晶圆硅片划遗线检测统计

晶圆/硅片划遗线检测/统计slip finder广泛应用于各大半导体FAB，主要用于如下一些热处理工艺后的晶圆/硅片：Polishing, Epitaxy, RTP, Diffusion, Incoming Inspection, SOI, Anneal部分客户参考如下：国内主要大客户有如：中芯国际，先进半导体，华宏半导体，成都德州仪器等等。MEMC S.E.H SUMCO IBM KOMATSU LG OKMETIC MAXIM PHILIPS MOTOROLA DISCO MITSUBISHI TOSHIBA SAMSUNG SONY ST MICRO TEXAS INSTRUMENTS HITACHI IBIS...中国地区销售服务商美国赛伦科技上海办事处吴惟雨

一、简介Lumina AT1光学表面缺陷分析仪可对玻璃、半导体及光电子材料进行表面检测。Lumina AT1既能够检测SiC、GaN、蓝宝石和玻璃等透明材料，又能对Si、砷化镓、磷化铟等不透明基板进行检测，其价格优势使其成为适合于研发/小批量生产过程中品质管理及良率改善的有力工具。 Lumina AT1结合散射测量、椭圆偏光、反射测量与表面斜率等基本原理，以非破环性方式对Wafer表面的残留异物，表面与表面下缺陷，形状变化和薄膜厚度的均匀性进行检测。1.偏振通道用于薄膜、划痕和应力点；2.坡度通道用于凹坑、凸起；3.反射通道用于粗糙表面的颗粒；4.暗场通道用于微粒和划痕；二、 功能l 主要功能1. 缺陷检测与分类2. 缺陷分析3. 薄膜均一性测量4. 表面粗糙度测量5. 薄膜应力检测l 技术特点1.透明、半透明和不透明的材料均可测量，比如硅、化合物半导体或金属基底；2.实现亚纳米的薄膜涂层、纳米颗粒、划痕、凹坑、凸起、应力点和其他缺陷的全表面扫描和成像；3.150mm晶圆全表面扫描的扫描时间为3分钟，50x50mm样品30秒内可完成扫描并显示结果；4.高抗震性能，系统不旋转，形状无关，可容纳非圆形和易碎的基底材料；5.高达300x300mm的扫描区域；可定位缺陷，以便进一步分析；技术能力三、应用案例1. 透明/非透明材质表面缺陷检测2. MOCVD外延生长成膜缺陷管控3. PR膜厚均一性评价4. Clean制程清洗效果评价5. Wafer在CMP后表面缺陷分析6. 多个应用领域，如AR/VR、玻璃、光掩模版、蓝宝石、硅片等

MDPinline是一种用于快速定量测量载流子寿命并集成扫描功能的检测仪。通过工厂安装的传送带将晶圆片移至仪器，在不到一秒的时间内，就可以“动态”测量出晶圆图。 优势介绍：一秒一片!可集成在生产线上的高速晶圆载流子寿命的面扫测试，在不到一秒内就能形成单个硅片的二维图像。 该仪器本身不使用机械运动部件，因此在连续操作下也非常可靠。它为每个晶圆片提供完整的拓扑结构，这为提高生产线的成本效益和效率提供了新的途径，而这些都是迄今为止无可比拟的。例如，在不到3个小时的时间内，对10000个晶圆片的拓扑结构进行自动统计评估，结果可以显示出晶体生长炉的性能和材料质量的各种细节。 实时的质量检测可以帮助提高和优化诸如扩散和钝化等处理步骤。在运行的生产过程中，MDPinline可以立即检测到某个处理步骤的任何故障，从而使产品达到的性能。 优势介绍◆ 在不到一秒的时间内，可对一个晶圆片进行全电特性测试。测量参数：载流子寿命(拓扑图)、电阻率(双线扫描)。◆在非常短的时间内获得数以千计的晶圆片的统计信息可有效地帮助晶圆厂控制过程和生产。◆适用于测量晶圆片的材料质量，以及识别晶圆片层面的结晶问题，例如在光伏行业。◆适用于扩散过程的完整性控制、钝化效率和均匀性控制。技术参数样品厚度100 μm up to 1 mm样品尺寸在125 x 125 和210 x 210 mm2 之间，或 4”到18”电阻率0.2 - 103 Ohm cm传导类型p, n材质硅晶圆，部分或完全加工的晶圆片，复合半导体等 测量性能少数载流子寿命（稳态或非平衡(μ-PCD)可选择的）测量位置默认2.8 mm， 其它可选检测时间获得完整的一张晶圆图时间小于1秒尺寸400 x 400 x 450 mm，重量：29 kg电源24 V DC, 4 A其它细节 允许单片控制 参数自动设置，预定义的排序菜单 多达15个质量等级的晶圆片自动分拣 监控材料质量、工艺的完整性和稳定性 快速提升工艺和生产线

电池硅片厚度仪 硅片厚度测定仪 硅片厚度检测仪C640是一款高精度、高重复性的机械接触式精密测厚仪，专业适用于量程范围内的薄膜、薄片、纸张、瓦楞纸板、纺织材料、非织造布、固体绝缘材料等各种材料的厚度精密测量。可选配自动进样机，更加准确、高效的进行连续多点测量。设备技术特征：1、专业——Labthink在不断的创新研发和技术积累中推陈出新，使用超高精度的位移传感器、科学的结构布局及专业的控制技术，实现先进的测试稳定性、重复性及精度。2、高效——采用高效率、自动化结构设计，有效简化人员参与过程；智能的控制及数据处理功能，为用户提供更便捷可靠的试验操作和结果处理。3、智能——搭载Labthink新一代版控制分析软件，具有友好的操作界面、智能的数据处理、严格的人员权限管理和安全的数据存储；支持Labthink特有的DataShieldTM数据盾系统（可选配置），为用户提供极为安全可靠的测试数据和测试报告管理功能。电池硅片厚度仪 硅片厚度测定仪 硅片厚度检测仪C640测试原理：将预先处理好的薄型试样的一面置于下测量面上，与下测量面平行且中心对齐的上测量面，以一定的压力，落到薄型试样的另一面上，同测量头一体的传感器自动检测出上下测量面之间的距离，即为薄型试样的厚度。执行标准：ISO 4593、ISO 534、ASTM D6988、ASTM F2251、GB/T 6672、GB/T 451.3、TAPPI T411、BS 2782-6、DIN 53370、ISO 3034、ISO 9073-2、ISO 12625-3、ISO 5084、ASTM D374、ASTM D1777、ASTM D3652、GB/T 6547、GB/T 24218.2、FEFCO No 3、EN 1942、JIS K6250、JIS K6783、JIS Z1702中国《药品生产质量管理规范》（GMP）对软件的有关要求（可选配置）电池硅片厚度仪 硅片厚度测定仪 硅片厚度检测仪C640应用材料：基础应用：薄膜、薄片——各种塑料薄膜、薄片、隔膜等的厚度测定纸——各种纸张、纸板、复合纸板等的厚度测定扩展应用：金属片、硅片——硅片、箔片、各种金属片等的厚度测定瓦楞纸板——瓦楞纸板的厚度测定纺织材料——各类纺织材料如编织织物、针织物、涂层织物等的厚度测定非织造布——各类非织造布如尿不湿、卫生巾、医用口罩等的厚度测定其它材料——固体电绝缘材料、胶黏带、土工合成材料、橡胶等的厚度测定电池硅片厚度仪 硅片厚度测定仪 硅片厚度检测仪C640技术指标：① C640M型号参数：测试范围（标配）：0～2mm分辨率：0.1μm 重复性：0.8μm测量范围（选配）：0～6、0～12mm测量间距：0～1000mm（可设定）进样速度：1.5～80mm/s（可设定）附加功能：自动进样机：可选配置DataShieldTM数据盾：可选配置GMP计算机系统要求：可选配置测量方式：机械接触式测量压力及接触面积：薄膜：17.5±1 kPa、50 mm2纸张：100±1 kPa(标准配置) / 50±1 kPa（可选配置）、200 mm2电源：220-240VAC 50Hz/120VAC 60Hz外形尺寸：370mm（L）× 350mm（W）× 410mm（H）净重：26kg② C640H型号参数：测试范围（标配）：0～2mm分辨率：0.1μm 重复性：0.4μm测量范围（选配）：0～6、0～12mm测量间距：0～1000mm（可设定）进样速度：1.5～80mm/s（可设定）附加功能：自动进样机：可选配置DataShieldTM数据盾：可选配置GMP计算机系统要求：可选配置测量方式：机械接触式测量压力及接触面积：薄膜：17.5±1 kPa、50 mm2纸张：100±1 kPa(标准配置) / 50±1 kPa（可选配置）、200 mm2电源：220-240VAC 50Hz/120VAC 60Hz外形尺寸：370mm（L）× 350mm（W）× 410mm（H）净重：26kg

FSD300自动宏观缺陷检测系统简介睿励微电子设备(上海)有限公司生产的自动宏观缺陷检测系统（FSD300），具有快速，准确，可靠和低成本等优点，可用于工艺及产品质量检测，从而提高硅片制造的良率和品质。系统特性FSD300适用于300mm硅片，两系统均可用于有图案及无图案硅片(Patterned and Un-patterned Wafers)。可用于硅片进厂(IQC)和出厂的检验(OQC) 、化学机械抛光（CMP）、光刻(Photolithography）、刻蚀（Etch）、薄膜(Thin Film) 、硅穿孔 (TSV) 集成封装等工艺，检测出各个工艺过程里关键的缺陷。可高速扫描硅片的全表面，自动存储硅片全景图像、缺陷分类，和输出缺陷检测结果。大量减低工程判断耗费时间，强化工艺监控 (SPC)，并结合硅片成品管理(Ink-out)。

中图仪器WD4000无图晶圆膜厚检测设备自动测量 Wafer 厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。系统采用高精度光谱共焦传感技术、光干涉双向扫描技术，完成非接触式扫描并建立3D Mapping图，实现晶圆厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR、SORI、等反应表面形貌的参数。WD4000无图晶圆膜厚检测设备通过非接触测量，将晶圆的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度，TTV，BOW、WARP、在高效测量测同时有效防止晶圆产生划痕缺陷。测量功能1、厚度测量模块：厚度、TTV(总体厚度变化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等；2、显微形貌测量模块：粗糙度、平整度、微观几何轮廓、面积、体积等。3、提供调整位置、纠正、滤波、提取四大模块的数据处理功能。其中调整位置包括图像校平、镜像等功能；纠正包括空间滤波、修描、尖峰去噪等功能；滤波包括去除外形、标准滤波、过滤频谱等功能；提取包括提取区域和提取剖面等功能。4、提供几何轮廓分析、粗糙度分析、结构分析、频率分析、功能分析等五大分析功能。几何轮廓分析包括台阶高、距离、角度、曲率等特征测量和直线度、圆度形位公差评定等；粗糙度分析包括国际标准ISO4287的线粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全参数；结构分析包括孔洞体积和波谷。产品优势1、非接触厚度、三维维纳形貌一体测量WD4000无图晶圆膜厚检测设备集成厚度测量模组和三维形貌、粗糙度测量模组，使用一台机器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三维形貌的测量。2、高精度厚度测量技术（1）采用高分辨率光谱共焦对射技术对Wafer进行高效扫描。（2）搭配多自由度的静电放电涂层真空吸盘，晶圆规格可支持至12寸。（3）采用Mapping跟随技术，可编程包含多点、线、面的自动测量。3、高精度三维形貌测量技术（1）采用光学白光干涉技术、精密Z向扫描模块和高精度3D重建算法，Z向分辨率高可到0.1nm；（2）隔振设计降低地面振动和空气声波振动噪声，获得高测量重复性。（3）机器视觉技术检测图像Mark点，虚拟夹具摆正样品，可对多点形貌进行自动化连续测量。4、大行程高速龙门结构平台（1）大行程龙门结构(400x400x75mm)，移动速度500mm/s。（2）高精度花岗岩基座和横梁，整体结构稳定、可靠。（3）关键运动机构采用高精度直线导轨导引、AC伺服直驱电机驱动，搭配分辨率0.1μm的光栅系统，保证设备的高精度、高效率。5、操作简单、轻松无忧（1）集成XYZ三个方向位移调整功能的操纵手柄，可快速完成载物台平移、Z向聚焦等测量前准工作。（2）具备双重防撞设计，避免误操作导致的物镜与待测物因碰撞而发生的损坏情况。（3）具备电动物镜切换功能，让观察变得快速和简单。WD4000无图晶圆几何量测系统可实现砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、玻璃不同材质晶圆的量测。应用场景1、无图晶圆厚度、翘曲度的测量通过非接触测量，将晶圆上下面的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度、粗糙度、总体厚度变化(TTV)，有效保护膜或图案的晶片的完整性。2、无图晶圆粗糙度测量Wafer减薄工序中粗磨和细磨后的硅片表面3D图像，用表面粗糙度Sa数值大小及多次测量数值的稳定性来反馈加工质量。在生产车间强噪声环境中测量的减薄硅片，细磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次测量数据计算重复性为0.046987nm，测量稳定性良好。部分技术规格品牌CHOTEST中图仪器型号WD4000系列测量参数厚度、TTV(总体厚度变化)、BOW、WARP、LTV、粗糙度等可测材料砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、 铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓、玻璃、外延材料等厚度和翘曲度测量系统可测材料砷化镓 氮化镓 磷化 镓 锗 磷化铟 铌酸锂 蓝宝石 硅 碳化硅 玻璃等测量范围150μm~2000μm扫描方式Fullmap面扫、米字、自由多点测量参数厚度、TTV(总体厚度变 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、线粗糙度三维显微形貌测量系统测量原理白光干涉干涉物镜10X(2.5X、5X、20X、50X,可选多个)可测样品反射率0.05%~100粗糙度RMS重复性0.005nm测量参数显微形貌 、线/面粗糙度、空间频率等三大类300余种参数膜厚测量系统测量范围90um(n= 1.5)景深1200um最小可测厚度0.4um红外干涉测量系统光源SLED测量范围37-1850um晶圆尺寸4"、6"、8"、12"晶圆载台防静电镂空真空吸盘载台X/Y/Z工作台行程400mm/400mm/75mm恳请注意：因市场发展和产品开发的需要，本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，不便之处敬请谅解。

弗莱贝格的MDPpro（晶圆片/晶锭寿命检测仪）系列主要用于测量少子寿命、光电导率、电阻率和样品平整度及p/n检查等，其非接触式检测和无损成像（μPCD /MDP(QSS)）的设计完全符合SEMI标准PV9-1110。这也使得该仪器在晶圆切割、炉内监控和材料优化等领域被广泛应用。可以说，MDPpro是晶锭生产商以及晶体炉技术生产商的标准仪器。特性&优势▼u 无接触和无破坏的半导体检测；u 特殊“underneath the surface”寿命测量技术；u 对不可见缺陷的可视化测试具有很高灵敏度；u 自动设置硅錠切割标准；u 空间分辨p/n电导型变换检测；u 多项数据同时自动检测扫描，5幅测量图形同时绘制；u 坚固耐用的设计和易于设置的性能。安装，仅需要电源。 应用实例▼1.日常寿命测量，质量控制和检验高产量：240块/天或720片/天测量速度：对于156x156x400mm标准晶锭，4分钟良品率提升：1mm切割标准为156x156x400mm标准晶锭质量控制：用于过程和材料的质量监控，如单晶硅或多晶硅沾污检测：起源于坩埚和生产设备的金属(Fe)可靠性：模块化和坚固耐用的工业仪器，更高可靠性，运行时间 99%可重复性: 99.5%电阻率：可做面扫描，不需经常校准2. 精密材料研发a.铁浓度测定b.陷阱浓度测定c.硼氧测定d.依赖于注入的测量等

TC Wafer晶圆测温系统,TC Wafer热电偶,晶圆硅片测温热电偶TC Wafer晶圆测温系统是一种用于在半导体生产过程中测量晶圆温度的设备。它的主要作用是确保晶圆在制造过程中的温度稳定性，从而保证产品的质量和性能。首先，TC Wafer晶圆测温系统的设计和制造是非常关键的。它通常由高精度的温度传感器、数据采集模块和软件控制系统组成。温度传感器通常采用热电偶或热电阻等技术，具有高精度和稳定性。同时，系统还需要具备良好的隔离和屏蔽性能，以避免外界干扰对温度测量结果的影响。其次，TC Wafer晶圆测温系统的工作原理是基于热传导原理进行的。当晶圆进入测温系统时，温度传感器会与晶圆接触，通过测量传感器与晶圆之间的温度差来计算晶圆的温度。同时，系统还会根据需要进行温度校准和补偿，以提高测量的准确性和可靠性。另外，TC Wafer晶圆测温系统具有高度的自动化和智能化特性。它通常配备有触摸屏或计算机控制界面，操作人员只需按照指示进行操作即可完成测温过程。同时，系统还可以实时监测和记录晶圆的温度变化，通过数据分析和处理，为生产过程的优化和控制提供参考依据。最后，TC Wafer晶圆测温系统在半导体生产中具有重要的应用价值。在半导体制造过程中，晶圆的温度对产品的性能和质量有着重要的影响。通过使用TC Wafer晶圆测温系统，生产厂商能够实时监测和控制晶圆的温度，避免温度波动对产品质量的影响，提高产品的一致性和稳定性。总的来说，TC Wafer晶圆测温系统在半导体生产中扮演着重要的角色。它通过测量晶圆的温度，确保生产过程中的温度稳定性，为产品的质量和性能提供保障。随着半导体技术的不断发展和应用的不断拓展，TC Wafer晶圆测温系统的设计和制造将不断完善，为半导体行业提供更加可靠和高效的温度测量设备。参数要求硅片尺寸：2，3，4，5，6，8，12寸测温点数：1-64点温度范围：-200-1200度数据采集系统：1-32路定制分析软件晶元测温仪，多路晶元测温系统、TC WAFER晶圆热电偶温度传感器

TC Wafer晶圆测温系统,TC Wafer热电偶,晶圆硅片测温热电偶TC Wafer晶圆测温系统是一种用于在半导体生产过程中测量晶圆温度的设备。它的主要作用是确保晶圆在制造过程中的温度稳定性，从而保证产品的质量和性能。首先，TC Wafer晶圆测温系统的设计和制造是非常关键的。它通常由高精度的温度传感器、数据采集模块和软件控制系统组成。温度传感器通常采用热电偶或热电阻等技术，具有高精度和稳定性。同时，系统还需要具备良好的隔离和屏蔽性能，以避免外界干扰对温度测量结果的影响。其次，TC Wafer晶圆测温系统的工作原理是基于热传导原理进行的。当晶圆进入测温系统时，温度传感器会与晶圆接触，通过测量传感器与晶圆之间的温度差来计算晶圆的温度。同时，系统还会根据需要进行温度校准和补偿，以提高测量的准确性和可靠性。另外，TC Wafer晶圆测温系统具有高度的自动化和智能化特性。它通常配备有触摸屏或计算机控制界面，操作人员只需按照指示进行操作即可完成测温过程。同时，系统还可以实时监测和记录晶圆的温度变化，通过数据分析和处理，为生产过程的优化和控制提供参考依据。最后，TC Wafer晶圆测温系统在半导体生产中具有重要的应用价值。在半导体制造过程中，晶圆的温度对产品的性能和质量有着重要的影响。通过使用TC Wafer晶圆测温系统，生产厂商能够实时监测和控制晶圆的温度，避免温度波动对产品质量的影响，提高产品的一致性和稳定性。总的来说，TC Wafer晶圆测温系统在半导体生产中扮演着重要的角色。它通过测量晶圆的温度，确保生产过程中的温度稳定性，为产品的质量和性能提供保障。随着半导体技术的不断发展和应用的不断拓展，TC Wafer晶圆测温系统的设计和制造将不断完善，为半导体行业提供更加可靠和高效的温度测量设备。参数要求硅片尺寸：2，3，4，5，6，8，12寸测温点数：1-64点温度范围：-200-1200度数据采集系统：1-32路定制分析软件晶元测温仪，多路晶元测温系统、TC WAFER晶圆热电偶温度传感器

中图仪器WD4000半导体晶圆粗糙度翘曲度检测设备采用白光光谱共焦多传感器和白光干涉显微测量双向扫描技术，完成非接触式扫描并建立表面3D层析图像，实现Wafer厚度、翘曲度、平面度、线粗糙度、总体厚度变化(TTV)及分析反映表面质量的2D、3D参数。无图晶圆厚度、翘曲度的测量通过非接触测量，将晶圆上下面的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度、粗糙度、总体厚度变化(TTV)，有效保护膜或图案的晶片的完整性。无图晶圆粗糙度测量Wafer减薄工序中粗磨和细磨后的硅片表面3D图像，用表面粗糙度Sa数值大小及多次测量数值的稳定性来反馈加工质量。在生产车间强噪声环境中测量的减薄硅片，细磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次测量数据计算重复性为0.046987nm，测量稳定性良好。WD4000半导体晶圆粗糙度翘曲度检测设备通过非接触测量，将晶圆的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度，TTV，BOW、WARP、在高效测量测同时有效防止晶圆产生划痕缺陷。兼容不同材质不同粗糙度、可测量大翘曲wafer、测量晶圆双面数据更准确。测量功能1、厚度测量模块：厚度、TTV(总体厚度变化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等；2、显微形貌测量模块：粗糙度、平整度、微观几何轮廓、面积、体积等。3、提供调整位置、纠正、滤波、提取四大模块的数据处理功能。其中调整位置包括图像校平、镜像等功能；纠正包括空间滤波、修描、尖峰去噪等功能；滤波包括去除外形、标准滤波、过滤频谱等功能；提取包括提取区域和提取剖面等功能。4、提供几何轮廓分析、粗糙度分析、结构分析、频率分析、功能分析等五大分析功能。几何轮廓分析包括台阶高、距离、角度、曲率等特征测量和直线度、圆度形位公差评定等；粗糙度分析包括国际标准ISO4287的线粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全参数；结构分析包括孔洞体积和波谷。产品优势1、非接触厚度、三维维纳形貌一体测量WD4000半导体晶圆粗糙度翘曲度检测设备集成厚度测量模组和三维形貌、粗糙度测量模组，使用一台机器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三维形貌的测量。2、高精度厚度测量技术（1）采用高分辨率光谱共焦对射技术对Wafer进行高效扫描。（2）搭配多自由度的静电放电涂层真空吸盘，晶圆规格最大可支持至12寸。（3）采用Mapping跟随技术，可编程包含多点、线、面的自动测量。3、高精度三维形貌测量技术（1）采用光学白光干涉技术、精密Z向扫描模块和高精度3D重建算法，Z向分辨率高可到0.1nm；（2）隔振设计降低地面振动和空气声波振动噪声，获得高测量重复性。（3）机器视觉技术检测图像Mark点，虚拟夹具摆正样品，可对多点形貌进行自动化连续测量。4、大行程高速龙门结构平台（1）大行程龙门结构(400x400x75mm)，移动速度500mm/s。（2）高精度花岗岩基座和横梁，整体结构稳定、可靠。（3）关键运动机构采用高精度直线导轨导引、AC伺服直驱电机驱动，搭配分辨率0.1μm的光栅系统，保证设备的高精度、高效率。5、操作简单、轻松无忧（1）集成XYZ三个方向位移调整功能的操纵手柄，可快速完成载物台平移、Z向聚焦等测量前准工作。（2）具备双重防撞设计，避免误操作导致的物镜与待测物因碰撞而发生的损坏情况。（3）具备电动物镜切换功能，让观察变得快速和简单。WD4000自动测量Wafer厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。可实现砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、玻璃不同材质晶圆的量测。部分技术规格品牌CHOTEST中图仪器型号WD4000系列测量参数厚度、TTV(总体厚度变化)、BOW、WARP、LTV、粗糙度等可测材料砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、 铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓、玻璃、外延材料等厚度和翘曲度测量系统可测材料砷化镓 氮化镓 磷化 镓 锗 磷化铟 铌酸锂 蓝宝石 硅 碳化硅 玻璃等测量范围150μm~2000μm扫描方式Fullmap面扫、米字、自由多点测量参数厚度、TTV(总体厚度变 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、线粗糙度三维显微形貌测量系统测量原理白光干涉干涉物镜10X(2.5X、5X、20X、50X,可选多个)可测样品反射率0.05%~100粗糙度RMS重复性0.005nm测量参数显微形貌 、线/面粗糙度、空间频率等三大类300余种参数膜厚测量系统测量范围90um(n= 1.5)景深1200um最小可测厚度0.4um红外干涉测量系统光源SLED测量范围37-1850um晶圆尺寸4"、6"、8"、12"晶圆载台防静电镂空真空吸盘载台X/Y/Z工作台行程400mm/400mm/75mm恳请注意：因市场发展和产品开发的需要，本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，不便之处敬请谅解。

WD4000半导体无图晶圆几何形貌检测机可测各类包括从光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物体表面，从纳米到微米级别工件的厚度、粗糙度、平整度、微观几何轮廓、曲率等。自动测量Wafer厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。1、使用光谱共焦对射技术测量晶圆Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI等参数，同时生成Mapping图；2、采用白光干涉测量技术对Wafer表面进行非接触式扫描同时建立表面3D层析图像，显示2D剖面图和3D立体彩色视图，高效分析表面形貌、粗糙度及相关3D参数；3、基于白光干涉图的光谱分析仪，通过数值七点相移算法计算，达到亚纳米分辨率测量表面的局部高度，实现膜厚测量功能；4、红外传感器发出的探测光在Wafer不同表面反射并形成干涉，由此计算出两表面间的距离（即厚度），可适用于测量BondingWafer的多层厚度。该传感器可用于测量不同材料的厚度，包括碳化硅、蓝宝石、氮化镓、硅等。WD4000半导体无图晶圆几何形貌检测机兼容不同材质不同粗糙度、可测量大翘曲wafer、测量晶圆双面数据更准确。可实现砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、玻璃不同材质晶圆的量测。测量功能1、厚度测量模块：厚度、TTV(总体厚度变化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等；2、显微形貌测量模块：粗糙度、平整度、微观几何轮廓、面积、体积等。3、提供调整位置、纠正、滤波、提取四大模块的数据处理功能。其中调整位置包括图像校平、镜像等功能；纠正包括空间滤波、修描、尖峰去噪等功能；滤波包括去除外形、标准滤波、过滤频谱等功能；提取包括提取区域和提取剖面等功能。4、提供几何轮廓分析、粗糙度分析、结构分析、频率分析、功能分析等五大分析功能。几何轮廓分析包括台阶高、距离、角度、曲率等特征测量和直线度、圆度形位公差评定等；粗糙度分析包括国际标准ISO4287的线粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全参数；结构分析包括孔洞体积和波谷。产品优势1、非接触厚度、三维维纳形貌一体测量WD4000半导体无图晶圆几何形貌检测机集成厚度测量模组和三维形貌、粗糙度测量模组，使用一台机器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三维形貌的测量。2、高精度厚度测量技术（1）采用高分辨率光谱共焦对射技术对Wafer进行高效扫描。（2）搭配多自由度的静电放电涂层真空吸盘，晶圆规格最大可支持至12寸。（3）采用Mapping跟随技术，可编程包含多点、线、面的自动测量。3、高精度三维形貌测量技术（1）采用光学白光干涉技术、精密Z向扫描模块和高精度3D重建算法，Z向分辨率高可到0.1nm；（2）隔振设计降低地面振动和空气声波振动噪声，获得高测量重复性。（3）机器视觉技术检测图像Mark点，虚拟夹具摆正样品，可对多点形貌进行自动化连续测量。4、大行程高速龙门结构平台（1）大行程龙门结构(400x400x75mm)，移动速度500mm/s。（2）高精度花岗岩基座和横梁，整体结构稳定、可靠。（3）关键运动机构采用高精度直线导轨导引、AC伺服直驱电机驱动，搭配分辨率0.1μm的光栅系统，保证设备的高精度、高效率。5、操作简单、轻松无忧（1）集成XYZ三个方向位移调整功能的操纵手柄，可快速完成载物台平移、Z向聚焦等测量前准工作。（2）具备双重防撞设计，避免误操作导致的物镜与待测物因碰撞而发生的损坏情况。（3）具备电动物镜切换功能，让观察变得快速和简单。应用场景1、无图晶圆厚度、翘曲度的测量通过非接触测量，将晶圆上下面的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度、粗糙度、总体厚度变化(TTV)，有效保护膜或图案的晶片的完整性。2、无图晶圆粗糙度测量Wafer减薄工序中粗磨和细磨后的硅片表面3D图像，用表面粗糙度Sa数值大小及多次测量数值的稳定性来反馈加工质量。在生产车间强噪声环境中测量的减薄硅片，细磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次测量数据计算重复性为0.046987nm，测量稳定性良好。部分技术规格品牌CHOTEST中图仪器型号WD4000系列测量参数厚度、TTV(总体厚度变化)、BOW、WARP、LTV、粗糙度等可测材料砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、 铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓、玻璃、外延材料等厚度和翘曲度测量系统可测材料砷化镓 氮化镓 磷化 镓 锗 磷化铟 铌酸锂 蓝宝石 硅 碳化硅 玻璃等测量范围150μm~2000μm扫描方式Fullmap面扫、米字、自由多点测量参数厚度、TTV(总体厚度变 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、线粗糙度三维显微形貌测量系统测量原理白光干涉干涉物镜10X(2.5X、5X、20X、50X,可选多个)可测样品反射率0.05%~100粗糙度RMS重复性0.005nm测量参数显微形貌 、线/面粗糙度、空间频率等三大类300余种参数膜厚测量系统测量范围90um(n= 1.5)景深1200um最小可测厚度0.4um红外干涉测量系统光源SLED测量范围37-1850um晶圆尺寸4"、6"、8"、12"晶圆载台防静电镂空真空吸盘载台X/Y/Z工作台行程400mm/400mm/75mm恳请注意：因市场发展和产品开发的需要，本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，不便之处敬请谅解。

随着光伏行业迈入平价时代和度电成本进一步降低，硅片产量增加，用于硅片切割的金刚线需求也不断增大。金刚线广泛运用在高硬脆材料的切割加工，如晶体硅，蓝宝石，硬质合金，光学玻璃，陶瓷，磁性材料，石材等。电镀金刚石线（简称“金刚线”）是一款用于晶体硅、蓝宝石、精密陶瓷等高硬脆材料的切割耗材，通过电镀工艺在钢线上沉积一层金属镍，金属镍内包裹金刚石微粉，使金刚石颗粒固结在钢线上。金刚线切割硅片的优势传统切割硅片的工艺主要有内圆锯切割和传统砂浆切割法，随着金刚线切割技术的兴起，金刚线切割迅速取代了传统的砂浆切割技术，成为切割硅片的主流。项目内圆锯切割传统砂浆切割金刚线切割切割效率生产效率低，每次只能切割一片砂浆线磨料处于游离状态，参与切割的金刚石少，切割效率低，游离状态的砂浆运行速度低于切割线金刚线上固结的金刚石运行速度与切割线保持一致，参与切割的金刚石更多，切割力强大，切割效率高材料损耗切缝大，材料损耗大，切割质量切割液与碳化硅混合形成的砂浆较厚，导致刀缝损耗较大，出片率低镀层薄导致刀缝损耗小，出片率高，切割效率高，单片线耗率低切割质量切片表面损坏大游离的砂浆使得切割硅片厚度不均匀硅片表面更光滑，产品质量高，减少加工损伤层，精度稳定，总厚度变化小德国析塔SITA表面清洁度仪保证金刚线产品质量金刚线切割是硅片生产的核心环节。金刚线的生产涉及金刚石微粉预处理，母线制作和预处理、母线预镀镍、上砂和加厚预镀镍等环节。在母线制作和预处理环节中，将钢线进行拉伸制成母线，然后进行母线预处理工序包括超声波除油清洗、水洗、酸洗等，通过预处理工序清洁母线，保证母线表面干净，确保电镀工艺中镀镍层和母线之间的结合力，提升电镀金刚线成品的整体质量，如果母线清洗不干净，则容易导致金刚线在使用过程中断裂。德国析塔SITA表面清洁度仪可以即时量化检测清洗后的母线表面清洁质量，通过荧光法检测母线表面油污，实时判断母线是否已经足够干净，可以进行下一步预镀镍工艺，减少镀镍层与母线之间结合力不良问题。德国析塔SITA清洁度仪介绍德国析塔SITA表面清洁度仪采用共焦法原理，通过光源发射出最佳波长的UV光检测金属表面的污染物，内置的传感器精准探测污染物引起的荧光强度，该荧光强度的大小取决于基材表面有机物残留情况，从而能精准量化检测金属表面清洁度。借助UV光源和传感器的共同作用，德国析塔SITA表面清洁度仪能快速量化清洁度测试结果，用于直接判断金属基材表面干净程度是否达到合格范围，有效避免了人为判断造成的测量误差，更有效审查生产步骤和清洗程序，进而优化清洗工序，更大地提高工作效率，减少返工率，降低生产成本。金刚线母线表面清洁度检测客户案例某知名生产电镀金刚线及其他金刚石工具研发生产的企业由于对母线预处理工艺质量的管控往往是操作人员主观判断，因此导致金刚线在使用过程中出现断裂，这家企业为了追求高稳定性、高切割质量、高工艺适用性的金刚线，急需科学监控母线表面清洗质量。通过借助德国析塔SITA表面清洁度仪检查母线表面清洁度，快速检测并量化、记录母线清洁度相关数据，防止在预镀镍工艺中由于润滑油等污染物未清洗干净导致母线与镀镍层接触不良，防止金刚线在使用过程中断裂，及时发现清洗工艺的异常。测试过程说明：使用仪器：德国析塔SITA表面清洁度仪测量模式：%模式（%值越高，表示越干净）测量样品：2个测试数据：每个样品随机取30个点（测量点为直径1mm）测试，以95%为清洁度临界值（不影响母线电镀质量），统计小于95%点个数测试数据分析：（点击图片查看原图）从上述数据说明：如图所示，德国析塔SITA表面清洁度仪能量化测出两种样品清洗前后的清洁度差异。在金刚线母线的清洗流程中，使用德国析塔SITA表面清洁度仪，可以更好帮助企业衡量金刚线母线表面油污情况，为后续预镀镍环节提供表面足够干净的金刚线母线，保证镀镍层结合力强，无起皮及裂纹，致密光滑。翁开尔是德国析塔SITA中国独家代理，欢迎致电【400-6808-138】咨询更多关于德国析塔SITA表面清洁度检测仪产品信息、技术应用和客户案例等。

普创-高精度硅片厚度检测仪-PTT-03A 普创-硅片厚度测试仪-PTT-03A 是一款高精度接触式薄膜、薄片厚度测量仪器；适用于金属片、塑料薄膜、薄片、纸张、 橡胶、电池隔膜、箔片、无纺布、土工布、硅片等各种材料的厚度精确测量。 技术参数：测量范围 0～2mm(标准)，0～6mm，0～12mm(可选) 分辨率 0.1μm （1μm可选） 测试速度 1～25次/min 测量头平行度 ±0.2μm（机械调整，量块校验） 精度 ±＜0.3μm 测量压力 17.5±1kPa(薄膜)；50±1kPa(纸张)；其它测试可定制 接触面积 球形接触 电源 AC220V50Hz/ AC120V60Hz 外形尺寸 300mm(L)×400mm(W)×435mm(H) 约净重 30Kg普创-塑料薄膜测厚仪-PTT-03A产品标准：GB/T 6672、GB/T 451.3、GB/T 6547、ASTM D645、ASTM D374、ASTM D1777、TAPPI T411、ISO 4593、ISO 534、ISO 3034、DIN 53105、 DIN 53353、JIS K6250、JIS K6328、JIS K6783、JIS Z1702、BS 3983、BS 4817 ISO 4593、ISO 534、ASTM D6988、ASTM F2251、GB/T 6672、GB/T 451.3、TAPPI T411、BS 2782-6、DIN 53370、ISO 3034、ISO 9073-2、ISO 12625-3、ISO 5084、ASTM D374、ASTM D1777、 ASTM D3652、GB/T 6547、GB/T 24218.2、FEFCO No 3、EN 1942、JIS K6250、JIS K6783、JIS Z1702普创-塑料薄膜测厚仪-PTT-03A产品应用：测厚仪适用于金属片、塑料薄膜、薄片、纸张、箔片、硅片等各种材料的厚度精确测量。产品特征：测头采用标准M2.5螺纹连接方式，可连接各种形式百分表，千分表表头进行测量； 可拆卸螺纹连接配重块，可满足各种标准要求及非标压力定制； 嵌入式高速微电脑芯片控制，简洁高效的人机交互界面，为用户提供舒适流畅的操作体验 标准化，模块化，系列化的设计理念，可最大限度的满足用户的个性化需求触控屏操作界面 7寸高清彩色液晶屏，实时显示测试数据及曲线 进口高速高精度采样芯片，有效保证测试准确性与实时性 内置微型打印机，可实现实时历史数据打印功能 标准的RS232接口，便于系统与电脑的外部连接和数据传输 严格按照标准设计的接触面积和测量压力，同时支持各种非标定制高精度测厚传感器，精度高重现性好 可采用标准厚度计量工具标定、检验 多种测试量程可选实时显示测量结果的最大值、最小值、平均值以及标准偏差等分析数据，方便用户进行判断产品配置：标准配置：主机、微型打印机、标准量块一件 配种砝码、非标测量头、自动进样装置普创-高精度硅片厚度检测仪-PTT-03A 普创-高精度硅片厚度检测仪-PTT-03A

产品简介WD4000半导体晶圆厚度Warp检测设备自动测量 Wafer 厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。使用光谱共焦对射技术测量晶圆 Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI 等参数，同时生成 Mapping 图；采用白光干涉测量技术对 Wafer 表面进行非接触式扫描同时建立表面 3D 层析图像，显示 2D 剖面图和 3D 立体彩色视图，高效分析表面形貌、粗糙度及相关 3D 参数；基于白光干涉图的光谱分析仪，通过数值七点相移算法计算，达到亚纳米分辨率测量表面的局部高度，实现膜厚测量功能；红外传感器发出的探测光在 Wafer 不同表面反射并形成干涉，由此计算出两表面间的距离（即厚度），可适用于测量 Bonding Wafer 的多层厚度。该传感器可用于测量不同材料的厚度，包括碳化硅、蓝宝石、氮化镓、硅等。产品应用WD4000半导体晶圆厚度Warp检测设备自动测量 Wafer 厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。使用光谱共焦对射技术测量晶圆 Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI 等参数，同时生成 Mapping 图可广泛应用于衬底制造、晶圆制造、及封装工艺检测、3C 电子玻璃屏及其精密配件、光学加工、显示面板、MEMS 器件等超精密加工行业。可测各类包括从光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物体表面，从纳米到微米级别工件的厚度、粗糙度、平整度、微观几何轮廓、曲率等。产品优势1、非接触厚度、三维维纳形貌一体测量WD4000半导体晶圆厚度Warp检测设备集成厚度测量模组和三维形貌、粗糙度测量模组，使用一台机器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三维形貌的测量。2、高精度厚度测量技术（1）采用高分辨率光谱共焦对射技术对Wafer进行高效扫描。（2）搭配多自由度的静电放电涂层真空吸盘，晶圆规格最大可支持至12寸。（3）采用Mapping跟随技术，可编程包含多点、线、面的自动测量。3、高精度三维形貌测量技术（1）采用光学白光干涉技术、精密Z向扫描模块和高精度3D重建算法，Z向分辨率高可到0.1nm；（2）隔振设计降低地面振动和空气声波振动噪声，获得高测量重复性。（3）机器视觉技术检测图像Mark点，虚拟夹具摆正样品，可对多点形貌进行自动化连续测量。4、大行程高速龙门结构平台（1）大行程龙门结构(400x400x75mm)，移动速度500mm/s。（2）高精度花岗岩基座和横梁，整体结构稳定、可靠。（3）关键运动机构采用高精度直线导轨导引、AC伺服直驱电机驱动，搭配分辨率0.1μm的光栅系统，保证设备的高精度、高效率。5、操作简单、轻松无忧（1）集成XYZ三个方向位移调整功能的操纵手柄，可快速完成载物台平移、Z向聚焦等测量前准工作。（2）具备双重防撞设计，避免误操作导致的物镜与待测物因碰撞而发生的损坏情况。（3）具备电动物镜切换功能，让观察变得快速和简单。测量功能1、厚度测量模块：厚度、TTV(总体厚度变化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等；2、显微形貌测量模块：粗糙度、平整度、微观几何轮廓、面积、体积等。3、提供调整位置、纠正、滤波、提取四大模块的数据处理功能。其中调整位置包括图像校平、镜像等功能；纠正包括空间滤波、修描、尖峰去噪等功能；滤波包括去除外形、标准滤波、过滤频谱等功能；提取包括提取区域和提取剖面等功能。4、提供几何轮廓分析、粗糙度分析、结构分析、频率分析、功能分析等五大分析功能。几何轮廓分析包括台阶高、距离、角度、曲率等特征测量和直线度、圆度形位公差评定等；粗糙度分析包括国际标准ISO4287的线粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全参数；结构分析包括孔洞体积和波谷。应用案例1、无图晶圆厚度、翘曲度的测量通过非接触测量，WD4000半导体晶圆厚度Warp检测设备将晶圆上下面的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度、粗糙度、总体厚度变化(TTV)，有效保护膜或图案的晶片的完整性。2、无图晶圆粗糙度测量Wafer减薄工序中粗磨和细磨后的硅片表面3D图像，用表面粗糙度Sa数值大小及多次测量数值的稳定性来反馈加工质量。在生产车间强噪声环境中测量的减薄硅片，细磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次测量数据计算重复性为0.046987nm，测量稳定性良好。部分技术规格品牌CHOTEST中图仪器型号WD4000系列测量参数厚度、TTV(总体厚度变化)、BOW、WARP、LTV、粗糙度等可测材料砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、 铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓、玻璃、外延材料等厚度和翘曲度测量系统可测材料砷化镓 氮化镓 磷化 镓 锗 磷化铟 铌酸锂 蓝宝石 硅 碳化硅 玻璃等测量范围150μm~2000μm扫描方式Fullmap面扫、米字、自由多点测量参数厚度、TTV(总体厚度变 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、线粗糙度三维显微形貌测量系统测量原理白光干涉干涉物镜10X(2.5X、5X、20X、50X,可选多个)可测样品反射率0.05%~100粗糙度RMS重复性0.005nm测量参数显微形貌 、线/面粗糙度、空间频率等三大类300余种参数膜厚测量系统测量范围90um(n= 1.5)景深1200um最小可测厚度0.4um红外干涉测量系统光源SLED测量范围37-1850um晶圆尺寸4"、6"、8"、12"晶圆载台防静电镂空真空吸盘载台X/Y/Z工作台行程400mm/400mm/75mm恳请注意：因市场发展和产品开发的需要，本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，不便之处敬请谅解。

WD4000无图晶圆形貌检测设备集成厚度测量模组和三维形貌 、粗糙度测量模组，非接触厚度 、三维维纳形貌一体测量。通过非接触测量，将晶圆的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度，TTV，BOW、WARP、在高效测量测同时有效防止晶圆产生划痕缺陷。WD4000无图晶圆形貌检测设备兼容不同材质不同粗糙度、可测量大翘曲wafer、测量晶圆双面数据更准确。可实现砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、玻璃不同材质晶圆的量测。测量功能1、厚度测量模块：厚度、TTV(总体厚度变化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等；2、显微形貌测量模块：粗糙度、平整度、微观几何轮廓、面积、体积等。3、提供调整位置、纠正、滤波、提取四大模块的数据处理功能。其中调整位置包括图像校平、镜像等功能；纠正包括空间滤波、修描、尖峰去噪等功能；滤波包括去除外形、标准滤波、过滤频谱等功能；提取包括提取区域和提取剖面等功能。4、提供几何轮廓分析、粗糙度分析、结构分析、频率分析、功能分析等五大分析功能。几何轮廓分析包括台阶高、距离、角度、曲率等特征测量和直线度、圆度形位公差评定等；粗糙度分析包括国际标准ISO4287的线粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全参数；结构分析包括孔洞体积和波谷。性能特点WD4000无图晶圆形貌检测设备自动测量Wafer厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。1、使用光谱共焦对射技术测量晶圆Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI等参数，同时生成Mapping图；2、采用白光干涉测量技术对Wafer表面进行非接触式扫描同时建立表面3D层析图像，显示2D剖面图和3D立体彩色视图，高效分析表面形貌、粗糙度及相关3D参数；3、基于白光干涉图的光谱分析仪，通过数值七点相移算法计算，达到亚纳米分辨率测量表面的局部高度，实现膜厚测量功能；4、红外传感器发出的探测光在Wafer不同表面反射并形成干涉，由此计算出两表面间的距离（即厚度），可适用于测量BondingWafer的多层厚度。该传感器可用于测量不同材料的厚度，包括碳化硅、蓝宝石、氮化镓、硅等。产品优势1、非接触厚度、三维维纳形貌一体测量集成厚度测量模组和三维形貌、粗糙度测量模组，使用一台机器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三维形貌的测量。2、高精度厚度测量技术（1）采用高分辨率光谱共焦对射技术对Wafer进行高效扫描。（2）搭配多自由度的静电放电涂层真空吸盘，晶圆规格最大可支持至12寸。（3）采用Mapping跟随技术，可编程包含多点、线、面的自动测量。3、高精度三维形貌测量技术（1）采用光学白光干涉技术、精密Z向扫描模块和高精度3D重建算法，Z向分辨率高可到0.1nm；（2）隔振设计降低地面振动和空气声波振动噪声，获得高测量重复性。（3）机器视觉技术检测图像Mark点，虚拟夹具摆正样品，可对多点形貌进行自动化连续测量。4、大行程高速龙门结构平台（1）大行程龙门结构(400x400x75mm)，移动速度500mm/s。（2）高精度花岗岩基座和横梁，整体结构稳定、可靠。（3）关键运动机构采用高精度直线导轨导引、AC伺服直驱电机驱动，搭配分辨率0.1μm的光栅系统，保证设备的高精度、高效率。5、操作简单、轻松无忧（1）集成XYZ三个方向位移调整功能的操纵手柄，可快速完成载物台平移、Z向聚焦等测量前准工作。（2）具备双重防撞设计，避免误操作导致的物镜与待测物因碰撞而发生的损坏情况。（3）具备电动物镜切换功能，让观察变得快速和简单。WD4000无图晶圆形貌检测设备可广泛应用于衬底制造、晶圆制造、及封装工艺检测、3C电子玻璃屏及其精密配件、光学加工、显示面板、MEMS器件等超精密加工行业。可测各类包括从光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物体表面，从纳米到微米级别工件的厚度、粗糙度、平整度、微观几何轮廓、曲率等。应用场景1、无图晶圆厚度、翘曲度的测量通过非接触测量，将晶圆上下面的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度、粗糙度、总体厚度变化(TTV)，有效保护膜或图案的晶片的完整性。2、无图晶圆粗糙度测量Wafer减薄工序中粗磨和细磨后的硅片表面3D图像，用表面粗糙度Sa数值大小及多次测量数值的稳定性来反馈加工质量。在生产车间强噪声环境中测量的减薄硅片，细磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次测量数据计算重复性为0.046987nm，测量稳定性良好。部分参数测量速度：最快15s测量范围：100μm~2000μm 测量精度：0.5um 重复性（σ）：0.2um探头分辨率：23nm扫描方式：Fullmap 面扫、米字、 自由多点测量参数：厚度、TTV(总体厚度变化)、BOW、WARP、LTV、粗糙度等可测材料：砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、 铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓、玻璃、外延材料等

具备三维翘曲（平整度）、薄膜应力、纳米轮廓、宏观缺陷成像等检测功能，适用于半导体晶圆生产、半导体制程工艺开发、玻璃及陶瓷晶圆生产.优势对各种晶圆的表面进行一次性非接触全口径均匀采样测量简单、准确、快速、可重复的测量方式，多功能强大的附加模块：晶圆加热循环模块（高达400度）；表面粗糙度测量模块；粗糙表面晶圆平整度测量模块适用对象2 寸- 8 寸/12 寸抛光晶圆（硅、砷化镓、碳化硅等）、图形化晶圆、键合晶圆、封装晶圆等；液晶基板玻璃；各类薄膜工艺处理的表面适用领域半导体及玻璃晶圆的生产和质量检查半导体薄膜工艺的研究与开发半导体制程和封装减薄工艺的过程控制和故障分析检测原理晶圆制程中会在晶圆表面反复沉积薄膜，基板与薄膜材料特性的差异导致晶圆翘曲，翘曲和薄膜应力会对工艺良率产生重要影响。采用结构光反射成像方法测量晶圆的三维翘曲分布，通过翘曲曲率半径测量来推算薄膜应力分布，具有非接触、免机械扫描和高采样率特点，12英寸晶圆全口径测量时间低于30s。通过Stoney公式及相关模型计算晶圆应力分布。三维测量分析软件易用性强，具有丰富分析功能，包括：三维翘曲图、晶圆翘曲参数统计（BOW，WARP，GFIR，SFLR等），薄膜应力及分布，模拟加热循环，曲率，各种多项式拟合、空间滤波和各类数据导出。

产品特点： - 兼容4,6,8,12寸样品；- 所有检测数据，一步同时完成测量；- 可在一台仪器上搭配不同技术的测量探头，用于测量晶圆的厚度、TTV、Bow、Warp、RST、wafer上薄膜厚度，3D形貌，TSV，关键尺寸，粗糙度等参数。- 符合SEMI S2和S8标准； - 最多可加载4个8寸片Load Port或者3个12寸片Load Port；- 两个可翻转的机械手臂，吞吐量最高达100 wafers /h；- 旋转台用于晶圆全尺寸快速测量；- SECS/GEM软件包，可以根据用户提供定制化需要；- 用户界面友好的WaferSpect 软件； 选配件 1、真空吸盘；2、高分辨率HD CMOS相机及图像识别的软件；3、集成OCR、条形码或QR码识别的摄像头；4、区分不同Cassette类型的阅读信息板；5、通过测试数据自动进行分拣 应用行业： - 化合物半导体：研磨芯片厚度控制GaAs，InP, SiC，GaN - 硅基器件前段：功率器件，MEMS，射频MEMS- 硅基器件后段：8”和12”的封装及bumping线，TSV(硅通孔技术)- LED：可用作检测蓝宝石或碳化硅片厚度及TTV- 光通讯：石英材料类

中图仪器WD4000晶圆厚度翘曲度粗糙度检测设备采用白光光谱共焦多传感器和白光干涉显微测量双向扫描技术，完成非接触式扫描并建立表面3D层析图像，实现Wafer厚度、翘曲度、平面度、线粗糙度、总体厚度变化(TTV)及分析反映表面质量的2D、3D参数。兼容不同材质不同粗糙度、可测量大翘曲wafer、测量晶圆双面数据更准确。测量功能1、厚度测量模块：厚度、TTV(总体厚度变化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等；2、显微形貌测量模块：粗糙度、平整度、微观几何轮廓、面积、体积等。3、提供调整位置、纠正、滤波、提取四大模块的数据处理功能。其中调整位置包括图像校平、镜像等功能；纠正包括空间滤波、修描、尖峰去噪等功能；滤波包括去除外形、标准滤波、过滤频谱等功能；提取包括提取区域和提取剖面等功能。4、提供几何轮廓分析、粗糙度分析、结构分析、频率分析、功能分析等五大分析功能。几何轮廓分析包括台阶高、距离、角度、曲率等特征测量和直线度、圆度形位公差评定等；粗糙度分析包括国际标准ISO4287的线粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全参数；结构分析包括孔洞体积和波谷。中图仪器WD4000晶圆厚度翘曲度粗糙度检测设备自动测量Wafer厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。可实现砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、玻璃不同材质晶圆的量测。1、使用光谱共焦对射技术测量晶圆Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI等参数，同时生成Mapping图；2、采用白光干涉测量技术对Wafer表面进行非接触式扫描同时建立表面3D层析图像，显示2D剖面图和3D立体彩色视图，高效分析表面形貌、粗糙度及相关3D参数；3、基于白光干涉图的光谱分析仪，通过数值七点相移算法计算，达到亚纳米分辨率测量表面的局部高度，实现膜厚测量功能；4、红外传感器发出的探测光在Wafer不同表面反射并形成干涉，由此计算出两表面间的距离（即厚度），可适用于测量BondingWafer的多层厚度。该传感器可用于测量不同材料的厚度，包括碳化硅、蓝宝石、氮化镓、硅等。应用领域中图仪器WD4000晶圆厚度翘曲度粗糙度检测设备广泛应用于衬底制造、晶圆制造、及封装工艺检测、3C电子玻璃屏及其精密配件、光学加工、显示面板、MEMS器件等超精密加工行业。测量各类包括从光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物体表面，从纳米到微米级别工件的厚度、粗糙度、平整度、微观几何轮廓、曲率等。应用场景1、无图晶圆厚度、翘曲度的测量通过非接触测量，将晶圆上下面的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度、粗糙度、总体厚度变化(TTV)，有效保护膜或图案的晶片的完整性。2、无图晶圆粗糙度测量Wafer减薄工序中粗磨和细磨后的硅片表面3D图像，用表面粗糙度Sa数值大小及多次测量数值的稳定性来反馈加工质量。在生产车间强噪声环境中测量的减薄硅片，细磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次测量数据计算重复性为0.046987nm，测量稳定性良好。产品优势1、非接触厚度、三维维纳形貌一体测量集成厚度测量模组和三维形貌、粗糙度测量模组，使用一台机器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三维形貌的测量。2、高精度厚度测量技术（1）采用高分辨率光谱共焦对射技术对Wafer进行高效扫描。（2）搭配多自由度的静电放电涂层真空吸盘，晶圆规格最大可支持至12寸。（3）采用Mapping跟随技术，可编程包含多点、线、面的自动测量。3、高精度三维形貌测量技术（1）采用光学白光干涉技术、精密Z向扫描模块和高精度3D重建算法，Z向分辨率高可到0.1nm；（2）隔振设计降低地面振动和空气声波振动噪声，获得高测量重复性。（3）机器视觉技术检测图像Mark点，虚拟夹具摆正样品，可对多点形貌进行自动化连续测量。4、大行程高速龙门结构平台（1）大行程龙门结构(400x400x75mm)，移动速度500mm/s。（2）高精度花岗岩基座和横梁，整体结构稳定、可靠。（3）关键运动机构采用高精度直线导轨导引、AC伺服直驱电机驱动，搭配分辨率0.1μm的光栅系统，保证设备的高精度、高效率。5、操作简单、轻松无忧（1）集成XYZ三个方向位移调整功能的操纵手柄，可快速完成载物台平移、Z向聚焦等测量前准工作。（2）具备双重防撞设计，避免误操作导致的物镜与待测物因碰撞而发生的损坏情况。（3）具备电动物镜切换功能，让观察变得快速和简单。部分技术规格品牌CHOTEST中图仪器型号WD4000系列测量参数厚度、TTV(总体厚度变化)、BOW、WARP、LTV、粗糙度等可测材料砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、 铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓、玻璃、外延材料等厚度和翘曲度测量系统可测材料砷化镓 氮化镓 磷化 镓 锗 磷化铟 铌酸锂 蓝宝石 硅 碳化硅 玻璃等测量范围150μm~2000μm扫描方式Fullmap面扫、米字、自由多点测量参数厚度、TTV(总体厚度变 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、线粗糙度三维显微形貌测量系统测量原理白光干涉干涉物镜10X(2.5X、5X、20X、50X,可选多个)可测样品反射率0.05%~100粗糙度RMS重复性0.005nm测量参数显微形貌 、线/面粗糙度、空间频率等三大类300余种参数膜厚测量系统测量范围90um(n= 1.5)景深1200um最小可测厚度0.4um红外干涉测量系统光源SLED测量范围37-1850um晶圆尺寸4"、6"、8"、12"晶圆载台防静电镂空真空吸盘载台X/Y/Z工作台行程400mm/400mm/75mm恳请注意：因市场发展和产品开发的需要，本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，不便之处敬请谅解。

声明：该项目为非标定制服务功能，只能根据实际需求确认后方可报价，如有需求烦与我司客服联系索要正式报价单，给您带来不便请谅解！ 声环境自动监测数据统计分析平台是由我司过十年的噪声应用管理经验沉淀，打造满足用户噪声业务管理需求的应用软件，符合声环境质量自动监测标准（HJ906和HJ907）要求，应用的噪声自动监测管理系统。本系统可实现对噪声污染源监测点实时排放水平监测的同时，能够自动预警噪声超标排放行为，通过智能分析噪声源特征，自动联动摄像头抓拍取证，形成超标事件告警信息，当场提醒发出噪声的主体自行整改，同时通知监管、监管部门予以督导落实。通过电脑端、手机端等方式对噪声污染排放状况进行实时跟踪、视频监控、超标录音、超标报警、历史查询、现场监管等功能，具有现场报警、报警推送等多种报警通知,为噪声数据网络化管理、实时数据分析提供了有力基础。 声环境大屏，显示所有前端设备的实时状态、监测数据和噪声污染扩散图，便于管理部门更好地实施污染排放情况的全局监控、预警和协调调度，及时控制超标排放，避免环保污染扩大。通过平台可以实时查看到噪声监测点分布、进行噪声问题定位，通过数据分析进行故障诊断、噪声治理等工作。

中图仪器半导体晶圆制程检测设备几何量测系统WD4000通过非接触测量，将晶圆的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度，TTV，BOW、WARP、在高效测量测同时有效防止晶圆产生划痕缺陷。WD4000兼容不同材质不同粗糙度、可测量大翘曲wafer、测量晶圆双面数据更准确。测量功能1、厚度测量模块：厚度、TTV(总体厚度变化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等；2、显微形貌测量模块：粗糙度、平整度、微观几何轮廓、面积、体积等。3、提供调整位置、纠正、滤波、提取四大模块的数据处理功能。其中调整位置包括图像校平、镜像等功能；纠正包括空间滤波、修描、尖峰去噪等功能；滤波包括去除外形、标准滤波、过滤频谱等功能；提取包括提取区域和提取剖面等功能。4、提供几何轮廓分析、粗糙度分析、结构分析、频率分析、功能分析等五大分析功能。几何轮廓分析包括台阶高、距离、角度、曲率等特征测量和直线度、圆度形位公差评定等；粗糙度分析包括国际标准ISO4287的线粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全参数；结构分析包括孔洞体积和波谷。性能特点中图仪器半导体晶圆制程检测设备几何量测系统WD4000自动测量Wafer厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。1、使用光谱共焦对射技术测量晶圆Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI等参数，同时生成Mapping图；2、采用白光干涉测量技术对Wafer表面进行非接触式扫描同时建立表面3D层析图像，显示2D剖面图和3D立体彩色视图，高效分析表面形貌、粗糙度及相关3D参数；3、基于白光干涉图的光谱分析仪，通过数值七点相移算法计算，达到亚纳米分辨率测量表面的局部高度，实现膜厚测量功能；4、红外传感器发出的探测光在Wafer不同表面反射并形成干涉，由此计算出两表面间的距离（即厚度），可适用于测量BondingWafer的多层厚度。该传感器可用于测量不同材料的厚度，包括碳化硅、蓝宝石、氮化镓、硅等。中图仪器半导体晶圆制程检测设备几何量测系统WD4000广泛应用于衬底制造、晶圆制造、及封装工艺检测、3C电子玻璃屏及其精密配件、光学加工、显示面板、MEMS器件等超精密加工行业，实现砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、玻璃不同材质晶圆的量测。产品优势1、非接触厚度、三维维纳形貌一体测量集成厚度测量模组和三维形貌、粗糙度测量模组，使用一台机器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三维形貌的测量。2、高精度厚度测量技术（1）采用高分辨率光谱共焦对射技术对Wafer进行高效扫描。（2）搭配多自由度的静电放电涂层真空吸盘，晶圆规格最大可支持至12寸。（3）采用Mapping跟随技术，可编程包含多点、线、面的自动测量。3、高精度三维形貌测量技术（1）采用光学白光干涉技术、精密Z向扫描模块和高精度3D重建算法，Z向分辨率高可到0.1nm；（2）隔振设计降低地面振动和空气声波振动噪声，获得高测量重复性。（3）机器视觉技术检测图像Mark点，虚拟夹具摆正样品，可对多点形貌进行自动化连续测量。4、大行程高速龙门结构平台（1）大行程龙门结构(400x400x75mm)，移动速度500mm/s。（2）高精度花岗岩基座和横梁，整体结构稳定、可靠。（3）关键运动机构采用高精度直线导轨导引、AC伺服直驱电机驱动，搭配分辨率0.1μm的光栅系统，保证设备的高精度、高效率。5、操作简单、轻松无忧（1）集成XYZ三个方向位移调整功能的操纵手柄，可快速完成载物台平移、Z向聚焦等测量前准工作。（2）具备双重防撞设计，避免误操作导致的物镜与待测物因碰撞而发生的损坏情况。（3）具备电动物镜切换功能，让观察变得快速和简单。应用场景1、无图晶圆厚度、翘曲度的测量通过非接触测量，将晶圆上下面的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度、粗糙度、总体厚度变化(TTV)，有效保护膜或图案的晶片的完整性。2、无图晶圆粗糙度测量Wafer减薄工序中粗磨和细磨后的硅片表面3D图像，用表面粗糙度Sa数值大小及多次测量数值的稳定性来反馈加工质量。在生产车间强噪声环境中测量的减薄硅片，细磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次测量数据计算重复性为0.046987nm，测量稳定性良好。部分技术规格品牌CHOTEST中图仪器型号WD4000系列测量参数厚度、TTV(总体厚度变化)、BOW、WARP、LTV、粗糙度等可测材料砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、 铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓、玻璃、外延材料等厚度和翘曲度测量系统可测材料砷化镓 氮化镓 磷化 镓 锗 磷化铟 铌酸锂 蓝宝石 硅 碳化硅 玻璃等测量范围150μm~2000μm扫描方式Fullmap面扫、米字、自由多点测量参数厚度、TTV(总体厚度变 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、线粗糙度三维显微形貌测量系统测量原理白光干涉干涉物镜10X(2.5X、5X、20X、50X,可选多个)可测样品反射率0.05%~100粗糙度RMS重复性0.005nm测量参数显微形貌 、线/面粗糙度、空间频率等三大类300余种参数膜厚测量系统测量范围90um(n= 1.5)景深1200um最小可测厚度0.4um红外干涉测量系统光源SLED测量范围37-1850um晶圆尺寸4"、6"、8"、12"晶圆载台防静电镂空真空吸盘载台X/Y/Z工作台行程400mm/400mm/75mm恳请注意：因市场发展和产品开发的需要，本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，不便之处敬请谅解。如有疑问或需要更多详细信息，请随时联系中图仪器咨询。

MX63和MX63L显微镜系统特别适合尺寸高达300毫米的晶圆、平板显示器、电路板、以及其他大尺寸样品的高质量检测。其采用的模块化设计可让您根据需要选择组件，获得根据应用定制的系统。结合奥林巴斯Stream图像分析软件使用时，从观察到生成报告的整个检测流程更简洁直观。1、先进的分析工具MX63系列的各种观察功能可生成清晰锐利的图像，让用户能够对样品进行可靠的缺陷检测。全新照明技术以及奥林巴斯Stream图像分析软件的图像采集选项为用户评估样品和存档检测结果提供更多选择。2、从不可见到可见：MIX观察与图像采集通过将暗场与明场、荧光或偏光等其他观察方法结合使用，MIX观察技术能够获得特殊的观察图像。MIX观察技术可让用户发现用传统显微镜难以观察的缺陷。暗场观察所用的环形LED照明器具有可四象限分段照明的定向暗场功能。该功能可减少样品光晕，有助于观察样品的表面纹理。3、轻松生成全景图像: 即时MIA利用多图像拼接(MIA)功能, 用户移动手动载物台上的XY旋钮即可轻松快速完成图像拼接—电动载物台无需进行该操作。奥林巴斯Stream软件利用模式识别生成全景图像，让用户获得更宽的视场。4、生成全聚焦图像: EFI奥林巴斯Stream软件的扩展聚焦成像(EFI)功能可采集高度超出景深范围的样品图像。EFI将这些图像堆叠在一起生成单幅全聚焦样品图像。EFI配合手动或电动Z轴载物台使用，可轻松生成结构可视化的高度图像。EFI图像可在奥林巴斯Stream桌面软件内离线生成。5、利用HDR采集明亮区域和暗光区域利用先进的图像处理技术，高动态范围(HDR)可在图像内调整亮度差异，以减少眩光。HDR改善了数字图像的视觉品质，从而有助于生成具有专业级外观的报告。6、从基本测量到上等分析测量对于品质、工艺控制和检测非常重要。基于这一想法，即便是入门级奥林巴斯Stream软件包也包括交互测量功能的全部菜单，并且所有测量结果与图像文件一起保存以便日后调用文档。此外，奥林巴斯Stream材料解决方案可为复杂图像分析提供直观的工作流界面。点击按钮，图像分析任务即可快速精准完成。可大幅度缩减重复性任务的处理时间，使操作人员的精力集中在检测工作上。7、高效的报告创建创建报告所用的时间常常比采集图像和测量还长。奥林巴斯Stream软件提供了直观的报告创建功能，能够根据预先设定的模板多次创建专业复杂的报告。编辑非常简单，报告可导出为MicrosoftWord或PowerPoint文件。此外，奥林巴斯Stream报告功能能够对采集的图像进行数码变焦和倍率放大。报告文件大小适中，通过电子邮件进行数据传递更加方便。8、独立相机选项利用DP22或DP27显微镜相机的MX63系列是一套先进的独立系统。该相机采用几乎不占空间的紧凑型控制盒进行控制，在采集清晰图像以及进行基本测量工作的同时让实验室空间得到充分利用。 9、支持洁净室合规性的先进设计MX63系列专为洁净室工作而设计，并有效降低样品污染或受损的风险。该系统采用人体工学设计，可帮助用户在长时间使用中保持舒适。MX63系列符合SEMI S2/S8、CE和UL等多项国际规范及标准要求。选配晶圆搬送机 — AL120系统* 选配的晶圆搬送机可安装在MX63系列上，实现无需使用镊子或工具即可安全地将硅片及化合物半导体晶圆从片盒转移到显微镜载物台上。强大的性能和可靠性能够安全、高效地对晶圆正面和背面进行宏观检测，同时搬送机还可帮助提高实验室工作效率。MX63系统与AL120晶圆搬送机结合使用(200毫米型号)快速、清洁的检测MX63系列可实现无污染的晶圆检测。所有电动组件均安装在防护结构壳内，显微镜镜架、镜筒、呼吸防护罩、及其他部件均采用防静电处理。电动物镜转换器的转速比手动物镜转换器更快更安全，缩短检测间隔时间的同时让操作人员的手始终保持在晶圆下方，避免了潜在的污染。系统设计实现高效观察利用内置离合和XY旋钮，XY载物台能够实现对载物台运动的粗调和微调。即便针对诸如300毫米晶圆这样的大尺寸样品，载物台也可帮助实现高效的观察。倾斜观察镜筒的扩展范围可让操作人员以舒适的姿态坐在显微镜前工作。接受所有晶圆尺寸该系统可配合各类150–200毫米和200–300毫米晶圆托架和玻璃台板使用。如果生产线上的晶圆尺寸发生变化，可更改载物台或镜架。有了MX63系列，各种载物台均可用于检测75毫米、100毫米、125 毫米和150毫米晶圆。

MDPmap： 单晶和多晶硅片寿命测量设备用于复杂的材料研究和开发。 特点： ◇ 灵敏度：高的灵敏度，用于可视化迄今为止不可见的缺陷和调查外延层的情况 ◇ 测量速度：6英寸硅片5min，分辨率为1mm ◇ 寿命范围：20ns到几十ms ◇ 污染测定：源于坩埚和设备的金属（铁）污染 ◇ 测量能力：从切割好的硅片到完全加工的样品 ◇ 灵活性：固定的测量头可以与外部激光器连接并触发 ◇ 可靠性：模块化和紧凑型台式仪器，可靠性更高，正常运行时间99% ◇ 重复性： 99% ◇ 电阻率：电阻率测绘，无需频繁校准 技术规格: 样品尺寸 直径达300mm（标准台），直径达450mm（定制），*小为5 x 5mm 寿命测量范围 20ns至几十ms以上 电阻率 0.2 - 10³ Ωcm，p-型/n-型 样品材料 硅片、外延层、部分或完全加工的硅片、化合物半导体及更多材料 可测量的特性 寿命 - μ-PCD/MDP (QSS), 光导率 激发波长 选择从355nm到1480nm的*多四个不同波长。980nm(默认) 尺寸规格 体积：680 x 380 x 450毫米；重量：约65公斤 电源 100 - 250V, 50/60 Hz, 5 A 细节：◇ 用于研发或生产监控的灵活测绘工具 ◇ MDPmap被设计成一个紧凑的台式非接触电学表征工具，用于离线生产控制或研发，在稳态或短脉冲激励（μ-PCD）下，在一个宽的注入范围内测量参数，如载流子寿命、光导率、电阻率和缺陷信息。自动化的样品识别和参数设置允许轻松适应各种不同的样品，包括外延层和经过不同制备阶段的晶圆，从原生晶圆到高达95%的金属化晶圆。 ◇ MDPmap的主要优点是它的高度灵活性，例如，它允许集成多达四个激光器，用于测量从较低到高的注入水平的寿命，或通过使用不同的激光波长提取深度信息。包括偏置光设施，以及μ-PCD或稳态注入条件的选项。可以用不同的地图进行客户定义的计算，也可以输出主要数据进行进一步评估。对于标准的计量任务，预定义的标准只需按下一个按钮就能进行常规测量。 附加选项： ◇ 光斑大小的变化 ◇ 电阻率测量（晶圆） ◇ 方块电阻 ◇ 背景/偏光 ◇ 反射测量（MDP） ◇ 太阳能电池的LBIC（扩散长度测量） ◇ 偏压MDP ◇ 参考晶圆 ◇ 硅的内部/外部铁制图 ◇ 集成加热台 ◇ 灵活的激光器配置 MDPmap 测量案例： 钝化多晶硅的寿命图 多晶硅的铁污染图 单晶硅的硼氧图 单晶硅的缺陷密度图 碳化硅外延片（＞10μm）-少数载流子寿命mapping图（平均寿命τ=0.36μs） 高阻硅片（＞10000Ωcm）-少数载流子寿命mapping图 非钝化硅外延片（20μm）-少数载流子寿命mapping图 MDPmap 应用：铁浓度测定 铁的浓度的精确测定是非常重要的，因为铁是硅中丰富也是有害的缺陷之一。因此，有必要尽可能准确和快速地测量铁浓度，具有非常高的分辨率且**是在线的 更多...... 掺杂样品的光电导率测量 B和P的掺杂在微电子工业中有许多应用，但到目前为止，没有方法可以在不接触样品和由于必要的退火步骤而改变其性质的情况下检查这些掺杂的均匀性。迄今为止的困难…… 更多...... 陷阱浓度测定 陷阱中心是非常重要的，为了了解材料中载流子的行为，也可以对太阳能电池产生影响。因此，需要以高分辨率测量这些陷阱中心的陷阱密度和活化能。 更多...... 注入相关测量 少数载流子寿命强烈依赖于注入(过剩余载流子浓度)。从寿命曲线的形状和高度可以推断出掺杂复合中心和俘获中心的信息。 更多......

Lumina AT1薄膜缺陷检测仪产品特点：实现亚纳米薄膜涂层、纳米颗粒、划痕、凹坑、凸起、应力点和其他缺陷的全表面扫描和成像。实用于透明、硅、化合物半导体和金属基底。在3分钟内扫描并显示150毫米晶圆。可以标刻出缺陷的位置，以便进一步分析。可容纳高达300 x 300 mm的非圆形和易碎基板。能够通过一次扫描分离透明基板上的顶部/底部特征。系统优势的四个检测通道：偏光（污渍、薄膜不均匀性） 坡度（划痕、表面形貌）反射率（内应力、条纹）暗场（颗粒、夹杂物）AT1应用：1.透明基底上的缺陷2.单层污渍或薄膜不均匀性3.化合物半导体的晶体缺陷在化合物半导体基底和外延生长层上检测和分类多种类型的晶体缺陷AT1的多用途：所有缺陷类型薄厚基板透明和不透明基板电介质涂层金属涂层键合硅片开发和在线生产AT1规格参数：AT1 软件使用来自多个探测器任意组合的数据生成缺陷图和报告：地图和位置缺陷数量彩色编码缺陷缺陷尺寸

Lumina AT2薄膜缺陷检测仪产品特点：实现亚纳米薄膜涂层、纳米颗粒、划痕、凹坑、凸起、应力点和其他缺陷的全表面扫描和成像。实用于透明、硅、化合物半导体和金属基底。在2分钟内扫描并显示300毫米晶圆。动态补偿表面翘曲。可以标刻出缺陷的位置，以便进一步分析。可容纳高达450 x 450 mm的非圆形和易碎基板。能够通过一次扫描分离透明基板上的顶部/底部特征。系统优势的四个检测通道：偏光（污渍、薄膜不均匀性）坡度（划痕、表面形貌）反射率（内应力、条纹）暗场（颗粒、夹杂物）AT2应用：1.透明基底上的缺陷2.单层污渍或薄膜不均匀性3.化合物半导体的晶体缺陷在化合物半导体基底和外延生长层上检测和分类多种类型的晶体缺陷AT2的多用途：所有缺陷类型薄厚基板透明和不透明基板电介质涂层金属涂层键合硅片开发和在线生产AT2规格参数：AT2 软件使用来自多个探测器任意组合的数据生成缺陷图和报告：地图和位置缺陷数量彩色编码缺陷缺陷尺寸

MDPinline是一种用于快速定量测量载流子寿命并集成扫描功能的检测仪。通过工厂安装的传送带将晶圆片移至仪器，在不到一秒的时间内，就可以“动态”测量出晶圆图。 该仪器本身不使用机械运动部件，因此在连续操作下也非常可靠。它为每个晶圆片提供完整的拓扑结构，这为提高生产线的成本效益和效率提供了新的途径，而这些都是迄今为止无可比拟的。例如，在不到3个小时的时间内，对10000个晶圆片的拓扑结构进行自动统计评估，结果可以显示出晶体生长炉的性能和材料质量的各种细节。 实时的质量检测可以帮助提高和优化诸如扩散和钝化等处理步骤。在运行的生产过程中，MDPinline可以立即检测到某个处理步骤的任何故障，从而使产品达到最高的性能。 Si3N4 and SiC segregates in multi-crystalline silicon Microcrystalline inclusions Investigation of passivation quality... Cz-Si with bulk defects, separation... 优势在不到一秒的时间内，可对一个晶圆片进行全电特性测试。测量参数：载流子寿命(拓扑图)、电阻率(双线扫描)。在非常短的时间内获得数以千计的晶圆片的统计信息可有效地帮助晶圆厂控制过程和生产。适用于测量晶圆片的材料质量，以及识别晶圆片层面的结晶问题，例如在光伏行业。适用于扩散过程的完整性控制、钝化效率和均匀性控制。Multicrystalline silicon wafers 其它细节允许单片控制参数自动设置，预定义的排序菜单多达15个质量等级的晶圆片自动分拣监控材料质量、工艺的完整性和稳定性快速提升工艺和生产线

仪器简介：应用： ◆ 硅片、化合物、半导体及透明材质产品表面缺陷的检查分析。技术参数：KLA-Tencor Candela CS10表面缺陷检测设备是针对半导体行业的表面缺陷的检查分析仪器。该设备利用激光扫描样品的整个表面，通过4个频道（散射光频道、反射光频道、相移频道及Z频道）的探测器所收集到的信号，快速的将缺陷（包括微粒、划伤、坑点、污染、痕迹等）进行分类，统计每一种缺陷的数量并且量测出相应的缺陷尺寸，最后给出整个表面的缺陷分布图以及检测报告。根据预先设定的标准，可以给出检测样品合格与否的判断。主要特点：◆ 标准夹具从2英寸到8英寸的样品，也可按需订制； ◆ 可用于透明的材料的表面缺陷检测； ◆ 可侦测的缺陷类型：颗粒，划伤，突起，凹坑，水渍等； ◆ 手动（CS10）和自动传输模式（CS20）； ◆ 双激光系统； ◆ 小颗粒的高灵敏度（80nm）； ◆ 强大的自动缺陷分类、统计分布和判别软件。缺陷分布图以及检测报告内的每一个缺陷都有4个频道拍到的照片储存在设备内部，这些照片可以辅助技术人员分析缺陷的成因及进行相关验证。可同时进行粗糙度、平坦度及膜厚均匀度的量测。其缺陷监测功能可以应用到不同的制程； ◆ 颗粒检测-几乎应用于所有制程的监测； ◆ 液体残留-应用于清洗及研磨； ◆ 表面粗糙度、平坦度- 应用于研磨抛光； ◆ 膜厚均匀度-应用镀膜工艺。 ◆ 内部的过滤器可以保证内部的洁净环境为10级，防止内部污染的同时该仪器还能长期保持稳定准确。拥有優秀的售后服务保障体系

CHY-CA薄膜测厚仪采用机械接触式测量原理，严格按照标准方法进行测量，有效保证了测试的规范性和准确性。专业适用于量程范围内的塑料薄膜、薄片、隔膜、纸张、箔片、硅片等各种材料的厚度测量。产品特点◎ 微电脑控制系统，大液晶显示、PVC操作面板，方便用户进行试验操作和数据查看。◎ 严格按照标准设计的接触面积和测量压力，同时支持各种非标定制。◎ 测试过程中测量头自动升降，有效避免了人为因素造成的系统误差。◎ 支持自动和手动两种测量模式，方便用户自由选择。◎ 系统自动进样，进样步距、测量点数和进样速度等相关参数均可由用户自行设定。◎ 实时显示测量结果的Z大值、Z小值、平均值以及标准偏差等分析数据，方便用户进行判断。◎ 配置标准量块用于系统标定，保证测试的精度和数据一致性。◎ 系统支持数据实时显示、自动统计、打印等许多实用功能，方便快捷地获取测试结果。◎ 标准的USB接口，便于系统与电脑的外部连接和数据。 测试原理CHY-CA薄膜测厚仪采用机械接触式测量原理，截取一定尺寸的式样；通过控制面板按钮，调节测量头降落于式样之上；依靠两个接触面产生的压力和两接触面积通过传感器测得的数值测量材料的厚度。太阳能硅片厚度仪_薄片测厚仪应用领域薄膜、薄片、隔膜：适用于薄膜、薄片、隔膜的厚度测试纸张、纸板：适用于纸张、纸板的厚度测试箔片、硅片：适用于箔片、硅片的厚度测试金属片：适用于金属片的厚度测试纺织材料：适用于纺织材料的厚度测试固体电绝缘体：适用于固体电绝缘体的厚度测试无纺布材料：适用于无纺布材料的厚度测试，如尿不湿、卫生巾片材的厚度测试量程扩展至5mm， 10mm：适用于无纺布材料的厚度测试，如尿不湿、卫生巾片材的厚度测试曲面测量头：满足特殊要求的厚度测试测试标准该仪器符合多项国家和国标标准：ISO 4593、ISO 534、ISO 3034、GB/T 6672 、GB/T 451.3、 GB/T 6547、 ASTM D374、ASTM D1777TAPPI T411、JIS K6250、JIS K6783、JIS Z1702、 BS 3983、BS 4817。 售后服务承诺三月内只换不修，一年质保，终身提供。快速处理，1小时内响应问题，1个工作日出解决方案。 体系荣誉资质ISO9001：2008质量体系认证、计量合格确认证书、CE认证、软件著作权、产品实用新型、外观设计。实力铸造品牌三大研发中心，两条独立生产线，一个综合体验式实验室。赛成自2007年创立至今，全球用户累计成交产品破万台，完善四大产品体系，50多种产品。

检测项目：　　项目分类　　食品添加剂二氧化硫、双氧水、亚硝酸盐、硝酸盐、苯甲-酸钠、山梨酸钾、糖精钠、甜蜜素、木耳硫-酸镁等　　有毒有害物质甲醛、吊白块、硼砂、过氧化苯甲酰、溴酸钾、罗丹明B、三聚氰胺、苏-丹红、工业碱、尿素、明矾等　　食用油脂过氧化值、酸价等　　果蔬农药残留(酶抑制率法)　　病害肉组胺、挥发性盐基氮　　重金属含量铅、镉、铬、汞、砷、锡、镍、铝等　　瘦肉精激素盐酸克伦特罗、沙丁-胺醇、莱克多巴胺、己烯-雌酚等　　抗生素残留四环素类、硝基呋喃类、磺胺类、β-兴-奋剂类、沙星类、磺胺类、喹诺酮类，甲砜-霉素，氟苯-尼考，金刚烷胺、替米-考星、庆大-霉素、林可-霉素、链-霉素、恩诺-沙星、环丙-沙星、头孢啦啶、青-霉素、阿莫-西林等　　水产品安全类孔雀石绿、氯-霉素、呋喃-妥因、呋喃-西林、呋喃它酮、呋喃-唑酮等　　蛋类药物残留氯-霉素，四环素，磺胺类，喹诺酮类，呋喃-西林，呋喃它酮，呋喃-妥因，呋喃-唑酮，氟苯-尼考，阿莫-西林、头孢-氨苄、红-霉素、链-霉素等　　真菌毒素残留食用油、粮食及饲料中黄曲霉毒素B1、黄曲霉毒素总量，奶中黄曲霉毒素M1、呕吐毒素、玉米赤霉烯酮、赭曲霉-毒素A、T2毒素、伏马毒素等　　水酒饮品分析酒中甲醇、乙醇、乳品及牛奶中蛋白质，　　蜂蜜成分果糖和葡萄糖、蔗糖、淀-粉酶、酸度等　　调味品成分食醋的总酸、酱油的总酸、芝麻油纯度、谷氨-酸钠、酱油氨基酸态氮、食盐中亚铁氰-化钾、食盐中碘等　　食用色素类红色色素(胭脂红、苋菜红、苋菜红)、黄色色素(柠檬黄、日落黄)、蓝色色素(亮蓝)等　　动物疫病类禽-流感、新城疫、牛羊口蹄疫、牛羊结核病、牛羊包虫、牛羊布病、小反刍兽、猪蓝耳病毒、猪瘟病毒、猪伪狂犬病毒、猪细小、猪圆环、犬细小病毒、犬瘟热病毒、犬狂犬病毒等　　过氧化苯甲酰检测仪技术指标：　　★1)过氧化苯甲酰检测仪采用手提式一体化系统检测技术，将分光光度模块、胶体金检测模块、新型农残检测模块、数字化管理模块、无线通讯模块高度集成于一体，支持检测200种食品安全检测项目，同时预留升级检测方法。　　2)仪器检测模块标准化、智能化，可随意自由组合。检测箱体内置多个标准检测单元，检测模块可以调整配置。　　3)仪器采用全新安卓智能系统，主控芯片采用 ARM Cortex-A7，RK3288/4核处理器，10.1寸高清液晶触摸竖屏，更加高效的UI交互界面，运转快捷 仪器配备无线通信模块： 4G(APN)通讯模块、Wifi模块，蓝牙传输，同时具有双USB接口以及RJ45接口能以多种方式实现数据保存和数据传输功能。　　4)创新检测模式：　　★检测通道：≥12通道 采用精密旋转比色池设计，使用同芯片同光源校准精度，解决不同光源之间的误差值。1-12通道间误-差0.1%。(专-利号：ZL202022821055.2)　　★仪器具有自动识别比色皿检测功能，即：将样品比色皿放入仪器后，点击样品检测，仪器自动识别比色皿进行通道检测。　　5)进口高精光源：　　高精度进口四波长冷光源，通道配置 410、520、590、630nm 波长光源，一个光源芯片驱动一个光源，误差极小，每台设备单独精确校准光源，精确比对，同时参照四种不同波段光源Q方位覆盖市面上99%的农残食品项目检测。　　6)胶体金模块检测方式：　　★采用COMS实时成像技术，单金标实时读卡，通过不同颜色的灰度变化，一秒精准得出结果。　　7)智能操作分析系统：　　★便捷操作系统：设备检测时可在同一检测界面自动对应相关检测通道一次性选择1-12个样品名称，无须退出界面，节省操作时间。(需提供对应证明)　　★数据集成系统：设备首页自动统计检测数据包含：周检测数据、月检测数据，全部检测总数量，均包含检测总数，合格数，不合格数，以及相关柱形分析图，对各项检测数据清晰掌握，无需电脑查询，更加快捷直观。(需提供对应证明文件)　　★项目预设系统：支持添加单个及多个相同或不相同的任务预设，一键快速调取，每一个任务分别可以设置不同的样品、批次、编号、来源、备注、抽样信息、检测信息、受检信息、复核信息等更多信息。无缝链接平台和APP实时查看下发任务。(需提供对应证明文件)　　★数据监管系统：同步对接监管平台，数据可局域网和互联网数据上传，检测结果可选择直接传至食品安全监管平台。集成OSS输出存储服务、区分设备定向管理应用，进行区域食品安全监管及大数据分析处理与数据统计，检测区域食品安全长短期动态，达到食品安全问题预估、预警。(需提供对应食品理化分析系统计算机软件著作权)。　　★自定义打印系统：内置全新打印系统，新创自定义打印方式，可按需灵活设置开启或关闭：产品合格证(国家农业部标准要求)，二维码，抽样信息、检测信息，受检信息、复核信息、抽样日期、检测日期等信息的打印。(需提供对应证明)　　★系统远程更新功能：可定向分客户分仪器更新系统，按照不同客户后期实际需求添加项目，无需机器返厂，即可远程实时升级全新系统，节省时间成本及避免运输造成设备损坏。　　8)仪器主机采用一体化防水、抗压、防撞击、防腐蚀箱体设计，同时配备交直流供电，可连接车载电源，可标配大容量充电锂电池，满足现场野外检测需求。　　9)安全证书，放心保障：仪器具有中国计量科学研究院校准证书，权-威认证。

WD4000晶圆形貌量测设备采用高精度光谱共焦传感技术、光干涉双向扫描技术，完成非接触式扫描并建立3D Mapping图，实现晶圆厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR、SORI、等反应表面形貌的参数；采用白光光谱共焦多传感器和白光干涉显微测量双向扫描技术，完成非接触式扫描并建立表面3D层析图像，实现Wafer厚度、翘曲度、平面度、线粗糙度、总体厚度变化(TTV)及分析反映表面质量的2D、3D参数。WD4000晶圆形貌量测设备可广泛应用于衬底制造、晶圆制造、及封装工艺检测、3C电子玻璃屏及其精密配件、光学加工、显示面板、MEMS器件等超精密加工行业。可测各类包括从光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物体表面，从纳米到微米级别工件的厚度、粗糙度、平整度、微观几何轮廓、曲率等，提供依据SEMI/ISO/ASME/EUR/GBT四大国内外标准共计300余种2D、3D参数作为评价标准。测量功能1、厚度测量模块：厚度、TTV(总体厚度变化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等；2、显微形貌测量模块：粗糙度、平整度、微观几何轮廓、面积、体积等。3、提供调整位置、纠正、滤波、提取四大模块的数据处理功能。其中调整位置包括图像校平、镜像等功能；纠正包括空间滤波、修描、尖峰去噪等功能；滤波包括去除外形、标准滤波、过滤频谱等功能；提取包括提取区域和提取剖面等功能。4、提供几何轮廓分析、粗糙度分析、结构分析、频率分析、功能分析等五大分析功能。几何轮廓分析包括台阶高、距离、角度、曲率等特征测量和直线度、圆度形位公差评定等；粗糙度分析包括国际标准ISO4287的线粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全参数；结构分析包括孔洞体积和波谷。产品优势1、非接触厚度、三维维纳形貌一体测量WD4000晶圆形貌量测设备集成厚度测量模组和三维形貌、粗糙度测量模组，使用一台机器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三维形貌的测量。2、高精度厚度测量技术（1）采用高分辨率光谱共焦对射技术对Wafer进行高效扫描。（2）搭配多自由度的静电放电涂层真空吸盘，晶圆规格最大可支持至12寸。（3）采用Mapping跟随技术，可编程包含多点、线、面的自动测量。3、高精度三维形貌测量技术（1）采用光学白光干涉技术、精密Z向扫描模块和高精度3D重建算法，Z向分辨率高可到0.1nm；（2）隔振设计降低地面振动和空气声波振动噪声，获得高测量重复性。（3）机器视觉技术检测图像Mark点，虚拟夹具摆正样品，可对多点形貌进行自动化连续测量。4、大行程高速龙门结构平台（1）大行程龙门结构(400x400x75mm)，移动速度500mm/s。（2）高精度花岗岩基座和横梁，整体结构稳定、可靠。（3）关键运动机构采用高精度直线导轨导引、AC伺服直驱电机驱动，搭配分辨率0.1μm的光栅系统，保证设备的高精度、高效率。5、操作简单、轻松无忧（1）集成XYZ三个方向位移调整功能的操纵手柄，可快速完成载物台平移、Z向聚焦等测量前准工作。（2）具备双重防撞设计，避免误操作导致的物镜与待测物因碰撞而发生的损坏情况。（3）具备电动物镜切换功能，让观察变得快速和简单。应用场景1、无图晶圆厚度、翘曲度的测量通过非接触测量，将晶圆上下面的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度、粗糙度、总体厚度变化(TTV)，有效保护膜或图案的晶片的完整性。2、无图晶圆粗糙度测量Wafer减薄工序中粗磨和细磨后的硅片表面3D图像，用表面粗糙度Sa数值大小及多次测量数值的稳定性来反馈加工质量。在生产车间强噪声环境中测量的减薄硅片，细磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次测量数据计算重复性为0.046987nm，测量稳定性良好。部分技术规格品牌CHOTEST中图仪器型号WD4000厚度和翘曲度测量系统可测材料砷化镓 氮化镓 磷化 镓 锗 磷化铟 铌酸锂 蓝宝石 硅 碳化硅 玻璃等测量范围150μm~2000μm扫描方式Fullmap面扫、米字、自由多点测量参数厚度、TTV(总体厚度变 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、线粗糙度三维显微形貌测量系统测量原理白光干涉干涉物镜10X(2.5X、5X、20X、50X,可选多个)可测样品反射率0.05%~100粗糙度RMS重复性0.005nm测量参数显微形貌 、线/面粗糙度、空间频率等三大类300余种参数膜厚测量系统测量范围90um(n= 1.5)景深1200um最小可测厚度0.4um红外干涉测量系统光源SLED测量范围37-1850um晶圆尺寸4"、6"、8"、12"晶圆载台防静电镂空真空吸盘载台X/Y/Z工作台行程400mm/400mm/75mm恳请注意：因市场发展和产品开发的需要，本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，不便之处敬请谅解。

MDPinline是一种用于快速定量测量载流子寿命并集成扫描功能的检测仪。通过工厂安装的传送带将晶圆片移至仪器，在不到一秒的时间内，就可以“动态”测量出晶圆图。该仪器可为每个晶圆片提供完整的拓扑结构，极大提高了生产线的成本效益和效率。且其实时质量检测可以提高和优化诸如扩散和钝化等处理步骤。 产品优势▼在不到一秒的时间内，可对一个晶圆片进行全电特性测试。测量参数：载流子寿命(拓扑图)、电阻率(双线扫描)。在非常短的时间内获得数以千计的晶圆片的统计信息可有效地帮助晶圆厂控制过程和生产。适用于测量晶圆片的材料质量，以及识别晶圆片层面的结晶问题，例如在光伏行业。适用于扩散过程的完整性控制、钝化效率和均匀性控制。 Si3N4 and SiC segregates in multi-crystalline siliconMicrocrystalline inclusionsInvestigation of passivation quality...Cz-Si with bulk defects, separation... Multicrystalline silicon wafers技术参数样品厚度100 μm up to 1 mm样品尺寸在125 x 125 和210 x 210 mm2 之间，或 4”到18”电阻率0.2 - 103 Ohm cm传导类型p, n材质硅晶圆，部分或完全加工的晶圆片，化合物半导体等 测量性能少数载流子寿命（稳态或非平衡(μ-PCD)可选择的）测量位置默认2.8 mm， 其它可选检测时间获得完整的一张晶圆图时间小于1秒尺寸400 x 400 x 450 mm，重量：29 kg电源24 V DC, 4 A