高容量专用刻蚀系统

1290 Infinity III 高容量柱温箱 (MCT) 是一款 UHPLC 柱温箱，能够在宽温度范围内提供精确的温度控制，可冷却至环境温度以下 20 °C，并加热至 110 °C。MCT 柱温箱可容纳最多八根色谱柱。额定压力为 1300 bar 的高压阀适用于各种应用，例如在八根色谱柱中进行自动化选择，用于分析物富集或基质去除的样品前处理，或交替色谱柱再生。1290 Infinity III MCT 与任何 InfinityLab 液相色谱系列系统均完美适配，也可以与早期 1260 和 1290 Infinity 系列模块结合使用。特性：帕尔帖冷却/加热具有两个独立的温区，温度范围为环境温度以下 20 °C 至 110 °C，可实现最高的应用灵活性高温稳定性，获得可重现的保留时间和峰面积多达四根 30 cm 或八根 10 cm 色谱柱，且配备 InfinityLab Quick Connect 快速连接接头或预柱，以获得高色谱柱容量四个模块组合，最多可容纳 16 根 (30 cm) 或 32 根 (10 cm) 色谱柱，从而提高容量和灵活性90° 或 180° 的门位置可实现出色的实用性，或可将门卸下以提供最大的可操作性InfinityLab Quick Connect 快速连接热交换器可实现可重现的柱前溶剂加热InfinityLab Quick Connect 快速连接接头有利于高效、快速和便捷的色谱柱更换可选的阀驱动，用于激活用户可自行更换的 InfinityLab Quick Change 快速更换阀头，额定压力高达 1300 bar最多可识别八根色谱柱，并记录类型、主要参数和进样次数以获得可追溯的色谱柱使用历史

1260 Infinity III 高容量柱温箱 (MCT) 是一款恒温 HPLC 柱温箱，可在宽温度范围内对最多四根色谱柱提供精确的温度控制，可冷却至环境温度以下 10 °C，并加热至高达 85°C。额定压力为 800 bar 的高压阀适用于各种应用，例如多达四根色谱柱的自动化选择，用于分析物富集或基质去除的样品前处理，或交替色谱柱再生。1260 Infinity III MCT 与任何 InfinityLab 液相色谱系列系统均完美适配，也可以与早期 1260 和 1290 Infinity 系列模块结合使用。特性：帕尔帖冷却/加热具有两个独立的温区，温度范围为环境温度以下 10 °C 至 85 °C，可实现最高的应用灵活性多达四根配备 InfinityLab Quick Connect 快速连接接头或预柱的 30 cm 色谱柱，以获得高色谱柱容量热交换器和 InfinityLab Quick Change 快速更换阀阀头的生物惰性选件可用于分析生物分子90° 或 180° 的门位置可实现出色的实用性，或可将门卸下以提供最大的可操作性InfinityLab Quick Connect 快速连接热交换器可实现可重现的柱前溶剂加热InfinityLab Quick Connect 快速连接接头有利于高效、快速和便捷的色谱柱更换可选的阀驱动，用于激活用户可自行更换的 InfinityLab Quick Change 快速更换阀头，额定压力高达 800 bar最多可识别四根色谱柱，并记录类型、主要参数和进样次数以获得可追溯的色谱柱使用历史

品牌： GATAN 名称型号：精密刻蚀镀膜系统PECS II 685制造商： 美国GATAN公司经销商：欧波同有限公司产品综合介绍： 产品功能介绍Gatan公司的精密刻蚀镀膜仪 (PECS™ ) II 是一款桌面型宽束氩离子抛光及镀膜设备。对于同一个样品，可在同一真空环境下完成抛光及镀膜。品牌介绍美国Gatan公司成立于1964年并于70年代末进入中国市场。Gatan公司以其产品的高性能及技术的先进性在全球电镜界享有极高声誉。作为世界领先的设计和制造用于增强和拓展电子显微镜功能的附件厂商，其产品涵盖了从样品制备到成像、分析等所有步骤的需求。产品应用范围包括材料科学、生命科学、地球物理学、电子学，能源科学等领域， 客户范围涵盖全球的科研院所，高校，各类检测机构及大型工业企业实验室，并且在国际科学研究领域得到了广泛认同。经销商介绍欧波同有限公司是中国领先的微纳米技术服务供应商，是一家以外资企业作为投资背景的高新技术企业，总部位于香港，分别在北京、上海、辽宁、山东等地设有分公司和办事处。作为蔡司电子显微镜、Gatan扫描电子显微镜制样设备及附属分析设备在中国地区最重要的战略合作伙伴，公司秉承“打造国内最具影响力的仪器销售品牌”的经营理念，与蔡司，Gatan品牌强强联合，正在为数以万计的中国用户提供高品质的产品与国际尖端技术服务。产品主要技术特点： 精密刻蚀镀膜仪 (PECS™ ) II，采用两个宽束氩离子束对样品表面进行抛光，去除损失层，从而得到高质量的样品，用于在SEM、光镜或者扫描电子探针上进行成像、EDS，EBSD，CL，EBIC或者其他分析，另外将这两支离子枪对准靶材溅射，可用来对样品做导电金属膜沉积处理，以防止样品在电镜中发生荷电效应。这款仪器被设计为不破坏真空，不将样品新鲜表面暴露在大气中，即可对抛光样品进行处理。样品的装卸是通过一个专门设计的装样工具在真空交换舱中完成。 两支具有更大电压范围的小型潘宁离子枪，可提供快速柔和的抛光效果。低至100eV的离子束提供更柔和的抛削效果，用于样品的终极抛光。低能聚焦电极使得离子束的直径在几乎整个加速电压范围内都保持一致。每个离子枪都能准确独立地进行对中。在仪器运行过程中，离子枪的角度可随时进行调整。离子枪的气流可在触摸屏上通过手动方式或者自动方式进行调整， 用于优化离子枪的工作电流。PECS II样品台采用液氮制冷方式。可以有效的保护样品，避免离子束热损伤，消除可能的假象。集成的10英寸彩色触摸屏计算机可对PECS II系统的所有操作参数进行完全控制。此界面不仅可以设定所有参数并能够监控抛光过程。所有的操作参数还可以存为配方，调用配方可获得高精度重复实验。涡轮分子泵搭配两级隔膜泵保证了超洁净环境。通过Gatan的样品装卸工具能实现快速样品交换（ 1min），这样就能保证换样过程中加工舱室始终处在高真空状态。 图片说明：（A）PECSII 抛光的样品表面的二次电子像，显示出高度孪晶的晶粒（B）PECSII 抛光后的锆合金的菊池花样（C）EBSD欧拉角分布图（D）IPFZ面分而战。照片由牛津大学材料学院Angus Wilkin-son 教授和Hamidreza Abdolvand 博士提供。数据是在配有Bruker Quantax EBSD系统的Zeiss Merlin Compact扫描电镜上采集。产品主要技术参数： 离子源*离子枪两支配有稀土磁铁的潘宁离子枪，高性能无耗材*抛光角度±10°, 每支离子枪可独立调节离子束能量100 eV 到 8.0 keV离子束流密度10 mA/cm2 峰值离子束直径可用气体流量计或放电电压来调节样品台样品大小：最大直径 32mm， 最大高度 15mm样品装载： 对于截面样品抛光采用 Ilion™ II 专利的样品挡板，二次再加工位置精确。样品抛光及镀膜功能：兼具有平面抛光、截面抛光及溅射镀膜功能，靶材数：2个靶材切换：无需破坏真空，可直接切换样品旋转：1 到 6 rpm 可调束流调制：角度可调的单束调制或双束调制真空系统干泵系统80 L/s 的涡轮分子泵配有两级隔膜泵压力5 x 10-6 torr 基本压力8 x 10-5 torr 工作压力真空规冷阴极型，用于主样品室；固体型，用于前级机械泵*样品空气锁Whisperlok专利技术，无需破坏主样品室真空即可装卸样品，样品交换时间 1 min用户界面*10 英寸触摸屏操作简单，且能够完全控制所有参数和配方式操作*操作界面语言：提供中文、英文等多种选择 产品主要应用领域： EBSD样品制备截面样品制备金属材料（合金，镀层）石油地质岩石矿物光电材料化工高分子材料新能源电池材料

1290 Infinity II 高容量柱温箱拥有zui大的实用性和精确的柱温控制 Agilent 1290 Infinity II 高容量柱温箱 (MCT) 可从冷却到室温下 20 °C 到 110 °C 较宽的温度范围内实现精确的柱温控制，具有无限的灵活性，能够优化液相色谱分离速度和选择性。超高压阀实现广泛的应用，例如，可从一个 MCT 的 8 根色谱柱中选择色谱柱、进行富集分析物或去除基质的样品前处理，交替柱再生，以及其他更多应用。MCT 非常适合所有 1290 Infinity II 模块，也可与 Agilent 1260 和 1290 Infinity 系列的模块配合使用。特性灵活的下翻式设计实现更加出色的实用性能：开门至 90 °（工作台功能）、180 ° ，或者甚至可以把门卸下来实现极佳操作性。通过新的快速连接接头，高效、快速、zui便捷地完成色谱柱更换。zui大的色谱柱容量，一个 MCT 中容纳多达 8 根色谱柱。用于柱前溶剂加热的新一代快速连接热交换器，可轻松安装在 8 根色谱柱的任一根上，经过优化实现了zui小扩散体积。具有zui大的应用灵活性，有两个独立的温度区域，通过帕尔贴冷却和加热，温度可控制在低于室温 20 °C到 110 °C。用于 1200 Infinity 系列快速更换高压阀的可选阀驱动。高精度的高温控制，具有可重现的保留时间和峰面积。

性能优越，适用于各种大容量实验室搅拌应用MSL 25是一个高容量的磁力搅拌器，旨在为各种实验室应用提供高性能的需求。缓冲溶液的制备制药工业中缓冲溶液和WFI（注射用水）的制备缓冲溶液溶解过程的样品制备 疫苗生产细胞和组织培养 Nalgene carboys大瓶和玻璃桶的应用多用途、可靠间歇模式程序，满足您的工作流程。无刷电机在任何速度下都能供提高容量的连续运行清晰的LCD显示，确保准确的速度设置搅拌至 25升体积 （H2O）转速范围为 40-1500 转/分SpeedServoTM 技术保持恒定的 速度通过集成的定时器（1至99分钟）实现可编程操作搅拌方向的自动反转 (5s～99min55s)安全性轻轻启动，保护您的样品控制面板可防止液体溢出耐用的不锈钢罩安全锁功能，避免工作条件可能发生的改变

仪器简介：用弱酸、中性或弱碱的水溶液灌注此类清洗器，清洗较大的玻璃、塑料或金属物体。高效率、内嵌的带RFI抑制的频率发生器是专门为连续工作而设计。内嵌的、1000瓦特的加热器维持溶液温度在175华氏度附近（79摄氏度附近）。在40千赫兹的频率下工作。 易于清洗的304不锈钢容器没有角落焊接或者其他能够停尘的表面；排水系统位于底部。 注意:总是用金属丝悬挂物体进行清洗或者使用穿孔的附件篮子18000-72（需另购） 抗腐蚀的容器为绝缘体，确保安静的操作同时降低热损失。该装置包括一根6英尺长的三相带插头的电源线。注意：不带盖子，需另购盖子08847-90。技术参数：08847-00 10加仑高容量超声波清洗器，120伏交流电压 10加仑 1/2英寸标准压与温度(M)08847-02 10加仑高容量超声波清洗器，220伏交流电压 10加仑 1/2英寸标准压与温度(M)主要特点：连续工作设计尤其适用于用户进行严格的清洗工作。

AbraPlan-30一款可实现快速高效平面研磨的可靠高容量设备AbraPlan-30 事实可自动检测表面的整形器耗时和磨石消耗经过优化用户界面便于导航不锈钢碗极其耐用AbraPlan-30 具有多种特色和优势，让用户能够优化其研磨过程以节约时间和耗材。作为金相市场上最强大的粗磨机，AbraPlan-30 这一强力快速粗磨机是需要对极大尺寸试样或大量试样执行测试的实验室或工作场所的理想选择。快速而又简单自动金刚石整形器可保证研磨石的平整度和尖锐度。自动表面搜索功能可更加简单、快速地完成搜索过程。可通过前面板上的专用整形器按键更加快速而又方便地使用整形器功能。整形器会自动监控磨石的剩余厚度，并在需要更换磨石时通知用户。易于操作用户界面采用清晰的彩色显示，并使用大图标。磨石性能、材料去除率受到持续监控，并且操作员可通过图表追踪去除率并对工艺进行优化。多用途旋钮/按钮让导航变得简单而又不复杂。精确而又强大的性能AbraPlan-30 采用的设计具有非凡的稳定性和可靠性，其极其坚固的框架适用于精密研磨和大功率电机。这种设计可减少振动，同时不锈钢碗可在试样丢失时防止碗受损。碗自带终身腐蚀保修。 机器型号AbraPlan-30 AbraPlan-30适用于对直径不超过 200 mm/8”试样夹具座内的试样进行粗磨的高级半自动研磨机。AbraPlan-30 具有一个可自动进行表面检测的自动金刚石整形器、一个去除率传感器和一个透明防护罩。循环冷却槽、泵和过滤器、磨石以及试样夹具座可另行提供。

1260 Infinity III 高容量柱温箱 (MCT) 是一款恒温 HPLC 柱温箱，可在宽温度范围内对最多四根色谱柱提供精确的温度控制，可冷却至环境温度以下 10 °C，并加热至高达 85°C。额定压力为 800 bar 的高压阀适用于各种应用，例如多达四根色谱柱的自动化选择，用于分析物富集或基质去除的样品前处理，或交替色谱柱再生。1260 Infinity III MCT 与任何 InfinityLab 液相色谱系列系统均完美适配，也可以与早期 1260 和 1290 Infinity 系列模块结合使用。特性：帕尔帖冷却/加热具有两个独立的温区，温度范围为环境温度以下 10 °C 至 85 °C，可实现最高的应用灵活性多达四根配备 InfinityLab Quick Connect 快速连接接头或预柱的 30 cm 色谱柱，以获得高色谱柱容量热交换器和 InfinityLab Quick Change 快速更换阀阀头的生物惰性选件可用于分析生物分子90° 或 180° 的门位置可实现出色的实用性，或可将门卸下以提供最大的可操作性InfinityLab Quick Connect 快速连接热交换器可实现可重现的柱前溶剂加热InfinityLab Quick Connect 快速连接接头有利于高效、快速和便捷的色谱柱更换可选的阀驱动，用于激活用户可自行更换的 InfinityLab Quick Change 快速更换阀头，额定压力高达 800 bar最多可识别四根色谱柱，并记录类型、主要参数和进样次数以获得可追溯的色谱柱使用历史

高容量三维X射线显微成像系统型号:SkyScan 1273 SKYSCAN 1273是新一代桌面型高分辨三维 X射线显微成像系统（Micro-CT），是由布 鲁克开创的一种非破坏性成像技术。 SKYSCAN 1273作为一种台式设备，为非破 坏性检测（NDT）树立了全新标准。它可 检测长达500mm，直径达300 mm，重达 20 kg的样品。 分辨率 ：体素尺寸 3 μm，三维空间分辨率 5 μm 高能量X射线源与高灵敏度和输出 速度的大尺寸平板探测器的结合， 仅需几秒，就能为您带来出色的图 像质量 高分辨三维X射线显微成像系统━ 内部结构非破坏性的成像技术眼见为实!这是我们常常将显微镜 应用于材料表征的原因。传统的显 微镜利用光或电子束，对样品直接 进行成像。其他的，如原子力显微 镜（AFM），则利用传感器来检 测样品表面。这些方法都能够提供 样品表面/近表面结构或特性的局 部二维图像。 但是，是否存在一种技术能实现以 下几点功能？ ☉内部结构三维成像？ ⊙一次性测量整个样品？ ⊙直接检测？⊙无需进行大量样品制备，如更换或破坏样品就能实现上述目标？ X射线就能实现！ 优势◆SKYSCAN1273真正注重空间可用性， 台式样品腔可容纳高达500 mm、直径 达300 mm的超大样品，在过去，这通 常需要使用落地式系统才能实现。◆它还 配备了精巧的样品座，能够实现任何尺寸的样品的准确定位。 ◆SKYSCAN1273强劲的性能，源于其配备的先进的组件：可在高功率情况下运行的（130 kV, 39 W）高能量X射线 源，即使面对大尺寸样品或高密度样品，也可以提供充裕的X射线强度。◆平板探测器灵敏度高、动态范围大，能够 提供具有超高对比度的图像。◆不仅如此，该探测器具有600万像素，视野范围大，输出速度快，15秒内即可提供高清晰度图像，是快速CT的理想 之选。◆即使是大尺寸样品，也能在数分 钟内完成扫描。◆SKYSCAN 1273具有较低的拥有 成本。不同于落地式系统，台式 SKYSCAN?1273在寸土寸金的实验室中 占地面积较小。◆它无需冷水机或其它压 缩机，只需一个简易的家用电源插座。 ◆它采用封闭式X射线源，无需维护，不存在其它隐藏成本。应用制造业1. 在铸造、机械加工和增材制造过程中，检测下次、分析孔隙度，即使是封闭在内部的结构也可以检测2. 对增材制造过程中的再利用的金属粉末进行质控 封装1.检测先进的医疗工具2.检测药品包装3.检测复杂的机电装配 地质学、石油天然气1.大尺寸地质岩心分析2.测量孔径和渗透率、粒度和形状3.计算矿物相的分布动态过程分析 生命科学1.对生物材料和高密度植入物的骨整 合进行无伪影成像2.对法医学和古生物学的样品成像 与分析3.动物学和植物学研究中分类与结 构分析

AbraPol一款配有最大 350 mm 尺寸研磨盘的高容量研磨/抛光设备，可实现快速而高效的研磨和抛光AbraPol-30 事实坚固、强大且用户友好型设计受控的材料去除方法库轻松创建方法最大限度保证操作人员安全性AbraPol-30 是一种用于研磨和抛光试样夹具座中试样的高级半自动设备。它具有可优化分布效果的金刚石悬浮液和润滑剂双重加液、去除率传感器和透明防护罩。AbraPol-30 非常适用于针对大型样品或大批量样品执行测试的实验室或工作场所。 非常适合处理大型试样AbraPol-30 研磨/抛光机具有独特的金刚石悬浮液和润滑剂双重加液，可优化分布效果。双重加液系统使该设备非常适合在最大直径为 350 mm/14”的研磨盘上使用 200 mm/8”直径的试样夹具座制备大型试样。易于操作用户界面采用清晰的彩色显示，并使用大图标，能够轻松而又正确地完成设置。多用途旋钮/按钮让导航变得快速。精确而又强大的性能AbraPol-30 采用的设计具有非凡的稳定性和可靠性，其极其坚固的框架适用于再现性研磨/抛光和大功率电机。这种设计可减小振动，同时高质量的不锈钢碗设计坚固而又安全，自带终身腐蚀保修。 机器型号精确而又强大的性能 AbraPol-30适用于对直径不超过 200 mm/8”试样夹具座内的试样进行研磨和抛光的高级半自动设备。附带去除率传感器和透明防护罩。悬浮液/润滑剂和氧化物悬浮液泵单元、循环冷却槽、泵和过滤器、研磨/抛光盘以及试样夹具座另外提供。 AbraPol-30（带换档阀）AbraPol-30（带换档阀）适用于对直径不超过 200 mm/8”试样夹具座内的试样进行研磨和抛光的高级半自动设备。附带去除率传感器、透明防护罩和循环或排水用换档阀。悬浮液/润滑剂和氧化物悬浮液泵单元、循环冷却槽、泵和过滤器、研磨/抛光盘以及试样夹具座另外提供。

n产品简介CHEMIXX E 30 湿法刻蚀系统专门用于掩膜版与晶圆的刻蚀与清洗，安全性能好，可使用 H2SO4, H2O2,NH4OH,HF,BOE等液体。 n产品特色÷ 人工装卸半自动化系统÷ 掩膜版尺寸（方形衬底）高达 230 x 230 毫米/9 x 9 英寸÷ 晶圆尺寸高达 300 毫米（?12 英寸）÷ 耐腐蚀工艺室÷ 两个自动输送臂，用于化学刻蚀及清洗÷ 输送臂最大6路管路÷ 提供多种喷嘴÷ 低接触或定制夹头÷ 化学液具有加热选项：20 - 80°C÷ 腔室冲洗喷嘴系统÷ 去离子水的 BSR（背面冲洗）喷嘴÷ 工艺室外的手动去离子水枪÷ 最大的集成3个化学试剂容器罐（每个 10 升），具有化学液自动排放系统÷ 不同化学品的外部化学试剂容器罐可选（H2SO4、H2O2、NH4OH、HF、BOE）÷ 手动灌装或通过批量灌装系统÷ 清洗模组可选用化学液，噪声，PVA刷洗，高压等离子水冲洗÷ 支持SCES/GEM 通讯协议 n技术数据÷ 衬底尺寸: 最大可达 230 x 230 mm (9″x 9″) 或 ? 300mm (?12″)÷ 电机转速: 最大 4.000 rpm, 步长 1 rpm÷ 电机加速: 最大 5.000 rpm/s, 步长 1 rpm/s÷ 步进时间: 1 至 999.9 秒，步长 0.1 s÷ 工艺腔材料: PP (可选 PVDF)

1. 产品概述凭借在蚀刻GaN，SiC和蓝宝石等材料方面的丰富经验，我们的技术既能够满足性价比的要求、又能使器件的性能得到更优化。PlasmaPro 100 Polaris单晶圆刻蚀系统为得到更为精细的刻蚀效果提供了智能解决方案，使您在行业中能保持竞争优势。2. 特色参数高效的刻蚀速率低购置成本为腐蚀性的化学成分而设计出色的刻蚀均匀性适用于蓝宝石的静电压盘技术蓝宝石和硅上的GaN高导通抽气系统可与其它PlasmaPro系统集成主动冷却电 - 在刻蚀过程中保持样品温度。高功率ICP源 - 产生高密度等离子体。可靠的硬件且易于维护 - 可保持长时间正常运转。磁场垫环 - 增强离子的控制和均匀性。静电压盘技术 - 适用于蓝宝石，以及蓝宝石和硅基的GaN。加热的腔室内衬 - 优化以减少腔壁沉积。先进的自动匹配单元（AMU） - 提供快速，高效和准确的匹配，确保了工艺的高度精准重复性

SEM高速刻蚀子系统XENOS刻写子系统是一种允许设计图案数据并产生用于带电粒子束（例如用于半导体光刻应用或聚焦离子束系统的电子束）转向的相应偏转信号的系统。可以连接到传统的扫描电子显微镜、FIB或双光设备上，升级系统，在半导体或其他材料上进行纳米光刻。高速刻写可以实现高达40MHz的像素速率。由于采用了智能写入算法，可以考虑当前SEM的有限偏转带宽。优化的数据传输和稳定时间计算与高写入速度相匹配，以提供快速写入的所有优点。智能且通用的格式使用三阶多项式扫描逻辑，可以仅基于硬件以Max速度生成和写入这些多项式。因此，圆形、环形或椭球体可以由同心的单像素环书写，通常在曝光过程中不需要消隐。并且，可以用Min的数据开销和传输时间来实现理想的写入速度和近似质量。此外，与结构的多边形部分的光栅扫描相比，偏转信号的正弦形状消耗的偏转带宽要小得多。同时，写入算法对称地使用X轴和Y轴的带宽。高灵活性模块化系统可以进行配置，以完全满足您的需求。逻辑配置和DSP内核可以在几分钟内更新，以提供新功能。配置高，应用界面友好完整的偏转信号生成是在每轴16/32位的可编程逻辑器件中实现的。特别是场校正不使用带宽限制的乘法模拟DAC，而是完全数字构建的，工作到Max写入速度，而在产生的偏转信号中没有任何失真。控制软件ECP基于Linux或Windows使用，CAD部分可在工作组中自由使用。SEM刻蚀子系统应用图例：** 进一步配置要求，详情可咨询上海昊量光电设备有限公司。更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等服务。

1.产品概述： PlasmaPro 80是一种结构紧凑、小尺寸且使用方便的直开式系统，可以提供多种刻蚀和沉积的解决方案。它易于放置，便于使用，且能确保工艺性能。直开式设计可实现快速晶圆装卸，是研究和小批量生产的理想选择。 它通过优化的电冷却和出色的衬底温度控制来实现高质量的工艺。2.设备原理：利用气体放电产生的等离子体，在射频电源的作用下，使气体分子电离并形成离子，这些离子在电场的作用下加速并轰击被刻蚀材料的表面，从而实现材料的去除。RIE技术的关键在于，刻蚀过程中产生的化学反应与物理轰击相结合，既保证了刻蚀的均匀性，又提高了刻蚀的速率。3.特色参数：直开式设计允许快速装卸晶圆出色的刻蚀控制和速率测定出色的晶圆温度均匀性晶圆大可达200mm购置成本低符合半导体行业S2/S8标准小型系统——易于安置优化的电冷却系统——衬底温度控制高导通的径向（轴对称）抽气结构 —— 确保能提升工艺均匀性和速率增加500毫的数据记录功能—— 可追溯腔室和工艺条件的历史记录近距离耦合涡轮泵 —— 抽速高迅速达到所要求的低真空度 关键部件容易触及 ——系统维护变得直接简单X20控制系统——大幅提高了数据信息处理能力， 并且可以实现更快更可重复的匹配通过端软件进行设备故障诊断 —— 故障诊断速度快用干涉法进行激光终点监测 —— 在透明材料的反射面上测量刻蚀深度 （例如硅上的氧化物），或者用反射法来确定非透明材料（如金属）的边界用发射光谱（OES）实现较大样品或批量工艺的终点监测 —— 监测刻蚀副产物或反应气体的消耗量的变化，以及用于腔室清洗的终点监测

虹科Ellab制药冷冻干燥专用无线验证系统TrackSense LyoProLyoPro是专门为冻干温度验证设计的数据记录仪，对于冻干机的合规，验证过程本身和监测批次样品提供了完整的解决方案，可安全兼顾冻干应用的各个方面。该系统包括LyoPro温度记录仪，带10个插槽的LyoPro多功能读数台，Valsuite6.0.16软件安装包或者更新的版本，LyoPro无线接入点装置以及各种其它的配件（LoggerNest, ConnectionClip and LyoStopper）。每种设置都会有所不同，并根据西林瓶的类型（大小从2R到100R）进行调整。带有10插槽的LyoPro多功能读数台是为了全新的记录仪而进行重新设计的，该读数台可同时操作10个数据记录仪，数据传输采用的是无线射频技术，速度更快。通过USB或者以太网LAN的方式与电脑进行连接，读数台的IP地址显示在底部的玻璃板上。LyoPro无线接入点装置从LyoPro数据记录仪接收到实时数据，并回传到Valsuite6.0.16软件中。该接入点装置也是新开发的，尤其提高了信号强度并升级了上传速度。另外新增了一个额外的天线，提供了更好的空中覆盖。与LyoPro读数台一样，LyoPro接入点通过在底部窗口中显示IP和MAC地址来提供通过以太网的连接。 传感器技术参数：测量温度范围：-62至+62℃校准温度范围：-60至+60℃测量精度： ±0.3°C传感器元件类型：T型热电偶传感器尺寸：0.55 x0.95 x 300 mm环境温度范围：-65℃至+140℃环境压力范围：0.001mBar 至 4 Bar ABS外壳材质：PEEK直径：18mm（单独圆柱体）高度：32mm重量：28g内存容量：100000样本最小采样频率：1S最大采样频率：24h时间精度：+/- 5 S每24h电池类型：TSL 150专用电池（可自行更换）电池在-60℃/30S采样频率下的预计使用时长：2400h清洗方式：使用双氧水或者在121℃环境下灭菌30min 读数台技术参数：材质：阳级氧化铝外形尺寸：(H x W xD):35 x 177 x 148 mm重量：1100g环境温度范围：5-50℃环境条件：1-90%相对湿度，无凝结电源：5V DC或者通过USB供电连接方式：USB或者以太网通讯方式：RF（无线射频）2.4GHz可容纳记录仪数量：1-10个LyoPro 冻干专用无线温度验证系统产品亮点1.长期的工艺持续时间和数据存储LyoPro数据记录器不仅实时在线传输温度数据，而且同时将测量值存储在数据记录器内存中，以避免数据丢失。通过使用可在极低温下工作的高容量电池来实现。操作人员无需使用工具即可轻松自行更换电池。每个LyoPro数据记录器具有100,000个测量值的非易失性存储器容量，这等于采样时间：27小时，1 s采样率135小时（6天），5 s采样率810小时（34天），30 s采样率这保证了冻干过程的无故障验证和监测，同时存储容量确保您的数据的可用性和FDA 21 CFR Part 11的完全合规性。 2.易于实现大量测量点——同时验证多个温度点冻干机的验证通常需要每个搁板5个测量点（4个角落和中心）。除非SOP中另有说明，否则批次控制可能需要每个搁板最多1个测量点，或者最低、中间和上层搁板上5个测量点。为了确保完整的研究，HK-ValSuite软件和LyoPro读数台工作站可以同时处理多达100个通道——即使是在实时在线传输数据条件下。 通过读数台或者具有专用协议的射频传输的接入点将数据传输到软件上。数据记录器始终保留数据备份，直至卸载。LyoPro数据记录器预先配备了射频发射器，并与LyoPro接入点直接通信——允许您在线查看和下载数据。 在开放空间中传输范围可达100米，当记录仪放置在冻干室内时，保证范围为15米。因此，接入点可以放置在外部的任何地方，并通过连接无线路由器或LAN电缆重新传输到位于远处的任何电脑。对于较大面积或容量体积，可以使用更多的LyoPro接入点来收集和转发所需距离的测量值。 由于专有通信协议，信号不会受到其他射频信号的干扰，反之亦然。只有明确指定的用户或接入点才能接收数据，确保系统和数据完全安全且合规。 3.自动和连续运行无忧LyoPro冻干专用无线温度验证系统设计用于自动化。添加LyoPro是在西林瓶加工、清洗、除热原、灌装并最终加载至冷冻干燥装置后的最后一步。 在装载平台之前，只需对LyoPro数据记录器和适当的配件进行灭菌消毒，并将其连接至隔离器内的样品瓶。这样做将确保覆盖所有预定义的测量点。使用自动加料系统（提供有限的手动接触西林瓶）会带来许多挑战，但可通过以下3步程序克服这些挑战：（1）LyoPro冻干专用无线温度验证仪配置热电偶传感器和胶塞夹，然后在引入隔离器区域之前，在121 ℃温度下一起灭菌最多30分钟 （2）在隔离器内，将LyoPro数据记录器与其他样品西林瓶放在传送带上。这可以通过机器人全自动完成（3）现在已完全连接好，根据SOP/指南将LyoPro数据记录器配置放置在冻干机搁板加载板上适当的位置4.测量压力以补充您的温度测量通过使用Pirani型传感器，如HK-TrackSense Pro真空传感器，可以在初级干燥阶段检测水蒸气压。在压力下降并稳定时，这对于检测干燥何时结束特别有用。压力上升检测(PRT)包括在产品室与冷凝器隔离情况下测量关闭期间的压力上升。它也是一个极好的过程监测工具，可以提供样品中升华的蒸汽量估计值。这将检测从初级干燥至二次干燥的各个阶段以及最终终点。5.数据分析、数据完整性和FDA合规性三合为一将其结合在一起的是符合FDA 21 CFR Part 11的HK-ValSuite验证软件。使用LyoPro收集数据，然后通过HK-ValSuite中的许多可用工具进行分析：能够进行完整记录和程序控制的数据库结构生成各种PDF报告综合审计跟踪、访问管理员和电子签名还有很多，很多…软件包包括所有要求的文件，包括IQ/OQ文档。6.内部校准简单且必要为了获得最佳和记录的性能，HK-ValSuite软件包还包含手动，半自动和全自动校准模板。通过油槽或者干井以及标准铂电阻（如Ellab温度标准ETS）进行校准。由于LyoPro传感器是T型热电偶，因此它可以很容易地装入任何干井中进行前校准和后校准。为完成该校准程序，将提供校准证书，以获得完整的可追溯性和性能文件。更多关于HK-TrackSense LyoPro冻干专用无线温度验证系统或者查找合适的解决方案，请随时联系我们！ValSuite验证软件：ValSuite软件是作为验证和校准软件，其高度归功于无数的报告选项，无懈可击的数据完整性，用户校准选项和数据分析功能。该软件用于运行ELLAB所有硬件，并且可以将各种测量系统组合到统一研究中，除了广泛的功能外，ValSuite还符合FDA 21 CFR Part 11并根据GAMP指南进行设计。除此之外，该软件还可自动生成PDF报告，带有清晰的通过/失败指示，还可以在独立PC或联网计算机上运行。 关于Ellab和虹科：自1949年以来，丹麦Ellab（意莱伯）一直通过全球范围内的验证和监测解决方案，协助全球生命科学和食品公司优化和改进其流程的质量。广州虹科电子科技有限公司是丹麦Ellab（意莱伯）是医药和生物技术行业的总代理商，提供Ellab无线验证系统、有线验证系统、校准系统的销售、租赁、现场服务、技术支持和售后服务等。

LAUDA Semistat 温度控制系统，通过对静电卡盘 (ESC，E-chuck) 的动态温度控制，为等离子刻蚀应用提供稳定的温度控制。LAUDA Semistat 基于 Peltier 元件传热理论设计，与传统压缩机系统相比，可以节省高达90%的能耗。体积小，占地空间少，可选择安装在地板下的夹层中，节省洁净室空间。LAUDA Semistat 可以快速和精准地将过程温度控制在 ±0.1 K，从而提高晶圆间均质性。产品特点：无压缩机和制冷剂的低能耗系统，运行安静、振动小带清洁干燥空气 (CDA) 吹扫接口，可防止冷凝水产生结构紧凑，重量轻，占地面积小，非常适合安装于地板之下导热液体用量极少无需过滤器或 DI 组件水冷型典型应用：在半导体生产中，等离子蚀刻是工艺链的核心部分，有干法蚀刻和湿法蚀刻之分。在干法蚀刻中，半导体板（晶片）在真空蚀刻室中进行等离子处理。等离子体中的离子轰击晶片，从而使材料脱离。例如，硅晶片上的氧化层可以用这种方法去除，然后涂上掺杂层（添加了外来原子，因此具有一定的导电性）。等离子体的温度会影响蚀刻的速度和效率。如果温度过低，等离子体就不够活跃，无法有效地烧蚀材料。如果温度过高，材料可能会被过度烧蚀，导致误差和损坏。因此，在半导体生产中，对等离子体温度进行最精确的控制非常重要，因为晶片的加工范围在微米和纳米之间。即使温度发生微小变化，也会导致蚀刻结构的尺寸和形状发生显著变化。LAUDA Semistat 可以为干法蚀刻这一敏感工艺提供专门的温度控制解决方案。产品参数：工作温度范围 -20℃ ... 90 °C温度稳定性 0.1 °C加热器功率最小 6 kW最小填充容量 1.25 L最大填充容量 1.6 L外形尺寸（宽 x 深 x 高） 116 x 300 x 560 mm重量 25 kg 冷却功率输出根据不同的工艺温度和冷却水流量同系列其他型号

1. 产品概述：Herent® Chimera® A 金属硬掩膜刻蚀设备，为针对 12 英寸 IC 产业的后道铜互连中氮化钛（TiN）金属硬掩膜刻蚀（metal hardmask open） 这一重复道次高的工艺所开发的专用产品，以满足 12 英寸产线的各种硬质掩膜刻蚀需求。此外，Chimera® A 硬掩模刻蚀腔可作为 LMEC-300&trade 设备的选配模块，实现从金属硬掩模刻蚀到器件功能层刻蚀的一体化工艺。12英寸硬掩膜刻蚀设备2. Herent® Chimera® A系统特性Herent® Chimera® A 金属硬掩膜刻蚀设备是面向 12 英寸集成电路制造的量产型设备设备由电感耦合等离子体刻蚀腔（ICP etch chamber）及传输模块（transfer module）构成适用于 55 纳米及其它技术代的 TiN 等硬掩膜刻蚀工艺为针对 12 英寸 IC 产业的后道铜互连中氮化钛（TiN）金属硬掩膜刻蚀（metal hardmask open） 这一重复道次高的工艺所开发的专用产品，以满足 12 英寸产线的各种硬质掩膜刻蚀需求。此外，Chimera® A 硬掩模刻蚀腔可作为 LMEC-300&trade 设备的选配模块，实现从金属硬掩模刻蚀到器件功能层刻蚀的一体化工艺。

1.产品概述： asmaPro 800系列是结构紧凑、且使用方便的直开式系统，该系统为大批量晶圆和300mm晶圆上的反应离子蚀刻（RIE）工艺提供了灵活的解决方案。大尺寸的晶圆平台能够处理量产别的批量以及300mm晶圆的工艺。2.产品特点：PlasmaPro 800系列是结构紧凑、且使用方便的直开式系统，该系统为大批量晶圆和300mm晶圆上的反应离子蚀刻（RIE）工艺提供了灵活的解决方案。大尺寸的晶圆平台能够处理量产别的批量以及300mm晶圆的工艺。PlasmaPro 800系列是结构紧凑、且使用方便的直开式系统，该系统为大批量晶圆和300mm晶圆上的反应离子蚀刻（RIE）工艺提供了灵活的解决方案。大尺寸的晶圆平台能够处理量产别的批量以及300mm晶圆的工艺。3.产品工艺：高性能工艺准确的衬底温度控制准确的工艺控制成熟的300mm单晶圆失效分析工艺大型下电 - 低成本刻蚀终点监测 - 可靠性和可维护性俱佳通过激光干涉仪与/或发射光谱进行终点监测 - 增强刻蚀控制可选择带有4-、8-或12-条气路的气柜 - 可提供灵活的工艺和工艺气体，可以与主机分离，放置在远端服务区近距离耦合涡轮泵 - 提供优秀的泵送速度加快气体的流动速度数据记录 - 追溯腔室的历史状态以及工艺条件 液体冷却和/或电加热电 - 出色的电温度控制和稳定性

1. 产品概述离子束刻蚀的灵活性、均匀性俱佳且应用范围广。我们的设备具有灵活的硬件选项，包括直开式、单衬底传送模式和盒式对盒式模式。系统配置与实际应用紧密协调，以确保获得速率更快且重复性更好的工艺结果。2. 设备特点磁阻式随机存取存储器（MRAM）；介电薄膜；III-V族光电子材料刻蚀； 自旋电子学；金属电极和轨道；超导体；激光端面镀膜；高反射（HR）膜；防反射（AR）膜； 环形激光陀螺反射镜；X射线光学系统；红外（IR）传感器；II-VI族材料；通信滤波器。

1. 产品概述可为多种材料提供各向异性干法刻蚀工艺，兼容200mm以下所有尺寸的晶圆，快速更换到不同尺寸的晶圆工艺，电极的适用温度范围宽，-150°C至400°C。反应性离子刻蚀 （reaction ionetching；RIE）是制作半导体集成电路的蚀刻工艺之一。在除去不需要的集成电路板上的保护膜时，利用反应性气体的离子束，切断保护膜物质的化学键，使之产生低分子物质，挥发或游离出板面，这样的方法称为反应性离子刻蚀。2. 设备用途/原理III-V族材料刻蚀工艺； 固体激光器 InP刻蚀；VCSEL GaAs/AlGaAs刻蚀；射频器件低损伤 GaN刻蚀；类金刚石 （DLC） 沉积；二氧化硅和石英刻蚀；用特殊配置的PlasmaPro FA设备进行失效分析的干法刻蚀解剖工艺，可处理封装好的芯片, 裸晶片，以及200mm晶圆用于高亮度LED生产的硬掩模沉积和刻蚀。

台式超二维材料等离子软刻蚀系统—nanoETCH用于超刻蚀二维材料与样品表面处理的等离子体刻蚀系统，诺奖团队都在用！石墨烯等二维材料的微纳加工与刻蚀需要很高的精度，而目前成熟的传统半导体刻蚀系统在面对单层材料的高精度刻蚀需求时显得力不从心。为了解决目前维纳加工中常用的蚀系统功率较大、难以精细控制的问题，Moorfield Nanotechnology 推出了台式超二维材料等离子软刻蚀系统 - nanoETCH。该系统对输出功率的分辨率可到达毫瓦量，对二维材料可实现超的逐层刻蚀，也可实现对二维材料进行层内缺陷制造，此外还可对石墨基材等进行表面处理。

台式超二维材料等离子软刻蚀系统—nanoETCH用于超刻蚀二维材料与样品表面处理的等离子体刻蚀系统，诺奖团队都在用！石墨烯等二维材料的微纳加工与刻蚀需要很高的精度，而目前成熟的传统半导体刻蚀系统在面对单层材料的高精度刻蚀需求时显得力不从心。为了解决目前维纳加工中常用的蚀系统功率较大、难以精细控制的问题，Moorfield Nanotechnology 推出了台式超二维材料等离子软刻蚀系统 - nanoETCH。该系统对输出功率的分辨率可到达毫瓦量，对二维材料可实现超的逐层刻蚀，也可实现对二维材料进行层内缺陷制造，此外还可对石墨基材等进行表面处理。

NIE-4000 离子束刻蚀系统 NIR-4000 IBE/RIE 双刻蚀系统通过加速的 Ar 离子进行物理刻蚀或铣削。对于硅的化合物也可以通过反应离子束刻蚀的方式提高刻蚀速率和深宽比。通常情况下，样品表面采用厚胶作掩模，刻蚀期间高能离子流将会对基片和光刻胶过加热，除非找到合适的方法移除热量，光刻胶将变得昂变得很难以去除。支持百级超净间使用。 NANO-MASTER 拥有成熟的技术能力可以使基片温度保持在50°C 以下。通过倾斜和旋转，深沟可以切成斜角，通过控制侧壁轮廓和径向可提高均匀度。对于大尺寸的基片，我们配置线性离子源，通过扫描的方式，可以实现均匀的离子束刻蚀或反应离子束刻蚀。不同的构造不同的应用可选择不同的选配项，若要刻蚀之后马上涂覆，可以增加溅射选项。对于标准的晶圆片，也可选择自动装载卸载晶圆片。 工艺过程通过触摸屏电脑和 LabView 软件，可实现全自动的 PC控制，具有高度的可重复性，且具有友好的用户界面。 系统具有完整的安全联锁，提供四级密码授权访问保护，防止使用者越权使用，含：。 操作者权限：运行程序。工艺师权限：添加/编辑和删除程序。工程师权限：可独立控制子系统，并开发程序。服务权限：NM 工程师故障诊断和排除 系统支持不限数量的工艺菜单，每套工艺菜单可根据需要支持 1到 100 个工艺工序（步骤），可实现简单操作完成复杂的工艺。 系统标准配置包含涡轮分子泵和机械泵，极限真空可达到10-7 Torr 量级(可升级到 10-8Torr 量级)。分子泵与腔体之间的直连设计，系统可获得最佳真空传导率，12 小时达到腔体极限真空。腔体压力调节通过 PC 自动控制涡轮速度而全自动调节，快速稳定。双真空计配置，可实现真空的全局测量和精确测量。 对标准晶圆可支持单片或 25 片 Cassette 的 Auto L/UL 升级，可自动进样、对准、出样，在不间断工艺真空情况下连续处理样片。Load Lock 腔体配套独立真空系统，通过 PC 全自动监控。 若离子铣工艺之后需要马上进行反应离子刻蚀处理，NMC 技术可以双腔体系统，在一个系统的两个腔体内完成两种不同的工艺，若加上自动传输，还可实现整个处理过程都不打破彼此真空状态，实现非常高效的工艺处理 典型应用： 。 三族和四族光学元件。激光光栅。高深宽比的光子晶体刻蚀。在二氧化硅、硅和金属上深沟刻蚀。 微流体传感器电极及测热式微流体传感器 设备特点：。 24”x60”x10”长方或 14.5”立方型不锈钢离子束腔体。24”Wx10”H 或 8”测开门，带 2 个 2”观察视窗。支持 600X600mm 的基片(可定做更大尺寸)。 倒装磁控无栅无灯丝准直 60cm 线性离子源(离子枪)，1500-2500V，并且高达 1000mA，无需中和器。。 离子源均匀性可达+/-2.5%，操作压力1mTorr。与带栅极离子源相比更可靠，更低维护，更少污染。。 离子枪电源：4KV 电源。配套 Ar 和 CF4 MFC，支持 IBE 和 RIBE 刻蚀应用。 反应性气体通过靶枪的长度方向引入，均匀分布。冷却水冷却（背氦冷却可选）。 步进电机控制离子枪扫描或样品台旋转/倾斜。 手动或自动(自动仅对标准晶圆)上下载晶圆片。 配套 1200L/Sec 涡轮分子泵，串接 2021C2 机械泵，带 Fomblin 泵油。 极限真空可达 7×10-7 Torr。下游压力通过 PC 对分子泵涡轮速度的控制自动调节。SiN4 磁控溅射保护被刻蚀金属表面以防氧化(选配)。 基于 LabVIEW 软件的计算机全自动工艺控制。菜单驱动，密码保护，完全的安全联锁。紧凑型设计，占地面积仅 26”Dx66”W,节省空间 系统可选：。光谱终点探测器。氦气背部冷却。更大尺寸的电镀方形腔体。 自动装载/卸载。 低温泵组。 附加反应气体质量流量控制器。 格状射频电感耦合等离子体。 用于钝化层沉积的溅射源

产品详情Sentech 集成等离子刻蚀和沉积的多腔系统 高产量等离子蚀刻和沉积腔体可以与多达两个片盒站组合，用于到200 mm晶片的高产量工艺。 研发三到六个端口传送腔室可用于集成ICP等离子刻蚀机、RIE刻蚀机、原子层沉积系统、PECVD和ICPECVD沉积设备，以满足研发的要求。样品可以通过预真空室和/或真空片盒站加载。 SENTECH多腔系统包括等离子刻蚀和/或沉积腔体、传送腔室、预真空室或片盒站。传送腔室包括传送机械手臂，可适用于三至六个端口。可以使用多达两个片盒站来增加产量。传送腔室可以配备多种选择。 用于研发的SENTECH多腔系统通过图形用户界面控制软件操作。强大的控制软件可用于工业领域高产量的多腔系统。 高产量的多腔系统ICP-RIE等离子刻蚀腔体可与两个片盒站组合用于200mm晶片的高产量并行工艺。 用于研发的多腔系统ICP-RIE，RIE，PECVD和ICPECVD等腔体可与预真空室，片盒站等组合使用，以满足研发的特殊要求。

产品名称：离子束刻蚀系统品牌：Elionix型号：EIS-200关键词标签：离子束蚀刻，干法蚀刻，离子束轰击，离子束减薄简短描述：（40字）：利用ECR技术产生高能Ar+离子束，Ar+离子束通过电场加速，对样品进行物理的轰击达到刻蚀作用。一、简介EIS-200是Elionix推出的一款基于电子回旋共振技术（ECR）的小型离子束蚀刻系统，特别适合于科研用离子束刻蚀、减薄，清洗、镀膜等。EIS-200原理：利用ECR技术产生高能Ar+离子束，Ar+离子束通过电场加速到达样品表面，对样品进行物理的轰击达到刻蚀作用。EIS-200具有以下优点：? 方向性好，各向异性，陡直度高，侧向刻蚀少? 分辨率高? 不受刻蚀材料限制，可对石英等材料进行蚀刻? 可控制蚀刻Taper角? 可以设定多样的实验条件二、主要功能l 主要应用纳米级图案刻蚀高深宽比蚀刻表面清洁离子减薄l 技术能力离子枪ECR型离子枪离子化气体Ar、Xe等、惰性离子气体N2、O2、CF4等、活性离子气体加速电压100V～3000V 连续可变（高加速电压可选) (输出电流20mA MAX)离子束流密度Ar:1.5mA/cm2以上 (2kV加速時）O2:2.0mA/cm2以上 (2kV加速時）离子束有效直径Φ20mm（FWHM35mm)离子束稳定度±3％/2H大样品尺寸Φ4英寸三、应用纳米级图案刻蚀、高深宽比蚀刻、表面清洁、离子减薄等? SiO2 on Si substrate? Diamond Substrate（金刚石）? Quartz (Mask)? Oriented PET film

1. 产品概述提供深硅蚀刻（DSiE）领域的MEMS，封装和纳米技术的广泛应用，从光滑侧壁工艺到高刻蚀速率腔刻蚀、高深宽比工艺和锥形通孔刻蚀，不需要更换腔室硬件就可以实现。2. 设备特点光滑侧壁工艺；高刻蚀速率腔刻蚀 高深宽比工艺 锥形通孔刻蚀 机械或静电压盘,加热内衬 延长了两次清洗间的平均时间间隔（MTBC）环形激光陀螺反射镜 X射线光学系统 红外（IR）传感器 II-VI族材料，通信滤波器。

ALE(Atomic layer etch)和ASD(area selective deposition)设备.-设备由2个Process module 和传送用 Transfer module 构成的 Cluster type。 并使用工艺整合一体化程序.-拥有500℃以上高温及臭氧和等离子工艺能力,专为开发半导体元件的次世代的设备. ALE(原子层刻蚀)设备区别ALD(原子层沉积)设备是一款可利用原子层单位刻蚀沉积膜的设备,ASD(区域选择沉积)区别ALD(原子层沉积)则是选择性指定区域原子层沉积的设备.目前很多学校,研究所以及企业采用ALE和ASD工艺积极研发未来最尖端集成元件.

RIE，全称是Reactive Ion Etching，反应离子刻蚀，是一种微电子干法腐蚀工艺。RIE是干蚀刻的一种，这种蚀刻的原理是，当在平板电极之间施加10～100MHZ的高频电压（RF，radio frequency）时会产生数百微米厚的离子层（ion sheath），在其中放入试样，离子高速撞击试样而完成化学反应蚀刻，此即为RIE（Reactive Ion Etching）。因此为了得到高速而垂直的蚀刻面，经加速的多数离子不能与其他气体分子等碰撞，而直接向试样撞击。为达到此目的，必须对真空度，气体流量，离子加速电压等进行最佳调整，同时，为得到高密度的等离子体，需用磁控管施加磁场，以提高加工能力。我司提供多型号的RIE刻蚀系统，满足国内客户研究和生产的需要。 RIE 反应离子蚀刻设备参数: 1.铝材腔体或不锈钢腔体；2.不锈钢盒；3.可以刻蚀硅化物(~400 A/min)或金属； 典型硅刻蚀速率 400 A/min；4.射频源: 最大12”阳极化射频平板(RF)；5.真空度:大约20分钟内达到1E-6Torr,极限真空5E-7Torr；6.双刻蚀容量：RIE和等离子刻蚀；7.气动升降盖；8.手动/全自动装卸样品；9.预抽真空室；10.电脑控制11.选配ICP源和平台的低温冷却实现深硅刻蚀。 反应离子蚀刻系统可选配：1. 最高700W的高密度等离子源进行各向同性蚀刻(isotropic etching)；2. ICP等离子源，2KW射频电源及调谐器；3. 低温基底冷却(Cryogenic substrate cooling)；4. 终点探测(End point detection) ；5. 兰缪尔探针；6. 静电卡盘(Electrostatic chuck)；7. 附加MFC’s；8. 1KW射频电流源及调谐器；9. 低频电流源及调谐器； 深反应离子蚀刻系统(Deep Reactive Ion Etching System) RE系列反应离子蚀刻系统带有淋浴头式样的气体分配系统及水冷射频压盘，柜体为不锈钢材质。反应腔体为13英寸铝制、从顶端打开方便晶片装载取出，最大可进行8英寸直径样品实验，带有两个舱门：一个舱门带有2英寸视窗，另一个舱门用于终点探测及其他诊断。腔体可达到10-6 Torr压力或更高，自直流偏置连续监控、最大可达到500伏偏电压(各向异性蚀刻)。该反应离子蚀刻系统为完全由计算机控制的全自动设备。DRIE系列深反应离子蚀刻系统带有低温晶片冷却及偏置压盘，设备使用2kw 8英寸ICP源，使用500L/秒的涡轮泵，在10-3Torr压力范围运行。

产地：美国应用范围： 适用于液相色谱中溶剂过滤；制药，食品饮料微生物检查系统；气罐排气（含O2、N2、CO2等）；固相萃取过滤系统；生化领域培养基，血清及蛋白质溶液正压式过滤等。特点： 1.空载气量达到1.0 cfm (28.3 L/min) 2.风扇冷却马达带有过载保护开关保护泵系统 3. 有调节阀和表头的泵可以调节真空和压力 技术参数：07061-42: 带阀和表头，可调减压阀 最大真空 24.0" Hg 最大压力 60 psi 空载气量 1.0 cfm (28.3 L/min) 噪声 68 dB(A) 工作最高温度 100°F (38°C) 触水材料 铝、不锈钢、 NORDEL 和 NOMEX