污/p/tdtd width="113" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p人的皮肤油脂、防锈油、润滑油、蜡、光刻胶等/p/tdtd width="156" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p栅极氧化膜耐压不良、spanCVD/span膜厚产生偏差热、氧化膜产生偏差/p/tdtd width="118" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px word-break: break-all " align="center"p热解吸质谱，a href="https://www.instrument.com.cn/zc/70.html" target="_self"spanX/span射线光电子能谱/a，a href="https://www.instrument.com.cn/zc/519.html" target="_self"俄歇电子能谱/a/p/tdtd width="110" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p岛津、span style="color:#444444"ThermoFisher/spanspan style="color:#444444"、恒久等/span/p/td/trtrtd width="56" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p金属沾污/p/tdtd width="113" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p电化学沉积、氢氧化物析出物、膜夹杂物/p/tdtd width="156" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p栅极氧化膜耐压劣化、spanPN/span结逆方向漏电流增大、绝缘膜耐压不良、少数载流子寿命缩短/p/tdtd width="118" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px word-break: break-all " align="center"pa href="https://www.instrument.com.cn/zc/293.html" target="_self"电感耦合等离子体质谱仪/a/p/tdtd width="110" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p安捷伦、赛默飞等/p/td/tr/tbody/tablep style="text-indent: 2em text-align: justify "span style="text-indent: 28px "国家也出台了多个相关国家标准。/spanbr//ptable border="1" cellspacing="0" cellpadding="0" style="border-collapse:collapse border:none"tbodytr class="firstRow"td width="184" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p标准号/p/tdtd width="369" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p标准名称/p/td/trtrtd width="184" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"pspanGB/T 24578-2015/span/p/tdtd width="369" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p《硅片表面金属沾污的全反射spanX/span光荧光光谱测试方法》/p/td/trtrtd width="184" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"pspanGB/T 24580-2009/span/p/tdtd width="369" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p《重掺spann/span型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法》/p/td/trtrtd width="184" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"pspanGB/T 30701-2014/span/p/tdtd width="369" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p《表面化学分析 硅片工作标准样品表面元素的化学收集方法和全反射spanX/span射线荧光光谱法span(TXRF)/span测定》/p/td/tr/tbody/tablepspan /span/ppbr//p
    时间： 2020-09-14
    作者： KPC
  • 莱伯泰科《硅片表面金属离子国产检测仪器首创项目》 获中国检验检测学会科学技术奖
    近期，“2023年度中国检验检测学会科学技术奖”获奖名单公布，北京莱伯泰科仪器股份有限公司（简称“莱伯泰科”）凭借其《硅片表面金属离子国产检测仪器首创项目》荣获科学技术进步奖二等奖。该奖项由中国检验检测学会设立，旨在表彰那些在检验检测科学技术领域或相关领域，通过技术发明、科技进步、国际科技合作等活动，对推动检验检测科学发展做出显著贡献的组织和个人。莱伯泰科于2021年5月和2023年3月分别推出了自主研发的LabMS 3000电感耦合等离子体质谱仪和LabMS 5000电感耦合等离子体串联质谱仪，其技术成熟度与产品可靠性已经满足国内集成电路制造企业对28nm以上制程硅片表面金属离子检测的需求，并已成功应用于半导体晶圆制造企业，在半导体行业有了巨大突破。莱伯泰科此次获奖的《硅片表面金属离子国产检测仪器首创项目》成功解决了国产仪器在此领域的技术空白，有望打破国外技术的长期垄断。该项目依托先进的ICP离子源技术、加强的离子传输系统和基于CAN总线的电控系统，实现了仪器的高效稳定运行及精准检测，满足了半导体硅片行业对极低检出限的严苛要求。凭借在电感耦合等离子体质谱技术领域的丰富创新经验，莱伯泰科一直致力于为半导体行业提供更加精准、高效的解决方案。今天的荣誉标志着莱伯泰科在科技创新道路上达到了新的里程碑。未来，莱伯泰科将继续专注于高端科研设备的研发，努力推动科学仪器技术的持续进步，为行业的发展贡献自己的智慧和力量。电感耦合等离子体质谱仪LabMS 3000 ICP-MS&bull 强大：集成型高基质进样系统，支持在线氩气稀释和有机样品加氧除碳，从而减少样品前处理时间并避免此过程中引入的各种污染&bull 精准：新一代碰撞反应池技术，消除棘手的多原子离子和双电荷离子干扰，提升数据质量&bull 安全：具有多重安全防控以及定时维护日志，确保仪器在安全、可靠的状态下运行，尽量减少计划外的停机和提供安全保护&bull 智能：HiMass智能工作站，中英文语言实时切换，支持接入实验室管理系统和定制报告模版，向导式设计更符合中国人操作习惯&bull 高效：与LabTech前处理设备无缝衔接实现一站式元素分析解决方案，使元素分析更高效、更准确、更安全LabMS 5000 电感耦合等离子体串联质谱仪（ICP-MS/MS）精准：MS/MS模式实现受控且可靠的干扰去除，精准去除质量干扰离子，从而获得更低的检测限和准确的超痕量分析结果。稳定：采用工业标准27.12MHz 全固态RF发生器，具有高稳定性及可靠性；优异的离子传输系统设计即使在MS/MS模式下也具有良好的检测稳定性。可靠：通过 SEMI S2 认证，多达十重安全防护配置，带来全面可靠的安全防护，保证仪器长时间安全可靠运行。强大：全基体进样系统结合接口设计及加强离子传输系统，带来强大的基体耐受性，即使高基体直接进样也可有效降低信号漂移。易用：HiMass智能工作站，一键式，向导式、模块化设计，界面简洁直观，易学易用，提高工作效率。
    时间： 2024-03-18
    作者： 莱伯泰科
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  • 【原创】硅片检测显微镜

    光伏产业（太阳能发电产业）在太阳能电池发展了50年后，终于在2004年跨越了历史的分水岭，正式进入了起飞阶段。随着德国政府在2004 年1 月1 日公布再生能源法，将太阳能选为主要的替代能源，以实际措施普及太阳能发电（政府不但补助民间装设太阳能模块，更保证以一定费率购回电力），太阳能电池产业正式进入了需求的迅猛增长期。随着多晶硅,硅片,大阳能电池板工艺的不断发展与提高，光伏产业对硅片质量的检测要求也越来越高。由于国外的光学检测太贵,对非原材料生产厂家是一笔很大的支出,而又需要对进的硅片进行检测，针对这种情况，上海长方光学仪器厂开发了针硅片检测的系统。该系统可以对太阳能电池硅片的”金字塔” 的微观形貌分布情况,及硅片的缺陷分析. (例如:上海长方生产的硅片检测显微镜:CGM-600E) 例如: 硅片检测显微镜可以观察到肉眼难观测的位错、划痕、崩边等 还可以对硅片的杂质、残留物成分分析.杂质包括: 颗粒、有机杂质、无机杂质、金属离子、硅粉粉尘等，造成磨片后的硅片易发生变花、发蓝、发黑等现象，使磨片不合格. 是太阳能电池硅片生产过程中必不可少的检测仪器之一。CGM-600E大平台明暗场硅片检测显微镜是适用于对太阳能电池硅片的显微观察。本仪器配有大移动范围的载物台、落射照明器、长工作距离的平场消色差物镜、大视野目镜，图像清晰、衬度好，同时配有偏光装置，及其高像素的数码摄像头. 本仪器配有暗场物镜,使观察硅片时图像更加清晰,是检测太阳能电池硅片的”金字塔” 的微观形貌分布情况,及硅片的缺陷分析的理想仪器.上海长方光学仪器厂 欢迎致电：021- 68610299

  • 【分享】深圳晶圆和硅片背面缺陷检测与分析

    深圳材料表面分析检测中心缺陷分析服务：1、微观形貌观察 2、杂质、残留物成分分析使用设备：1、扫描电子显微镜（SEM） 2、能量色散谱（EDS）价格：1、300元/样（提供5张照片） 2、350元/样电话：0755-25594781 白帆中心网址：http://www.sz863.comMSN：slevin.van@gmail.com

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  • 硅片划线器 N9301376
    硅片划线器珀金埃尔默的陶瓷硅片划线器价格不贵并且特别适合切割聚酰亚胺熔融硅胶毛细管柱和保护柱。该划线器容易固定并且简单易用。它的全部4个侧面均能用作一种切割工具。硅片划线器订货信息：产品描述部件编号硅片划线器（10件装）N9301376
    供应商： 北京豫维科技有限公司
    品牌： 豫维
    价格： 面议
  • 硅晶圆片（硅片）
    硅晶圆片随着半导体、微电子行业的发展，硅片的用途越来越广泛。比如半导体芯片领域、X射线晶体分析、磁控溅射样品生长、原子力、红外光谱测试分析、PVD/CVD镀膜衬底等。我们提供各种不同直径、厚度、电阻、级别和应用场景的硅片，请将您的参数要求发给我们，如有疑难，也请联系我们。哪里可以快速买到硅片作为基片，当然是这里！我们主要为国内的科研院所、高校提供高品质的硅片衬底，高纯抛光的硅基底也能够提供。选型指导：特性产品描述常规硅片直径1"、2"、3"、4"、5"、6"、8"、10"、12"厚度50um至10000um超薄硅片直径5mm、10mm、25mm、50mm、75mm、100mm超薄硅片厚度2um至50um，公差±0.5μm、±1.0μm、±1.5μm表面粗糙度Prime Grade wafer Ra掺杂类型P型、N型、无掺杂晶向〈100〉± 0.5° 〈110〉±0.5° 〈111〉± 0.5°，〈100〉± 1°，〈110〉±1°表面处理抛光、刻蚀、ASCUT；单面/双面处理电阻率0~至20000 (Ωcm)级别Mechanical Grade、Test Grade、Prime Grade、SEMI Prime Grade产品举例：产品描述尺寸举例规格多孔硅晶圆，Porous silicon wafer76.2mm10片无掺杂硅晶圆，undoped silicon wafer100mm10片氮化硅膜硅晶圆，Silicon Nitride Wafer LPCVD PECVD100mm10片FZ区硅晶圆片，Float Zone Silicon Wafer25.4mm10片热氧化处理硅晶圆片Thermal Oxide Wafer76.2mm25片超平硅片Ultra-Flat or MEMS wafers6″5片太阳能硅晶片，Solar Silicon Cells6″，5″25片外延硅片，Epitaxial Silicon Wafer100mm10片N型硅晶圆片，N-Type Silicon Substrates100mm100片各种硅晶片我们致力于为客户提供全面的硅片（Silicon Wafer）解决方案，从测试级硅片（Test Wafer）到产品级硅片（Prime Wafer），以及特殊硅片氧化硅片（Oxide）、氮化硅片(Si3N4)、镀铝硅片、镀铜硅片、SOI Wafer、MEMS Glass、定制超厚、超平硅片等，尺寸覆盖50mm-300mm。对于2D材料的研究，软光刻硅片，直接放射性核电实验，等离子体刻蚀硅片，以及微流控芯片平台的建立，我们均有成功的经验。小常识：将某一特定晶向的硅种子(种子,通常为一小的晶棒)棒插入熔融液态硅,并慢慢向上拉起晶棒,一根和种子相同晶向的晶柱就被生产出来。将晶柱切割成多个一定厚度的圆片片,通常称呼的wafer就被制造出来了。初步切割出来的wafer表面，通常比较粗糙,无法用作晶圆生产，因而通常都在后续工艺中进行抛光，抛光片的名词就由此而来。针对不同晶圆制造要求，通常需要向粗制晶圆内掺杂一些杂质，如P、B等，以改变其电阻值,因而就有了低阻、高阻、重掺等名词。镀膜片可以理解为外延片Epi，是针对特定要求的半导体装置而制定的wafer,通常是在高端IC和特殊IC上使用，如绝缘体上Si(SOI)等。用Czochralski(CZ)晶体生长法或浮区（floatzone）（FZ）生长法生成单晶硅。超大规模集成电路应用更多采用Czochmlski硅，因为它比FZ材料有更多的耐热应力能力，而且它能提供一种内部吸杂的机械装置，该装置能从硅片表面上的器件结构中去除不需要的杂质。因为是在不与任何容器或坩埚接触的情况下制成，所以FZ硅比CZ硅有更高的纯度（从而有更高的电阻率）。器件和电路所需的高纯起始材料（如高压，高功率器件）一般都用FZ硅。我们的低应力PECVD氮化是一个单面膜，已优化为晶圆需要最小的热处理。因为低应力PECVD氮化物是在低温下沉积的，它提供了更大的灵活性，可以沉积在任何其他薄膜上。我们提供独立式超薄超平硅片，厚度从5μm到100μm不等，直径从5毫米到6英寸。薄硅片是真正的镜面光洁度DSP，良好的表面平整度，无雾，无空洞，表面RMS低(典型1-2 nm)，超低值TTV通常小于+/-1μm。我们的单晶太阳能硅片的效率高达19.5%。什么是太阳能效率，阳光光子击中太阳能晶片在一个特定的空间的百分比。更高的效率意味着发电所需的比表面积更小。因此，小型屋顶将希望使用更高的效率面板，以弥补较小的表面积。
    供应商： 海德创业（北京）生物科技有限公司
    品牌： EMS
    价格： 面议
  • 晶圆盒/硅片盒
    晶圆盒/硅片盒用于承装2至6英寸晶片/硅片，可以确保晶片/硅片在运输和储运的过程中不被损坏和污染。并使清洁和处理晶片/硅片的过程非常方便。
    供应商： 北京中镜科仪技术有限公司
    品牌： 中镜科仪
    价格： 面议
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