低温等离子体刻蚀设备

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低温等离子体刻蚀设备相关的厂商

  • OPS Plasma专注于等离子表面处理,集设备开发与设备制造、工艺开发与方案解决为一体,为各行业提供高效、节能、环保的等离子表面处理方案,包括等离子清洗、等离子活化、等离子改性、等离子接枝与聚合、等离子刻蚀、等离子沉积等。 OPS Plasma的创始人在德Fraunhofer Institute期间积累了丰富的设计开发经验,研发团队拥有10年以上的等离子系统设计经验、5年以上的等离子设备制造经验,是国内最大的等离子应用技术方案解决专家,不仅能为客户提供优质的等离子处理设备,还能为客户提供整套的解决方案和工艺指导。 OPS Plasma的制造团队多年从事等离子设备制造,成功开发出多款设备。设备采用具有独立知识产权的电极系统和进气系统,保证电场和气场的均匀分布,并完美地解决了真空动密封、真空冷却等一系列问题。 OPS Plasma的等离子设备广泛地应用在光学电子、太阳能、半导体、生物医疗、纳米材料、及通用工业领域,销往各大知名院校、科研机构和企业。在全国范围内超过100台实验设备和工业设备的良好运行,充分证明了OPS Plasma等离子系统的优越品质。 OPS Plasma致力于用国际的品质、国内的价格和优质的服务为全球各行业客户提供等离子处理设备和解决方案,成为全球行业领先的等离子应用技术方案解决专家。
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  • 400-860-5168转3241
    载德半导体技术有限公司是专业的半导体及微电子领域仪器设备供应商,载德所代理的仪器设备广泛用于高校、研究所、半导体高新企业。载德半导体技术有限公司目前代理的主要产品包括: - 霍尔效应测试仪(Hall Effect Measurement System); - 快速退火炉(RTP); - 回流焊炉,真空烧结炉(Reflow Solder System); - 探针台(Probe Station),低温探针台(Cryogenic Probe Station); - 贴片机(Die Bonder),划片机(Scriber),球焊机/锲焊机(Wire Bonder); - 原子层沉积系统(ALD),等离子增强原子层沉积设备(PEALD); - 磁控溅射镀膜机(Sputter),电子束蒸发镀膜机(E-beam Evaporator),热蒸发镀膜机(Thermal Evaporator),脉冲激光沉积系统(PLD) - 低压化学气相沉积系统(LPCVD),等离子增强化学气相沉积系统(PECVD),快速热化学气相沉积系统(RTCVD); - 反应离子刻蚀机(RIE),ICP刻蚀机,等离子体刻蚀机; - 加热台、热板、烤胶台 (Hot Chuck / Hot Plate); - 扫描开尔文探针系统(Kelvin Probe),光反射膜厚仪(Reflectometer); 等等...
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  • 北京东方中科集成科技股份有限公司(以下简称"东方集成"或"公司")是在中关村科技园区注册的高新技术企业,于2000年由中国科学院有关单位发起设立,目前已经成为中国电子测试测量领域领先的综合服务商。  “东方集成”总部设在北京,在上海、南京、苏州、深圳、武汉、西安、成都等地设有分支机构,拥有一支超过200人的专业团队。通过与业务伙伴的紧密合作,凭借覆盖全国的营销服务网络,致力于为客户提供专业、方便、快捷的本地化服务。  "东方集成"年销售额在数亿元人民币,为客户提供产品增值销售、应用解决方案、科技租赁、计量校准、维修维护和科技资产外包管理等综合服务。  东方集成AIBU系统集成事业部客户,立足于科研院所、半导体行业, 通过与SENTECH、光焱科技等厂商合作,为客户提供等离子体刻蚀(RIE, ICP-RIE)、等离子化学气相沉积(PECVD, ICP-PECVD)和中红外光谱椭偏仪(SENDIRA)、激光椭偏仪(SE400adv-PV)等,并为客户提供系统集成服务。
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低温等离子体刻蚀设备相关的仪器

  • 微波等离子体刻蚀机VP-Q5等离子激发频率2.45GHz,真空腔体石英玻璃材料,腔体容积5升,中英文操作系统,触摸屏控制,频率2.45GHz有强的化学作用,适用于芯片微波刻蚀、晶圆去胶、半导体光刻胶去除、金属油污去除、半导体、塑料、PP、高分子等材料清洗,活化,蚀刻和改性。
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  • 等离子体清洗好处,对PTFE进行等离子活化处理,蚀刻工艺,为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺,并得到了应用,等离子体清洗与其它清洗方式对比表.等离子体清洗好处: 1、其除去了有机层(含碳污染物),其会受到例如, 氧气 和空气的化 腐蚀,通过超压吹扫,将其从表面去除。   通过等离子体中的高能量粒子,脏污会转化为 稳定的小型分子 ,并借此将其移除,处理过程中脏污的厚度只允许达到 几百纳米 ,因为等离子的清除速度仅能够达到每次几 nm。   脂肪含有诸如锂化合物之类的成分。仅能够除去其 有机成分 。这一点同样适用于指纹。故此,建议戴手套。 2、还原氧化物   金属氧化物会和工艺气体发生化学反应。作为工艺气体,使用了氢气和氩气或氮气的混合物。等离子体射流的热效应可能会导致进一步的氧化。故此建议在惰性气体环境下进行处理。常压等离子激活处理主要用于哪些方面?  这种技术非常适用于以下工艺过程: 1、在粘合之前对塑料进行局部的等离子活化处理 2、在粘合、植绒、印刷(例如,汽车行业中的橡胶型材)之前,对弹性体进行等离子活化处理 3、在粘合或者粘接之前,对金属和陶瓷表面进行局部的等离子活化处理 4、极为适合在直接于移印机中移印之前,对塑料零部件进行处理。用常压等离子体进行活化处理能够为我们带来哪些主要优势? 技术适用于在线工艺,例如,在对连续型橡胶型材、软管进行印刷、胶粘,植绒或者涂层之前进行等离子活化。 等离子体清洗与其它清洗方式对比表:应用用途和特性低压等离子体的优点低压等离子体的缺点常压等离子体的优点常压等离子体的缺点普通的等离子体生成在等离子腔体室中均匀分布等离子体,腔室体积可变复杂的真空技术,在线等离子处理应用受到一定的限制可以直接在输送带上进行等离子处理,适用于在线处理,无需任何真空技术由于等离子体激发原理的原因,等离子处理痕迹有限,处理较大的对象的时候,必须使用多个喷嘴对金属进行处理可对易氧化的对象进行等离子清洗进行微波激发的时候,对象上可能会相应产生能量,这会造成对象过热对铝进行等离子处理的时候,可以生成很薄的氧化层对易氧化的对象进行等离子清洗,受到一定的限制对聚合物弹性体进行处理无法对PTFE进行等离子活化处理,蚀刻工艺,为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺,并得到了应用某些材料需要用到较大型的泵,以便达到必须的工艺压力无法对连续型对象进行预处理,工艺时间很短等离子射流的温度为约 200 - 300 °C。必须对表面的工艺温度进行很好的调节,以防止着火(很薄的材料)3D对象对等离子体腔室中的所有对象进行均匀处理。即使是中空腔室也可以从内部进行处理(例如,点火线圈、水箱等)未知可进行局部表面处理(例如,粘结槽口)需要使用复杂的多关节型机器人技术。常压等离子体的间隙渗透性受到一定的限制散装部件通过转鼓法可以对散装部件进行均匀的等离子处理。零部件的件数和体积可以有所不同其仅能够使用转鼓的 1/3 体积(建议)可以直接在输送带上处理对象对象必须极为精确的定位在输送带上电子,半导体技术借助低压等离子体对电子元件、电路板和半导体部件进行等离子处理是先进的技术。未知金属或者 ITO 触点可在粘接处理之前进行等离子预处理(例如,LCD、TFT 和芯片的生产)涂层工艺生成均匀的涂层。研发了很多 PECVD 和 PVD 工艺,并得到了应用可能会造成等离子体腔室的污染具有很多的工业用途尚不具有任何的工业用途
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  • 产品详情英国牛津OXFORD 等离子体刻蚀机PlasmaPro 80 ICP PlasmaPro 80 ICP是一种结构紧凑、小型且使用方便的直开式系统,可提供多种刻蚀解决方案。 它易于放置,便于使用,且能够确保工艺质量。直开式设计允许快速的进行晶圆装卸,是科学研究、原型设计和少量生产的理想选择。 该设备通过优化了的电极冷却技术和出色的衬底温度控制来实现高度稳定的工艺结果。。直开式设计允许快速装卸晶圆。出色的刻蚀深度和刻蚀速率控制。出色的晶圆温度均匀性。晶圆最大可达200mm。购置成本低。符合半导体行业 S2 / S8标准 应用: III-V族材料刻蚀工艺 硅 Bosch和超低温刻蚀工艺 二氧化硅和石英刻蚀 用于失效分析的干法刻蚀解剖工艺,可处理封装好的芯片、 裸晶片以及200mm晶圆 用于高亮度LED生产的硬掩模的沉积和刻蚀 特点: 小型系统 —— 易于安置 优化的电极冷却系统 —— 衬底温度控制 高导通的径向(轴对称)抽气结构 —— 确保能提升工艺均匀性和速率 增加500毫秒的数据记录功能 —— 可追溯腔室和工艺条件的历史记录 近距离耦合涡轮泵 —— 抽速高迅速达到所要求的低真空度 关键部件容易触及 ——系统维护变得直接简单 X20控制系统——大幅提高了数据信息处理能力, 并且可以实现更快更可重复的匹配 通过前端软件进行设备故障诊断 —— 故障诊断速度快 用干涉法进行激光终点监测 —— 在透明材料的反射面上测量刻蚀深度 (例如硅上的氧化物),或者用反射法来确定非透明材料 (如金属) 的边界 用发射光谱(OES)实现较大样品或批量工艺的终点监测 —— 监测刻蚀副产物或反应气体的消耗量的变化,以及用于腔室清洗的终点监测
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低温等离子体刻蚀设备相关的资讯

  • 出口增长63%!2020年等离子体刻蚀机海关进出口数据盘点
    自美国提出终断该国企业与华为多年的芯片供应以来,研制中国自己的国产芯片提上了我国的发展日程,也是当前中国市场最为紧迫的一项技术,关于芯片技术发展的讨论不仅在专业领域盛行,也成为了普通民众议论的焦点所在。而芯片的制造离不开半导体设备,其中刻蚀设备是其中的重中之重。据了解,目前我国已经突破了刻蚀设备的技术难关,其中中微公司的5nm刻蚀设备已成功销往海外,更是进入台积电的生产线。如今最先进的芯片制造主要使用干法刻蚀技术即等离子体刻蚀技术,相对于湿法刻蚀,具有更好的各向异性,工艺重复性,且能降低晶圆污染几率,因此成为了亚微米下制备半导体器件最主要的刻蚀方法。伴随着国际半导体行业的产能危机,国内等离子体刻蚀机需求或将爆发。通过分析海关等离子体刻蚀机的进口情况,可以从一个侧面反映出中国等离子体刻蚀机市场的一些情况。2020年是特殊的一年,新冠肺炎疫情在全球爆发,各行各业都受到了一定的影响,包括半导体产业。为了解过去近两年中等离子体刻蚀机的进出口情况,仪器信息网特别对2019、2020年1-12月,等离子体刻蚀机(商品编码84862041)进出口数据进行了分析汇总,为大家了解中国目前等离子体刻蚀机市场做一个参考。2019、2020年1-12月海关等离子体刻蚀机进出口数据统计统计年月进口量(台)进口金额(人民币:元)出口量(台)出口金额(人民币:元)2019年1-12月109712,685,798,98279353,896,8762020年1-12月127616,949,614,747122577,419,680从上表可以看到,2020年1-12月,我国共进口等离子体刻蚀机1276台,进口额约为170亿元,进口单价约为1328万元。而2019年同期,等离子体刻蚀机进口1097台,进口额约为127亿元,进口单价约为1156.4万元。与去年同期相比,2020年1-12月我国等离子体刻蚀机进口台数增加约16.3%,进口额增加约33.6%,进口单价提高约15%。从整体来看,2020年进口等离子体刻蚀机市场增长非常明显,同时进口单价也略有提高。而从出口情况来看,2020年1-12月,我国共出口等离子体刻蚀机122台,出口额约为5.8亿元,出口单价约为473万元。而2019年同期,等离子体刻蚀机出口79台,出口额约为3.54亿元,出口单价约为448万元。总体而言,我国等离子体刻蚀机出口量仍然很少,但2020年比上年同期出口金额明显增加约63%,出口数量增加约54%,出口单价也略有提高。2019、2020年1-12月等离子体刻蚀机进口量逐月数据图(单位:台)对2020年1-12月等离子体刻蚀机进口量逐月数据分析发现,并对比2019年同期数据可以明显看出,2020年等离子体刻蚀机进口数量明显有所增加,且逐月变化较为明显,其中2020年1月受国内新冠肺炎疫情影响,等离子体刻蚀机进口数量较去年有所下降,而则2~4月份迎来“报复性”增长,等离子体刻蚀机进口台数比去年同期多大约一半,5~7月每月进口数量与去年有所增长,但增幅有所下降,8月进口数量较去年同期有所下降,可能受国外新冠疫情影响,而9月进口量的大爆发可能是为了弥补8月份进口量不足的部分。10-11月平稳增加,但12月进口量再次下降,这可能来自于特朗普政府将中芯国际列入“实体清单”和冬季疫情反扑的多重影响。2019、2020年1-12月等离子体刻蚀机进口金额逐月数据图(单位:人民币/亿元)对2020年1-12月等离子体刻蚀机进口金额逐月数据分析发现,并对比2019年同期数据可以明显看出,除12月较去年进口金额有所下降以外,等离子体刻蚀机每月进口金额都较去年同期有所增加,其中,6、7、11月较去年增长幅度较小之外,但其他月份增幅明显。值得注意的是,9月进口额更是达到了去年同期的两倍以上,一个可能的原因是9月份台积电停止为华为代工芯片,华为大量订单转向国内代工厂生产,国内代工厂的扩大产能所导致。2019、2020年1-12月等离子体刻蚀机主要海关进口贸易伙伴数量(单位:台)2019、2020年1-12月等离子体刻蚀机主要海关进口贸易伙伴金额(单位:人民币/亿元)2020年1-12月等离子体刻蚀机海关进口贸易伙伴金额分布图根据海关数据,近两年我国主要从美国、日本、新加坡、韩国、中国台湾、马来西亚、英国以及德国等贸易伙伴进口等离子体刻蚀机。其中进口金额最高的前5个贸易伙伴分别是美国、日本、新加坡、韩国和中国台湾。从数据中可以看出,我国等离子体刻蚀机对美日依赖严重。2020年1-12月等离子体刻蚀机进口企业注册地数量分布(单位:台)2020年1-12月等离子体刻蚀机进口企业注册地金额分布(单位:人民币/亿元)通过海关进口等离子体刻蚀机的企业注册地数据,可以大致了解到进口等离子体刻蚀机在国内的“落脚地”。可以看出 ,2020年,江苏、上海、湖北、陕西等省市进口等离子体刻蚀机数量较多,而这些地区也是我国经济较发达,半导体相关行业比较发达的省份和地区。就海关进出口数据来看,等离子体刻蚀机在国内的市场潜力非常巨大,2020年尽管新冠疫情爆发给各行各业造成一定影响,但我国等离子体刻蚀机市场增长依然明显,但由于进口等离子体刻蚀机美日产品占据主流,受到美国贸易战影响较大,国内产线等离子体刻蚀机的“去美化”迫在眉睫。另一方面,由于国内掌握等离子体刻蚀机所涉及的核心零部件、研发人才等仍然相对较少,虽然在介质刻蚀机上的研究已逐渐达到国际先进水平,但难度较大的深硅等离子体刻蚀机的发展距美、日还有一定差距。同时,由于半导体设备企业与晶圆代工厂的工艺深度绑定,也使得等离子体刻蚀机为代表的半导体设备仍依赖进口,受制于人。不过,近年来随着以中微半导体、北方华创等国内等离子体刻蚀机厂商的崛起,国产刻蚀机在一定程度上也能满足部分企业的要求。未来,伴随着中美半导体产业的争夺和全面“去美化”的浪潮,等离子体刻蚀机的国内市场占有率将有望进一步提升。
  • 等离子体刻蚀机、PVD和扫描电镜等创新成果亮相2024清华大学工程博士论坛!
    仪器信息网讯 2024年5月18-19日,2024清华大学国家卓越工程师学院春季工程博士论坛在北京亦庄举办。论坛围绕“先进装备”“大健康”“未来建设”“工业软件”“集成电路”“新能源”“综合交通”“大数据AI”“智能制造”九大产业集群要素开展主题沙龙。本次论坛作为又一次盛大的学术交流活动,现场展出了诸多优秀创新成果,仪器设备相关成果也位于其中,如“应用于集成电路制造的12英寸电感耦合等离子体刻蚀机和硅通孔(TSV)铜籽晶层物理气相成绩(PVD)设备”、“单束高通量扫描电镜及其跨尺度材料观测分析”。成果一:等离子体刻蚀机和硅通孔(TSV)铜籽晶层物理气相成绩(PVD)设备一、主要工程技术难点和创新性1、等离子体刻蚀机:先进脉冲射频脉冲等离子体产生和控制技术,实现多种等离子体参数的调控 先进的抗等离子体刻蚀的涂层技术实现纳米级别的颗粒环境调控,复合径向和角向联合小区域精确控温技术实现优异的整片关键尺寸均匀性,高精度终点检测技术(如光学发射光谱和光学相干光谱)识别精细刻蚀工艺过程中信号强度变化 双重/四重图形曝光工艺能力实现小线宽的图形控制等技术。2、TSV铜籽晶层物理气相沉积设备:高离化率磁控管技术、带有偏压的低温ESC技术 实现高深宽比下高台阶覆盖率沉积 实现优异的颗粒控制 二、工程应用价值和成熟程度目前研发的等离子刻蚀机,通过实现优异的双重/多重图形曝光、高介电常数介质/金属栅等刻蚀工艺形貌控制,适用于鳍式晶体管、多层3D NAND 闪存高密度DRAM内存等先进结构生成,广泛应用于国际主流逻辑、存储等芯片制造生产。TSV铜籽晶层物理气相沉积设备,已经广泛应用于逻辑,存储和先进封装芯片领域,能够实现较高深宽比的硅通孔铜籽晶层沉积,该设备已在多家客户端实现量产应用,代表国产金属薄膜沉积设备的较高水平。成果二:“单束高通量扫描电镜及其跨尺度材料观测分析”创新性的设计单束扫描电镜的电子光学系统:1、采用浸没式的电磁复合透镜保证1nA的落点电流下实现1.8nm@1keV的分辨率。2、采用位于透镜中的背散射(BSE)和二次电子(SE)探测器提高信号电子收集效率和图像信噪比,实现最短10nS/像素的驻留时间,即实现100M像素/秒的成像速度。工程博士论坛每年春季学期和秋季学期各举办一次,旨在加强工程领域的学术交流,激发工程博士生的创新思维,提高工程博士生解决复杂工程技术问题、进行工程技术创新、组织工程技术研究开发工作等能力,促进跨界交叉融合创新,不断扩大工程博士生在工程界、学术界和社会上的影响,推进产教融合,高起点、高质量地培养造就工程技术领军人才。工程博士论坛自2019年创办至今,已先后在北京、南通、深圳、成都、海盐、武汉、上海成功举办9届,经过几年不断地建设和发展,论坛活动成效和影响力不断扩大,逐渐打造成彰显清华特色的学术品牌。工程博士论坛网站:http://qhgbforum.ihaogo.com/index.htmlfor
  • 牛津最新等离子技术App可用于等离子体刻蚀和沉积
    牛津仪器等离子技术最近更新的App包括一个明确和互动的元素周期表、详细的等离子体、离子束和原子层沉积工艺信息。它允许iPhone和iPad用户查阅工艺化学的相关信息,可以通过简单的周期表界面实现任何材料的刻蚀和沉积。  这个周期表App可以免费下载,将吸引大量的工业和学术界的用户。同时,它也是一个优秀的教学设备,可以展示单个元素属性和电子构型。

低温等离子体刻蚀设备相关的方案

  • 等离子体原子层刻蚀实现无损伤刻蚀
    提供等离子体原子层刻蚀实现无损伤刻蚀。原子层蚀刻(ALE)是一种技术允许每次精确除去一个原子层,是使用常规刻蚀无法达到的控制水平。 牛津仪器的设备和工艺已通过充分验证,正常运转时间可达90%以上,一旦设备安装完毕,可立即投入使用。PlasmaPro 100系列市场应用广,包括但不限于: MEMS和传感器、光电子、分立元器件和纳米技术。它具有足够的灵活性,可用于研究和开发,通过打造质量满足生产需求。
  • 低温等离子体技术在固体废弃物处理中的应用
    低温等离子体技术是集物理学 、化学 、生物学和环境化学于一体的全新技术 。本文叙述了低温等离子体的研究进展及其作用机理 , 探讨了该技术在固体废弃物处理中的应用现状 。同时 , 对低温等离子体反应器的结构特征 、 技术参数 、 工作机理以及处理工艺进行了综述 。作者在文中初步描述了研究低温等离子体技术的思路和想法 , 并展望了低温等离子体技术的发展前景 。
  • 低温等离子体技术在固体废弃物中的应用
    低温等离子体“三废”处理技术是集物理学、化学、生物学和环境科学为一体的全新技术,有可能作为一种高效率、低能耗的手段来处理环境中的有毒物质及难降解物质。

低温等离子体刻蚀设备相关的资料

低温等离子体刻蚀设备相关的试剂

低温等离子体刻蚀设备相关的论坛

  • 光刻工艺与刻蚀技术的研究

    光刻工艺光刻是用光刻胶、掩模和紫外光进行微制造 ,工艺如下 :(a)仔细地将基片洗净;(b)在干净的基片表面镀上一层阻挡层 ,例如铬、二氧化硅、氮化硅等;(c) 再用甩胶机在阻挡层上均匀地甩上一层几百 A厚的光敏材料——光刻胶。光刻胶的实际厚度与它的粘度有关 ,并与甩胶机的旋转速度的平方根成反比;(d) 在光掩模上制备所需的通道图案。将光掩模复盖在基片上,用紫外光照射涂有光刻胶的基片,光刻胶发生光化学反应;(e)用光刻胶配套显影液通过显影的化学方法除去经曝光的光刻胶。这样,可用制版的方法将底片上的二维几何图形精确地复制到光刻胶层上;(f) 烘干后 ,利用未曝光的光刻胶的保护作用 ,采用化学腐蚀的方法在阻挡层上精确腐蚀出底片上平面二维图形。掩模制备用光刻的方法加工微流控芯片时 ,必须首先制造光刻掩模。对掩模有如下要求:a.掩模的图形区和非图形区对光线的吸收或透射的反差要尽量大;b.掩模的缺陷如针孔、断条、桥连、脏点和线条的凹凸等要尽量少;c.掩模的图形精度要高。通常用于大规模集成电路的光刻掩模材料有涂有光胶的镀铬玻璃板或石英板。用计算机制图系统将掩模图形转化为数据文件,再通过专用接口电路控制图形发生器中的爆光光源、可变光阑、工作台和镜头,在掩模材料上刻出所需的图形。但由于设备昂贵,国内一般科研单位需通过外协解决,延迟了研究周期。由于微流控芯片的分辨率远低于大规模集成电路的要求,近来有报道使用简单的方法和设备制备掩模,用微机通过CAD软件将设计微通道的结构图转化为图象文件后,用高分辨率的打印机将图象打印到透明薄膜上,此透明薄膜可作为光刻用的掩模,基本能满足微流控分析芯片对掩模的要求。湿法刻蚀在光刻过的基片上可通过湿刻和干刻等方法将阻挡层上的平面二维图形加工成具有一定深度的立体结构。近年来,使用湿法刻蚀微细加工的报道较多,适用于硅、玻璃和石英等可被化学试剂腐蚀的基片。已广泛地用于电泳和色谱分离。湿法刻蚀的程序为 :(a) 利用阻挡层的保护作用,使用适当的蚀刻剂在基片上刻蚀所需的通道 ;(b) 刻蚀结束后 ,除去光胶和阻挡层,即可在基片上得到所需构型的微通道;(c)在基片的适当位置(一般为微通道的端头处)打孔,作为试剂、试样及缓冲液蓄池。刻有微通道的基片和相同材质的盖片清洗后,在适当的条件下键合在一起就得到微流控分析芯片。玻璃和石英湿法刻蚀时,只有含氢氟酸的蚀刻剂可用,如HF/HNO3,HF/ NH4。由于刻蚀发生在暴露的玻璃表面上,因此,通道刻的越深,通道二壁的不平行度越大 ,导至通道上宽下窄。这一现象限制了用湿法在玻璃上刻蚀高深宽比的通道。等离子体刻蚀等离子体刻蚀是一种以化学反应为主的干法刻蚀工艺,刻蚀气体分子在高频电场作用下,产生等离子体。等离子体中的游离基化学性质十分活泼,利用它和被刻蚀材料之间的化学反应,达到刻蚀微流控芯片的目的。等离子体刻蚀已应用于玻璃、石英和硅材料上加工微流控芯片 , 如石英毛细管电泳和色谱微芯片。先在石英基片上涂上一层正光胶 (爆光后脱落的光胶),低温烘干后,放置好掩模,用紫外光照射后显影,在光胶上会产生微结构的图象。然后用活性CHF3等离子体刻蚀石英基片 ,基片上无光胶处会产生一定的深度通道或微结构。这样可产生高深宽比的微结构。近来,也有将等离子体刻蚀用于加工聚合物上的微通道的报道。http://www.whchip.com/upload/201610/1477271936108203.jpg

  • 高温等离子体和低温等离子体

    等离子体可以按温度分为高温等离子体和低温等离子体两大类。当温度高达10[sup]6[/sup]-10[sup]8[/sup]K时,所有气体的原子和分子完全离解和电离,称为高温等离子体;当温度低于10[sup]5[/sup]K时,气体部分电离,称为低温等离子体。在实际应用中又把低温等离子体分为热等离子体和冷等离子体。当气体压力在1.013X10[sup]5[/sup]帕(相当1大气压)左右,粒子密度较大,电子浓度高,平均自由程小,电子和重粒子之间碰撞频繁,电子从电场获得动能很快传递给重粒子,这样各种粒子(电子、正离子、原子、分子)的热运动能趋于相近,整个气体接进或达到热力学平衡状态,此时气体温度和电子温度基本相等,温度约为数千度到数万度,这种等离子体称为热等离子体。例如直流等离子体喷焰(DCP)和电感耦合等离子体炬(ICP)等都是热等离子体,如果放电气体压力较低,电子浓度较小,则电子和重粒子碰撞机会就少,电子从电场获得的动能不易与重粒子产生交换,它们之间动能相差较大电子平均动能可达几十电子伏,而气体温度较低,这样的等离子体处于非热力学平衡体系,叫做冷等离子体,例如格里姆辉光放电、空心阴极灯放电等。

  • 【分享】科学家发现低温等离子体杀菌更强 可代替抗生素

    北京时间12月26日消息,据国外媒体报道,科学家可能已经找到一种治疗感染比抗生素更好的方法。这种方法不是另一种药物,而是物理学成果——低温等离子体。这里的“冷”不是在北极感觉到的冷;而是有点像滚烫的对立面。等离子体是一种离子化气体,有时又被称作物质的第四态,一般温度高达数千摄氏度,热等离子体通常被用来给医疗设备杀菌。低温等离子体的温度接近室温。直到最近科学家才能在一个大气压环境下,让等离子体的温度平稳保持在35摄氏度到40摄氏度之间。这种温度足以安全触摸。俄罗斯莫斯科Gamaleya流行病学和微生物学研究所的斯维特拉娜·哀莫列娃和她的科研组,想看一看低温等离子体是如何对抗可引起感染的有害细菌的。他们利用实验室里的低温等离子体焰炬(低温等离子体燃烧器)轰击两种常见细菌——绿脓杆菌(Pseudomonas aeruginosa) 和金黄色葡萄球菌,这些细菌经常出现在伤口感染处,但对抗生素具有耐药性,因为它们拥有被称作生物膜的保护层。5分钟后,等离子体焰炬杀死了一个皮氏培养皿里生长的99%的细菌,10分钟后,它杀死一只受伤老鼠伤口处的90%的细菌。由于这种焰炬能直接瞄准小面积的特定感染区域,因此在治疗过程中周围组织不会受损。哀莫列娃在一次吹风会上说:“低温等离子体通过破坏细菌的DNA及其表面结构,可以杀死细菌,这一过程不会损伤人体组织。更重要的是,我们已经证实等离子体可以杀死生长在伤口处的由生物膜保护的细菌,不过试验证实,更厚的生物膜对治疗具有一定的抵抗力。”研究人员把他们的研究成果发表在《微生物医学杂志》(Journal of Medical Microbiology)上。抗生素或许很快会遇到它的竞争者。低温等离子体疗法不仅避免了药物经常引发的副作用,而且这种离子化焰炬不管细菌对抗生素有没有耐药性,一律都会杀掉。没有细菌能逃过等离子体的“五指山”。(来源科学网)

低温等离子体刻蚀设备相关的耗材

  • 微结构加工服务 激光微加工 微结构激光刻蚀
    上海屹持光电技术有限公司专业提供各种微纳结构加工服务典型案例: FIB加工微纳结构 紫外光刻微纳结构单晶硅反应离子刻蚀图片 ICP刻蚀微纳结构纳米压印点线图微流控细胞打印EBL 刻写微纳阵列FIB用于器件电极沉积激光直写图案激光直写器件微纳结构加工主要设备1,电子束曝光系统;2,聚焦离子束/ 扫描电子显微镜双束系统;3,双面对准接触式紫外光刻机;4,单面对准紫外光刻机;5,金属高密度等离子体刻蚀机;6,硅刻蚀高密度等离子体刻蚀机;7,反应等离子体刻蚀机;8,纳米压印机。
  • 微波等离子体清洗器配件
    微波等离子体清洗器配件是目前最为先进的等离子体清洗机,采用微波能量生产等离子体,在氧气或氩气以1-5torr的压力流经样品室时,微波能会有效地激发等离子体。等离子体清洗机配件产生的等离子体是电中性的高度电离的气体,这种等离子流经污染表面与之发生反应,污染表面自好清洗而不影响材料的大部分特性。与其他等离子产生方法不同,这款微波等离子清洗器使用2.45GHz的微波能,具有可调的的功率占空比和模拟功率调节功能。功率可调范围高达10-550瓦。使用该产品,可以获得更高的气压,更高的功率和更高的温度,当然,您将获得以前从未实现的更高的反应速度。微波等离子体清洗器配件特点微波等离子清洗技术是一种革命性的清洗方法。微波等离子清洗器本身价格不高,安全而易于使用,而且还节省空间。这种等离子体清洗机,微波清洗器不产生垃圾,不排放有毒有害的溶解物或气体,不需要独立的操作空间。是一种远远比化学清洗方法安全经济环保的清洗方式。我们提供三种规格的微波等离子体清洗器,这三款等离子体清洗机,微波清洗器的区别主要在于耐温玻璃样品室的容积大小。第一种等离子体清洗机,微波清洗器的样品室是直径4.1’’x6’’长,第二种等离子体清洗器是8’’x6’’x2’’,第三种是9’’x7’’x3’’。具有长方形样品室的清洗器都配有水冷系统可以控制温度,这样就可以清洗更多种类的器具而不必单位热损伤。微波等离子体清洗器配件配置:1.水循环浴;2.双气真空流动控制器:可与微波等离子清洗器联合使用的独立的器件,它的作用是按不同比例混合两种气体。该控制器包括为真空泵和水循环浴提供的功率输出,两个流量(0-5SCFM)计,两个压力计(0-60帕),一个真空压力计(0-30’’Hg)和一个开关;3.离子阱:该离子阱用于保护易损伤材料,如:激光二极管发光面,光刻胶等。该离子阱可以中和带电离子,从而只允许中性辐射物参与清洗使得易伤材料免于清洗伤害。
  • 等离子体主动热探头
    等离子体主动热探头是耐高温的等离子探头,用于高温等离子体过程中流入到目标表面的能量,也可作为离子流探头使用。由于等离子体主动热探头的灵敏度非常高,特别适合用于工业生产过程或研究中的有效质量控制。有一个特殊的版本,该版本有一个更多可选的可调参数,可以用来解决等离子体工艺的研发。等离子体主动热探头特点在生产高品质涂层或研究材料属性过程中,对等离子体工艺的表征,控制和监测是至关重要的。最重要的一个参数是通到基底的实际能量流入和总能量流入—主动热探头是测量这个决定性的量数的唯一工具。增殖的粒子影响基底的表面工艺和反应。这种能量与其他如热辐射能或化学能合成总流入能量。主动热探头连续定向测量流入的能量,保持层和表面性质很好的相关性。等离子体主动热探头产品概述适用于真空耐温高达450°C能量流入可多达(2±0,001)W/cm2 可衡量可变长度和几何图形包括系统控制和评估的软件包提供安装服务和流程优化咨询
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