低温等离子体刻蚀设备

微波等离子体刻蚀机VP-Q5等离子激发频率2.45GHz，真空腔体石英玻璃材料，腔体容积5升，中英文操作系统，触摸屏控制，频率2.45GHz有强的化学作用，适用于芯片微波刻蚀、晶圆去胶、半导体光刻胶去除、金属油污去除、半导体、塑料、PP、高分子等材料清洗，活化，蚀刻和改性。

等离子体清洗好处,对PTFE进行等离子活化处理,蚀刻工艺,为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺,并得到了应用,等离子体清洗与其它清洗方式对比表.等离子体清洗好处：　１、其除去了有机层（含碳污染物），其会受到例如， 氧气 和空气的化 腐蚀，通过超压吹扫，将其从表面去除。　　　通过等离子体中的高能量粒子，脏污会转化为 稳定的小型分子 ，并借此将其移除，处理过程中脏污的厚度只允许达到 几百纳米 ，因为等离子的清除速度仅能够达到每次几 nm。　　　脂肪含有诸如锂化合物之类的成分。仅能够除去其 有机成分 。这一点同样适用于指纹。故此，建议戴手套。　２、还原氧化物　　　金属氧化物会和工艺气体发生化学反应。作为工艺气体，使用了氢气和氩气或氮气的混合物。等离子体射流的热效应可能会导致进一步的氧化。故此建议在惰性气体环境下进行处理。常压等离子激活处理主要用于哪些方面？　　这种技术非常适用于以下工艺过程：　１、在粘合之前对塑料进行局部的等离子活化处理　２、在粘合、植绒、印刷（例如，汽车行业中的橡胶型材）之前，对弹性体进行等离子活化处理　３、在粘合或者粘接之前，对金属和陶瓷表面进行局部的等离子活化处理　４、极为适合在直接于移印机中移印之前，对塑料零部件进行处理。用常压等离子体进行活化处理能够为我们带来哪些主要优势？　技术适用于在线工艺，例如，在对连续型橡胶型材、软管进行印刷、胶粘，植绒或者涂层之前进行等离子活化。　等离子体清洗与其它清洗方式对比表：应用用途和特性低压等离子体的优点低压等离子体的缺点常压等离子体的优点常压等离子体的缺点普通的等离子体生成在等离子腔体室中均匀分布等离子体，腔室体积可变复杂的真空技术，在线等离子处理应用受到一定的限制可以直接在输送带上进行等离子处理，适用于在线处理，无需任何真空技术由于等离子体激发原理的原因，等离子处理痕迹有限，处理较大的对象的时候，必须使用多个喷嘴对金属进行处理可对易氧化的对象进行等离子清洗进行微波激发的时候，对象上可能会相应产生能量，这会造成对象过热对铝进行等离子处理的时候，可以生成很薄的氧化层对易氧化的对象进行等离子清洗，受到一定的限制对聚合物弹性体进行处理无法对PTFE进行等离子活化处理，蚀刻工艺，为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺，并得到了应用某些材料需要用到较大型的泵，以便达到必须的工艺压力无法对连续型对象进行预处理，工艺时间很短等离子射流的温度为约 200 - 300 °C。必须对表面的工艺温度进行很好的调节，以防止着火（很薄的材料）3D对象对等离子体腔室中的所有对象进行均匀处理。即使是中空腔室也可以从内部进行处理（例如，点火线圈、水箱等）未知可进行局部表面处理（例如，粘结槽口）需要使用复杂的多关节型机器人技术。常压等离子体的间隙渗透性受到一定的限制散装部件通过转鼓法可以对散装部件进行均匀的等离子处理。零部件的件数和体积可以有所不同其仅能够使用转鼓的 1/3 体积（建议）可以直接在输送带上处理对象对象必须极为精确的定位在输送带上电子，半导体技术借助低压等离子体对电子元件、电路板和半导体部件进行等离子处理是先进的技术。未知金属或者 ITO 触点可在粘接处理之前进行等离子预处理（例如，LCD、TFT 和芯片的生产）涂层工艺生成均匀的涂层。研发了很多 PECVD 和 PVD 工艺，并得到了应用可能会造成等离子体腔室的污染具有很多的工业用途尚不具有任何的工业用途

产品详情英国牛津OXFORD 等离子体刻蚀机PlasmaPro 80 ICP PlasmaPro 80 ICP是一种结构紧凑、小型且使用方便的直开式系统，可提供多种刻蚀解决方案。 它易于放置，便于使用，且能够确保工艺质量。直开式设计允许快速的进行晶圆装卸，是科学研究、原型设计和少量生产的理想选择。 该设备通过优化了的电极冷却技术和出色的衬底温度控制来实现高度稳定的工艺结果。。直开式设计允许快速装卸晶圆。出色的刻蚀深度和刻蚀速率控制。出色的晶圆温度均匀性。晶圆最大可达200mm。购置成本低。符合半导体行业 S2 / S8标准 应用: III-V族材料刻蚀工艺 硅 Bosch和超低温刻蚀工艺 二氧化硅和石英刻蚀 用于失效分析的干法刻蚀解剖工艺，可处理封装好的芯片、 裸晶片以及200mm晶圆 用于高亮度LED生产的硬掩模的沉积和刻蚀 特点: 小型系统 —— 易于安置 优化的电极冷却系统 —— 衬底温度控制 高导通的径向（轴对称）抽气结构 —— 确保能提升工艺均匀性和速率 增加500毫秒的数据记录功能 —— 可追溯腔室和工艺条件的历史记录 近距离耦合涡轮泵 —— 抽速高迅速达到所要求的低真空度 关键部件容易触及 ——系统维护变得直接简单 X20控制系统——大幅提高了数据信息处理能力， 并且可以实现更快更可重复的匹配 通过前端软件进行设备故障诊断 —— 故障诊断速度快 用干涉法进行激光终点监测 —— 在透明材料的反射面上测量刻蚀深度 (例如硅上的氧化物)，或者用反射法来确定非透明材料 (如金属) 的边界 用发射光谱（OES）实现较大样品或批量工艺的终点监测 —— 监测刻蚀副产物或反应气体的消耗量的变化，以及用于腔室清洗的终点监测

牛津Oxford等离子体刻蚀机PlasmaPro 80 RIE PlasmaPro 80是一种结构紧凑、小尺寸且使用方便的直开式系统，可以提供多种刻蚀和沉积的解决方案。 它易于放置，便于使用，且能确保工艺性能。直开式设计可实现快速晶圆装卸，是研究和小批量生产的理想选择。 它通过优化的电极冷却和出色的衬底温度控制来实现高质量的工艺。。直开式设计允许快速装卸晶圆。出色的刻蚀控制和速率测定。出色的晶圆温度均匀性。晶圆最大可达200mm。购置成本低。符合半导体行业 S2 / S8标准 应用: III-V族材料刻蚀工艺 硅 Bosch和超低温刻蚀工艺 类金刚石（DLC）沉积 二氧化硅和石英刻蚀 用特殊配置的PlasmaPro FA设备进行失效分析的干法刻蚀解剖工艺，可处理封装好的芯片, 裸晶片，以及200mm晶圆 用于高亮度LED生产的硬掩模的刻蚀 系统特点 小型系统 —— 易于安置 优化的电极冷却系统 —— 衬底温度控制 高导通的径向（轴对称）抽气结构 —— 确保能提升工艺均匀性和速率 增加500毫秒的数据记录功能 —— 可追溯腔室和工艺条件的历史记录 近距离耦合涡轮泵 —— 抽速高迅速达到所要求的低真空度 关键部件容易触及 ——系统维护变得直接简单 X20控制系统——大幅提高了数据信息处理能力， 并且可以实现更快更可重复的匹配 通过前端软件进行设备故障诊断 —— 故障诊断速度快 用干涉法进行激光终点监测 —— 在透明材料的反射面上测量刻蚀深度 （例如硅上的氧化物），或者用反射法来确定非透明材料（如金属）的边界 用发射光谱（OES）实现较大样品或批量工艺的终点监测 —— 监测刻蚀副产物或反应气体的消耗量的变化，以及用于腔室清洗的终点监测

产品详情牛津Oxford等离子体刻蚀机PlasmaPro 80 RIE PlasmaPro 80是一种结构紧凑、小尺寸且使用方便的直开式系统，可以提供多种刻蚀和沉积的解决方案。 它易于放置，便于使用，且能确保工艺性能。直开式设计可实现快速晶圆装卸，是研究和小批量生产的理想选择。 它通过优化的电极冷却和出色的衬底温度控制来实现高质量的工艺。。直开式设计允许快速装卸晶圆。出色的刻蚀控制和速率测定。出色的晶圆温度均匀性。晶圆最大可达200mm。购置成本低。符合半导体行业 S2 / S8标准 应用: III-V族材料刻蚀工艺 硅 Bosch和超低温刻蚀工艺 类金刚石（DLC）沉积 二氧化硅和石英刻蚀 用特殊配置的PlasmaPro FA设备进行失效分析的干法刻蚀解剖工艺，可处理封装好的芯片, 裸晶片，以及200mm晶圆 用于高亮度LED生产的硬掩模的刻蚀 系统特点 小型系统 —— 易于安置 优化的电极冷却系统 —— 衬底温度控制 高导通的径向（轴对称）抽气结构 —— 确保能提升工艺均匀性和速率 增加500毫秒的数据记录功能 —— 可追溯腔室和工艺条件的历史记录 近距离耦合涡轮泵 —— 抽速高迅速达到所要求的低真空度 关键部件容易触及 ——系统维护变得直接简单 X20控制系统——大幅提高了数据信息处理能力， 并且可以实现更快更可重复的匹配 通过前端软件进行设备故障诊断 —— 故障诊断速度快 用干涉法进行激光终点监测 —— 在透明材料的反射面上测量刻蚀深度 （例如硅上的氧化物），或者用反射法来确定非透明材料（如金属）的边界 用发射光谱（OES）实现较大样品或批量工艺的终点监测 —— 监测刻蚀副产物或反应气体的消耗量的变化，以及用于腔室清洗的终点监测

l 方案是适用于最大 8 吋晶圆的多腔等离子体刻蚀工艺系统l 系统可用于研发和小批量生产l 系统兼容 8 吋、6 吋、4 吋、3 吋晶圆和不规则碎片；不同尺寸样片之间的切换、无需反应腔的开腔破真空 l 系统包括：一个六端口的转接腔、带机械手六个端口分别连接：（1）一个ICP-RIE 刻蚀腔模块：专用于刻蚀铌酸锂（2）一个ICP-RIE 刻蚀腔模块：配氟基气体，主要用于刻蚀介质、光刻胶去胶等 （3）一个 RIE 刻蚀腔模块：配氯基气体，主要用于刻蚀金属等（4）一个 loadlock 预真空室模块：用于单片样品的手动送样 （5）一个真空片盒站模块：用于多片片盒的自动送样 （6）一个端口备用，未来可升级增加 1 个刻蚀或沉积反应腔模块

总部位于德国柏林科技园区的SENTECH仪器公司，已成为光伏生产设备世界市场之 一.我们是一家快速发展的中型公司，拥有60多名员工，他们是我们有价值的资产我们団 队的每个成员都为公司的成功做出贡献，我们总是在寻找与我们志同道合的新工作伙伴，我 们诚挚期待您的加入。 等离子刻蚀设备ICP-RIE等离子刻蚀机SI500产品介绍高端等离子刻蚀设备SI 500使用低离子； 能量的电感耦合等离子体用于低损伤刻: 蚀和纳米结构刻蚀。通过在广泛的温度: 范围内的动态温度控制确保了可重复且稳定的等离子刻蚀条件。深反应等离子；刻蚀（硅，III-V族半导体，MEMS）可: 采用低温工艺和室温下的气体切换工艺: 来实现。 特点*低损伤刻蚀 ?高速刻蚀*自主研发的ICP等离子源*动态温度控制 RIE等离子刻蚀机Etchlab 200产品介绍：经济型等离子刻蚀设备EtchLab 200具备 低成本效益高的特点，并且支持揭盖直接 放置样片。EtchLab 200允许通过载片 器，实现多片工艺样品的快速装载，也可 以直接快速地把样品装载在电极上。RIE等离子体刻蚀设备具备占地面积小， 模块化和灵活性等设计特点. 特点*低成本效益高*升级扩展性*SENTECH控制软件RIE等离子刻蚀机SI 591产品介绍SI 591特别适用于采用氟基和氣基 :气体的工艺，可以通过预真空室和电 :脑控制的等离子工艺系统实现。SI 591的特点是占地空间小，高度灵活性，例如，SI 591可作为单一反应腔系统集成在多腔系统中。特点工艺灵活性*占地面积小且模块化程度高*SENTECH控制软件

低损伤刻蚀由于离子能量低，离子能量分布带宽窄，因此可以用我们的等离子体刻蚀机SI 500进行低损伤刻蚀和纳米结构的刻蚀。高速刻蚀对于具有高深宽比的高速硅基MEMS刻蚀，光滑的侧壁可以通过室温下气体切换工艺或低温工艺即可很容易地实现。自主研发的ICP等离子源三螺旋平行板天线(PTSA)等离子源是SENTECH高端等离子体工艺设备的独特属性。PTSA源能生成具有高离子密度和低离子能量的均匀等离子体。它具有高耦合效率和非常好的起辉性能，非常适用于加工各种材料和结构。动态温度控制在等离子体刻蚀过程中，衬底温度的设定和稳定性对于实现高质量蚀刻起着至关重要的作用。动态温度控制的ICP衬底电极结合氦气背冷和基板背面温度传感，可在-150°C至+400°C的广泛温度范围内提供了优良的工艺条件。SI 500为研发和生产提供先进的电感耦合等离子体(ICP)工艺设备。它基于ICP等离子体源PTSA，动态温度控制的衬底电极，全自动控制的真空系统，使用远程现场总线技术的先进的SETECH控制软件和用于操作SI 500的用户友好的通用接口。灵活性和模块化是SI 500主要的设计特点。SI 500 ICP等离子刻蚀机，可以用于加工各种各样的衬底，从直径高达200 mm的晶片到装载在载片器上的零件。单晶片预真空室保证稳定的工艺条件，并且切换工艺非常容易。SI 500 ICP等离子刻蚀机，通过配置可用于刻蚀不同材料，包括但不仅限于例如三五族化合物半导体(GaAs, InP, GaN, InSb)，介质，石英，玻璃，硅和硅化合物(SiC, SiGe),还有金属等。SENTECH提供用户不同级别的自动化程度，从真空片盒载片到一个工艺腔室到六个工艺模块端口，可用于不同的蚀刻和沉积工艺模块组成多腔系统，目标是高灵活性或高产量。SI 500 ICP等离子刻蚀机也可用作多腔系统中的工艺模块。SI500SI 500 CSI 500 RIESI 500-300 ICP等离子刻蚀机带预真空室适用于200mm的晶片衬底温度从-20&thinsp °C到300&thinsp °C联系我们 想获取更多信息，请点击此处。

产品详情Oxford System 100 等离子刻蚀与沉积设备 该设备是一个灵活和功能强大的等离子体刻蚀和淀积工艺设备。 采用真空进样室进样可进行快速的晶片更换、采用多种工艺气体并扩大了允许的温度范围。具有工艺灵活性，适用于化合物半导体，光电子学，光子学，微机电系统和微流体技术， PlasmalabSystem100可以有很多的配置，详情如下。主要特点 可处理8 "晶片，也具有小批量（6 × 2"）预制和试生产的能力 选择单晶片/批处理或盒式进样，采用真空进样室。 该PlasmalabSystem100可以集成到一个集群系统中，采用中央机械手传送晶片，生产工艺中采用全片盒到片盒晶片传送. 采用一系列的电极进行衬底温度控制，其温度范围为-150 ° C至700° C 用于终端检测的激光干涉和/或光发射谱可安装在Plasmalab System100以加强刻蚀控制 选的6 或12路气箱为工艺流程和工艺气体提供了选择上的灵活性，并可以放置在远端，远离主要工艺设备工艺一些使用Plasmalab System100等离子刻蚀与沉积设备的例子： 低温硅刻蚀，深硅刻蚀和SOI工艺，应用于MEMS ，微流体技术和光子技术 用于激光器端面的III - V族刻蚀工艺，通过刻蚀孔、光子晶体和许多其他应用，材料范围广泛（InP, InSb, InGaAsP, GaAs, AlGaAs, GaN, AlGaN,等） GaN、AlGaN等的预生产和研发工艺，比如HBLED和其它功率器件的刻蚀 高品质，高速率SiO2沉积，应用于光子器件 金属（Nb, W）刻蚀

ICP-RIE等离子刻蚀机SI 500 低损伤刻蚀由于离子能量低，离子能量分布带宽窄，因此可以用我们的等离子体刻蚀机SI 500进行低损伤刻蚀和纳米结构的刻蚀。高速刻蚀对于具有高深宽比的高速硅基MEMS刻蚀，光滑的侧壁可以通过室温下气体切换工艺或低温工艺即可很容易地实现。自主研发的ICP等离子源三螺旋平行板天线(PTSA)等离子源是SENTECH高端等离子体工艺设备的独特属性。PTSA源能生成具有高离子密度和低离子能量的均匀等离子体。它具有高耦合效率和非常好的起辉性能，非常适用于加工各种材料和结构。动态温度控制在等离子体刻蚀过程中，衬底温度的设定和稳定性对于实现高质量蚀刻起着至关重要的作用。动态温度控制的ICP衬底电极结合氦气背冷和基板背面温度传感，可在-150°C至+400°C的广泛温度范围内提供了优良的工艺条件。 SI 500为研发和生产提供先进的电感耦合等离子体(ICP)工艺设备。它基于ICP等离子体源PTSA，动态温度控制的衬底电极，全自动控制的真空系统，使用远程现场总线技术的先进的SETECH控制软件和用于操作SI 500的用户友好的通用接口。灵活性和模块化是SI 500主要的设计特点。SI 500 ICP等离子刻蚀机，可以用于加工各种各样的衬底，从直径高达200 mm的晶片到装载在载片器上的零件。单晶片预真空室保证稳定的工艺条件，并且切换工艺非常容易。SI 500 ICP等离子刻蚀机，通过配置可用于刻蚀不同材料，包括但不 于例如三五族化合物半导体(GaAs, InP, GaN, InSb)，介质，石英，玻璃，硅和硅化合物(SiC, SiGe),还有金属等。SENTECH提供用户不同级别的自动化程度，从真空片盒载片到一个工艺腔室到六个工艺模块端口，可用于不同的蚀刻和沉积工艺模块组成多腔系统，目标是高灵活性或高产量。SI 500 ICP等离子刻蚀机也可用作多腔系统中的工艺模块。SI 500： ICP等离子刻蚀机 带预真空室 适用于200mm的晶片 衬底温度从-20?°C到300?°C SI 500 C: 等温ICP等离子刻蚀机 带传送腔和预真空室 衬底温度从-150?°C到400?°C SI 500 RUE: RIE等离子刻蚀机 背面氦气冷却刻蚀的智能解决方案 电容耦合等离子体源，可升级成ICP等离子体源PTSA SI 500-300: ICP等离子刻蚀机 带预真空室 适用于300mm晶片

ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-230iP多功能负载锁设备概要RIE-230iP是以电感耦合等离子体为放电方式，高速进行各种材料的超精细加工的负载锁定型ICP蚀刻系统。该系统通过采用独特的龙卷风式线圈电极，高效地产生稳定的高密度等离子体，可对硅及各种金属薄膜和化合物半导体进行高精度的各向异性蚀刻。此外，ø 230mm的托盘可同时处理多种化合物半导体。主要特点和优点龙卷风线圈电极　它能有效地产生稳定的高密度等离子体，使蚀刻具有高选择性、高精度和良好的均匀性。低损伤工艺　通过ICP产生高密度的等离子体，实现了低偏置、低损伤的工艺。温度控制　电调和He冷却的平台和反应室内侧壁的温度控制使蚀刻在稳定的条件下进行。应用GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度加工。铁电材料、电极材料等难蚀材料的加工。

ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-230iPC量产设备概要RIE-230iPC是以电感耦合等离子体为放电方式，高速进行各种材料的超精细加工的盒式ICP蚀刻系统。该系统通过采用独特的龙卷风式线圈电极，高效地产生稳定的高密度等离子体，实现了对硅、各种金属薄膜和化合物半导体的高精度各向异性蚀刻。此外，ø 230mm的托盘可同时处理多种化合物半导体。主要特点和优点龙卷风线圈电极　它能有效地产生稳定的高密度等离子体，使蚀刻具有高选择性、高精度和良好的均匀性。低损伤工艺　通过ICP产生高密度的等离子体，实现了低偏置、低损伤的工艺。温度控制　电调和He冷却的平台和反应室内侧壁的温度控制使蚀刻在稳定的条件下进行应用GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度加工。铁电材料和电极材料的加工。

产品详情德Sentec电感耦合等离子体ICP干法刻机SI 500 ICP-RIE SI 500 德国Sentech等离子刻蚀机 低损伤刻蚀由于离子能量低，离子能量分布带宽窄，因此可以用我们的等离子体刻蚀机SI 500进行低损伤刻蚀和纳米结构的刻蚀。高速刻蚀对于具有高深宽比的高速硅基MEMS刻蚀，光滑的侧壁可以通过室温下气体切换工艺或低温工艺即可很容易地实现。自主研发的ICP等离子源三螺旋平行板天线(PTSA)等离子源是SENTECH高端等离子体工艺设备的独特属性。PTSA源能生成具有高离子密度和低离子能量的均匀等离子体。它具有高耦合效率和非常好的起辉性能，非常适用于加工各种材料和结构。动态温度控制在等离子体刻蚀过程中，衬底温度的设定和稳定性对于实现高质量蚀刻起着至关重要的作用。动态温度控制的ICP衬底电极结合氦气背冷和基板背面温度传感，可在-150°C至+400°C的广泛温度范围内提供了优良的工艺条件。SI 500为研发和生产提供先进的电感耦合等离子体(ICP)工艺设备。它基于ICP等离子体源PTSA，动态温度控制的衬底电极，全自动控制的真空系统，使用远程现场总线技术的先进的SETECH控制软件和用于操作SI 500的用户友好的通用接口。灵活性和模块化是SI 500主要的设计特点。SI 500 ICP等离子刻蚀机，可以用于加工各种各样的衬底，从直径高达200 mm的晶片到装载在载片器上的零件。单晶片预真空室保证稳定的工艺条件，并且切换工艺非常容易。SI 500 ICP等离子刻蚀机，通过配置可用于刻蚀不同材料，包括但不仅限于例如三五族化合物半导体(GaAs, InP, GaN, InSb)，介质，石英，玻璃，硅和硅化合物(SiC, SiGe),还有金属等。SENTECH提供用户不同级别的自动化程度，从真空片盒载片到一个工艺腔室到六个工艺模块端口，可用于不同的蚀刻和沉积工艺模块组成多腔系统，目标是高灵活性或高产量。SI 500 ICP等离子刻蚀机也可用作多腔系统中的工艺模块。 型号：SI500 ICP等离子刻蚀机 带预真空室适用于200mm的晶片衬底温度从-20?°C到300?°C型号：SI500C 等温ICP等离子刻蚀机带传送腔和预真空室衬底温度从-150?°C到400?°C型号：SI500-RIE RIE等离子刻蚀机背面氦气冷却刻蚀的智能解决方案电容耦合等离子体源，可升级成ICP等离子体源PTS型号：SI500-300 ICP等离子刻蚀机带预真空室适用于300mm晶片

ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-800iP卓越的重复性和稳定性概要高密度等离子体蚀刻系统采用电感耦合等离子体作为放电形式。该系统配备了真空盒室，是一套完整的生产系统，具有优良的工艺重复性和稳定性。主要特点和优点新的ICP源 "HSTC&trade : Hyper Symmetrical Tornado Coil"。　可高效稳定地应用高射频功率（2千瓦以上），并实现良好的均匀性。大流量排气系统　排气系统直接连接到反应室，可以实现从小流量和低压范围到大流量和高压范围的广泛工艺窗口。下电极升降机构　晶片和等离子体之间的距离经过优化，以确保良好的平面内均匀性。易于维护的设计　TMP(涡轮分子泵)集成在设备中，便于更换应用GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度加工。SiC、SiO₂ 的高速加工。蚀刻铁电材料（PZT、BST、SBT、SBT）、电极材料（Pt、Au、Ru、Al）和其他难以蚀刻的材料。複合式半導體晶片的等離子切割和薄型化。

ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-800iPCExcellent process repeatability and stability概要高密度等离子体蚀刻系统采用电感耦合等离子体作为放电形式。该系统配备了真空盒室，是一套完整的生产系统，具有优良的工艺重复性和稳定性。主要特点和优点新的ICP源 "HSTC&trade : Hyper Symmetrical Tornado Coil"。　可高效稳定地应用高射频功率（2千瓦以上），并实现良好的均匀性。大流量排气系统　排气系统直接连接到反应室，可以实现从小流量和低压范围到大流量和高压范围的广泛工艺窗口。下电极升降机构　晶片和等离子体之间的距离经过优化，以确保良好的平面内均匀性。易于维护的设计　TMP(涡轮分子泵)集成在设备中，便于更换。应用GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度加工。SiC、SiO₂ 的高速加工。蚀刻铁电材料（PZT、BST、SBT、SBT）、电极材料（Pt、Au、Ru、Al）和其他难以蚀刻的材料。複合式半導體晶片的等離子切割和薄型化。

ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-400iPC节省空间的生产设备概要高密度等离子体蚀刻系统采用电感耦合等离子体作为放电形式。该系统配备了真空盒室，是一个具有优良工艺重复性和稳定性的全规模生产系统。该系统是直径4英寸等小直径晶圆的专用系统，可以在最小的洁净室空间内安装。主要特点和优点新的ICP源 "HSTC&trade : Hyper Symmetrical Tornado Coil"　可高效稳定地应用高射频功率（2千瓦以上），并实现良好的均匀性。大流量排气系统　排气系统直接连接到反应室，可以实现从小流量和低压范围到大流量和高压范围的广泛工艺窗口。端点监测　干涉法和发射光谱终点监测仪可用于目标薄膜厚度的终点检测。易于维护的设计　TMP(涡轮分子泵)已集成在一个单元中，便于更换。应用GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度加工SiC、SiO₂ 的高速加工蚀刻铁电材料（PZT、BST、SBT、SBT）、电极材料（Pt、Au、Ru、Al）和其他难以蚀刻的材料

ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-400iPfor III-V semiconductors (GaN, GaAs, InP)概要RIE-400iP是用于ø 4 "晶圆的负载锁定型蚀刻系统，可对各种半导体和绝缘膜进行高精度、高均匀性加工。采用独特的龙卷风线圈的电感耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma)作为放电形式，可产生均匀、高密度的等离子体。另外，可以根据加工材料和加工内容选择合适的等离子体源。主要特点和优点新的ICP源 "HSTC&trade : Hyper Symmetrical Tornado Coil"　可高效稳定地应用高射频功率（2千瓦以上），并实现良好的均匀性。大流量排气系统　排气系统直接连接到反应室，可以实现从小流量和低压范围到大流量和高压范围的广泛工艺窗口。端点监测　干涉法和发射光谱终点监测仪可用于目标薄膜厚度的终点检测。易于维护的设计　TMP(涡轮分子泵)已集成在一个单元中，便于更换应用GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度蚀刻。生产半导体激光器和光子晶体。选项干涉式端点监测器 可进行高精度的端点检测，并可将蚀刻深度控制在所需深度。

产品详情德国Sentech等离子刻蚀机ICP-RIE SI 500 低损伤刻蚀由于离子能量低，离子能量分布带宽窄，因此可以用我们的等离子体刻蚀机SI 500进行低损伤刻蚀和纳米结构的刻蚀。 高速刻蚀对于具有高深宽比的高速硅基MEMS刻蚀，光滑的侧壁可以通过室温下气体切换工艺或低温工艺即可很容易地实现。 自主研发的ICP等离子源三螺旋平行板天线(PTSA)等离子源是SENTECH高端等离子体工艺设备的独特属性。PTSA源能生成具有高离子密度和低离子能量的均匀等离子体。它具有高耦合效率和非常好的起辉性能，非常适用于加工各种材料和结构。 动态温度控制在等离子体刻蚀过程中，衬底温度的设定和稳定性对于实现高质量蚀刻起着至关重要的作用。动态温度控制的ICP衬底电极结合氦气背冷和基板背面温度传感，可在-150°C至+400°C的广泛温度范围内提供了优良的工艺条件。 SI 500为研发和生产提供先进的电感耦合等离子体(ICP)工艺设备。它基于ICP等离子体源PTSA，动态温度控制的衬底电极，全自动控制的真空系统，使用远程现场总线技术的先进的SETECH控制软件和用于操作SI 500的用户友好的通用接口。灵活性和模块化是SI 500主要的设计特点。 SI 500 ICP等离子刻蚀机，可以用于加工各种各样的衬底，从直径高达200 mm的晶片到装载在载片器上的零件。单晶片预真空室保证稳定的工艺条件，并且切换工艺非常容易。 SI 500 ICP等离子刻蚀机，通过配置可用于刻蚀不同材料，包括但不仅限于例如三五族化合物半导体(GaAs, InP, GaN, InSb)，介质，石英，玻璃，硅和硅化合物(SiC, SiGe),还有金属等。SENTECH提供用户不同级别的自动化程度，从真空片盒载片到一个工艺腔室到六个工艺模块端口，可用于不同的蚀刻和沉积工艺模块组成多腔系统，目标是高灵活性或高产量。SI 500 ICP等离子刻蚀机也可用作多腔系统中的工艺模块。 SI 500 ICP等离子刻蚀机 带预真空室适用于200mm的晶片衬底温度从-20?°C到300?°C SI 500 C 等温ICP等离子刻蚀机带传送腔和预真空室衬底温度从-150?°C到400?°C SI 500 IRE RIE等离子刻蚀机背面氦气冷却刻蚀的智能解决方案电容耦合等离子体源，可升级成ICP等离子体源PTS SI 500-300ICP等离子刻蚀机带预真空室适用于300mm晶片

ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-350iPC最大ø 350毫米的托架概要RIE-350iPC是一种盒式装载电感耦合等离子体(ICP)蚀刻设备，可处理多达ø 350毫米的载盘，用于多晶圆批量处理。该系统为各种蚀刻应用提供了坚固可靠的硬件和卓越的工艺控制，具有较高的生产率，如功率器件、微型LED、VCSEL、LD、电容器和射频滤波器。主要特点和优点最大加工范围：ø 350 mm (ø 3" x 12, ø 4" x 8, ø 12" x 1)先进的ICP源HSTC&trade （Hyper Symmetrical Tornado Coil）能有效地提供均匀的高密度等离子体，并在大面积上具有优异的蚀刻均匀性。对称的疏散设计与TMP相结合，形成了高效的流动。优化的气体歧管，提供工艺气体的均匀性。可选的光学/干涉式端点检测系统可实现对多个工艺运行的精确蚀刻深度控制。应用GaN、GaAs、InP和SiC的高精度蚀刻SiN和SiO2的蚀刻电介质和金属的蚀刻用于HBLED的PSS（图案化蓝宝石衬底）加工

上海伯东 离子蚀刻机 20-M / NS-12适合大规模量产使用的离子刻蚀机基片尺寸直径 4英寸 X 12片直径 18英寸 X 3片样品台直接冷却离子源20cm 考夫曼离子源电源可更换为国内电源伯东离子蚀刻机主要优点：1. 干式制程的微细加工装置，使得在薄膜磁头，半导体元件， MR sensor 等领域的开发研究及量产得以广泛应用。2. 物理蚀刻的特性，无论使用什么材料都可以用来加工，所以各种领域都可以被广泛应用。3. 配置使用美国考夫曼公司原装制造的离子源。4. 射频角度可以任意调整，蚀刻可以根据需要做垂直，斜面等等加工形状。5. 基板直接加装在直接冷却装置上，所以可以在低温环境下蚀刻。6. 配置公转自转传输机构，使得被蚀刻物可以得到比较均匀平滑的表面。7. 机台设计使用自动化的操作流程，所以可以有非常友好的使用生产过程。离子蚀刻机 20-M / NS-12 图片：若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式：上海伯东: 罗女士

ICP-RIE等离子刻蚀机SI 500低损伤刻蚀由于离子能量低，离子能量分布带宽窄，因此可以用我们的等离子体刻蚀机SI 500进行低损伤刻蚀和纳米结构的刻蚀。高速刻蚀对于具有高深宽比的高速硅基MEMS刻蚀，光滑的侧壁可以通过室温下气体切换工艺或低温工艺即可很容易地实现。自主研发的ICP等离子源三螺旋平行板天线(PTSA)等离子源是SENTECH等离子体工艺设备的属性。PTSA源能生成具有高离子密度和低离子能量的均匀等离子体。它具有高耦合效率和非常好的起辉性能，非常适用于加工各种材料和结构。动态温度控制在等离子体刻蚀过程中，衬底温度的设定和稳定性对于实现高质量蚀刻起着至关重要的作用。动态温度控制的ICP衬底电极结合氦气背冷和基板背面温度传感，可在-150°C至+400°C的***温度范围内提供了优良的工艺条件。SI 500为研发和生产提供电感耦合等离子体(ICP)工艺设备。它基于ICP等离子体源PTSA，动态温度控制的衬底电极，全自动控制的真空系统，使用远程现场总线技术的***SETECH控制软件和用于操作SI 500的用户友好的通用接口。灵活性和模块化是SI 500主要的设计特点。SI 500 ICP等离子刻蚀机，通过配置可用于刻蚀不同材料，包括三五族化合物半导体(GaAs, InP, GaN, InSb)，介质，石英，玻璃，硅和硅化合物(SiC, SiGe),还有金属等。SENTECH提供用户不同级别的自动化程度，从真空片盒载片到一个工艺腔室到六个工艺模块端口，可用于不同的蚀刻和沉积工艺模块组成多腔系统，目标是高灵活性或高产量。SI 500 ICP等离子刻蚀机也可用作多腔系统中的工艺模块。RIE等离子刻蚀机Etchlab 200RIE等离子蚀刻机Etchlab 200结合平行板等离子体源设计与直接置片。升级扩展性根据其模块化设计，等离子蚀刻机Etchlab 200可升级为更大的真空泵组，预真空室和更多的气路。SENTECH控制软件该等离子刻蚀机配备了用户友好的强大软件，具有模拟图形用户界面，参数窗口，工艺编辑窗口，数据记录和用户管理。Etchlab 200 RIE等离子刻蚀机代表了直接置片等离子刻蚀机家族，它结合了RIE的平行板电极设计和直接置片的成本效益设计的优点。Etchlab 200的特征是简单和快速的样品加载，从零件到直径为200mm或300mm的晶片直接加载到电极或载片器上。灵活性、模块性和占地面积小是Etchlab 200 的设计特点。位于顶部电极和反应腔体的诊断窗口可以方便地容纳SENTECH激光干涉仪或OES和RGA系统。椭偏仪端口可用于SENTECH原位椭偏仪进行原位监测。RIE等离子刻蚀机SI 591工艺灵活性RIE蚀刻机SI 591 特别适用于氯基和氟基等离子蚀刻工艺占地面积小且模块化程度高SI 591 可配置为单个反应腔或作为片盒到片盒装载的多腔设备。SENTECH控制软件我们的等离子蚀刻设备包括用功能强大的用户友好软件与模拟图形用户界面，参数窗口，工艺窗口，数据记录和用户管理。预真空室和计算机控制的等离子体刻蚀工艺条件，使得SI 591 具有***的工艺再现性和等离子体蚀刻工艺灵活性。灵活性、模块性和占地面积小是SI 591的设计特点。样品直径大可达200mm，通过载片器加载。SI 591可以配置为穿墙式操作或具有更多选项的小占地面积操作。位于顶部电极和反应腔体的更大诊断窗口可以轻易地容纳SENTECH激光干涉仪或OES和RGA系统。椭偏仪端口可用于SENTECH椭偏仪进行原位监测。SI 591结合了计算机控制的RIE平行板电极设计的优点和预真空室系统。SI 591可配置用于各种材料的刻蚀。在SENTECH，我们提供不同级别的自动化程度，从真空片盒载片到一个工艺腔室或多六个工艺模块端口，可用于不同的蚀刻和沉积工艺模块组成多腔系统，目标是高灵活性或高产量。SI 591也可用作多腔系统中的一个工艺模块。

RIE等离子刻蚀机SI 591 工艺灵活性RIE蚀刻机SI 591 特别适用于氯基和氟基等离子蚀刻工艺占地面积小且模块化程度高SI 591 可配置为单个反应腔或作为片盒到片盒装载的多腔设备。SENTECH控制软件我们的等离子蚀刻设备包括用功能强大的用户友好软件与模拟图形用户界面，参数窗口，工艺窗口，数据记录和用户管理。 预真空室和计算机控制的等离子体刻蚀工艺条件，使得SI 591 具有优异的工艺再现性和等离子体蚀刻工艺灵活性。灵活性、模块性和占地面积小是SI 591的设计特点。样品直径大可达200mm，通过载片器加载。SI 591可以配置为穿墙式操作或具有更多选项的小占地面积操作。位于顶部电极和反应腔体的更大诊断窗口可以轻易地容纳SENTECH激光干涉仪或OES和RGA系统。椭偏仪端口可用于SENTECH椭偏仪进行原位监测。SI 591结合了计算机控制的RIE平行板电极设计的优点和预真空室系统。SI 591可配置用于各种材料的刻蚀。在SENTECH，我们提供不同级别的自动化程度，从真空片盒载片到一个工艺腔室或多六个工艺模块端口，可用于不同的蚀刻和沉积工艺模块组成多腔系统，目标是高灵活性或高产量。SI 591也可用作多腔系统中的一个工艺模块。 SI 591 compact 占地面积小的RIE等离子刻蚀 预真空室 卤素和氟基气体 适用于200mm的晶片 用于激光干涉仪和OES的诊断窗口

产品详情SENTECH RIE SI591 平板电容式反应离子刻蚀机 SI 591特别适用于采用氟基和氯基气体的工艺，可以通过预真空室和电脑控制的等离子工艺系统实现。SI 591的特点是占地空间小，高度灵活性，例如，SI 591可作为单一反应腔系统集成在多腔系统中。 工艺灵活性RIE蚀刻机SI 591 特别适用于氯基和氟基等离子蚀刻工艺 占地面积小且模块化程度高SI 591 可配置为单个反应腔或作为片盒到片盒装载的多腔设备。 SENTECH控制软件我们的等离子蚀刻设备包括用功能强大的用户友好软件与模拟图形用户界面，参数窗口，工艺窗口，数据记录和用户管理。 预真空室和计算机控制的等离子体刻蚀工艺条件，使得SI 591 具有优异的工艺再现性和等离子体蚀刻工艺灵活性。灵活性、模块性和占地面积小是SI 591的设计特点。样品直径大可达200mm，通过载片器加载。SI 591可以配置为穿墙式操作或具有更多选项的小占地面积操作。 位于顶部电极和反应腔体的更大诊断窗口可以轻易地容纳SENTECH激光干涉仪或OES和RGA系统。椭偏仪端口可用于SENTECH椭偏仪进行原位监测。 SI 591结合了计算机控制的RIE平行板电极设计的优点和预真空室系统。SI 591可配置用于各种材料的刻蚀。在SENTECH，我们提供不同级别的自动化程度，从真空片盒载片到一个工艺腔室或多六个工艺模块端口，可用于不同的蚀刻和沉积工艺模块组成多腔系统，目标是高灵活性或高产量。SI 591也可用作多腔系统中的一个工艺模块。 SI 591 compact 可配置为至多6端口传输结合RIE, ICP-RIE和PECVD腔体手动预真空室置片或片盒装载用于研发和高产量的多腔系统SENTECH控制软件 SI 591 cluster可配置为至多6端口传输结合RIE, ICP-RIE和PECVD腔体手动预真空室置片或片盒装载用于研发和高产量的多腔系统SENTECH控制软件

台式超二维材料等离子软刻蚀系统—nanoETCH用于超刻蚀二维材料与样品表面处理的等离子体刻蚀系统，诺奖团队都在用！石墨烯等二维材料的微纳加工与刻蚀需要很高的精度，而目前成熟的传统半导体刻蚀系统在面对单层材料的高精度刻蚀需求时显得力不从心。为了解决目前维纳加工中常用的蚀系统功率较大、难以精细控制的问题，Moorfield Nanotechnology 推出了台式超二维材料等离子软刻蚀系统 - nanoETCH。该系统对输出功率的分辨率可到达毫瓦量，对二维材料可实现超的逐层刻蚀，也可实现对二维材料进行层内缺陷制造，此外还可对石墨基材等进行表面处理。

v 兼容200mm以下所有尺寸的晶圆，快速更换到不同尺寸的晶圆工艺v 电极的适用温度范围宽，-150°C至400°Cv ICP源尺寸为65mm，180mm，300mmv 应用方向：Ø III-V族材料的刻蚀工艺Ø 固体激光器InP刻蚀Ø VCSEL GaAs/AlGaAs刻蚀Ø 射频器件低损伤GaN刻蚀Ø 硅 Bosch和超低温刻蚀工艺Ø 类金刚石（DLC）沉积Ø 二氧化硅和石英刻蚀Ø 用特殊配置的PlasmaPro FA设备进行失效分析的干法刻蚀解剖工艺，可处理封装好的芯片、 裸晶片以及200mm晶圆Ø 沉积高质量的PECVD氮化硅和二氧化硅薄膜，用于光子学、电介质层、钝化等诸多其它用途用于高亮度LED生产的硬掩模沉积和刻蚀

技术/销售热线 吴先生 ICP-RIE SI 500 德国Sentech等离子刻蚀机 低损伤刻蚀由于离子能量低，离子能量分布带宽窄，因此可以用我们的等离子体刻蚀机SI 500进行低损伤刻蚀和纳米结构的刻蚀。 高速刻蚀对于具有高深宽比的高速硅基MEMS刻蚀，光滑的侧壁可以通过室温下气体切换工艺或低温工艺即可很容易地实现。 自主研发的ICP等离子源三螺旋平行板天线(PTSA)等离子源是SENTECH高端等离子体工艺设备的独特属性。PTSA源能生成具有高离子密度和低离子能量的均匀等离子体。它具有高耦合效率和非常好的起辉性能，非常适用于加工各种材料和结构。 动态温度控制在等离子体刻蚀过程中，衬底温度的设定和稳定性对于实现高质量蚀刻起着至关重要的作用。动态温度控制的ICP衬底电极结合氦气背冷和基板背面温度传感，可在-150°C至+400°C的广泛温度范围内提供了优良的工艺条件。 SI 500为研发和生产提供先进的电感耦合等离子体(ICP)工艺设备。它基于ICP等离子体源PTSA，动态温度控制的衬底电极，全自动控制的真空系统，使用远程现场总线技术的先进的SETECH控制软件和用于操作SI 500的用户友好的通用接口。灵活性和模块化是SI 500主要的设计特点。 SI 500 ICP等离子刻蚀机，可以用于加工各种各样的衬底，从直径高达200 mm的晶片到装载在载片器上的零件。单晶片预真空室保证稳定的工艺条件，并且切换工艺非常容易。 SI 500 ICP等离子刻蚀机，通过配置可用于刻蚀不同材料，包括但不仅限于例如三五族化合物半导体(GaAs, InP, GaN, InSb)，介质，石英，玻璃，硅和硅化合物(SiC, SiGe),还有金属等。SENTECH提供用户不同级别的自动化程度，从真空片盒载片到一个工艺腔室到六个工艺模块端口，可用于不同的蚀刻和沉积工艺模块组成多腔系统，目标是高灵活性或高产量。SI 500 ICP等离子刻蚀机也可用作多腔系统中的工艺模块。 SI 500 ICP等离子刻蚀机 带预真空室适用于200mm的晶片衬底温度从-20?°C到300?°C SI 500 C 等温ICP等离子刻蚀机带传送腔和预真空室衬底温度从-150?°C到400?°C SI 500 IRE RIE等离子刻蚀机背面氦气冷却刻蚀的智能解决方案电容耦合等离子体源，可升级成ICP等离子体源PTS SI 500-300ICP等离子刻蚀机带预真空室适用于300mm晶片 SI 500为研发和小批量生产应用提供先进的ICP刻蚀工艺，具备高度的灵活性和模块化设计特点,可实现范围广泛的刻蚀工艺。包括刻蚀III-V化合物、II-VI化合物、介质、石英、玻璃、硅和硅化合物等。 SI 500C低温ICP刻蚀机，可在-100℃左右的低温下实现深硅刻蚀。优点是刻蚀后形成非常光滑的侧壁，尤其在光学应用上非常重要。同时低温刻蚀工艺的高刻蚀速率可实现刻穿样片。 SI 591 采用模块化设计、具有高度灵活性，适用于III-V 化合物、聚合物、金属盒硅刻蚀工艺，可配置为单反反应腔系统、或带预真空室或片盒站的多腔系统。特别适用于采用氟基气体的工艺，具有很高的工艺稳定性和重复性。 型号SI 500ICP刻蚀机-30~+200℃SI 500C低温ICP刻蚀机-150~+400℃SI 500-30ICP刻蚀机带预真空室最大12寸晶圆SI 591反应离子刻蚀机带预真空室Etchlab200反应离子刻蚀机不带预真空室SI500-RIE反应离子刻蚀机带预真空室带氦气背冷却系统

产品详情牛津Oxford等离子刻蚀沉积机System 100 该设备是一个灵活和功能强大的等离子体刻蚀和淀积工艺设备。 采用真空进样室进样可进行快速的晶片更换、采用多种工艺气体并扩大了允许的温度范围。 具有工艺灵活性，适用于化合物半导体，光电子学，光子学，微机电系统和微流体技术， PlasmalabSystem100可以有很多的配置，详情如下。主要特点 可处理8 "晶片，也具有小批量（6 × 2"）预制和试生产的能力 选择单晶片/批处理或盒式进样，采用真空进样室。 该PlasmalabSystem100可以集成到一个集群系统中，采用中央机械手传送晶片，生产工艺中采用全片盒到片盒晶片传送. 采用一系列的电极进行衬底温度控制，其温度范围为-150 ° C至700° C 用于终端检测的激光干涉和/或光发射谱可安装在Plasmalab System100以加强刻蚀控制 选的6 或12路气箱为工艺流程和工艺气体提供了选择上的灵活性，并可以放置在远端，远离主要工艺设备工艺一些使用Plasmalab System100等离子刻蚀与沉积设备的例子： 低温硅刻蚀，深硅刻蚀和SOI工艺，应用于MEMS ，微流体技术和光子技术 用于激光器端面的III - V族刻蚀工艺，通过刻蚀孔、光子晶体和许多其他应用，材料范围广泛（InP, InSb, InGaAsP, GaAs, AlGaAs, GaN, AlGaN,等） GaN、AlGaN等的预生产和研发工艺，比如HBLED和其它功率器件的刻蚀 高品质，高速率SiO2沉积，应用于光子器件 金属（Nb, W）刻蚀

Tergeo系列刻蚀灰化仪_等离子体表面处理仪Tergeo Basic基本型等离子清洁仪来自美国PIE Scientific出品的小型台式等离子清洁仪，可以用来清洁纳米级样品、蚀刻光刻胶、激活聚合物表面功能团、获得亲水或疏水性，增强粘合强度以及可印染性、促进医学器件生物相容性，Tergeo系统集成了常规的浸入式清洗模式和特有的远程清洗模式。可用于煤的灰化。注：针对煤的灰化用途，覃思科技为PIE Scientific指定的中国独家代理商。特点：1. 标配浸入式等离子源用于主动表面处理、光刻胶蚀刻以及煤的等离子低温灰化；可选双等离子源，其远程等离子源用于温和的污染清除以及脆弱易损样品的表面活化。（注Tergeo EM标配双源）2. 13.56MHz高频射频发生器，3. 7英寸触摸屏控制界面，全自动操作4. 标配75W版本，可选150W版本5. 标配2路气体输入，可选第三路气体输入6. AC输入：通用(110~230V, 50/60Hz)除了基本型的Tergeo系列刻蚀灰化仪_等离子体表面处理仪之外，另有Tergeo Plus和Tergeo Pro大腔室等离子清洁仪和Tergeo EM型SEM & TEM样品及TEM样品杆清洁专用等离子清洁仪，欢迎选购！

PlasmaEtch 等离子开封设备等离子开封设备PlasmaEtch是一个革命性的气体为基础的半导体蚀刻系统。采用以前从未见过的应用微波气体煽动化学基团为各向同性腐蚀。PlasmaEtch腐蚀大部分样本大小，封装类型和引线键合的类型。无论它是一个传统的金丝样品或者该样品设有铜或银导线，PlasmaEtch都提供了安全可靠的蚀刻。等离子开封设备是为快速蚀刻模具化合物，聚酰亚胺芯片特别研发的，无需攻击敏感的接线便可将芯片开封。优点:1）对铜线、数化铜线及2) 银线线无伤害3) 伤害小 (selectivity 500:1)4)快速等向性蚀刻 5) 无离子、无辐射6) 加力聚焦下游等离子体刻蚀7) 质量流量控制的所有气体8) 低温蚀刻9) 各向同性蚀刻主要特点:1)可定制的蚀刻配方2)蚀刻封装类型多种多样3)优化开封微芯片4)开封处理程序快速5) 高刻蚀率及低成本6) 完全Chemical-free 开盖，符合环保要求7) 针对银线的唯一解决办法8) 移除率约 200 μm/小时 (包括无机填充材料移除)开封后的效果

PlasmaProTM NGP80 – 下一代等离子体处理系统为等离子体刻蚀和沉积集合了开放式进样工具。多重处理技术：PlasmaPro NGP80在同一个平台上提供了通用的等离子体刻蚀和沉积技术解决方案，并且带有便利的开放式进样装置。系统集合了微足印（smallfootprint）技术，可方便地进行定位及使用，且不会对工艺质量产生不良影响。该设备是研发或小规模量产的理想工具，可处理从小块样品到直径200mm的晶片。开放式进样设计使晶片可以快速进片及退片，适合研究、原型开发及小量生产。PlasmaPro NGP80的优势：关键组建方便装卸有利于维护兼容Semi S2/S8安全标准新一代的总线控制系统可以极大地提升数据的检索、传送、重复匹配能力新的增强用户界面利用前端软件的错误及工具诊断功能实现快速的错误诊断自动的清洗功能可以清除管道内的有毒物质并对管道进行冲洗，通过前端软件实现安全且完全的自锁清洗控制工艺技术配置选项：PlasmaPro NGP80 RIEPlasmaPro NGP80 PECVDPlasmaPro NGP80 RIE/PE 牛津仪器具有广泛、可用的生长工艺。 有了在生长工艺发展上无比广泛的经验和我们应用工程师的支持， 牛津仪器向世界范围内的生产商和研发者提供生长工艺解决方案的经验为我们提供了世界上最强大的生长工艺库和工艺能力。以下是一些可供选择的关键工艺--请与我们联系，讨论您的需要，我们的专业销售和应用的工作人员将很高兴地帮助您选择合适的生长工艺和工具，以满足您的要求。请点击产品名，查看产品详细信息，谢谢Compound Semiconductors外延生长AlGaN&mdash 外延氮化铝镓外延生长InN&mdash 氮化铟外延材料外延生长InxGa1-xN&mdash 外延氮化铟镓 Nanotubes生长碳纳米管Nanowires生长Si纳米线&mdash 生长硅纳米线生长ZnO纳米线&mdash 生长氧化锌纳米线