激光分子束外延设备

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激光分子束外延设备相关的厂商

  • 400-860-5168转1311
    SVT Associates, Inc. is dedicated to all aspects of semiconductormaterial research and manufacturing. Since 1992, we have served the needsof the MBE and UHV deposition communities, as well as the telecommunications and opto-electronic industries, by providing specialized equipment and services relating to compound semiconductor device technologies. In addition to our sales of MBE deposition systems and components, epitaxial services and device development are available.SVT Associates, Inc. (SVTA) 由 Dr.Chow 创立, 从1993年9月7日起,SVTA从事超高真空系统及其环境下的电子材料、器件的研发生产。公司的产品有:系列的分子束外延系统MBE,激光分子束外延系统/脉冲激光沉积系统(L-MBE/PLD),原子层沉积系统(ALD);以及系列的用于晶体薄膜生长原位检测、监控仪器及EPI Wafer。年生产几十台仪器,为客户提供一流的产品、技术和服务。公司总部有相关研发中心,超过十几位博士致力于LMBE 相关设备研发,设计,及制造.同时提供产品的售后服务及应用支持. 在中国的有多位专业技术人员, 提供完整的售后服务,保证优质服务质量及高效快速的响应.
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  • 深圳市火焱激光科技有限公司是一家专业致力于精密激光加工设备的研发、生产与销售的高科技企业。公司除向广大客户提供优质高效且性价比高的精密激光加工设备外,还可以根据客户的实际需求,提供高精度激光加工应用的定制化解决方案。 火焱激光一直致力于精密激光加工系统的研发与应用。在研发上,累计投放已超过5000万元,通过不断努力的耕耘,公司自主研发的SMT激光模板切割机、FPC/PCB等系列UV紫外激光切割机、精密金属零件激光切割机、精密陶瓷激光切割机、触摸屏银浆激光划线机等,以其精度高、速度快、性能稳定、切割品质精良的特点,已经占有国内大量市场,赢得了客户的充分肯定 公司仍在研发方面持续投入,新的系列产品将不断推向市场。 火焱激光始终坚持人才战略,通过不断引进和长期的培养,公司在光学技术、机械结构、电气工程、软件开发、激光加工工艺等领域拥有大量高级专业技术人才,占到公司总人数的50%%以上。正是基于强大的技术研发能力,公司一直走在行业前沿且高速发展。 公司一贯秉承勇于创新、卓于技术、精于质量、诚于服务的企业宗旨,努力拼搏,不断奋进,愿与广大客户携手,共创辉煌。
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  • 400-860-5168转4180
    上海续波光电技术有限公司是一家专业从事高性能薄膜沉积及处理设备、光电材料及软件、金刚石合成及应用、激光等离子体仿真和诊断等产品及服务进口的技术贸易服务型公司。公司至今已与法国、德国、英国、瑞士、意大利、美国、加拿大、日本、俄罗斯等国家的多家企业建立了战略合作关系,并服务于国内从事微电子、半导体、光学、纳米技术等领域的研究所和大学。公司从事领域及产品主要包括:加速器质谱仪:第三代14C加速器质谱仪系统(AMS),包括全套可兼容第三代石墨化系统AGE3、气动压样装置PSP、铁制分配器FED、管密封装置TSE、气体电离探测器GID、气体接口系统GIS、碳酸盐处理系统CHS2、同位素比质谱仪IRMS。薄膜制备及处理:磁控溅射仪(magnetron sputtering system)、电子束蒸镀设备(E-beam Evaporation system)、离子束溅射沉积(IBS system)、化学束外延镀膜(CBE/GSMBE)、分子束外延设备(MBE)、离子减薄仪(Ion Milling)、超高真空多功能镀膜设备、高精密光学镀膜设备(Optical Coating system)、刻蚀机(RIE, RIEB)、超导约瑟夫森结制备(Josephson Junction, Qubits)、DLC类金刚石镀膜设备。金刚石制备及应用:纳米晶金刚石制备设备、热丝化学气相沉积(HFCVD)、CVD单晶金刚石合成设备、CVD光学级金刚石窗口合成、微波等离子化学气相沉积(MPCVD)、工具级金刚石涂层制备(tool coating)、金刚石单晶/多晶掺杂(single crystal diamond and doping)、CVD金刚石单晶及其应用、高温高压金刚石单晶(HPHT diamond)、金刚石抛光设备(diamond polishing)、激光切割设备(laser cutting)、钻石净度及切工评定仪器;高能密度物理:辐射流体力学模拟、原子光谱分析软件、多维碰撞辐射软件、三维热辐射CAD软件、状态方程和不透明度、原子物理数据库;微波干涉仪、金刚石靶丸、超高功率输出窗口;激光等离子体气体/固体靶、粒子加速器源、激光等离子体加速器及应用(无损测试)激光器与设计:固体激光器设计软件(Solid-state Laser)、光纤激光器设计软件(Fiber laser)、半导体激光器设计软件(Semiconductor laser)、激光镜面镀膜设备(Lasers coating system)、高功率激光输出窗口(High power output window)、高功率激光热沉片(Heat Sink)、高功率钻石激光器(Diamond Laser)、金刚石窗口镀增透膜(AR coating service);磁场分布测量:微霍尔阵列磁场相机(1D/3D)、大面积磁场分布测量解决方案、永磁转子表磁测量解决方案,多功能表磁测试平台
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激光分子束外延设备相关的仪器

  • 优异的性能, PVD公司生产的脉冲激光沉积分子束外延系统在国内有较多用户,为众多老师开启薄膜外延制备的新篇章。欢迎前来参观咨询。主腔室,样品传输腔,1100度加热系统,样品旋转,PLD靶材操控器及光路,K-cell热蒸发源,电子束蒸发源,射频RF离子源PVD公司是美国主要制造商,是一家专业从事脉冲激光沉积分子束外延(PLD MBE)和超高真空薄膜沉积系统及组件的设计和制造的公司,提供超高真空薄膜沉积系统,应用于分子束外延、UHV溅射和脉冲激光沉积。产品主要集中在小型研究开发系统,其应用主要包括:用分子束外延进行半导体材料、ZnO、GaN、SiGe和金属/氧化物外延生长;UHV磁控溅射磁性薄膜;脉冲激光沉积超导薄膜、氧化物和陶瓷材料。脉冲激光沉积(PLD)系统通常使用聚焦脉冲准分子或Nd:YAG激光器在真空室中蒸发一小部分固体目标材料,以产生与原始目标材料具有相同化学成分的薄膜。PLD工艺能够在各种背景气体成分和压力下沉积许多复杂材料。此外,可以使用其他类型的激光器,包括ps和fs激光器,并且可以使用适当的激光器提供替代技术,例如矩阵辅助脉冲激光蒸发(MAPLE)和谐振红外脉冲激光蒸发系统。PVD 产品为尺寸从 5 mm 方形到 300 mm 的基板提供各种 PLD 系统。我们还可以为卷对卷应用提供PLD系统。PVD产品将很乐意协助您为您的特定应用选择合适的PLD工具。大多数系统完全由计算机控制,易于使用。应用主要包括:分子束外延系统(MBE)GaAs、InP和GaSb外延HgCdTe外延GaN、InN和AlN外延Ⅱ-Ⅵ族外延SiGe外延Si/金属/氧化物外延超高真空物理气相沉积(PVD)系统磁控溅射系统脉冲激光沉积(PLD)系统电子束蒸发系统离子束沉积系统热蒸发系统已经在全球范围内安装了超过100套的超高真空系统。绝大部分的产品都是针对用户定制设计复杂的沉积系统。在标准系统制造业中有着深厚的为用户定制设计的背景,在用户中具有很好的声誉。许多的标准系统最初都是起源于针对某些客户对沉积过程特殊需求的解决方案,与广大的中国用户开展更为广泛的交流与合作,为广大的中国用户提供国际顶尖PLD MBE和超高真空薄膜沉积系统制造商的产品和服务。
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  • 产品详情脉冲激光沉积/激光分子束外延系统 产品描述:荷兰TSST公司提供专业的脉冲激光沉积系统和激光分子束外延系统。荷兰Twente Solid State Technology BV(TSST)公司专注于为用户提供定制化的脉冲激光沉积系统(PLD),以及相关薄膜制备解决方案,公司具有20多年研究与生产脉冲激光沉积系统的经验。TSST与世界最大的纳米与微系统技术研究中心之一荷兰Twente大学MESA+ Institute保持着密切合作,开发出各种脉冲激光沉积技术中需要使用的核心技术。 脉冲激光沉积原理:在真空环境下利用脉冲激光对靶材表面进行轰击,利用激光产生的局域热量将靶材物质轰击出来,再沉积在不同的衬底上,从而形成薄膜。 激光分子束外延系统(LMBE),是在PLD的基础上发展起来的外延薄膜生长技术。在高氧气压力环境下实现RHEED原位监控,曾是RHEED分析的一个重要难题,TSST第一个提出差分抽气的方式实现高压环境下RHEED原位监控---TorrRHEED,TSST是TorrRHEED的发明人,在系统制造和RHEED的使用,以及结果分析方面,有丰富的经验。 选件 脉冲激光沉积技术适合做的薄膜包括各种多元氧化物,氮化物,硫化物薄膜,金属薄膜,磁性材料等。 应用领域: 单晶薄膜外延(SrTiO3,LaAlO3)压电薄膜(PZT,AlN,BiFeO3,BaTiO3)铁电薄膜(BaTiO3,KH2PO4)热电薄膜(SrTiO3)金属和化合物薄膜电极(Ti,Ag,Au,Pt,Ni,Co,SrRuO3,LaNiO3,YZrO2,GdCeO2,LaSrCoFeO3)半导体薄膜(Zn(Mg)O,AlN,SrTiO3)高K介质薄膜(HfO2,CeO2,Al2O3,BaTiO3,SrTiO3,PbZrTiO3,LaAlO3,Ta2O5)超导薄膜(YBa2CuO7-x,BiSrCaCuO)光波导,光学薄膜(PZT,AlN,BaTiO3,Al2O3,ZrO2,TiO2)超疏水薄膜(PTFE)红外探测薄膜(V2O5,PZT)
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激光分子束外延设备相关的资讯

  • 分子束外延占主流——共享化合物半导体薄膜沉积与外延设备盘点
    随着半导体市场,,特别是化合物半导体市场的逐步开放和增长,作为化合物半导体研发中相关材料制备的关键仪器,MBE、MOCVD等薄膜沉积与外延设备的市场也在逐年增长和扩大中,不论是海外品牌还是国产品牌,近几年的市场规模都在逐年扩大。由于高校的管理模式及制度,这些仪器设备大多养在“深闺”,大量科研资源潜能没有得到充分发挥。为解决这个问题并加速释放科技创新的动能,中央及各级政府在近几年来制订颁布了关于科学仪器、科研数据等科技资源的共享与平台建设文件。2021年1月22日,科技部和财政部联合发布《科技部 财政部关于开展2021年度国家科技基础条件资源调查工作的通知(国科发基〔2020〕342号)》,全国众多高校和科研院所将各种科学仪器上传共享。其中,对化合物半导体薄膜沉积与外延设备的统计分析或可一定程度反映科研领域相关仪器的市场信息(注:本文搜集信息来源于重大科研基础设施和大型科研仪器国家网络管理平台,部分仪器品牌信息不全则根据型号等信息补全,不完全统计分析仅供读者参考)。共享化合物半导体薄膜沉积与外延设备分布北京市共享化合物半导体薄膜沉积与外延设备分布本次统计,共涉及化合物半导体薄膜沉积与外延设备的总数量为184台,涉及23省(直辖市/自治区),73家单位。其中,北京市共享设备数量最多达64台,占比35%,涉及14所高校院所,北京如此高的占比主要是由于其科研院所较多,产品也主要用于科研领域。共享仪器平台主要来自科研用户上传并服务于科研用户,也因此该类仪器设备主要分布于科研院所众多的北京市。从北京市的分布情况来看,其主要分布于高校集中的海淀区,该地区共有60台共享设备。化合物半导体材料制备设备主要有MBE和MOCVD。从统计中可以看出,MBE在科研领域中的占比较大,高达73%,MOCVD占比为21%。MBE由于其外延生长时间长,大批量生产性差,对真空条件要求高,目前还无法大规模用于工业化生产中,又由于其可原位观察单晶薄膜的生长过程等优势,主要用于进行生长机制的研究,图中比例仅代表科研领域中的分布情况。虽然MBE成膜质量好,但生产效率低,因此在工业领域中,MOCVD占据主流。不过近年来,众多厂商和科研人员一直在致力于MBE技术的产业化,信息显示,北京意莎普科技发展中心有限公司近年来在推进MBE分子束外延片研发及产业化建设项目。还有知情人士称,深圳地区有人做相关产业化,一次性买入几十台MBE,做2寸的晶圆,做出来多少,就有人收多少。相关仪器设备所属学科领域分布从仪器所属学科领域分布可以看出,这些仪器设备主要用于物理学和材料科学研究,占比分别为36%和32%。需要注意的是,以上统计存在交叉分布的情况,即该仪器同时属于多类学科领域,实际上材料科学和物理学研究具有很大的重合度。化合物半导体薄膜沉积与外延设备TOP5品牌MOCVD设备中Aixtron占比那么这些仪器主要有哪些品牌呢?整体来看,化合物半导体薄膜沉积与外延设备中,沈阳科仪、Aixtron和Omicron占比最高,其中沈阳科仪MBE和MOCVD产品均有涉及,Aixtron则聚焦MOCVD设备,Omicron聚焦MBE产品。MBE产品的品牌占比可参考【这类仪器本土品牌在崛起——全国共享MBE盘点】。进一步统计分析了MOCVD的品牌构成,发现MOCVD主要以德国Aixtron的产品为主,占比高达49%。需要注意的是德国Aixtron集团在英国有子品牌Thomas Swan,本次统计未归入Aixtron中。Aixtron是一家总部位于德国的欧洲技术公司,专门为半导体行业的客户制造金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备。2016年10月,中国福建大芯片投资基金LP希望收购Aixtron,但德国经济部撤回了对该收购的批准。Axitron与SemiLEDs在2009年5月就合作开发出6寸蓝光LED芯片,在6x6寸AIX 2800G4 HT MOCVD反应炉的结构上,产量增加约30%(相较于传统42x2-inch的架构),不但均匀性较好,也减少了边缘效应。不过就现阶段而言,大多数的困难仍然在于6寸的基板价格偏高与外延片切割技术的挑战。AIXTRON公司最先进的独特的行星转盘技术应用在大型G4 2800HT 42*2”以及Thomas Swan(1999年被AIXTRON收购) CCS Crius 30*2” MOCVD系统,使得Aixtron的MOCVD设备被公认为世界上技术和商业价值最完美的结合。设备品牌所属国家分布那么这些仪器主要来自于哪些国家呢?统计结果表明,此类产品以德国品牌居多,占比达32%,其次为国产品牌,可以看出中国产品正在崛起。本次统计主要涉及牛津、Aixtron、Thomas Swan、沈阳科仪、Emcore、中科宏微、Veeco、Omicron、TSST、SPECS、MBE-Komponenten GmbH、DCA、VG、Unisoku、SVTA、国成仪器、RIBER、Neocera、大连齐维科、上海实路、KurJ.Lesker、青岛精诚华旗、湖南顶立、EPGRESS等品牌。
  • 窥见中国MBE市场——分子束外延专利情况分析
    随着半导体市场,特别是化合物半导体市场的逐步开放和增长,分子束外延作为一种新发展起来的外延制膜方法而逐渐崭露头角。分子束外延技术是在半导体工艺中近十几年来发展起来的一项新技术,它是在超高真空条件下,类似于真空蒸发镀把构成晶体的各个组分和予掺杂的原子(分子),以一定的热运动速度,按一定的比例从喷射炉中喷射到基片上去进行晶体外延生长而制备单晶膜的一种方法。简称MBE法。该技术的优点是:使用的衬底温度低,膜层生长速率慢,束流强度易于精确控制,膜层组分和掺杂浓度可随源的变化而迅速调整。用这种技术已能制备薄到几十个原子层的单晶薄膜,以及交替生长不同组分、不同掺杂的薄膜而形成的超薄层量子显微结构材料。专利一般是由政府机关或者代表若干国家的区域性组织根据申请而颁发的一种文件,这种文件记载了发明创造的内容,并且在一定时期内产生这样一种法律状态,即获得专利的发明创造在一般情况下他人只有经专利权人许可才能予以实施。在我国,专利分为发明、实用新型和外观设计三种类型。专利文献作为技术信息最有效的载体,囊括了全球90%以上的最新技术情报,相比一般技术刊物所提供的信息早5~6年,而且70%~80%发明创造只通过专利文献公开,并不见诸于其他科技文献,相对于其他文献形式,专利更具有新颖、实用的特征。可见,专利文献是世界上最大的技术信息源,另据实证统计分析,专利文献包含了世界科技技术信息的90%~95%。如此巨大的信息资源远未被人们充分地加以利用。事实上,对企业组织而言,专利是企业的竞争者之间惟一不得不向公众透露而在其他地方都不会透露的某些关键信息的地方。因此,通过对专利信息细致、严密、综合、相关的分析,可以从其中得到大量有用信息。基于此,仪器信息网特统计分析了国内分子束外延的专利信息,以期为从业者提供参考。(本文搜集信息源自网络,不完全统计分析仅供读者参考,时间以专利申请日为准)本次统计,以“分子束外延”为关键词进行检索,共涉及专利总数量为593条,其中发明专利540条、实用新型专利52条和外观专利1条。从统计结果可以看出,从1992年开始,分子束外延专利数量整体呈增长趋势,但在2004-2006年之间出现了一个小高峰。这表明分子束外延的研发投入整体在不断增加,相关企业和科研院所数量也在不断增加,从事相关研究的人数也在逐年增加。1992-2003是国内分子束外延技术的起步阶段,2004年进入了发展阶段。从申请人专利量排行可以看出,在专利申请人申请量排名中,中国科学院半导体研究所的表现最为突出共申请专利60件,中国科学院上海微系统与信息技术研究46件专利与中国科学院上海技术物理研究所24件专利,分列第二与第三位。整体来看,相关专利几乎都集中于科研院所,特别是中科院系统内,在专利申请量TOP20中的企业只有新磊半导体科技(苏州)有限公司和苏州焜原光电有限公司。具体来看,科研院所的分子束外延专利主要集中于材料生长、加工工艺等方面;而两家企业的专利主要围绕分子束外延设备方面。据了解,苏州焜原光电有限公司成立于2017年5月,位于苏州吴江汾湖高新区,地处江浙沪两省一市交汇的黄金腹地,由陈意桥博士携美国及国内团队创立,主要从事III-V族化合物半导体材料和器件的研发和生产。该公司技术团队拥有器件及材料结构设计、外延材料生长、器件研制、MBE设备设计及定制化升级改造等多方面人才。可以看出,目前分子束外延的研发主要集中于科研院所,相关设备主要用于科研领域。从发明人专利量排行可以看出,在专利申请人申请量排名中,中国科学院上海技术物理研究所的顾溢研究员的表现最为突出,共申请专相关利22件,其次为冯巍、张永刚等人。顾溢是中科院上海技物所研究员,主要研究领域为III-V族半导体光电材料与器件,包括半导体材料分子束外延、失配材料生长与应变控制、短波红外半导体探测材料及其光电特性等,在大失配异变和赝配In(GaAl)As晶格工程和大尺寸高均匀材料外延及其器件研制方面取得系列成果。通过对专利申请区域进行统计能够了解到目前专利技术的布局范围以及技术创新的活跃度,进而分析各区域的竞争激烈程度。从专利申请区域可以看出,国内分子束外延相关专利申请主要集中于北京市、上海市、江苏省等,这些地区都是半导体相关研究发达的地区,而分子束外延主要用于科研。从专利技术分类来看,大部分的专利都集中于电学领域(57.77%)。这主要是因为其被广泛应用于半导体器件或其部件的制造或处理(h01l21/02)。具体来讲,主要是其被用于半导体材料得生长等方面。
  • 650万!季华实验室计划采购分子束外延系统
    一、项目基本情况项目编号:GZGK22D205A0645Z项目名称:季华实验室分子束外延系统采购项目采购方式:公开招标预算金额:6,500,000.00元采购需求:合同包1(分子束外延系统):合同包预算金额:6,500,000.00元品目号品目名称采购标的数量(单位)技术规格、参数及要求品目预算(元)最高限价(元)1-1其他仪器仪表分子束外延系统1(台)详见采购文件6,500,000.00-本合同包不接受联合体投标合同履行期限:见“标的提供时间”要求。二、申请人的资格要求:1.投标供应商应具备《政府采购法》第二十二条规定的条件,提供下列材料:1)具有独立承担民事责任的能力:在中华人民共和国境内注册的法人或其他组织或自然人,投标时提交有效的营业执照(或事业法人登记证或身份证等相关证明)副本复印件。分支机构投标的,须提供总公司和分公司营业执照副本复印件,总公司出具给分支机构的授权书。2)有依法缴纳税收和社会保障资金的良好记录:提供投标截止日前6个月内任意1个月依法缴纳税收和社会保障资金的相关材料。如依法免税或不需要缴纳社会保障资金的,提供相应证明材料。3)具有良好的商业信誉和健全的财务会计制度:供应商必须具有良好的商业信誉和健全的财务会计制度(提供2021年度财务状况报告或基本开户行出具的资信证明)。4)履行合同所必需的设备和专业技术能力:按投标文件格式填报设备及专业技术能力情况。5)参加采购活动前3年内,在经营活动中没有重大违法记录:参照投标函相关承诺格式内容。 重大违法记录,是指供应商因违法经营受到刑事处罚或者责令停产停业、吊销许可证或者执照、较大数额罚款等行政处罚。(根据财库〔2022〕3号文,“较大数额罚款”认定为200万元以上的罚款,法律、行政法规以及国务院有关部门明确规定相关领域“较大数额罚款”标准高于200万元的,从其规定。)2.落实政府采购政策需满足的资格要求:合同包1(分子束外延系统)落实政府采购政策需满足的资格要求如下:本采购包不属于专门面向中小企业采购的项目。3.本项目的特定资格要求:合同包1(分子束外延系统)特定资格要求如下:(1)供应商未被列入“信用中国”网站(www.creditchina.gov.cn)“失信被执行人或重大税收违法失信主体或政府采购严重违法失信行为记录名单”;不处于中国政府采购网(www.ccgp.gov.cn)“政府采购严重违法失信行为信息记录”中的禁止参加政府采购活动期间。(以采购代理机构于投标截止时间当天在“信用中国”网站(www.creditchina.gov.cn)及中国政府采购网(http://www.ccgp.gov.cn/)查询结果为准,如相关失信记录已失效,供应商需提供相关证明资料)。(2)单位负责人为同一人或者存在直接控股、管理关系的不同供应商,不得同时参加本采购项目(采购包)投标。 为本项目提供整体设计、规范编制或者项目管理、监理、检测等服务的供应商,不得再参与本项目投标。 投标函相关承诺要求内容。(3)已获取本项目采购文件。三、获取招标文件时间: 2022年10月14日 至 2022年10月21日 ,每天上午 00:00:00 至 12:00:00 ,下午 12:00:00 至 23:59:59 (北京时间,法定节假日除外)地点:广东省政府采购网https://gdgpo.czt.gd.gov.cn/方式:在线获取售价: 免费获取四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点2022年11月04日 09时00分00秒 (北京时间)递交文件地点:佛山市禅城区季华五路公交大厦6楼开标室(6)开标地点:佛山市禅城区季华五路公交大厦6楼开标室(6)五、公告期限自本公告发布之日起5个工作日。六、其他补充事宜1.本项目采用电子系统进行招投标,请在投标前详细阅读供应商操作手册,手册获取网址:https://gdgpo.czt.gd.gov.cn/help/transaction/download.html。投标供应商在使用过程中遇到涉及系统使用的问题,可通过020-88696588 进行咨询或通过广东政府采购智慧云平台运维服务说明中提供的其他服务方式获取帮助。2.供应商参加本项目投标,需要提前办理CA和电子签章,办理方式和注意事项详见供应商操作手册与CA办理指南,指南获取地址:https://gdgpo.czt.gd.gov.cn/help/problem/。3.如需缴纳保证金,供应商可通过"广东政府采购智慧云平台金融服务中心"(http://gdgpo.czt.gd.gov.cn/zcdservice/zcd/guangdong/),申请办理投标(响应)担保函、保险(保证)保函。/七、对本次招标提出询问,请按以下方式联系。1.采购人信息名 称:季华实验室地 址:广东省佛山市南海区桂城街道环岛南路28号联系方式:李工 0757-635053532.采购代理机构信息名 称:广州市国科招标代理有限公司地 址:广州市先烈中路100号科学院大院9号楼东座2楼(中国广州分析测试中心对面)联系方式:0757-83277829、020-876888473.项目联系方式项目联系人:黄小姐、李小姐电 话:0757-83277829、020-87688847广州市国科招标代理有限公司2022年10月14日

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  • 强烈建议创办一个MBE(分子束外延)版

    我是一名研究生,使用分子束外延设备制备薄膜。国内拥有此设备的地方不多,但其发展呈上升趋势。所以,我想创建桓鲂掳妫璏BE(分子束外延)版,不知道怎样才能创办。 创办这个版,目的有以下两点: 1、有关MBE设备、及相关书籍、文章在国内还不是那么多,所以在此创 办一个MBE版,可以使所有使用过MBE或对MBE有兴趣的人拥有一个交 流的平台; 2、在此我们可以互相学习,共同研究,促进MBE在国内的发展。 以下是引用的有关MBE的简单介绍及简要回顾: 分子束外延(Molecular Beam Epitaxy)技术在现代超导薄膜(YBCO、BSCCO等)、半导体物理、器件以及GaAs工业发展中起着十分关键的作用。 回顾分子束外延的发展历史,它始终追求的是应用目标,把原子一个个地排列起来,同时将几种不同组分的材料交替地生长,而每种材料的厚度小于电子的平均自由程(100nm),两种不同材料之间的界面平整度在单个原子水平上,重复周期在100次以上,这需要很高的技术。是什么力量促使人们不断完善这一技术,使它成为当今信息产业发展的一项重要技术呢?这得从诺贝尔物理学奖获得者江崎与美籍华人朱兆祥提出的半导体超晶格理论说起,他们设想,如果将两种晶格匹配得好的半导体材料A和B交替生长,则电子沿生长方向( Z 方向)的连续能带将分裂成几个微带。 从而改变了材料的电子结构,他们预言在这种人造材料中可能出现若干新的现象与效应,从而出现了人们常说的能带工程(或能带裁剪),1970 年—2006 年期间,超晶格、继而低维及小量子系统的物理器件的长足发展均与分子束外延以及有机金属[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp]气相[/url]淀积技术的发展息息相关) 在此期间,分子束外延技术走向成熟,有若干技术上的突破。 希望仪器信息网的论坛能给我这个机会,我会把这个版创办好的。谢谢!

  • 【转帖】分子束外延生长的优缺点

    MBE有许多优点:①由于MBE是在超高真空系统中操作,使用纯度极高的元素材料,所以可以得到高纯度、高性能的外延薄膜;②生长速率低,大约为一微米每小时,可以精确地控制外延层厚度,制造超薄层晶格结构及其它器件;③生长温度低,可避免高温生长引起的杂质扩散,能得到突变的界面杂质分布;④可在生长腔内安装仪器,例如配置四极质谱仪、反射式高能衍射仪、俄歇电子谱仪、二次离子谱仪和X射线光电子能谱仪等。通过这些仪器可以对外延生长表面情况、外延层结晶学和电学性质等进行原位检测和质量评价。这保证了外延层质量;⑤由于基本能够旋转,保证了外延膜的均匀性。分子束外延技术使异质结构、量子阱与超晶格得到迅速发展,使器件物理学家和工程师们设计出新的具有“带结构工程”的器件,为晶格失配外延生长开辟了器件制造的新领域。MBE存在的不足是:表面形态的卵形缺陷,长须状缺陷及多晶生长,难于控制两种以上V族元素,不利于批量生产等。

  • 【转帖】分子束外延生长过程

    MBE生长是由发生在衬底的一系列物理化学过程实现的,它是从[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp]气相[/url]到凝聚相,再通过一些表面过程的结果。这一复杂过程包括的具体过程包括:(1) 来自[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp]气相[/url]的分子和原子撞击到表面而被吸附;被吸附的分子、原子在衬底表面发生迁移和分解。 (2)原子进入衬底晶格形成外延生长。 (3)未进入衬底晶格的分子、原子因热脱附而离开表面。与其它外延生长不同,MBE外延生长可以认为是一种表面非平衡态生长过程。

激光分子束外延设备相关的耗材

  • 激光芯片 Microchip
    BATOP GmbH成立于2003年,是一家隶属于德国耶拿大学的私人创新型公司。BATOP从事的专业领域包括:低温分子束外延技术,介质溅射镀膜,晶圆加工和芯片安装技术。在过去几年里, BATOP 已成为一个用于被动锁模激光器的可饱和吸收体的世界领先的供应商。可饱和吸收产品集合了各式各样的不同的器件,从可饱和吸收镜(SAM&trade ),到可饱和输出镜(SOC)和用于透过应用的可饱和吸收体(SA)。迄今为止,可饱和吸收产品已经覆盖了800nm到2.6µ m的常用激光波长范围。另一个产品系列是用于太赫兹发射和探测的太赫兹光电导天线(PCA)。BATOP不仅提供单带隙天线,还包括整合了微透镜的高能大狭缝交叉天线阵列和整套的太赫兹光谱仪。 太赫兹光电导天线的激发波长为800nm到1550nm之间。BATOP借助强大的研发能力来不断提高自己的产品, 我们始终和客户在一起,最好的满足他们的需求。MC - Microchip in reflection modeThe Nd:YVO4laser crystal is bonded with a saturable absorber mirror (SAM).The laser output beam is in the reverse direction of the pump beam and must be separated from pump light by using a dichroitic mirror.The laser output is linear polarized with the polarization direction perpendicular to the groove in the copper heat sink.MCT - Microchip in transmission modeThe Nd:YVO4laser crystal is bonded with a saturable output coupler (SOC).The laser output beam is in the same direction as the pump beam.The laser output is linear polarized.
  • 外延热反射镜
    外延热反射镜?与标准热反射镜相比,改善了近红外反射率?操作温度可达到230°C?中心色温5500K或3200K光源,±250K是色温公差外延热反射镜设计用来减低光学系统中的热量,并且不会牺牲系统的可见光输入。典型的热反射镜可反射750nm到大约1250nm的波长,而外延热反射镜则可反射到1750nm的波长。反射镜主要用于各种投影和照明系统,因较高的热量可迅速损坏敏感元件。经过专门镀膜的热反射镜是生成热量的主要导因,主要用来透射可见光及反射近红外光。使用热反射镜可减低热量,并可对整体系统性能带来zui低影响。Common Specifications表面平整度:基底:表面质量:80-50基底:BOROFLOAT® 订购信息:入射角 (°)直径 (mm)尺寸 (mm)厚度 (mm)产品号0101.0 x 127.03.3#47-304025-3.3#46-386025.0 x 25.03.3#46-387050-3.3#47-303050.0 x 50.03.3#46-388
  • 场镜_linos扩束镜_激光扩束镜_Qioptiq
    仪器简介:德国Linos工业镜头,包括激光系统镜头,机器视觉镜头等工业光学部件,秉承德国设计严谨、工艺精湛的工业产品特点产品及业务:大幅照相机镜头专业数码相机镜头专业摄影滤镜非球面的镜片放大机及打印机镜头德国LINOS公司各种光学元件技术参数:德国LINOS公司德国著名的光学产品制造商,其著名的Rodenstock镜头在德国以及世界机器视觉领域,堪与蔡司和施耐德比肩。德国Linos工业镜头,包括激光系统镜头,机器视觉镜头等工业光学部件,秉承德国设计严谨、工艺精湛的工业产品特点。德国LINOS公司是活跃于全球的精密光学仪器制造商,市场涉及激光、照相洗印服务、测量技术、医学、生物工程及半导体等方面的应用。世界闻名的Rodenstock普通镜头及放大镜头是LINOS公司图像处理市场的重磅产品。几十年的丰富经验以及最前沿的技术知识,充分满足了现代化的数码设备对镜头的高度要求。Rodenstock普通镜头(如Sironar系列和Grandagon系列)和Rodenstock放大镜头(如Apo-Rodagon系列和Rodagon系列)因其杰出的成像性能而世界驰名。主要特点:德国Linos Photonics公司以其丰富多样的光学系统而闻名世界。其远心式合成材料透镜,即F-Theta透镜,适用于激光标刻、 专门用于小型、快速扫描头的新型物镜,同时在725 nm至1050 nm范围内近红外线的新型激光扩径系统上也可适用该透镜。激光扫描 F-θ透镜,扩束镜,适合波长1064nm,532nm,355nm,266nm等德国LINOS激光扩束镜被众多的激光工业用户所采用,采用伽利略原理设计手动和自动2到8倍可调激光扩束镜,精密的加工,优异的光学品质,高通过率,低失真。主要特点:4片光学元件设计通过率95%扩束倍数可调波前失真主要技术指标:
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