高容量专用刻蚀系统

光刻工艺光刻是用光刻胶、掩模和紫外光进行微制造 ,工艺如下 :(a)仔细地将基片洗净;(b)在干净的基片表面镀上一层阻挡层 ,例如铬、二氧化硅、氮化硅等;(c) 再用甩胶机在阻挡层上均匀地甩上一层几百 A厚的光敏材料——光刻胶。光刻胶的实际厚度与它的粘度有关 ,并与甩胶机的旋转速度的平方根成反比;(d) 在光掩模上制备所需的通道图案。将光掩模复盖在基片上,用紫外光照射涂有光刻胶的基片,光刻胶发生光化学反应;(e)用光刻胶配套显影液通过显影的化学方法除去经曝光的光刻胶。这样，可用制版的方法将底片上的二维几何图形精确地复制到光刻胶层上；(f) 烘干后 ,利用未曝光的光刻胶的保护作用 ,采用化学腐蚀的方法在阻挡层上精确腐蚀出底片上平面二维图形。掩模制备用光刻的方法加工微流控芯片时 ,必须首先制造光刻掩模。对掩模有如下要求：a.掩模的图形区和非图形区对光线的吸收或透射的反差要尽量大;b.掩模的缺陷如针孔、断条、桥连、脏点和线条的凹凸等要尽量少;c.掩模的图形精度要高。通常用于大规模集成电路的光刻掩模材料有涂有光胶的镀铬玻璃板或石英板。用计算机制图系统将掩模图形转化为数据文件，再通过专用接口电路控制图形发生器中的爆光光源、可变光阑、工作台和镜头，在掩模材料上刻出所需的图形。但由于设备昂贵，国内一般科研单位需通过外协解决，延迟了研究周期。由于微流控芯片的分辨率远低于大规模集成电路的要求，近来有报道使用简单的方法和设备制备掩模，用微机通过CAD软件将设计微通道的结构图转化为图象文件后，用高分辨率的打印机将图象打印到透明薄膜上，此透明薄膜可作为光刻用的掩模，基本能满足微流控分析芯片对掩模的要求。湿法刻蚀在光刻过的基片上可通过湿刻和干刻等方法将阻挡层上的平面二维图形加工成具有一定深度的立体结构。近年来，使用湿法刻蚀微细加工的报道较多，适用于硅、玻璃和石英等可被化学试剂腐蚀的基片。已广泛地用于电泳和色谱分离。湿法刻蚀的程序为 :(a) 利用阻挡层的保护作用，使用适当的蚀刻剂在基片上刻蚀所需的通道 ;(b) 刻蚀结束后 ,除去光胶和阻挡层，即可在基片上得到所需构型的微通道；(c)在基片的适当位置(一般为微通道的端头处)打孔，作为试剂、试样及缓冲液蓄池。刻有微通道的基片和相同材质的盖片清洗后，在适当的条件下键合在一起就得到微流控分析芯片。玻璃和石英湿法刻蚀时，只有含氢氟酸的蚀刻剂可用，如HF/HNO3，HF/ NH4。由于刻蚀发生在暴露的玻璃表面上，因此，通道刻的越深，通道二壁的不平行度越大 ,导至通道上宽下窄。这一现象限制了用湿法在玻璃上刻蚀高深宽比的通道。等离子体刻蚀等离子体刻蚀是一种以化学反应为主的干法刻蚀工艺，刻蚀气体分子在高频电场作用下，产生等离子体。等离子体中的游离基化学性质十分活泼，利用它和被刻蚀材料之间的化学反应，达到刻蚀微流控芯片的目的。等离子体刻蚀已应用于玻璃、石英和硅材料上加工微流控芯片 , 如石英毛细管电泳和色谱微芯片。先在石英基片上涂上一层正光胶 (爆光后脱落的光胶)，低温烘干后，放置好掩模，用紫外光照射后显影，在光胶上会产生微结构的图象。然后用活性CHF3等离子体刻蚀石英基片 ,基片上无光胶处会产生一定的深度通道或微结构。这样可产生高深宽比的微结构。近来，也有将等离子体刻蚀用于加工聚合物上的微通道的报道。http://www.whchip.com/upload/201610/1477271936108203.jpg

试验室专用测试系统的运行环境是比较重要的，不同的湿度对于试验室专用测试系统来说都是有一定的影响，造成试验室专用测试系统的故障，那么湿度对于试验室专用测试系统有哪些影响呢？　　湿度偏高，降低了试验室专用测试系统电气设备绝缘强度，空气中的水分附着在绝缘材料的表面，形成凝露，使电气设备的绝缘电阻降低，设备的泄漏电流大大增加，造成绝缘击穿，开关设备内部发生凝露引起爬电、闪络事故，产生电气故障。　　如果空气不对流，将使霉菌生长迅速加快，因此，在湿度相同、气温相等的情况下，室内设备长霉比室外设备要严重得多。试验室专用测试系统材料本身或者表面有脏物，就给霉菌的生长提供了必须的养料。霉菌形成后，霉菌细胞中含有大量的水分，当菌丝呈网状布满绝缘体表面时，不仅产品绝缘性能大大降低，而且影响设备外观和标志。霉菌在代谢的过程中，往往会分泌出酸性物质。使导电金属和电接触材料产生一层晦暗膜，导致接触电阻增大。特别对无锡冠亚试验室专用测试系统的印刷电路板，如果长期处在这样环境中会腐蚀电路，将降低仪器精度，或造成设备故障，甚至烧毁仪器。　　电气设备中的导电金属、导磁硅钢片受到腐蚀后，将严重降低设备的性能和使用寿命，相对湿度达到一定数值后，试验室专用测试系统金属的腐蚀会突然加快。腐蚀致使金属失去应有的性能。电气柜热交换器使控制箱内外空气隔绝，确保箱内空气洁净，采用热管式结构设计，具有高效率的热交换能力，结构简单，维修方便。　　试验室专用测试系统不用于一般的控温系统，湿度对于其试验室专用测试系统的影响还是比较大的，所以，我们尽量避免湿度对于试验室专用测试系统的影响，放置特地环境中。

在用AFM进行电刻蚀时，用导电铂针进行刻蚀。但是每次刻蚀完之后用半接触模式很难扫描出清晰的图像。。。。。有没有什么方法能用铂针搜出清晰图像。

如何用SEM做电子束刻蚀？有什么特殊装备吗？

各位做过等离子刻蚀的同行们： 我是一个新手，在刻蚀聚苯乙烯小球的时候自己设置了几个参数，但是具体每个参数对实验结果的影响还不是很清楚，先列出来Icp（w）；RF（w）；Pressure（mT）等。希望大家给予指点，不胜感激

我想用XPS刻蚀的方法测量高效减水剂在粉体材料上的吸附层厚度，应该如何制样，请各位高手请点！非常感谢！

我用的是日本精工的SPM,在对样品进行刻蚀的时侯，本来是想刻蚀出一条直线，为什么只刻蚀出几个点来，所加的刻蚀电压已经是最高了

目前我做的两万倍好像看不清楚刻蚀作用。

作者：泛林集团 Semiverse Solutions 部门软件应用工程师 Pradeep Nanja介绍半导体行业一直专注于使用先进的刻蚀设备和技术来实现图形的微缩与先进技术的开发。随着半导体器件尺寸缩减、工艺复杂程度提升，制造工艺中刻蚀工艺波动的影响将变得明显。刻蚀终点探测用于确定刻蚀工艺是否完成、且没有剩余材料可供刻蚀。这类终点探测有助于最大限度地减少刻蚀速率波动的影响。刻蚀终点探测需要在刻蚀工艺中进行传感器和计量学测量。当出现特定的传感器测量结果或阈值时，可指示刻蚀设备停止刻蚀操作。如果已无材料可供刻蚀，底层材料（甚至整个器件或晶圆）就会遭受损坏，从而极大影响良率[1]，因此可靠的终点探测在刻蚀工艺中十分重要。半导体行业需要可以在刻蚀工艺中为工艺监测和控制提供关键信息的测量设备。目前，为了提升良率，晶圆刻蚀工艺使用独立测量设备和原位（内置）传感器测量。相比独立测量，原位测量可对刻蚀相关工艺（如刻蚀终点探测）进行实时监测和控制。使用 SEMulator3D工艺步骤进行刻蚀终点探测通过构建一系列包含虚拟刻蚀步骤、变量、流程和循环的“虚拟”工艺，可使用 SEMulator3D 模拟原位刻蚀终点探测。流程循环用于在固定时间内重复工艺步骤，加强工艺流程控制（如自动工艺控制）的灵活性[2]。为模拟控制流程，可使用 "For Loop" 或 "Until Loop"（就像计算机编程）设置一定数量的循环。在刻蚀终点探测中，可使用 "Until Loop"，因为它满足“已无材料可供刻蚀”的条件。在循环中，用户可以在循环索引的帮助下确认完成的循环数量。此外，SEMulator3D 能进行“虚拟测量”，帮助追踪并实时更新刻蚀工艺循环中的材料厚度。通过结合虚拟测量薄膜厚度估测和流程循环索引，用户可以在每个循环后准确获取原位材料刻蚀深度的测量结果。用 SEMulator3D 模拟刻蚀终点探测的示例初始设定在一个简单示例中，我们的布局图像显示处于密集区的四个鳍片和密集区右侧的隔离区（见图1）。我们想测量隔离区的材料完成刻蚀时密集区的刻蚀深度。我们将用于建模的区域用蓝框显示，其中有四个鳍片（红色显示）需要制造。此外，我们框出了黄色和绿色的测量区域，将在其中分别测量隔离区的薄膜厚度 (MEA_ISO_FT) 和沟槽区的刻蚀深度 (MEA_TRENCH_FT)。工艺流程的第一步是使用 20nm 厚的硅晶体层（红色）、30nm 的氧化物（浅蓝色）和 10nm 的光刻胶（紫色）进行晶圆设定（图2）。我们曝光鳍片图形，并对使用基本模型刻蚀对光刻胶进行刻蚀，使用特定等离子体角度分布的可视性刻蚀对氧化物材料进行刻蚀。氧化物对光刻胶的选择比是100比1。我们在 SEMulator3D 中使用可视性刻蚀模型来观察隔离区和有鳍片的密集区之间是否有厚度上的差异。[img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/a41bec0f-535e-420a-8a19-ed4282cd5c66.jpg[/img]图1：模型边界区域（蓝色），其中包含四个鳍片（红色）和用于测量隔离区（黄色）和沟槽区（绿色）薄膜厚度的两个测量区域[img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/630f2367-a619-4bc9-8608-09c532bef68f.jpg[/img]图2：SEMulator3D 模型，硅晶体（红色）、氧化物（浅蓝色）和在光刻胶中显影的四个鳍片（紫色）SEMulator3D 刻蚀终点探测循环SEMulator3D 的工艺流程使用 Until Loop 循环流程。我们将测量隔离区的材料厚度，并在隔离氧化物薄膜耗尽、即厚度为0时 (MEA_ISO_FT==0) 停止该工艺。在这个循环中，每个循环我们每隔 1nm 对氧化物材料进行1秒的刻蚀，并同时测量此时隔离区氧化物薄膜厚度。此外，我们将在每次循环后追踪两个鳍片间沟槽区的刻蚀深度。这个循环索引有助于追踪刻蚀循环的重复次数（图3）。[img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/5041079a-7da3-459f-907c-f62f1b6ac8c1.jpg[/img]图3：SEMulator3D 刻蚀终点探测模拟中的循环流程结果对隔离薄膜进行刻蚀，直至其剩余 20nm、10nm 和 0nm 深度的模拟结果如图4所示。模型中计算出隔离薄膜厚度的测量结果，以及两个鳍片间沟槽区的刻蚀深度。[img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/b5d9d13c-68e2-4389-80d1-b974c07afe99.jpg[/img]图4：隔离区薄膜厚度剩余 20nm、10nm 和 0nm 的工艺模拟流程，及相应从光刻胶底部开始的沟槽刻蚀深度我们对循环模型进行近30次重复后，观察到隔离区的薄膜厚度已经达到0，并能追踪到沟槽区氧化物的刻蚀深度（当隔离区被完全刻蚀时，密集区 30nm 的氧化物已被刻蚀 28.4nm）。结论SEMulator3D 可用来创建刻蚀终点探测工艺的虚拟模型。这项技术可用来确定哪些材料在刻蚀工艺中被完全去除，也可测量刻蚀后剩下的材料（取决于刻蚀类型）。使用这一方法可成功模拟原位刻蚀深度控制。使用类似方法，也可以进行其他类型的自动工艺控制，例如深度反应离子刻蚀 (DRIE) 或高密度等离子体化学[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp][color=#3333ff]气相[/color][/url]沉积 (HDP-CVD) 工艺控制。参考资料：[1] Derbyshire, Katherine. In Situ Metrology for Real-Time Process Control, Semiconductor Online, 10 July 1998, https://www.semiconductoronline.com/doc/in-situ-metrology-for-real-time-process-contr-0001.[2] SEMulator3D V10 Documentation: Sequences, Loops, Variables, etc.[来源：大半导体产业网][align=right][/align]

超牛的纳米刻蚀技术http://simg.instrument.com.cn/bbs/images/brow/em09507.gifhttp://202.118.73.154/gongkewuli/Reading/R_stm/Images/STM12.JPG

食用酒精专用毛细管色谱分析系统按照GB/T3942-94 GB/0343-2002 配置优秀的食用酒精毛细管色谱柱分析系统，并提供成套分析方案，免费培训工作人员，望广大厂商洽谈。另提供白酒分析专用填充柱系统。联系电话13641258877 联系人： 任冬明[color=red]【由于该附件或图片违规，已被版主删除】[/color][color=red]【由于该附件或图片违规，已被版主删除】[/color]

有谁用AFM做过纳米刻蚀？效果怎么样？http://simg.instrument.com.cn/bbs/images/brow/em09507.gif可否分享下图片，让我们瞧瞧

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低温实验专用仪器是无锡冠亚针对实验室打造的制冷加热设备，在低温实验专用仪器中，蒸发器的重要性不言而喻，那么蒸发器对于制冷系统有什么影响？　　根据不同的机型，对低温实验专用仪器蒸发器的选择也不一样，比如箱体式低温实验专用仪器，使用水箱盘管式蒸发器；开放式低温实验专用仪器和螺杆式冷冻机，则选用壳管式蒸发器；对于耐酸碱低温实验专用仪器，可选择钛管式蒸发器或者不锈钢板式交换器。一种冰水机，可有多种选择，当然，更可以根据用户需求来定做。　　低温实验专用仪器蒸发器的温度状况：正常情况下，蒸发器外表面很冷，其凝露水珠不断地滴下来，进出风温度较大，通常Δt可在12~14℃.不正常情况，蒸发器表面不太凉,露水不多，或不结露，可听到制冷剂流动声音很响，进出风温差小。其原因是制冷剂量不足，或膨胀阀开启度小。　　影响低温实验专用仪器蒸发温度的因素有以下几点：　　蒸发器管路结油：正常情况下由于润滑油和制冷剂互溶，在换热器表面不会形成油膜，可以不考虑油膜热阻，但在追加润滑油情况下，必须选用和原来标号相同的润滑油，防止油膜的产生。 空气过滤网堵塞：必须定期更换过滤网，保证空调所需的循环风量。干燥过滤器堵塞：为保证制冷剤的正常循环，制冷系统必须保持清洁、干燥，如果系统有杂质，就会造成干燥过滤器堵塞，系统供液困难，影响制冷效果。制冷剂太少，追加制冷剂。　　低温实验专用仪器中蒸发器在品质上也是有一定的要求的，品牌较好有一定质量保证，这样低温实验专用仪器运行才会更加稳定。

想用离子刻蚀制备EBSD样品，材料是碳含量为0.5%左右的珠光体钢。但是不知离子刻蚀的具体参数，所以想请了解这方面的给些建议。

一般来说，新能源专用测试系统是需要定期进行更换润滑油的，那么，无锡冠亚新能源专用测试系统在更换的时候需要注意哪些呢？润滑油有哪些作用呢？　　新能源专用测试系统的润滑油的酸化会直接影响压缩机电机的使用寿命，因此应定期对新能源专用测试系统的润滑油检查的酸度是否合格。通常，如果润滑油的酸度低于PH6，则应更换润滑油的酸度。如果无法检查酸度，应定期更换系统的干燥过滤器，以保持系统在正常条件下的干燥。如果100ml冷冻油中的污染物超过5mg，这时候建议更换下冷冻油。　　新能源专用测试系统活塞和汽缸之间，主轴和轴瓦之间均存在着快速的相对滑动，要防止零件过快的磨损，则需要在两个滑动表面间建立油膜。有足够厚度的油膜将相对滑动的零件表面隔开，从而达到减少磨损的目的。　　新能源专用测试系统的润滑油能够将热量带回润滑油箱再散发至空气中帮助水箱冷却发动机。　　对于无锡冠亚新能源专用测试系统来说，好的润滑油能够将发动机零件上的碳化物、油泥、磨损金属颗粒通循环带回润滑油箱，通过润滑油的流动，冲洗了零件工作面上产生的脏物。润滑油可以在活塞环与活塞之间形成一个密封圈，减少气体的泄漏和防止外界的污染物进入。润滑油能吸咐在零件表面防止水、空气、酸性物质及有害气体与零件的接触。当发动机气缸口压力急剧上升，会突然加剧活塞、活塞屑、连杆和曲轴轴承的负荷，这个负衔经过轴承的传递润滑，使承受的冲击负荷起到缓冲的作用。　　另外，冠亚的新能源专用测试系统润滑油如果发生变质的话也会影响其性能以及功能的，所以搞好新能源专用测试系统润滑，也是一件比较重要的事情之一。

配制标液的50ml，100ml容量瓶，大家是专瓶专用吗？容量瓶保存标液一般能保质多长时间？

看到吴版讨论容量瓶专用，我们实验室也是类似情况，主要针对标液配置这块，考虑容量瓶吸附，刻度误差等，买了一批BRAND的容量瓶，规格有50ml，和100ml的，不过价格很贵，要170多一个，相对我们买的天波，博美等，价铬区别大，大家有类似情况吗？

新材料专用测试系统如果不定期清理的话，就会造成新材料专用测试系统内部进入杂质，使得新材料专用测试系统运行存在风险，出现冷却器偏流的现象，那么，对于此现象怎么解决呢？　　新材料专用测试系统冷却器偏流现象的话，先考虑如何去除杂质，通过对空气 流路的反吹，证明杂质不在空气流路上，而对返流气体流路的吹扫，需要和空气流路反吹一样高的压力，但冷却器和返流管道无法承受如此高的压力。　　如果按新材料专用测试系统冷却器返流气体的设计压力来反吹，又达不到效果，冷箱和主冷箱没有隔开，为了对管道进行改造，不得不对主冷箱进行扒砂处理，一方面耗费了大量的时间、人力和物力，另一方面，对冷箱内设备和管道也造成一定的伤害。风冷却器为什么要进行定期清理？　　冷却器设备和管道线路线中都会产生很多结焦、油污垢、水垢、沉积物、腐蚀产物、聚合物、菌类、藻类、粘泥等污垢。无锡冠亚提醒，产生的这些污垢会使设备和管道线路失效，装置系统会导致生产下降，能耗、物耗增加等不良情况。　　清洗风冷却器的正确姿势需冷却器停机后先确认压力是否已经全部释放完毕，拉下新材料专用测试系统电源总开关，打开导风罩清理盖板，或拆下冷却风扇。用压缩空气反吹将污物吹下，再把污物拿出导风罩；假如较脏，应喷一些除油剂再吹。当螺杆空压机不能用以上办法清理时，需要将冷却器拆下，用洗涤液浸泡或喷冲并借助刷子（严禁应用钢丝刷）清理。  装好盖板或冷却电扇。　　随着科技的不断发展，冠亚新材料专用测试系统使用的范围也越来越广，很多新能源汽车都有望通过它来达到想要的温度。

雕花玻璃是用什么物质对玻璃进行刻蚀而制成的？

氩气注入的具体方法是什么，与氩离子刻蚀的区别是什么，求高手指教！

半导体系统专用高精度控制电源应用在国内半导体行业中，无锡冠亚的半导体系统专用高精度控制电源中每个配件都是很重要的，其中，关于水泵是比较重要，我们也需要对其有一定的认识。　　半导体系统专用高精度控制电源是一类广泛应用于国内工业生产领域的专业制冷设备，在半导体系统专用高精度控制电源中，水泵的运行是否正常对于保证低温半导体系统专用高精度控制电源设备的正常运转是非常重要的，定期对低温半导体系统专用高精度控制电源的水泵进行检测是非常关键的，那么，怎样合理的评估和检测低温半导体系统专用高精度控制电源水泵的情况好呢?　　半导体系统专用高精度控制电源水泵的情况在较大程度上影响着低温半导体系统专用高精度控制电源设备的整体运行。在半导体系统专用高精度控制电源工作的时候，水泵在运行中，应注意检查各个仪表工作是否正常、稳定，特别注意电流表是否超过电动机额定电流，电流过大，过小应立即停机检查。　　另外，半导体系统专用高精度控制电源设备的水泵相关工作系统能够较好的反映半导体系统专用高精度控制电源设备的工作状态。比如，水泵流量是否正常，检查出水管水流情况，根据水池水位变化，估计水泵运行时间，及时与调度联系。同时，还要检查水泵填料压板是否发热，滴水是否正常，每班不得少于八次。　　半导体系统专用高精度控制电源的水泵性能是很关键的，需要我们认真对待，认真保养，只有每个配件的性能都可以的话，半导体系统专用高精度控制电源才能更好的使用。

在实验室里经常使用容量瓶量取和确定液体的体积。　　如何使用容量瓶呢？　　（1）使用前要检漏 检漏时，向容量瓶中加水到标线附近，塞好瓶塞，把瓶倒立2分钟，如下图所示。观察瓶塞周围是否有水渗出，如果不漏水即可使用。容量瓶的玻璃磨口塞是配对专用的，切勿随意换用。　　容量瓶使用前要洗干净，内壁被蒸馏水均匀润湿，不挂水珠，否则要重洗。洗涤方法跟洗涤滴定管相同。　　（2）配制溶液 把溶解后冷到室温的溶液按上页右图所示转入已洗净的容量瓶中。用蒸馏水把烧杯洗涤三次，洗出液一并加入容量瓶。然后加蒸馏水到接近标线2～3mm处，再改用滴管慢慢滴加，直到溶液凹液面的最低处跟标线相切。塞好瓶塞，把容量瓶倒转几次，使瓶内溶液混合均匀。

话说，申请CNAS申请的第一方实验室的检测专用章在刻制的时候，有什么要求吗？比如说一定要有法人单位的名称？一定得有实验室的名称，也就是向CNAS申请时的名称一致？有哪个文件作为观点支持吗？

一般离子刻蚀样品（离子清洗样品）所用的枪为氩离子枪。主要清洗样品表面的粘污物和深度剖析时刻蚀样品。在电子能谱分析中常用离子刻蚀样品