高容量专用刻蚀系统

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高容量专用刻蚀系统相关的厂商

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高容量专用刻蚀系统相关的仪器

  • 1290 Infinity III 高容量柱温箱 (MCT) 是一款 UHPLC 柱温箱,能够在宽温度范围内提供精确的温度控制,可冷却至环境温度以下 20 °C,并加热至 110 °C。MCT 柱温箱可容纳最多八根色谱柱。额定压力为 1300 bar 的高压阀适用于各种应用,例如在八根色谱柱中进行自动化选择,用于分析物富集或基质去除的样品前处理,或交替色谱柱再生。1290 Infinity III MCT 与任何 InfinityLab 液相色谱系列系统均完美适配,也可以与早期 1260 和 1290 Infinity 系列模块结合使用。特性:帕尔帖冷却/加热具有两个独立的温区,温度范围为环境温度以下 20 °C 至 110 °C,可实现最高的应用灵活性高温稳定性,获得可重现的保留时间和峰面积多达四根 30 cm 或八根 10 cm 色谱柱,且配备 InfinityLab Quick Connect 快速连接接头或预柱,以获得高色谱柱容量四个模块组合,最多可容纳 16 根 (30 cm) 或 32 根 (10 cm) 色谱柱,从而提高容量和灵活性90° 或 180° 的门位置可实现出色的实用性,或可将门卸下以提供最大的可操作性InfinityLab Quick Connect 快速连接热交换器可实现可重现的柱前溶剂加热InfinityLab Quick Connect 快速连接接头有利于高效、快速和便捷的色谱柱更换可选的阀驱动,用于激活用户可自行更换的 InfinityLab Quick Change 快速更换阀头,额定压力高达 1300 bar最多可识别八根色谱柱,并记录类型、主要参数和进样次数以获得可追溯的色谱柱使用历史
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  • 1260 Infinity III 高容量柱温箱 (MCT) 是一款恒温 HPLC 柱温箱,可在宽温度范围内对最多四根色谱柱提供精确的温度控制,可冷却至环境温度以下 10 °C,并加热至高达 85°C。额定压力为 800 bar 的高压阀适用于各种应用,例如多达四根色谱柱的自动化选择,用于分析物富集或基质去除的样品前处理,或交替色谱柱再生。1260 Infinity III MCT 与任何 InfinityLab 液相色谱系列系统均完美适配,也可以与早期 1260 和 1290 Infinity 系列模块结合使用。特性:帕尔帖冷却/加热具有两个独立的温区,温度范围为环境温度以下 10 °C 至 85 °C,可实现最高的应用灵活性多达四根配备 InfinityLab Quick Connect 快速连接接头或预柱的 30 cm 色谱柱,以获得高色谱柱容量热交换器和 InfinityLab Quick Change 快速更换阀阀头的生物惰性选件可用于分析生物分子90° 或 180° 的门位置可实现出色的实用性,或可将门卸下以提供最大的可操作性InfinityLab Quick Connect 快速连接热交换器可实现可重现的柱前溶剂加热InfinityLab Quick Connect 快速连接接头有利于高效、快速和便捷的色谱柱更换可选的阀驱动,用于激活用户可自行更换的 InfinityLab Quick Change 快速更换阀头,额定压力高达 800 bar最多可识别四根色谱柱,并记录类型、主要参数和进样次数以获得可追溯的色谱柱使用历史
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  • 品牌: GATAN 名称型号:精密刻蚀镀膜系统PECS II 685制造商: 美国GATAN公司经销商:欧波同有限公司产品综合介绍: 产品功能介绍Gatan公司的精密刻蚀镀膜仪 (PECS™ ) II 是一款桌面型宽束氩离子抛光及镀膜设备。对于同一个样品,可在同一真空环境下完成抛光及镀膜。品牌介绍美国Gatan公司成立于1964年并于70年代末进入中国市场。Gatan公司以其产品的高性能及技术的先进性在全球电镜界享有极高声誉。作为世界领先的设计和制造用于增强和拓展电子显微镜功能的附件厂商,其产品涵盖了从样品制备到成像、分析等所有步骤的需求。产品应用范围包括材料科学、生命科学、地球物理学、电子学,能源科学等领域, 客户范围涵盖全球的科研院所,高校,各类检测机构及大型工业企业实验室,并且在国际科学研究领域得到了广泛认同。经销商介绍欧波同有限公司是中国领先的微纳米技术服务供应商,是一家以外资企业作为投资背景的高新技术企业,总部位于香港,分别在北京、上海、辽宁、山东等地设有分公司和办事处。作为蔡司电子显微镜、Gatan扫描电子显微镜制样设备及附属分析设备在中国地区最重要的战略合作伙伴,公司秉承“打造国内最具影响力的仪器销售品牌”的经营理念,与蔡司,Gatan品牌强强联合,正在为数以万计的中国用户提供高品质的产品与国际尖端技术服务。产品主要技术特点: 精密刻蚀镀膜仪 (PECS™ ) II,采用两个宽束氩离子束对样品表面进行抛光,去除损失层,从而得到高质量的样品,用于在SEM、光镜或者扫描电子探针上进行成像、EDS,EBSD,CL,EBIC或者其他分析,另外将这两支离子枪对准靶材溅射,可用来对样品做导电金属膜沉积处理,以防止样品在电镜中发生荷电效应。这款仪器被设计为不破坏真空,不将样品新鲜表面暴露在大气中,即可对抛光样品进行处理。样品的装卸是通过一个专门设计的装样工具在真空交换舱中完成。 两支具有更大电压范围的小型潘宁离子枪,可提供快速柔和的抛光效果。低至100eV的离子束提供更柔和的抛削效果,用于样品的终极抛光。低能聚焦电极使得离子束的直径在几乎整个加速电压范围内都保持一致。每个离子枪都能准确独立地进行对中。在仪器运行过程中,离子枪的角度可随时进行调整。离子枪的气流可在触摸屏上通过手动方式或者自动方式进行调整, 用于优化离子枪的工作电流。PECS II样品台采用液氮制冷方式。可以有效的保护样品,避免离子束热损伤,消除可能的假象。集成的10英寸彩色触摸屏计算机可对PECS II系统的所有操作参数进行完全控制。此界面不仅可以设定所有参数并能够监控抛光过程。所有的操作参数还可以存为配方,调用配方可获得高精度重复实验。涡轮分子泵搭配两级隔膜泵保证了超洁净环境。通过Gatan的样品装卸工具能实现快速样品交换( 1min),这样就能保证换样过程中加工舱室始终处在高真空状态。 图片说明:(A)PECSII 抛光的样品表面的二次电子像,显示出高度孪晶的晶粒(B)PECSII 抛光后的锆合金的菊池花样(C)EBSD欧拉角分布图(D)IPFZ面分而战。照片由牛津大学材料学院Angus Wilkin-son 教授和Hamidreza Abdolvand 博士提供。数据是在配有Bruker Quantax EBSD系统的Zeiss Merlin Compact扫描电镜上采集。产品主要技术参数: 离子源*离子枪两支配有稀土磁铁的潘宁离子枪,高性能无耗材*抛光角度±10°, 每支离子枪可独立调节离子束能量100 eV 到 8.0 keV离子束流密度10 mA/cm2 峰值离子束直径可用气体流量计或放电电压来调节样品台样品大小:最大直径 32mm, 最大高度 15mm样品装载: 对于截面样品抛光采用 Ilion™ II 专利的样品挡板,二次再加工位置精确。样品抛光及镀膜功能:兼具有平面抛光、截面抛光及溅射镀膜功能,靶材数:2个靶材切换:无需破坏真空,可直接切换样品旋转:1 到 6 rpm 可调束流调制:角度可调的单束调制或双束调制真空系统干泵系统80 L/s 的涡轮分子泵配有两级隔膜泵压力5 x 10-6 torr 基本压力8 x 10-5 torr 工作压力真空规冷阴极型,用于主样品室;固体型,用于前级机械泵*样品空气锁Whisperlok专利技术,无需破坏主样品室真空即可装卸样品,样品交换时间 1 min用户界面*10 英寸触摸屏操作简单,且能够完全控制所有参数和配方式操作*操作界面语言:提供中文、英文等多种选择 产品主要应用领域: EBSD样品制备截面样品制备金属材料(合金,镀层)石油地质岩石矿物光电材料化工高分子材料新能源电池材料
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高容量专用刻蚀系统相关的资讯

  • 高容量光学存储新突破!
    【研究背景】光学全息存储是一种创新的数据存储技术,其通过利用光的特性(如波长、偏振状态和角动量)实现高容量的数据存储,因而广泛应用于信息存储、显示和加密等领域。与传统的磁电盘材料相比,光学全息存储具备更高的存储密度、较低的能耗以及更强的抗干扰能力等优点。然而,当前的光学存储技术仍面临着存储容量限制和复杂的实验实现等问题,这带来了技术发展的挑战。近日,浙江大学信息与电子工程学院院长陈红胜教授团队、钱浩亮、钱超助理教授携手设计并制备了一种新型的元表面磁盘(meta-disk),利用扭曲神经网络(TDNN)来推动光学全息存储的容量极限。该团队的研究显示,meta-disk通过不相关的结构扭转自由度,实现了对大量图像的存储,突破了传统复用方法的局限。利用先进的三维(3D)打印技术,研究团队成功制造出基于潘查拉特南-贝瑞元表面的meta-disk,显著提高了光学全息存储的性能。实验结果表明,利用两层640µ m x 640µ m的meta-disk,可以存储数百张高保真图像,并实现了SSIM达到0.8。这项研究为下一代光学存储、信息处理和多功能光学计算提供了重要的技术支持,展示了元表面磁盘在光学信息存储领域的广泛应用潜力。【仪器解读】本文通过先进的光学表征手段,特别是利用光学显微镜和衍射成像技术,发现了元表面磁盘(meta-disk)在信息存储中的独特性质,从而揭示了其在高密度光学全息存储中的应用潜力。针对传统光学存储技术在容量和稳定性方面的限制,作者通过深入分析其微观机理,特别是通过结构复用和扭曲神经网络(TDNN)表征,获得了关于如何实现高效信息存储的关键见解。研究表明,元表面磁盘通过独特的层间扭曲设计,可以在单个结构中实现大规模信息的存储。在此基础上,作者结合多种表征手段,包括光谱分析和三维打印技术,进一步探讨了元表面磁盘的光学特性及其在全息存储中的实际应用。这些表征结果显示,所设计的双层640µ m x 640µ m的meta-disk能够存储数百张高保真图像,且其结构设计显著提高了信息的读取效率。尤其是在动态聚焦和全息存储方面,TDNN的应用展现出了良好的性能,为后续的应用研究提供了坚实的基础。总之,经过光学显微镜、衍射成像及光谱分析等表征手段的综合运用,作者深入分析了元表面磁盘在信息存储中的关键机制。这一研究不仅推动了新型光学材料的制备,还为高密度光学存储技术的发展奠定了基础,促进了虚拟现实、光学加密等领域的进步。通过对元表面磁盘的深入表征,作者揭示了其在光学信息处理和存储中的广泛应用潜力,为未来的研究提供了新的思路和方向。。基于扭曲神经网络(TDNN)的高容量元表面磁盘示意图原文详情:Fan, Z., Qian, C., Jia, Y. et al. Holographic multiplexing metasurface with twisted diffractive neural network. Nat Commun 15, 9416 (2024). https://doi.org/10.1038/s41467-024-53749-6
  • 可用于稳定一创纪录高容量锂离子电池性能的潜在材料
    p    strong 美国西北大学的研究人员发现了可稳定创纪录高储电量电池性能的新方法。 /strong /p p style=" text-align: center " img title=" 1-1.jpg" src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201805/insimg/e211e33e-7d72-40e5-911f-ee1ef1fbcc48.jpg" / /p p style=" text-align: center " 电池正极结构示意图,红色为锂,绿色为氧,紫色为锰,深蓝色为铬,浅蓝色为钒。(来源:美国西北大学) /p p   在锂锰氧化物正极基础之上,这一创新可以使 span style=" color: rgb(255, 0, 0) " 智能手机 /span 和 span style=" color: rgb(255, 0, 0) " 电动汽车 /span 的电量增加至 span style=" color: rgb(255, 0, 0) " 两倍 /span 以上。 /p p   “ span style=" color: rgb(31, 73, 125) " i 这一电池电极已达到某一有记载最高的过渡金属氧化物基电极的容量。它的容量已超过你现用手机或电脑的两倍。 /i /span /p p style=" text-align: right " span style=" color: rgb(31, 73, 125) " i span style=" color: rgb(31, 73, 125) " i 美国西北大学McCormick工程学院,材料科学与工程专业Jerome B. Cohen教授Christopher Wolverton /i /span ” /i /span /p p    span style=" color: rgb(31, 73, 125) " i “这种电极的高容量表明其在用于电动车辆锂离子电池的目标上有了巨大提升。” /i /span Christopher补充道。 /p p   这一研究已于5月18日在科学发展杂志上在线报道。 /p p   锂离子电池以在正负极间往复迁移锂离子的方式而工作。正极使用含有锂离子、过渡金属和氧的化合物制取。过渡金属,通常为钴,当锂离子在正负极间来回迁移时有效地储存和释放电能。正极容量因而受到参与反应的过渡金属中的电子数量的限制。 /p p   一个法国研究团队于2016年首次鉴别出大容量锂锰氧化物的性能。 span style=" color: rgb(32, 88, 103) " strong 通过使用成本更低的锰替代传统用的钴,研究人员开发出一个成本更低廉且具有之前两倍容量的电极。 /strong /span 但它也并非完美无瑕。 strong span style=" color: rgb(32, 88, 103) " 由于电池性能在头两个循环过程中会大大削减,科学家们认为它无法应用于市场。与此同时,他们并未完全理解电池性能衰退及其拥有大容量的化学根源。 /span /strong /p p   在绘出一个综合的,原子间相接的正极图像之后,Wolverton的团队发现了材料具备高性能背后的原因: span style=" color: rgb(255, 0, 0) " strong 它驱使氧参与到反应过程中来。通过使用氧及过渡金属来储存与释放电能,电池具有了更大的容量来储存及利用更多的锂。 /strong /span /p p   随后,西北大学的团队将他们的研发重点转向如何稳定电池性能并阻止它的迅速衰减。 /p p    span style=" color: rgb(31, 73, 125) " i “通过充电过程理论的辅助,我们运用高速计算彻底检索元素周期表,以寻找合金化该含有其它元素化合物的方法,从而去增强电池的性能。 /i /span /p p style=" text-align: right " span style=" color: rgb(31, 73, 125) " i 文章共同第一作者,Wolverton 实验室的前博士生Zhenpeng Yao” /i /span /p p    strong span style=" color: rgb(255, 0, 0) " 计算鉴别出两种可能有效的元素:钒和铬。研究团队预估将锂锰氧化物与其中的一种混合将会产生可维持正极无与伦比高性能的稳定化合物。随后,Wolverton和他的搭档将在研究室中对这些理论上的化合物进行实验检测。 /span /strong /p p   该研究作为电化学能源科学中心,这一由美国能源部科学局资助的能源前沿研究中心的一部分,受到了其基础能源科学项目(项目编码:DE-AC02-06CH11357)的支持。哈佛大学的博士后研究人员Yao,与麻省理工学院的博士后研究人员Soo Kim,均为Wolverton实验室的前成员,并作为文章的共同第一作者。 /p
  • 新产品 | 新一代---高精度大容量动力电池评估系统
    目前,锂离子电池电芯与模组正朝着超大容量,高度集成化方向发展,锂离子电池生产企业,系统集成商和主机厂为了获得更高的体积能量密度,正从100Ah电芯逐渐切换到200Ah以上大容量电芯,此外刀片电池,CTP,CTC技术以及4680型电池的广泛应用,对现有检测设备的测试能力提出新的极限挑战。基于联合Nissan,英国华威大学(WMG)和Element Energy参与由英国商业、能源和工业战略部主导的”英国能源存储实验室”项目,AMETEK(普林斯顿及输力强电化学)公司开发了新一代大容量动力电池评估系统。输力强分析的SI-9300R,是一套针对动力电池开发,测试,诊断和梯次利用分级筛选的一站式多通道电池评估系统,适用于多种不同类型电池的分析,并具有无与伦比的超高精度,测量和快速诊断能力。 动力电池开发-测试-分析-分级 动力电池对高比容量、快速充电和长寿命等特性的需求,使得电池测量面临着更大的挑战。在对动力电池测试设备市场深入分析,对动力电池和电动汽车生产企业需求的充分了解的基础上, Solartron Analytical开发出一整套针对动力电池开发,测量,分析和分级的系统解决方案。 SI-9300R 五大技术特点 1.超大容量电流量程:2A-300A200A连续,300A脉冲并联可达到1000A可以满足各种类型的单体动力电池及模组的测试需要,不仅可以满足传统的18650,21700等类型的圆柱型电池,同时可以满足日益增长的高容量软包及方形动力电池测试。 2.超高精度• 24-位高精度ADCs• 磁通量电流传感器-高精度低热漂移• 高精度电流电压测量:0.03%• 高精度阻抗测试:0.1%, 0.1deg可满足动力电池在开发,测试,分析,分级等复杂应用场景下的差异性测试需求3.超强能力随着对动力电池安全及性能的要求越来越高,如何在满足常规直流测试的前提下,同时实现动力电池电化学性能快速精确测量呢?交直流同步测试,一站式完成,无需切换接线,确保人机安全。集充放电技术,电化学测试技术于一身,可提供如线性循环伏安,线性扫描,恒电流,恒电压,恒功率恒电阻和HPC(高精度库伦法)等全套动力电池测试技术。 每通道标配交流阻抗功能,可完成动力电池在充放电过程中的动态EIS分析,模拟实际工况下的使用状态。每通道标配两个辅助分压功能,可同时同步监测单体电池中正负极或串联模组中的单体及总体响应。快速进行正负极或单体失效分析。 4.全新技术专利数据直存硬盘技术–保证系统的可靠性和数据安全性电网回馈式–多余电能回馈电网不会产生热能损耗体积小,节约空间通道电能共享–放电电能将用于对其他电池充电-优化电能使用,节能环保,减少碳排放。实时数据分析–测试时可进行实时DC/EIS数据分析, 实时诊断电池性能。 5.超快SoH诊断基于9300R强大的充放电仪叠加交流阻抗功能,及灵活开放的软件界面,可开发出动力电池快速SoH(健康状态)诊断功能。全球首个成功案例,输力强通过与英国华威大学合作,使用9300R ,针对NISSAN LEAF的退役动力电池模组开发出SoH专利算法,仅仅3分钟之内即可分析出电池的SoH,且其误差为+/-3%,远高于传统的直流方法。 这为动力电池梯次利用,分级筛选提供了高可靠性,巨大经济性的解决方案。 “工欲善其事,必先利其器“,输力强作为全球超高精度,超高可靠性的动力电池,研发,测试,分析和分级的领先品牌,一直持续致力于为广大科研用户提供最先进的技术解决方案。

高容量专用刻蚀系统相关的方案

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  • 光刻工艺与刻蚀技术的研究

    光刻工艺光刻是用光刻胶、掩模和紫外光进行微制造 ,工艺如下 :(a)仔细地将基片洗净;(b)在干净的基片表面镀上一层阻挡层 ,例如铬、二氧化硅、氮化硅等;(c) 再用甩胶机在阻挡层上均匀地甩上一层几百 A厚的光敏材料——光刻胶。光刻胶的实际厚度与它的粘度有关 ,并与甩胶机的旋转速度的平方根成反比;(d) 在光掩模上制备所需的通道图案。将光掩模复盖在基片上,用紫外光照射涂有光刻胶的基片,光刻胶发生光化学反应;(e)用光刻胶配套显影液通过显影的化学方法除去经曝光的光刻胶。这样,可用制版的方法将底片上的二维几何图形精确地复制到光刻胶层上;(f) 烘干后 ,利用未曝光的光刻胶的保护作用 ,采用化学腐蚀的方法在阻挡层上精确腐蚀出底片上平面二维图形。掩模制备用光刻的方法加工微流控芯片时 ,必须首先制造光刻掩模。对掩模有如下要求:a.掩模的图形区和非图形区对光线的吸收或透射的反差要尽量大;b.掩模的缺陷如针孔、断条、桥连、脏点和线条的凹凸等要尽量少;c.掩模的图形精度要高。通常用于大规模集成电路的光刻掩模材料有涂有光胶的镀铬玻璃板或石英板。用计算机制图系统将掩模图形转化为数据文件,再通过专用接口电路控制图形发生器中的爆光光源、可变光阑、工作台和镜头,在掩模材料上刻出所需的图形。但由于设备昂贵,国内一般科研单位需通过外协解决,延迟了研究周期。由于微流控芯片的分辨率远低于大规模集成电路的要求,近来有报道使用简单的方法和设备制备掩模,用微机通过CAD软件将设计微通道的结构图转化为图象文件后,用高分辨率的打印机将图象打印到透明薄膜上,此透明薄膜可作为光刻用的掩模,基本能满足微流控分析芯片对掩模的要求。湿法刻蚀在光刻过的基片上可通过湿刻和干刻等方法将阻挡层上的平面二维图形加工成具有一定深度的立体结构。近年来,使用湿法刻蚀微细加工的报道较多,适用于硅、玻璃和石英等可被化学试剂腐蚀的基片。已广泛地用于电泳和色谱分离。湿法刻蚀的程序为 :(a) 利用阻挡层的保护作用,使用适当的蚀刻剂在基片上刻蚀所需的通道 ;(b) 刻蚀结束后 ,除去光胶和阻挡层,即可在基片上得到所需构型的微通道;(c)在基片的适当位置(一般为微通道的端头处)打孔,作为试剂、试样及缓冲液蓄池。刻有微通道的基片和相同材质的盖片清洗后,在适当的条件下键合在一起就得到微流控分析芯片。玻璃和石英湿法刻蚀时,只有含氢氟酸的蚀刻剂可用,如HF/HNO3,HF/ NH4。由于刻蚀发生在暴露的玻璃表面上,因此,通道刻的越深,通道二壁的不平行度越大 ,导至通道上宽下窄。这一现象限制了用湿法在玻璃上刻蚀高深宽比的通道。等离子体刻蚀等离子体刻蚀是一种以化学反应为主的干法刻蚀工艺,刻蚀气体分子在高频电场作用下,产生等离子体。等离子体中的游离基化学性质十分活泼,利用它和被刻蚀材料之间的化学反应,达到刻蚀微流控芯片的目的。等离子体刻蚀已应用于玻璃、石英和硅材料上加工微流控芯片 , 如石英毛细管电泳和色谱微芯片。先在石英基片上涂上一层正光胶 (爆光后脱落的光胶),低温烘干后,放置好掩模,用紫外光照射后显影,在光胶上会产生微结构的图象。然后用活性CHF3等离子体刻蚀石英基片 ,基片上无光胶处会产生一定的深度通道或微结构。这样可产生高深宽比的微结构。近来,也有将等离子体刻蚀用于加工聚合物上的微通道的报道。http://www.whchip.com/upload/201610/1477271936108203.jpg

  • MEMS湿法刻蚀和干法刻蚀的比较

    MEMS湿法刻蚀和干法刻蚀的比较

    湿法腐蚀是使用液态腐蚀剂系统化的有目的性的移除材料,在光刻掩膜涂覆后(一个曝光和显影过的光刻胶)或者一个硬掩膜(一个光刻过的抗腐蚀材料)后紧接该步腐蚀。这个腐蚀步骤之后,通常采用去离子水漂洗和随后的掩膜材料的移除工艺。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2016/12/201612130959_01_3091062_3.jpg干法刻蚀的刻蚀剂是等离子体,是利用等离子体和表面薄膜反应,形成挥发性物质,或直接轰击薄膜表面使之被腐蚀的工艺。http://www.whchip.com/upload/201612/1481592347583553.jpg湿法腐蚀可替换工艺包括干法刻蚀,即使用一种或多种低压力的反应气体,采用RF感应激励后进行反应,然后再将反应生成的气态物质抽出;非等离子干法刻蚀,例如双氟化疝或氢氟酸的酸性蒸气腐蚀,拥有各向同性湿法腐蚀的诸多特性,该腐蚀通常在一个有限的腔室内完成。很少有微机械化或集成化的器件是在没有进行一些湿法化学处理的情况下开发或制造的。不管器件是否是电气的,机械的,电子的,集成的,光学的,光电子学的,生物的,聚合的,微流控的传感器或执行器,有关这些器件的制造工艺或过程的替换决定将对最终的技术和商业成功有重要影响。这些器件通常在硅衬底、化合物半导体、玻璃、石英、陶瓷或塑性材料上制造,可能涉及在这些材料上淀积一层或多层薄膜并光刻和腐蚀。这些层和淀积顺序受工艺和用于开发和制造该器件的工艺单元限制,随着层数的增长变的越来越复杂和相互影响。 近乎所有IC,MEMS,MOEMS,MST和NEMS类的器件的产生都很可能与一些湿法腐蚀工艺有关。整个工艺流程可被描述为一系列步骤或者序列,这些湿法腐蚀常用于选择性的去除淀积薄膜的一部分,剥去诸如硬掩膜和光刻胶等特定的材料,为以后的加工清洗和准备衬底,去除牺牲层和部分衬底,以及形成三维结构。一个湿法腐蚀工序需要考虑如下一些因素,包括有效的腐蚀剂,腐蚀选择性,腐蚀速率,各向同性腐蚀,材料的兼容性,工艺的兼容性,花费,设备的可用性,操作人员的安全,技术支持和适当的废物处理。干法刻蚀能实现各向异性刻蚀,保证细小图形转移后的高保真性。器件设计者,工艺设计师,或者制造商在工艺允许的情况下可能偏向使用一个完整的干法处理流程,但是许多标准的处理步骤例如光刻胶的显影和圆片清洗仍然湿法的。与干法刻蚀相比,湿法腐蚀工序在成本,速度,性能发面更有优势。干法刻蚀的仿真还不可用,如常用的微结构的选择性钻蚀或与晶向相关的腐蚀仿真等。考虑到干法刻蚀要求在一个昂贵的等离子区或者RIE腐蚀系统里有长的腐蚀时间,湿法腐蚀变得特别有吸引力,需要同时处理整盒圆片(25片装圆片盒)或更多的圆片时,湿法腐蚀在成本和时间上的效益更突出。 不管选择干法还是湿法加工工艺,总是强烈受到在特定的加工环境下设备的可用性及对开发者有用的工艺限制。成功的设计者,开发者和制造商几乎总是使用或修改趁手的工艺。除非是必须开发新工艺,安装新设备,或者取得新的工艺技能,一般总是避免额外的需求。理解什么时候要应用干法和湿法这两个工艺并且在可能的情况下使用标准工艺是很重要的。下表总结比较湿法和干法刻蚀之间的一般注意事项。 http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2016/12/201612130959_02_3091062_3.jpg

高容量专用刻蚀系统相关的耗材

  • 高容量可视氧气捕集器
    高容量可视氧气捕集器1、当工作时,氧和水被捕集的时候,指示剂由深蓝色变成黑色.2、持续时间超过三个小的分离器.3、所有载气均可用.4、室温下工作, 最高耐压:100 psi (689 kPa)5、内置筛板捕集微粒.6、输出气体纯度:O2 0.1 ppm ,输入载气氧气纯度小于15ppm H2O 0.5 ppm ,输入载气氧气纯度小于10ppm7、最高耐压: 150 psi (1,034 kPa).8、最高流速: 16.5 L/min.描述 Fittings 数量 货号 高容量可视氧气捕集器 1/8" 黄铜材质 单件 20624高容量可视氧气捕集器 1/4" 黄铜材质 单件 20623捕集器套 (适用于1/4" 或者1/8" 外罩 ) 单件 20625O型圈 (5个小的和5个大的 ) kit 22081
  • 高容量可视氧气捕集阱
    高容量可视氧气捕集阱◇ 当工作时,氧和水被捕集的时候,指示剂由深蓝色变成黑色.◇ 持续时间超过三个小的分离器.◇ 所有载气均可用.◇室温下工作, 最高耐压:100 psi (689 kPa)◇内置筛板捕集微粒.◇ 输出气体纯度:O2 0.1 ppm ,输入载气氧气纯度小于15ppmH2O 0.5 ppm ,输入载气氧气纯度小于10ppm◇ 最高耐压: 150 psi (1,034 kPa).◇最高流速: 16.5 L/min.高容量可视氧气捕集阱描述规格数量货号高容量可视氧气捕集器1/8" 黄铜材质单件20624高容量可视氧气捕集器1/4" 黄铜材质单件20623捕集器套 (适用于1/4" 或者1/8" 外罩 )—单件20625O型圈 (5个小的和5个大的 )—kit22081
  • 高容量分流口捕集器
    高容量分流口捕集器1、减少毛细管分流口释放的有害物质进入实验室.2、包括连接线和安装工具包.描述 Fittings 数量 货号 高容量分流口捕集器 1 / 8 " 单件 20698高容量分流口捕集器 1 / 8 " 5-pk. 20699
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