激光分子束外延设备

优异的性能, PVD公司生产的脉冲激光沉积分子束外延系统在国内有较多用户，为众多老师开启薄膜外延制备的新篇章。欢迎前来参观咨询。主腔室，样品传输腔，1100度加热系统，样品旋转，PLD靶材操控器及光路，K-cell热蒸发源，电子束蒸发源，射频RF离子源PVD公司是美国主要制造商，是一家专业从事脉冲激光沉积分子束外延（PLD MBE）和超高真空薄膜沉积系统及组件的设计和制造的公司，提供超高真空薄膜沉积系统，应用于分子束外延、UHV溅射和脉冲激光沉积。产品主要集中在小型研究开发系统，其应用主要包括：用分子束外延进行半导体材料、ZnO、GaN、SiGe和金属/氧化物外延生长；UHV磁控溅射磁性薄膜；脉冲激光沉积超导薄膜、氧化物和陶瓷材料。脉冲激光沉积（PLD）系统通常使用聚焦脉冲准分子或Nd：YAG激光器在真空室中蒸发一小部分固体目标材料，以产生与原始目标材料具有相同化学成分的薄膜。PLD工艺能够在各种背景气体成分和压力下沉积许多复杂材料。此外，可以使用其他类型的激光器，包括ps和fs激光器，并且可以使用适当的激光器提供替代技术，例如矩阵辅助脉冲激光蒸发（MAPLE）和谐振红外脉冲激光蒸发系统。PVD 产品为尺寸从 5 mm 方形到 300 mm 的基板提供各种 PLD 系统。我们还可以为卷对卷应用提供PLD系统。PVD产品将很乐意协助您为您的特定应用选择合适的PLD工具。大多数系统完全由计算机控制，易于使用。应用主要包括：分子束外延系统（MBE）GaAs、InP和GaSb外延HgCdTe外延GaN、InN和AlN外延Ⅱ-Ⅵ族外延SiGe外延Si/金属/氧化物外延超高真空物理气相沉积（PVD）系统磁控溅射系统脉冲激光沉积（PLD）系统电子束蒸发系统离子束沉积系统热蒸发系统已经在全球范围内安装了超过100套的超高真空系统。绝大部分的产品都是针对用户定制设计复杂的沉积系统。在标准系统制造业中有着深厚的为用户定制设计的背景，在用户中具有很好的声誉。许多的标准系统最初都是起源于针对某些客户对沉积过程特殊需求的解决方案,与广大的中国用户开展更为广泛的交流与合作，为广大的中国用户提供国际顶尖PLD MBE和超高真空薄膜沉积系统制造商的产品和服务。

优异的性能, PVD公司生产的脉冲激光沉积分子束外延系统在国内有较多用户，为众多老师开启薄膜外延制备的新篇章。欢迎前来参观咨询。主腔室，样品传输腔，1100度加热系统，样品旋转，PLD靶材操控器及光路，K-cell热蒸发源，电子束蒸发源，射频RF离子源PVD公司是美国主要制造商，是一家专业从事脉冲激光沉积分子束外延（PLD MBE）和超高真空薄膜沉积系统及组件的设计和制造的公司，提供超高真空薄膜沉积系统，应用于分子束外延、UHV溅射和脉冲激光沉积。产品主要集中在小型研究开发系统，其应用主要包括：用分子束外延进行半导体材料、ZnO、GaN、SiGe和金属/氧化物外延生长；UHV磁控溅射磁性薄膜；脉冲激光沉积超导薄膜、氧化物和陶瓷材料。脉冲激光沉积（PLD）系统通常使用聚焦脉冲准分子或Nd：YAG激光器在真空室中蒸发一小部分固体目标材料，以产生与原始目标材料具有相同化学成分的薄膜。PLD工艺能够在各种背景气体成分和压力下沉积许多复杂材料。此外，可以使用其他类型的激光器，包括ps和fs激光器，并且可以使用适当的激光器提供替代技术，例如矩阵辅助脉冲激光蒸发（MAPLE）和谐振红外脉冲激光蒸发系统。PVD 产品为尺寸从 5 mm 方形到 300 mm 的基板提供各种 PLD 系统。我们还可以为卷对卷应用提供PLD系统。PVD产品将很乐意协助您为您的特定应用选择合适的PLD工具。大多数系统完全由计算机控制，易于使用。应用主要包括：分子束外延系统（MBE）GaAs、InP和GaSb外延HgCdTe外延GaN、InN和AlN外延Ⅱ-Ⅵ族外延SiGe外延Si/金属/氧化物外延超高真空物理气相沉积（PVD）系统磁控溅射系统脉冲激光沉积（PLD）系统电子束蒸发系统离子束沉积系统热蒸发系统已经在全球范围内安装了超过100套的超高真空系统。绝大部分的产品都是针对用户定制设计复杂的沉积系统。在标准系统制造业中有着深厚的为用户定制设计的背景，在用户中具有很好的声誉。许多的标准系统最初都是起源于针对某些客户对沉积过程特殊需求的解决方案,与广大的中国用户开展更为广泛的交流与合作，为广大的中国用户提供国际顶尖PLD MBE和超高真空薄膜沉积系统制造商的产品和服务。

产品详情脉冲激光沉积/激光分子束外延系统 产品描述：荷兰TSST公司提供专业的脉冲激光沉积系统和激光分子束外延系统。荷兰Twente Solid State Technology BV（TSST）公司专注于为用户提供定制化的脉冲激光沉积系统（PLD），以及相关薄膜制备解决方案，公司具有20多年研究与生产脉冲激光沉积系统的经验。TSST与世界最大的纳米与微系统技术研究中心之一荷兰Twente大学MESA+ Institute保持着密切合作，开发出各种脉冲激光沉积技术中需要使用的核心技术。 脉冲激光沉积原理：在真空环境下利用脉冲激光对靶材表面进行轰击，利用激光产生的局域热量将靶材物质轰击出来，再沉积在不同的衬底上，从而形成薄膜。 激光分子束外延系统（LMBE），是在PLD的基础上发展起来的外延薄膜生长技术。在高氧气压力环境下实现RHEED原位监控，曾是RHEED分析的一个重要难题，TSST第一个提出差分抽气的方式实现高压环境下RHEED原位监控---TorrRHEED，TSST是TorrRHEED的发明人，在系统制造和RHEED的使用，以及结果分析方面，有丰富的经验。 选件 脉冲激光沉积技术适合做的薄膜包括各种多元氧化物，氮化物，硫化物薄膜，金属薄膜，磁性材料等。 应用领域： 单晶薄膜外延（SrTiO3，LaAlO3）压电薄膜（PZT，AlN，BiFeO3，BaTiO3）铁电薄膜（BaTiO3，KH2PO4）热电薄膜（SrTiO3）金属和化合物薄膜电极（Ti，Ag，Au，Pt，Ni，Co，SrRuO3，LaNiO3，YZrO2，GdCeO2，LaSrCoFeO3）半导体薄膜（Zn(Mg)O，AlN，SrTiO3）高K介质薄膜（HfO2，CeO2，Al2O3，BaTiO3，SrTiO3，PbZrTiO3，LaAlO3，Ta2O5）超导薄膜（YBa2CuO7-x，BiSrCaCuO）光波导，光学薄膜（PZT，AlN，BaTiO3，Al2O3，ZrO2，TiO2）超疏水薄膜（PTFE）红外探测薄膜（V2O5，PZT）

美国SVT Laser MBE Laser MBE具备PLD和传统MBE的特性，可对薄膜的生长速率进行精确（原子层级别）控制。通过在MBE系统上增加激光烧蚀工艺，系统可以生长包括高熔点陶瓷以及多元素固体材料等。SVT有18年的MBE设备制造经验，我们擅于通过原位的监控测量仪器来提高薄膜生长的质量。其中原位测量仪器包括：温度测量、厚度测量、RHEED、束流监控等。如果您想了解更多这方面的信息，请联系我们。 应用： 可用于研究氧化物半导体， 高温超导材料，光学晶体，电光学薄膜，铁电以及铁磁材料等。 标准性能：超高真空（本底压强1E-10 Torr）；多种生长模式的源集成，包括：RF等离子体蒸发源电子束蒸发臭氧传送系统先进的原位监控仪（可选）原子吸收束流监控仪RHEED温度以及厚度监控仪6个可旋转PLD靶高功率准分子激光器提供合适的泵抽组合多种腔室配置以满足您的需求培训以及服务支持

美国SVT公司MBE分子束外延系统美国SVT公司是世界顶级的MBE供应商，具有20年的MBE设备制造经验。数位核心工程师拥有25年以上的MBE经验。占据美国主要科研市场的SVT分子束外延系统，以其专业化的超高真空技术和薄膜生长技术搏得了广大客户的青睐。SVT公司拥有独立的应用实验室，可以为客户提供完善的工艺技术服务。和客户之间建立共同研发及合作的技术平台。SVT公司建立完善的售后服务体系。在北京、香港、美国总部都有服务工程师。型 号应 用样 品 尺 寸35-4III-V, 或其他化合物半导体4’’35-N氮化物半导体4’’或3X2’’35-6III-V或II-VI 或其他化合物半导体4’’, 6’’或多片2’’35-G-4III-V化合物，SiGe4’’SM-6Si，Ge，金属4’’或6’’S-8Si，Ge，介质材料最大8’’可配集成腔室SVT-V化合物半导体，氮化物，氧化物，铁磁材料2’’或3’’35-D双生长腔室，III-V或II-VI 或其他化合物半导体，铁磁材料3’’或4’’35-VCIGS3’’或4’’NanoFabII-V，II-VI，II-氧化物，III-氮化物以及其他材料1’’或2’’UVD-02氧化物或其他介质材料4’’, 可配有液态源PLD-02氧化物半导体、高温超导材料、光学晶体材料、电光学薄膜、铁电以及铁磁材料等4’’, 激光/电子束沉积35V14化合物半导体，氮化物，氧化物，铁磁材料14’’或多个小尺寸SVT MBE系统是模块化设计，主要包括装载室模块，预备或分析室模块，主生长室模块。可配10个源，线性移动挡板。每个模块都有独立的抽气系统。模块间有闸板阀相互隔离，互不影响。Model 35-6 AlGaAs（或其他半导体材料）研究和生产型设备，样品尺寸可达6英寸。可容纳10个cell。真空度 1×10-10Torr。可配普通束流源，裂解源，RF源，电子束蒸发源。Model 35-N-V 标准4' ' 衬底MBE平台，用于生长高质量的氮化物半导体材料。可容纳10个cell。真空度 1×10-10Torr。设计考虑了严格的活性氮环境并配有高温衬底加热器。氮源的种类包括RF氮源和氨气入射源。26-O-V 氧化物MBE系统具有弹性配置。真空度 1×10-10Torr。此多元化MBE平台可以生长研究各种氧化物材料。该系统可以配备多坩埚电子束蒸发源以及10个热蒸发源或等离子源等。氧化物MBE还包括：26-O-C紧凑型氧化物MBE、26-O-6大样品氧化物MBE等各种型号。Model SM-6 SiGe系统用于生长高质量的Si/Ge及相关化合物。真空度 1×10-10Torr。可容纳9个普通源及1个电子束蒸发源，或6个普通源及2个电子束蒸发源。该系统集成了电子束蒸发和热源蒸发两种沉积技术，并通过传感器反馈控制技术实现薄膜制备的高度再现性。

激光分子束外延(Laser MBE)是上个世纪90年代发展起来的一种新型高精密制膜技术，它集PLD的制膜特点和传统MBE的超高真空精确控制原子尺度外延生长的原位实时监控为一体，除保持了PLD方法制备的膜系宽，还可以生长通常的半导体超晶格材料，特别适合生长多元素、高熔点、复杂层状结构的薄膜，如超导体、光学晶体、铁电体、压电体、铁磁体以及有机高分子等，同时还能进行其相应的激光与物质相互作用和成膜过程的物理、化学等方面的基础研究。日本Pascal公司一直致力于PLD和Laser MBE系统的研发工作，已经向世界上知名的高校或研究所提供了高性能、高稳定的设备。在Laser MBE中，使用脉冲激光源，而且与通过石英窗口和超高真空系统隔离。高能量密度的脉冲激光将靶材局部气化而产生激光焰，被剥蚀的粒子获得很高的动能，达到可以加热的衬底表面形成薄膜。薄膜的生长过程可由反射式高能电子衍射(RHEED)系统监控。RHEED的衍射条纹提供薄膜生长的晶体结构和表面形貌，强度振荡判断薄膜生长的机理。其强度振荡可由弹性散射模型进行解释。Pascal生产的Laser MBE系统具有如下的优势：1. 靶源易蒸发。即使是高熔点的材料，如氧化物，也很容易蒸发。2. 化学计量比准确。沉积的薄膜和靶材的化学组分几乎完全一样。3. 污染少。4. 激光脉冲的重复频率可进行薄膜厚度/生长速率的数字式或非连续性控制。5. 差分抽气结构，可在非常宽的气压范围内工作。6. 靶材的交换简单快捷，有利于实现异质外延和多层结构的生长。7. 结构紧凑，含有许多独特的技术，如衬底加热和样品或靶材的进样-自锁交换装置等。用于材料科学的组合(Combinatorial)技术一次合成一个样品，该样品描写了不同合成条件的组合结果，然后进行筛选产品，这整个过程是一种“组合化学”(Combinatorial Chemistry)。目前，这种技术在医学或药学的发展将显得非常必要。而且，由此产生的研究结果正在呈指数上升。为什么不在薄膜研究中引进该方案呢？从方案的初始阶段，我们就一直与学术界共同研发“组合式PLD系统”。我们丰富的经验将有助于薄膜的研究和开发。应用1.蓝光ZnO 和 GaN 新材料研发2.氧化物微奈米薄膜、STO 压电薄膜3.奈米磁性薄膜4.超导体材料5.高能材料6.新尖端组合材料 (Combinatorial Materials)新型薄膜和器件方面的应用我们设计的生长系统可用于多种薄膜的生长，包括GaN、有机薄膜以及结型器件的制备，如金刚石、富勒烯球碳和含有氧化物的Si结型器件等。

Laser MBE具备PLD和传统MBE的特点，对薄膜的生长速率进行精确（原子层级别）控制。设备特点是在MBE系统上增加激光烧蚀工艺，系统可以生长包括高熔点陶瓷以及多元素固体材料等各种材料。SVT有20年的MBE设备制造经验，我们擅于通过在线监控薄膜生长来提高薄膜质量。所采用的在线监控仪器包括：温度测量仪、厚度测量仪、RHEED、束流监控仪等。如果您想了解更多这方面的信息，请联系我们。 应用 氧化物半导体、高温超导材料、光学晶体材料、电光学薄膜、铁电以及铁磁材料等 标准性能● 超高真空（本底压强1E-10 Torr）● 集成多种类型源，包括：- RF等离子体源- 热蒸发源- 电子束蒸发源- 臭氧传送系统● 先进的在线监控仪（可选）- 原子吸收束流监控仪- RHEED- 温度以及厚度测量仪● 6个可旋转PLD靶● 高功率准分子激光器● 提供合适的泵抽组合● 多种腔室配置以满足您的需求● 培训以及服务支持

脉冲激光沉积、分子束外延薄膜制备系统美国BlueWave公司是半导体设备、材料生产商。BlueWave提供多种薄膜制备系统，包括脉冲激光沉积(PLD)、电子束蒸发、热蒸发、反应溅射、热丝化学气相沉积(HFCVD)、热化学气相沉积系统(TCVD)。这些系统是理想的薄膜与涂层合成设备。可制备的薄膜包括氮化物、氧化物、多层膜、钻石、石墨烯、碳纳米管、2D材料。Blue Wave还提供相关系统配件，例如基片加热装置、原位监测工具。此外，BlueWave还为您提供标准的薄膜以及材料涂层，例如氧化物涂层、导电薄膜、无定型或纳米晶Si/SiC、晶体AlN-GaN、聚合物、纳米钻石、HFCVD钻石涂层以及器件加工。1、脉冲激光沉积系统产品特点：◆ 电抛光多空不锈钢超高真空腔体◆ 可集成热蒸发源或溅射源◆ 可旋转的耐氧化基片加热台◆ 流量计或针阀控制气体流量◆ 标准真空计◆ 干泵与涡轮真空泵◆ 可选配不锈钢快速进样室 ◆ 可选配基片-靶材距离自动控制系统◆ 可制备：金属氧化物、氮化物、碳化物、金属纳米薄膜、多层膜、超晶格等。 2、物理气相沉积系统（Physical Vapor Deposition Plus）产品特点◆ 超高真空不锈钢腔体◆ 电子束、热蒸发、脉冲激光沉积可集成◆ 立衬底加热，可旋转◆ 多量程气体流量控制器◆ 标准气压计◆ 机械、分子、冷凝真空泵可选不锈钢快速进样室◆ 衬底和源距离可控◆ 可用于金属氧化物、氮化物、碳化物、金属薄膜 3、热化学气相沉积系统（TCVD）产品特点◆ 高温石英管反应器设计◆ 温度范围：室温到1100℃◆ 多路气体控制◆ 标准气压计◆ 易于操作◆ 可配机械泵实现低压TCVD◆ 可用于制备金属氧化物、氮化物、碳化物、金属薄膜◆ 液体前驱体喷头◆ 2英寸超大温度均匀区4、热丝化学气相沉积系统（HFCVD）产品特点：◆ 水冷不锈钢超高真空腔◆ 热丝易安装、更换 ◆ 4个不同量程气体控制器◆ 标准气压计◆ 衬底与热丝距离可调节◆ 2英寸衬底加热、可旋转 ◆ 制备金刚石和石墨烯

分子束外延系统MBE 可以在某些衬底上实现外延生长工艺，实现分子自组装、超晶格、量子阱、一维纳米线等。可以进行第二代半导体和第三代半导体的工艺验证和外延片的生长制造。 分子束外延系统MBE在薄膜外延生长时具有超高的真空环境，是在理想的环境下进行薄膜外延生长，它可以排除在薄膜生长时的各种干扰因素，得到理想的高精度薄膜。我公司设计制造的分子束外延薄膜生长实验设备，分实验型和生产型两种 ，配置合理，结构简单，操作方便，技术先进，性能可靠，用途多，实用性强，价格相对较低，可供各大学的实验室及科研机构作为分子束外延方面的教学实验、科学研究及工艺实验之用。生产型MBE可用于小批量外延片的制备。功能特点本项目于2005年在国内率先完成了成套MBE的全国产化研发设计和制造，做到自主可控。自主设计MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、RHEED原位实时在线监控仪、直线型电子枪、高温束源炉、束源炉电源、高温样品台、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）等核心部件。可实现第二代半导体（如砷化镓等）和第三代半导体（如碳化硅和氮化镓）的外延生长。设备组成与主要技术指标设备的组成进样室该室用于样品的进出仓，并配置有多样片储存功能。样品库可放六片基片。预处理室该室用于样品在进入外延室之前进行真空等离子剥离式清洗和真空高温除气，及其他前期工艺处理。还用于对外延后的样片进行后工艺处理，如高温退火等等。外延室超高真空洁净真空室，实现分子束外延工艺。主要技术指标进样室极限真空：5.0×10-5Pa样品装载数量：6片（φ2 英寸～φ4 英寸，带样品载具）预处理室极限真空：5×10-7Pa样品台加热温度：室温～ 850℃±1℃（PID 控制）离子清洗源：Φ60；100 ～ 500eV外延室 项目 参数 极限真空 离子泵 8.0×10-9Pa（冷阱辅助） 样品台加热温度 室温～ 1200℃±1℃（PID 控制） 样品自转速度 2 ～ 20 转 / 每分钟（无级可调） 气态离化源 1～3套（氮） 固态束源炉 3 ～ 8 套（根据用户需求配置） Rheed 1套*工艺室部分部件根据客户需求不同，所配置不同。实验型MBE设备组件超高真空直线型电子枪自主研发直线型电子枪，满足超高真空和束源炉法兰接口及安装尺寸的要求；可用于高温难融材料的加热蒸发。超高真空直线型电子枪高能衍射枪及电源束斑0.6mm，高压25kV。光斑在荧光屏上可衍射图像经CCD 相机采集后由计算机进行图像处理。生产型MBE工艺实现使用鹏城半导体自主研发的分子束外延设备生长的Bi2-xSbxTe3。关于鹏城半导体鹏城半导体技术（深圳）有限公司（鹏城半导体），由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司已投放市场的部分半导体设备|物理气相沉积（PVD）系列磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机，离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机|化学气相沉积（CVD）系列MOCVD、PECVD、LPCVD、热丝CVD、ICPECVD、等离子刻蚀机、等离子清洗机|超高真空系列分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE）|OLED中试设备（G1、G2.5）|其它金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉|太阳能薄膜电池设备（PECVD+磁控溅射）团簇式太阳能薄膜电池中试线团队部分业绩分布完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用，至今仍在正常使用。设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。设计制造了MOCVD及合金退火炉，用于GaN和ZnO的外延生长，实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累2001年 与南昌大学合作设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。2006年 与中国科技大学合作设计超高温CVD 和MBE。用于4H晶型SiC外延生长。2007年 与兰州大学物理学院合作设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室合作设计制造了金刚石薄膜制备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。2017年-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。2021年 MBE生产型设计。2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备（≥Φ6英寸）。2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。

该设备可以在某些衬底材料上实现外延生长工艺，实现分子自组装、超晶格、量子阱、一维纳米线等。可以进行第二代半导体和第三代半导体的工艺验证和外延片的生长制造。分子束外延薄膜生长设备MBE在薄膜外延生长时具有超高的真空环境，是在理想的环境下进行薄膜外延生长，它可以排除在薄膜生长时的各种干扰因素，得到理想的高精度薄膜。我公司设计制造的分子束外延薄膜生长实验设备，分实验型和生产型两种 ，配置合理，结构简单，操作方便，技术先进，性能可靠，用途多，实用性强，价格相对较低，可供各大学的实验室及科研机构作为分子束外延方面的教学实验、科学研究及工艺实验之用。生产型MBE可用于小批量外延片的制备。功能特点本项目于2005年在国内率先完成了成套MBE的全国产化研发设计和制造，做到自主可控。自主设计MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、RHEED原位实时在线监控仪、直线型电子枪、高温束源炉、束源炉电源、高温样品台、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）等核心部件。可实现第二代半导体（如砷化镓等）和第三代半导体（如碳化硅和氮化镓）的外延生长。设备组成与主要技术指标设备的组成进样室该室用于样品的进出仓，并配置有多样片储存功能。样品库可放六片基片。预处理室该室用于样品在进入外延室之前进行真空等离子剥离式清洗和真空高温除气，及其他前期工艺处理。还用于对外延后的样片进行后工艺处理，如高温退火等等。外延室超高真空洁净真空室，实现分子束外延工艺。主要技术指标进样室极限真空：5.0×10^-5Pa样品装载数量：6片（φ2 英寸～φ4 英寸，带样品载具）预处理室极限真空：5×10^-7Pa样品台加热温度：室温～ 850℃±1℃（PID 控制）离子清洗源：Φ60；100 ～ 500eV外延室 极限真空 离子泵 2.0×10-8 Pa（冷阱辅助） 样品台加热温度 室温～ 1200℃±1℃（PID 控制） 样品自转速度 2 ～ 20 转 / 每分钟（无级可调） 气态离化源 1～3套（氮） 固态束源炉 3 ～ 8 套（根据用户需求配置） Rheed 1套*工艺室部分部件根据客户需求不同，所配置不同。实验型MBE设备组件超高真空直线型电子枪自主研发直线型电子枪，满足超高真空和束源炉法兰接口及安装尺寸的要求；可用于高温难融材料的加热蒸发。超高真空直线型电子枪高能衍射枪及电源束斑0.6mm，高压25kV。光斑在荧光屏上可衍射图像经CCD 相机采集后由计算机进行图像处理。生产型MBE工艺实现使用鹏城半导体自主研发的分子束外延设备生长的Bi2-xSbxTe3。

v 分子束外延，是在超高真空系统中把所需要的结晶材料放入到喷射炉中，将喷射炉加热。使结晶材料形成分子束，从炉中喷出后，沉积在温度保持在几百度的单晶基片上。如果设置几个喷射炉，就可以制取多元半导体混晶，又可以同时进行掺杂。可以精确地控制结晶生长，进行沉积系统中结晶生长过程的研究v 12个源炉：镓、铟、铝、砷、锑、磷、铋、硅、镁、掺杂等v 衬底：最大4inch v 最高温度：1000°C 温度均匀性：≤±3°C（4inch）v 超高真空下全自动样品转移v 用于过程控制和分析的所有现代现场监控功能v 一个集群上最多7个超高真空功能单元：装载、储存、翻转、处理、排气、生长，外部腔室可连接其他分析设备或其他：ALD、PLD、PVD、金属化、STM......

仪器简介：HALO 201 MBE 分子束外延残余气体分析四极质谱仪用于泄漏探测、趋势分析、真空诊断的过程监测和残余气体的精确分析。该分子束外延特定分析质谱仪由兼容性材料组成，并能在分子束外延环境中长期使用。 主要特点：钼铜布线增加MBE环境下系统的寿命 抗污染离子源护罩 双法拉第/ channelplate电子倍增器 技术规格：质量数范围： 1～300 amu 扫描速度： 100amu/s 最小扫描步阶：0.01amu 灵敏度： 0.1 ppm～1ppm 稳定性： 24h以上，峰高变化小于±0.5% 最小检测分压：2 x 10-13 mbar 最大工作压力：1 x 10-4 mbar Mass Spectrometers for Residual Gas Analysis - RGA (1.35 MB)

美国SVT小型MBESVT 公司生产的SMART NanoFab MBE 具有体积小容量大的优点。可以多种生长模式集成于一个腔室。桌面大小的超高真空腔室包含了一系列沉积源以及工艺监控仪器的端口。装载室可以盛放多个样品，便于在超干净环境下操作样品。集成电子控制柜以及烘烤系统使操作系统非常简便。可容纳4或8个源。应用III-V，II-VI，II-Oxides，III-Nitrides以及其他材料；想使用MBE并需要其他薄膜生长模式生长的材料 沉积源和检测仪器蒸发源单坩埚以及多坩埚电子束蒸发源RF等离子体源激光器烧蚀源溅射源气体入射源RHEED以及RHEED分析软件AccuFlux 原位工艺监控仪QCM石英晶体速率监控仪线性束流监控仪

Laser MBELaser MBE特点模块化概念，Laser MBE可以轻松升级到中央传输模块或其他模块UHV PLD主腔室、利用Load-lock实现衬底和靶材的UHV传输先进的工艺自动化功能，可实现超晶格生长温度测量准确的耐氧衬底加热器，最高1000 ℃，也可以选配激光加热靶台可以屏蔽交叉污染，传输整个carrousel而非单个靶材真空腔室利于系统升级（RHEED，等离子体源，OES/FTIR等）SURFACE激光能量密度控制选件，100%的结果可重复性全封闭光路，安全省事整套交付，先进的在线支持PLD/Laser MBE腔室PLD/Laser MBE腔室SURFACE的Laser MBE腔室专为科研而设计，并提供高级Laser MBE需要的所有特征。衬底和靶材的UHV传输冷壁设计防止沉积过程中腔壁放气原位分析窗口和法兰口（RHEED，OES或FTIR，质谱仪）沉积源和等离子体源备用法兰口先进的SURFACE衬底加热器或激光加热靶台最多可存贮5个1寸靶材激光能量密度控制激光能量密度控制Laser MBE可以选配SURFACE 激光能量密度控制功能。它可以确保薄膜沉积的重复性。在每一步沉积前，自动校准激光能量密度，脉冲能量随着时间推移而始终保持恒定。Load LockLoadlock腔室最多可同时装载5个样品和2个靶台carrousel。控制软件控制软件SURFACE的Laser MBE设备均是高度自动化的，可以自动控制整个沉积过程，从而确保设备易于操作。多个工艺步骤被合并到一个沉积程序中，直观的工艺过程可视化操作，高度灵活的数据记录和导出，优异的自我测试能力。升级到Cluster系统Cluster系统Laser MBE可以轻松升级为功能齐备的cluster系统。在PLD主腔室和Load-lock进样室中间插入中央cluster传输模块。模块化设计和轮式支架简化了升级过程，可根据需要和预算来升级系统。

德国MBE-Komponenten 分子束外延系统OCTOPLUS 400OCTOPLUS 400分子束外延是一款通用型MBE系统，非常适合于III/V族， II/VI族，及其他复合半导体材料应用。兼容2-4英寸标准晶片。竖直分割式腔体设计，可以装配各种源炉，实现不同材料分子束外延生长。系统特点：● 用于研发的普适性MBE系统● 应用于III/V族， II/VI族材料外延生长● 适用于2-4英寸样品● 8个标准的CF法兰孔(根据要求可以拓展到10个)● 可以升级和选配实现系统扩展● 原位生长表征● 易于使用和方便维护可以根据所有客户的要求，提供不同种类的蒸发源，包括K-cell、电子束蒸发源、热裂解源、阀式裂解源、气体裂解源等。可以使用石英晶振，反射式高能电子衍射仪(RHEED)或者四极杆质谱仪实现样品生长的原位监测。 EpiSoft MBE软件可以精确控制所有的挡板，蒸发源源和样品台加热器温度。最大程度确保了操作的重复性。Octoplus 400的主要特点是极高的可靠性和普适性，以及其占地空间小。这些特点使得我们的系统非常适合于研发。标准的Octoplus 400有8个4.5’’(CF63)法兰口，可以根据需求拓展到10个法兰口。快速进样室(Loading Chamber)配有高精度磁力传输样品杆，可以在不破坏MBE腔室真空的前提下进行快速样品传输。

德国MBE-Komponenten 分子束外延 OCTOPLUS 500 系统 德国MBE-Komponenten 分子束外延系统 OCTOPLUS 500OCTOPLUS 500 系统是为了在6英寸衬底上生长高质量的III/V族或者II-VI族异质结构材料而研发的。样品台选用热解石墨加热或者钨、钽加热丝。OCTOPLUS 500 MBE系统是公认的非常适合于III/V族， II/VI族或其他异质结构材料生长应用研发与生产。OCTOPLUS 500 MBE系统的主要特点是极高的可靠性和普适性。标准的Octoplus 500有11个呈放射状分布的源孔，可以根据需要增选3个源孔。快速抽真空进样室配有水平磁力杆传输系统，可以在不破坏MBE腔室真空的前提下，简便地进行样品传输。 OCTOPLUS 500 MBE系统的的主要参数规格：● ID 550 mm● 应用于III/V族， II/VI族或其他异质结构材料● 最大6英寸晶片，或7x2英寸晶片● 进样室和缓冲腔室● 线性样品传输系统● 标准法兰孔数目(标准11个，可按要求增加3个)● 束流源，气体源，样品台● 抽真空系统(离子吸附泵，分子泵，低温泵等)● 原位表征能力● 软件/硬件控制系统● 额外要求可定制

美国SVT生产型MBE SVT 拥有20年MBE设备制造与革新的经验。 MBE是半导体材料和器件生长的主要研究制造技术。 SVT 的MBE设备提供超高真空环境，可以精确制备各种薄膜结构，包括超高k电解质，光电子器件，高能通讯器件，以及其他应用器件。 SVT正不断提高MBE系统的性能，并为客户开放新材料提供更大便利。 35V14 MBE是生产型的MBE系统，并可以加工超大尺寸样品。 此系统可以加工最大14' ' 的样品， 并配有大容量的源以及RF6.0生产型Plasma源。 可用于指标氧化物、氮化物、As化物等。

技术介绍 kSA ACE 是一种高灵敏度的在线原位原子束流监测设备，它利用原子吸收光谱的原理来测量对应原子种类的通量率。该设备可整合到MBE分子束外 延，磁控溅射系统、电子束/热蒸发系统和PLD脉冲激光沉积等设备上，实时原位检测原子束流密度、生长速率，实现对薄膜成分控制。 应用场景 kSA ACE 可以独立测量每种待测材料，在多源蒸发或共溅射过程中提供精确的特定材料束流通量监测控制。凭借其在连续操作下的灵敏度 和长期可重复性，可广泛应用于 III-V 和 II-VI 化合物、半导体器件、薄膜传感器、太阳能电池、光学涂层、X 射线光学器件、平板显示器等领域的 薄膜生长监控。 适用场景：&bull MBE（分子束外延） &bull 蒸发镀膜:电子束、离子束辅助、热蒸发等 &bull 溅射镀膜:RF/DC磁控,离子束等 &bull PLD（脉冲激光沉积） &bull 等离子体刻蚀 测量原理 kSA ACE 可将多达三个阴极灯 (HCL) 的发射光谱组合成一个共线光束，并且测量过程中光束被分成参考通道和信号通道。参考通道和信号通道均由 高灵敏度、高空间分辨率的光谱仪连续监测，该光谱仪可同时监测多达三个元素。 参考通道为 HCL 强度波动提供连续校正。信号光束通过光纤耦合 到处理腔室上的透镜单元，然后光束通过蒸发源束流，从而引起原子吸收特征谱线衰减，此衰减与信号通道光束体积内的原子密度成比例关系。此外 该系统还包括一个氙气闪光灯光源，以校正视口涂层对测量产生的影响。整个光学系统保持温度稳定，以确保设备长期运行的稳定性。 技术特点1. 通过特定元素的原子吸收光谱提供对原子束流通量的实时监测，每个系统最测量三种元素，可实时测量生长速率和束流通量密度。2. 提供与吸收率或生长速率成比例的 TCP/IP 模拟电压输出，用于过程控制。 3. 系统主要包括：kSA ACE 机架、光学配件、探测器、光源和 kSA ACE 软件等。

XBS三级滤过四极质谱(MBE Deposition Rate Monitoring / Control System)，适于精确的MBE分析，其他气体分析和科学实验使用。Windows™ 界面的MASsoft软件通过RS232、RS485 或以太网控制。 离子源控制，用于软离子化和表观电势质谱 灵敏度增强用于大质量数的传输，自动质量数范围列表 一级过滤处增加射频，抗污染物能力增强 内置UHV 兼容的水冷却罩 灵敏度高，检测范围： 100% 至5ppb 质量数范围： 0~ 510amu 长期稳定性： 24h以上，峰高变化小于±0.5%) 交叉离子源，束接收角同轴的横断面呈 ±35° 2mm 束接受孔，也可为特殊使用者配置 分子束研究中，检测极限低至30 ions/s 监测生长速率： 1? / min，或更低

优异的性能, PVD公司生产的脉冲激光沉积分子束外延系统在国内有较多用户，为众多老师开启薄膜外延制备的新篇章。欢迎前来参观咨询。主腔室，样品传输腔，1100度加热系统，样品旋转，PLD靶材操控器及光路，K-cell热蒸发源，电子束蒸发源，射频RF离子源PVD公司是美国主要制造商，是一家专业从事脉冲激光沉积分子束外延（PLD MBE）和超高真空薄膜沉积系统及组件的设计和制造的公司，提供超高真空薄膜沉积系统，应用于分子束外延、UHV溅射和脉冲激光沉积。产品主要集中在小型研究开发系统，其应用主要包括：用分子束外延进行半导体材料、ZnO、GaN、SiGe和金属/氧化物外延生长；UHV磁控溅射磁性薄膜；脉冲激光沉积超导薄膜、氧化物和陶瓷材料。脉冲激光沉积（PLD）系统通常使用聚焦脉冲准分子或Nd：YAG激光器在真空室中蒸发一小部分固体目标材料，以产生与原始目标材料具有相同化学成分的薄膜。PLD工艺能够在各种背景气体成分和压力下沉积许多复杂材料。此外，可以使用其他类型的激光器，包括ps和fs激光器，并且可以使用适当的激光器提供替代技术，例如矩阵辅助脉冲激光蒸发（MAPLE）和谐振红外脉冲激光蒸发系统。PVD 产品为尺寸从 5 mm 方形到 300 mm 的基板提供各种 PLD 系统。我们还可以为卷对卷应用提供PLD系统。PVD产品将很乐意协助您为您的特定应用选择合适的PLD工具。大多数系统完全由计算机控制，易于使用。应用主要包括：分子束外延系统（MBE）GaAs、InP和GaSb外延HgCdTe外延GaN、InN和AlN外延Ⅱ-Ⅵ族外延SiGe外延Si/金属/氧化物外延超高真空物理气相沉积（PVD）系统磁控溅射系统脉冲激光沉积（PLD）系统电子束蒸发系统离子束沉积系统热蒸发系统已经在全球范围内安装了超过100套的超高真空系统。绝大部分的产品都是针对用户定制设计复杂的沉积系统。在标准系统制造业中有着深厚的为用户定制设计的背景，在用户中具有很好的声誉。许多的标准系统最初都是起源于针对某些客户对沉积过程特殊需求的解决方案,与广大的中国用户开展更为广泛的交流与合作，为广大的中国用户提供国际顶尖PLD MBE和超高真空薄膜沉积系统制造商的产品和服务。

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美国Neocera PLD 脉冲激光沉积系统 P180 & PED 脉冲电子束沉积系统 PED-180 Neocera P180 脉冲激光沉积系统 • Neocera 在 PLD 设备与工艺开发方面具有不可超越的经验• Pioneer 系列 PLD 系统是全球研发领域广泛使用的商业化系统• Neocera 不仅为客户提供基本的 PLD 系统，也提供完整的PLD 实验室交钥匙方案 PLD 实验室交钥匙方案 脉冲激光沉积系统（PLD）一种用途广泛的、用于薄膜沉积以及纳米结构和纳米粒子合成的方法 PLD 是一种复杂材料沉积的有效方法脉冲激光沉积（Pulsed Laser Deposition）是一种用途广泛的薄膜沉积技术。脉冲激光快速蒸发靶材，生成与靶材组成相同的薄膜。PLD 的独特之处是能量源（脉冲激光）位于真空室的外面。这样，在材料合成时，工作压力的动态范围很宽，达到 10-10 Torr ~ 100 Torr。通过控制镀膜压力和温度，可以合成一系列具有独特功能的纳米结构和纳米颗粒。另外，PLD 是一种 “ 数字 ” 技术，在纳米尺度上进行工艺控制（?/pulse）。 Neocera Pioneer 系列 PLD 系统 — 基于优秀经验的创新设计 Neocera 利用 PLD 开展了深入广泛的研究，建立了获得 优秀 薄膜质量的临界参数，特别适用于沉积复杂氧化物薄膜。这些思考已经应用于 Pioneer 系统的设计之中。 • 很多复杂氧化物薄膜在相对高的氧压（100 Torr）下冷却可获得好的质量。所有 Pioneer 系统都具备此功能（压力范围可从额定初始压强到大气压）。这也有益于纳米粒子的生成。• Pioneer PLD 系统的激光束入射角为 45°，保持了激光密度在靶材上的最大均匀性，同时避免使用复杂而昂贵的光学部件。更大的入射角能够拉长靶材上的激光斑点，导致密度均匀性的损失。• 为了避免使用昂贵的与氧气兼容的真空泵，消除油的回流对薄膜质量的影响，所有 Pioneer 系统的标准配置都采用无油泵系统。• 我们的研究表明靶和基片的距离是获得优秀薄膜质量的关键参数。Pioneer 系统采用可变的靶和基片的距离，对沉积条件进行控制。 技术参数： 。作为完整 PLD 实验室解决方案供应商，我们还可提供：248nm 激光器（准分子、固体等），气体柜，激光。器和光学器件桌，以及光学器件等。• 带 * 的项目均可客户化。• 上述技术指标如有变更，恕不另行通知，详情见具体报价描述或者咨询销售工程师。 离子辅助沉积 ( IBAD )高性能的离子辅助沉积系统离子辅助沉积已经成为在无规取向的基片或非晶衬底上沉积双轴结构薄膜的一种重要技术。Neocera 开发了离子辅助的PLD 系统，该系统将 PLD 在沉积复杂材料方面的优势与 IBAD 能力结合在一起。 无定形和多晶衬底上单个类单晶薄膜的沉积 离子辅助PLD沉积原理示意图 结果和最佳理论值吻合 连续组成扩展 ( CCS )连续组成扩展功能（CCS）可在单次沉积中沉积很多不同组分的材料，大大缩短了沉积不同组分材料合成新材料的时间，实现合成材料组分的优化。PLD-CCS 系统能以连续的方式改变材料，没有必要使用掩模。可以在每一次循环中，以小于一个单分子层的速率，快速连续沉积每一种组份，其结果是类似于共沉积法。该法无需在沉积后进行退火促进内部扩散或结晶，对于生长温度是关键参数的研究或者被沉积的材料或基片不适合高温退火的情况是非常有帮助的。Neocera 公司PLD 系统可在同一个系统上实现带有连续组成扩展功能（CCS-PLD）和标准型 PLD 功能。 PLD-CCS 三元连续组分扩散 PLD 原理示意图 三元模拟相图 In-Sn-Zn 氧化物相图解 激光分子束外延 ( Laser MBE )激光 MBE 是普遍采用的术语，该法是一种纳米尺度薄膜合成的理想方法，高真空下的 PLD 与在线工艺监测的反射高能电子衍射（RHEED）的联合应用，用户提供了类似于 MBE 的薄膜生长的单分子水平控制。 正确的设计是成功使用 RHEED 和 PLD 的重要因数RHEED 通常在高真空（10-6 torr）环境下使用。然而，因为在某些特殊情况下，PLD 采用较高的压力，差动抽气是必要的，维持 RHEED 电子枪的工作压力，同时保持 500 mTorr 的 PLD 工艺压力。同时，设计完整的系统消除磁场对电子束的影响是至关重要的。Neocera 激光 MBE 系统可以添加客户定制系统，比如超高真空激光衬底加热器，用于集成原位分析系统（XPS/ARPERS 等）。样品可以简单地从激光 MBE/PLD 系统传送到超高真空 XPS/ARPERS 系统。 激光 MEB 原理示意图 激光 MBE 计算机上的 RHEED 图案 RHEED 强度震荡曲线 脉冲电子束沉积系统（PED）：PED-180 脉冲电子束沉积（Pulsed Electron Deposition）是高能脉冲 (100ns) 电子束 ( 约 1000 A,15 keV) 在靶材上穿透将近 1 um，使靶材快速蒸发形成等离子体。对靶材的非平衡提取（烧灼）使等离子体的组成与靶材的化学计量组成一致。在优秀条件下，靶材的化学计量与沉积薄膜的保持一致。所有的固态材料如金属、半导体和绝缘体等都可以用 PED 技术沉积各自的薄膜。 独立的交钥匙脉冲电子束沉积系统 PED• 外延薄膜沉积，多层异质结构（heterostructures）与超晶格• 氧化物薄膜沉积时氧气兼容• 升级选项：离子辅助 PED, 连续组份沉积 PED, 进样系统 load-lock• 可附加的沉积源：脉冲激光与射频 / 直流溅射• 集成 XPS/ARPES UHV 集群系统，原位高真空基片传送系统 PED 沉积的代表性材料示例• 高温超导 (HTS) YBCO( 和 GdBCO) 薄膜• 顺电 (Ba-SrTiO3) 薄膜• 金属氧化物 (SrRuO3) 薄膜• 隔热 / 音玻璃 (SiO2) 膜和 Al2O3 膜• 聚四氟乙烯 (PTFE) 薄膜 PED-180 系统的技术指标

主要特点新型潘式扫描探头，具备qPlus AFM功能,模块化设计,易于维护可选光学通道，适于光学实多源MBE样品制备，可原位沉积袖珍型进样室，快速传输样品 STM 系统性能测试数据 该光学兼容低温扫描探针显微镜系统的详细工作发表在近期的《科学仪器评论》杂志上【Review of Scientific Instruments 89, 113705 (2018) doi: 10.1063/1.5046466】文章链接：Https://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.5046466 技术参数扫描探头光耦合兼容模块化设计，兼容qPlus AFM功能工作温度≤5KX/Y/Z粗移动范围2×2×8mmX/Y/Z扫描范围6×6×2μm @ RT1.5×1.5×0.5μm @ LHe低温维持时间≥50h(液氦容积4L、液氮容积15L）温度稳定性＜0.2nm/h分辨率原子级分辨率样品台X/Y轴±12.5mm，手动Z轴450mm，步进电机自转±180°，手动公转±180°，手动温度范围120K~室温 (LN2冷却)室温~1450K（E-Beam加热）蒸发源 最多6个DN40CF(O.D. 2.75' ' )5个DN63CF(O.D. 4.5' ' )1个可选项光学通道，适用于光学实验反射高能电子衍射仪低能电子衍射仪离子枪（3KeV/5KeV）

产品简介激光 MBE 是普遍采用的术语，该法是一种纳米尺度薄膜合成的理想方法，高真空下的 PLD 与在线工艺监测的反射高能电子衍射（RHEED）的联合应用，用户提供了类似于 MBE 的薄膜生长的单分子水平控制。正确的设计是成功使用 RHEED 和 PLD 的重要因数RHEED 通常在高真空（10 -6 torr）环境下使用。然而，因为在某些特殊情况下，PLD 采用较高的压力，差动抽气是必要的，维持 RHEED 电子枪的工作压力，同时保持 500 mTorr 的 PLD 工艺压力。同时，设计完整的系统消除磁场对电子束的影响是至关重要的。Neocera 激光 MBE 系统可以添加客户定制系统，比如超高真空激光衬底加热器，用于集成原位分析系统（XPS/ARPERS 等）。样品可以简单地从激光 MBE/PLD 系统传送到超高真空 XPS/ARPERS等）。样品可以简单地从激光 MBE/PLD 系统传送到超高真空 XPS/ARPERS 系统。我们会根据客户需求提供优质的脉冲激光沉积方案和专业的技术服务。产品特点独立的MAPLE PLD系统有机和聚合物薄膜的沉积在同一室的附加沉积源(可选): 脉冲电子沉积(PED)，射频/直流溅射和直流离子源Load-lockable衬底阶段与XPS分析系统集成，直接将晶片从PLD系统转移到分析系统技术参数1.PLD腔尺寸:12 " /18 "直径(Pioneer 120-Advanced/ Pioneer 180型号)2.衬底尺寸:1厘米× 1厘米(激光加热器) 直径2”(辐射加热器)3.衬底加热:1000 ℃(激光加热器)；850℃(辐射加热器)4. 目标旋转：直径 6 x 1 "或3 x 2 "5.工业气体:氧气和氮气100 SCCM的mfc6. 软件:Windows 7/Labview 20137. RHEED电子枪与软件:a.射柱电压：30keV；b.运行压力:500 mTorr/氧；c. RHEED屏幕/快门。d. CCD摄像机和数据采集软件

脉冲激光沉积系统(PLD)、激光分子束外延设备(L-MBE) 设备简介：产地：美国NBMPLD是将脉冲激光透过合成石英窗导入真空腔内照射到成膜靶上，靶被照射后吸收高密度能量而形成的plume状等离子体状态，然后被堆积到设在对面的基板上而成膜。PLD方法可以获得拥有热力学理论上准稳定状态的组成和构造的人工合成新材料。 我司PLD特点：我们PLD系统拥有最好的性能价比,具有以下优异的性能:主真空室腔体直径18英寸，本底真空可达高真空：9X10E-9 Torr（要用Load-lock）。主真空室抽气系统前级泵采用无油干泵★基片加热温度最高可达1200℃。基片台可360度旋转（转速1-20rpm可调）。★基片与靶之间方位采用靶在下方，基片在上方，均水平放置。基片与靶间距沿Z轴（即垂直地面方向）可调。6个装靶的坩埚（或靶盘），各坩埚之间要求相互隔离，不互相污染。★激光器：Coherent 公司COMPexPro 201：Wavelength: 248 nm (KrF)；Pulse Energy：700mJ；Max. Rep. Rate ：10 Hz；Energy stability (one sigma) : 1%； Average Power: 5W；Pulse Duration: 25 ns；Beam Dimensions(V×H): 24×10 mm；Beam Divergence(V×H): 3×1 mrad.★Load Lock System一套（装样-送样系统一套），采用transferengineering公司（Transfer Engineering and Manufacturing, Inc）的，本底真空1×10-5Pa，带相应的分子泵。同一Load Lock系统既可以传递靶又可以传递基片，可两者间切换操作。设备及光学台可联接在一起，始终保持腔体和激光束位置稳定。支撑腿带可调节的转轮，方便在地面整体（包括腔体系统和激光器）同时移动与固定。具体配置: 一， 超高真空腔体 二， 分子泵 三， 激光扫描系统 四， 衬底加热铂金片，最高可达1200度 五， 基板加热构造设计 六， 基板加热电源 七， Rheed 八， Rheed软件 九， 多靶位 ，标准配置6个1英寸靶 十， Load-Lock样品传输腔体技术参数：1. 靶：数量6个，大小1-2英寸，被激光照射时可自动旋转，靶的选择可通过步进电机控制。2. 基板：采用适合于氧气环境铂金加热片，大小2英寸，加热温度可达1200摄氏度，温度差3%，加热时基板可旋转，工作环境最大压力是300mtorr。3. 基板加热电源。4. 超高真空成膜室腔体：不锈钢sus304材质，内表面电解抛光，本底真空度5e-7 pa。5. 样品传输室：不锈钢sus304材质，内表面电解抛光，本底真空度5e-5 pa。6. 排气系统：分子泵和干式机械泵，进口知名品牌。7. 阀门：采用超高真空挡板阀。8. 真空检测：真空计采用进口产品9. 气路两套：采用气体流量计（MFC）。10. 薄膜成长监控系统：采用扫描型Rheed（可差分抽气）。11. 监控软件系统：基板温度的监控和设定，基板和靶的旋转，靶的更换。12. 各种电流导入及测温端子。13. 其它各种构造：各种超高真空位移台，磁力传输杆，超高真空法兰，超高真空密封垫圈，超高真空用波纹管等。感谢河南师范大学国家重点实验室, 清华大学先进材料重点实验室，北京大学微电子系 华中科技大学材料学院 使用此研究级高性能的PLD系统， 望我们高性能价格比的PLD为广大科研人员提供帮助！！

外腔型垂直表面发射激光器 外腔型垂直表面发射激光器结合了半导体和薄片激光器的重要优点。半导体增益结构的波长多功能性，以及薄片概念的散热能力和外腔架构共同构成了通用的激光技术平台。这种组合提供了宽波长覆盖、高功率和可调谐窄线宽操作的高质量光束。利用分子束外延技术的专业知识制造高质量的半导体增益结构，在 630 nm 至 3 μm 的波长范围内具有定制特性。一、外腔型垂直表面发射激光器产品特点从近红外到可见光谱的高效腔内倍频宽波长范围单频、可调谐卓越的光束质量二、外腔型垂直表面发射激光器型号及参数（1）VALO SHG SF - 单频 VIS VECSEL 系统VALO SHG SF 是一种独特的可调谐单频 VECSEL 系统，具有高效的腔内二次谐波生成功能。这种新开发的激光器目前在 350-750 nm 之间提供瓦级输出功率，并匹配近红外 VALO SF 产品线相同的交钥匙 VECSEL 平台。产品参数：中心波长350 – 750 nm连续波长功率0.5 - 2 W 集成泵浦光调节中心波长±1nm锁线宽100 kHz (10 ms)尺寸大小320 mm x 190 mm x 100 mm (L x W x H)（2）VALO SF - 单频 NIR VECSEL 系统VALO SF 是一种单频 VECSEL 系统，可在 700–2100 nm 之间使用。VALO 在一个紧凑的封装中结合了一组独特的激光特性；即高功率连续波操作（1-4 W CW）、窄线宽（100 kHz）、宽调谐（~10 THz）和出色的光束质量（M 2 1.1）。该系统包括一个带有集成泵浦激光器的 VECSEL 头、一个控制单元和一个低振动冷却器。使用外部泵浦激光器可以达到 10 W 的输出功率。产品参数：中心波长700 – 2100 nm连续波长功率1–4 W集成泵浦光/12W外部泵浦激光调节中心波长~10 THz锁线宽100 kHz (10 ms)尺寸大小320 mm x 190 mm x 100 mm (L x W x H)更多详情欢迎直接联系昊量光电!关于昊量光电：昊量光电 您的光电超市！上海昊量光电设备有限公司致力于引进国外创新性的光电技术与可靠产品！与来自美国、欧洲、日本等众多知名光电产品制造商建立了紧密的合作关系。代理品牌均处于相关领域的发展前沿，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、精密光学元件等，所涉足的领域涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防及前沿的细分市场比如为量子光学、生物显微、物联传感、精密加工、激光制造等。我们的技术支持团队可以为国内前沿科研与工业领域提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等优质服务，助力中国智造与中国创造! 为客户提供适合的产品和提供完善的服务是我们始终秉承的理念！您可以通过我们昊量光电的官方网站了解更多的产品信息，或直接来电咨询，我们将竭诚为您服务。

仪器简介：Ion Beam Assisted Deposition (离子辅助沉积) 离子辅助沉积已经成为在无规取向的基片或无定形基片上沉积双轴结构薄膜的一种重要技术 高性能的IBAD(离子辅助沉积)系统 离子辅助沉积已经成为在无规取向的基片或无定形基片上沉积双轴结构薄膜的一种重要技术。Neocera开发了离子辅助的PLD系统，该系统将PLD在沉积复杂材料方面的优势与IBAD能力结合在一起。得到无人伦比的技术专家知识的支持Neocera离子辅助的PLD系统会得到重要应用经验的支持。系统开发结合了Neocera的工程和工艺经验，保证了最大的用途和工艺性能。 利用离子辅助的PLD, Neocera在柔性多晶yttria稳定的YSZ基片上，开发了具有下列性能的双轴结构的YBCO薄膜： l X-ray F-scan full width at half maximum of ~7° l 转变温度Tc在88-89K，转变宽度DTc约为约为0.5 K l 77 K零场强时，临界电流密度Jc范围 1.5&mdash 2x106 A/cm2 l 77 K时，磁深入深度l: 284nm l 77 K，10G时，表面电阻Rs等于700mW Continuous Composition Spread (连续组成扩展) 一种基于脉冲激光沉积的、组合材料合成的新型连续组成扩展(CCS)方法。 经济的组合合成 组合合成是材料科学中最激动人心的最新进展。在一次镀膜实验中，生产多种不同材料组成的能力，大大的提高了获得具有期望材料性能的最佳组成的速度。然而，现有组合合成系统的高成本对绝大多数研究预算来说都是不切合实际的。 得到Neocera PLD经验的支持 Neoceora已经应用我们丰富的PLD和开发性能可靠的经济型设备的经验，发明了PLD-CCS(脉冲激光沉积-连续组成扩展)系统。PLD-CCS受益于多层薄膜沉积的方便性和PLD工艺能在基片上改变二元，假二元，或三元体系的组成这一固有特性。 常规沉积条件下的组合合成 PLD-CCS能以连续的方式，而不是间隔的方式改变材料，没有必要使用掩模。这就允许在每一次循环中，以小于一个单分子层的速率，快速连续沉积每一种组份，其结果是基本等同于共沉积法。事实上，该法无需在沉积后进行退火促进内部扩散或结晶，对于生长温度是关键参数的研究或者被沉积的材料或基片不适合高温退火的情况是有用的。 Laser MBE (激光分子束外延) 一种纳米尺度薄膜合成的理想方法，PLD和原位高压RHEED的结合， 为单分子水平上的薄膜生长提供了精确控制。 使用激光MBE是纳米技术研究的理想工具 激光MBE是普遍采用的术语，定义了高真空下的PLD与在线工艺监测的反射高能电子衍射（RHEED）的联合应用。该法为用户提供了类似于MBE的薄膜生长的单分子水平控制。随着更多的PLD研究受到纳米技术的驱动，激光MBE变得对用户更加有益。 正确的设计是成功使用RHEED和PLD的重要因数 RHEED通常在高真空（10-6 torr）环境下使用。然而，因为在某些特殊情况下，PLD采用较高的压力，差动抽气是必要的，维持RHEED枪的工作压力，同时保持500 mTorr的PLD工艺压力。同时，设计完整的系统消除磁场对电子束的影响是至关重要的。 Neocera的激光MBE系统为用户在压力达到500mTorr时所需的单分子层控制。技术参数：一种用途广泛的、用于薄膜沉积和合成纳米结构和纳米粒子的方法。 PLD是一种复杂材料沉积的创新方法 激光脉冲镀膜(PLD)是一种用途广泛的薄膜沉积技术。脉冲激光快速蒸发靶材，生成与靶材组成相同的薄膜。PLD的独特之处是能量源（脉冲激光）位于真空室的外面。这样，在材料合成时，工作压力的动态范围很宽，达到10-10 Torr ~ 100 Torr。通过控制镀膜压力和温度，可以合成一系列具有独特功能的纳米结构和纳米颗粒。另外，PLD是一种&ldquo 数字&rdquo 技术，在纳米尺度上进行工艺控制（A° /pulse）。 Neocera Pioneer系列 PLD系统 &mdash 基于卓越经验的有效设计 Neocera利用PLD开展了深入广泛的研究，建立了获得最佳薄膜质量的临界参数，特别适用于沉积复杂氧化物薄膜。这些思考已经应用于Pioneer系统的设计之中。 很多复杂氧化物薄膜在相对高的氧气压力（100 Torr）下冷却是有利的。所有Pioneer系统设计的工作压力范围从它们的额定初始压力到大气压力。这也有益于纳米粒子的生成。 Pioneer PLD系统的激光束的入射角为45° ，保持了激光密度在靶材上的最大均匀性，同时避免使用复杂而昂贵的光学部件。浅的入射角能够拉长靶材上的激光斑点，导致密度均匀性的损失。 为了避免使用昂贵的与氧气兼容的真空泵流体，消除担心油的回流对薄膜质量的影响，所有Pioneer系统的标准配置都采用无油泵系统。 所有的系统都可以按完整PLD实验室的方式获得，包括248nm激光器，激光气体柜，激光和光学器件台，光学器件包。 我们的研究表明靶和基片的距离是获得最佳薄膜质量的关键参数。Pioneer系统采用可变的靶和基片的距离，对沉积条件进行最大的控制。主要特点： Pioneer240 Pioneer180 Pioneer120 Pioneer80 最大wafer直径 4&rdquo 2&rdquo 1&rdquo 0.5&rdquo 最大靶材数量 6个1&rdquo 或3个 2&rdquo 6个1&rdquo 或3个 2&rdquo 6个1&rdquo 或3个2&rdquo 4个1&rdquo 压力(Torr) 10-8 10-6 10-6 10-6 真空室直径 24&rdquo 18&rdquo 12&rdquo 8&rdquo 基片加热器 4&rdquo ，旋转 3&rdquo ，旋转 2&rdquo ， 平板 1&rdquo ，平板 最高样品温度 850 ° C 850 ° C 950 ° C 950 ° C Turbo泵抽速 （liters/sec） 800 260 260 70 计算机控制 包括 包括 包括 包括 基片旋转 包括 包括 - - 基片预真空室 包括 选件 选件 - 扫描激光束系统 包括 选件 - - 靶预真空室 包括 - - - IBAD离子束辅助沉积 选件 选件 选件 - CCS连续组成扩展 选件 选件 - - 高压RHEED 选件 - - - 520 liters/sec 泵 a/n 选件 - -

高真空电子束蒸发镀膜机（电子束蒸镀机是在高真空条件下，采用电子束轰击材料加热蒸发的方法，在衬底上镀制各种金属、氧化物、导电薄膜、光学薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、超硬膜等；可镀制混合物单层膜、多层膜或掺杂膜；可镀各种高熔点材料。可用于生产、科学实验及教学，可根据用户要求专门订制。可根据用户使用要求，选配石英晶体膜厚自动控制及光学膜厚自动控制两种方式, 通过PLC 和工控机联合实现对整个镀膜过程的全程自动控制, 包括真空系统、烘烤系统、蒸发过程和膜层厚度的监控功能等，从而提高了工作效率和保证产品质量的一致性和稳定性。设备特点设备具有真空度高、抽速快、基片装卸方便的特点，配备 E 型电子束蒸发源和电阻蒸发源。PID自动控温，具有成膜均匀、放气量小和温度均匀的优点。可根据用户使用要求，选配石英晶体膜厚自动控制及光学膜厚自动控制两种方式,通过PLC和工控机联合实现对整个镀膜过程的全程自动控制,包括真空系统、烘烤系统、蒸发过程和膜层厚度的监控功能等，从而提高了工作效率和保证产品质量的一致性和稳定性。真空性能极限真空：7×10-5Pa～7×10-6Pa设备总体漏放率：关机12小时，≤10Pa恢复工作真空时间短，大气至7×10-4Pa≤30分钟；设备构成E 型电子束蒸发枪、电阻热蒸发源组件（可选配）、样品掩膜挡板系统、真空获得系统及真空测量系统、分子泵真空机组或低温泵真空机组、旋转基片加热台、工作气路、样品传递机构，膜厚控制系统、电控系统、恒温冷却水系统等组成。可选件：膜厚监控仪，恒温制冷水箱。热蒸发源种类及配置 E 型电子束蒸发系统 1套 功率 6kW～10kW 其它功率(可根据用户要求选配） 坩埚 1～8只 （可根据用户要求选配） 电阻热蒸发源组件 1～4套 （可根据用户要求配装）电阻热蒸发源种类-钽（钨或钼）金属舟热蒸发源组件-石英舟热蒸发源组件-钨极或钨蓝热蒸发源组件-钽炉热蒸发源组件（配氮化硼坩埚或陶瓷坩埚）-束源炉热蒸发组件（配石英坩埚或氮化硼坩埚）操作方式手动、半自动关于鹏城半导体鹏城半导体技术（深圳）有限公司（简称：鹏城半导体），由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司已投放市场的部分半导体设备|物理气相沉积（PVD）系列磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机，离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机|化学气相沉积（CVD）系列MOCVD、PECVD、LPCVD、热丝CVD、ICPECVD、等离子刻蚀机、等离子清洗机|超高真空系列分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE）|OLED中试设备（G1、G2.5）|其它金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉|太阳能薄膜电池设备（PECVD+磁控溅射）团簇式太阳能薄膜电池中试线团队部分业绩分布完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用，至今仍在正常使用。设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。设计制造了MOCVD及合金退火炉，用于GaN和ZnO的外延生长，实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累2001年 与南昌大学合作设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。2006年 与中国科技大学合作设计超高温CVD 和MBE。用于4H晶型SiC外延生长。2007年 与兰州大学物理学院合作设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室合作设计制造了金刚石薄膜制备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。2017年-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。2021年 MBE生产型设计。2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备（≥Φ6英寸）。2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。

化学气相沉积 LPCVD设备是在低压高温的条件下，通过化学反应气相外延的方法在衬底上沉积各种功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。可用于科学研究、实践教学、小型器件制造。LPCVD设备结构及特点：1、小型化，方便实验室操作和使用，大幅降低实验成本两种基片尺寸2英寸或4英寸；每次装片1～3片。基片放置方式：配置三种基片托架，竖直、水平卧式、带倾角。基片形状类型：不规则形状的散片、φ2～4英寸标准基片。2、设备为水平管卧式结构由石英管反应室、隔热罩炉体柜、电气控制系统、真空系统、气路系统、温控系统、压力控制系统及气瓶柜等系统组成。反应室由高纯石英制成，耐腐蚀、抗污染、漏率小、适合于高温使用；设备电控部分采用了先进的检测和控制系统，量值准确，性能稳定、可靠。LPCVD设备主要技术指标 类型参数 成膜类型 Si3N4、Poly-Si、SiO2等 最高温度 1200℃ 恒温区长度 根据用户需要配置 恒温区控温精度 ≤±0.5℃ 工作压强范围 13～1330Pa 膜层不均匀性 ≤±5％ 基片每次装载数量 标准基片:1～3片 不规则尺寸散片:若干 压力控制 闭环充气式控制 装片方式 手动进出样品生产型LPCVD设备设备功能该设备是在低压高温的条件下，通过化学反应气相外延的方法在衬底上沉积各种功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。可提供相关镀膜工艺。设备结构及特点设备为水平管卧式结构，由石英管反应室、隔热罩炉体柜、电气控制系统、真空系统、气路系统、温控系统、压力控制系统及气瓶柜等系统组成。反应室由高纯石英制成，耐腐蚀、抗污染、漏率小、适合于高温使用；设备电控部分采用了先进的检测和控制系统，量值准确，性能稳定、可靠。整个工艺过程由计算机对全部工艺流程进行管理，实现炉温、气体流量、压力、阀门动作、泵的启闭等工艺参数进行监测和自动控制。也可以手动控制。设备主要技术指标 类型参数 成膜类型Si3N4、Poly-Si、SiO2等 最高温度 1200℃ 恒温区长度 根据用户需要配置 恒温区控温精度 ≤±0.5℃ 工作压强范围 13～1330Pa 膜层不均匀性 ≤±5％ 基片每次装载数量 100片 设备总功率 16kW 冷却水用量 2m3/h 压力控制 闭环充气式控制 装片方式 悬臂舟自动送样软件控制界面 关于鹏城半导体鹏城半导体技术（深圳）有限公司（简称：鹏城半导体），由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司已投放市场的部分半导体设备|物理气相沉积（PVD）系列磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机，离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机|化学气相沉积（CVD）系列MOCVD、PECVD、LPCVD、热丝CVD、ICPECVD、等离子刻蚀机、等离子清洗机|超高真空系列分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE）|OLED中试设备（G1、G2.5）|其它金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉|太阳能薄膜电池设备（PECVD+磁控溅射）团簇式太阳能薄膜电池中试线团队部分业绩分布完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用，至今仍在正常使用。设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。设计制造了MOCVD及合金退火炉，用于GaN和ZnO的外延生长，实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累2001年与南昌大学合作设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。2006年 与中国科技大学合作设计超高温CVD 和MBE。用于4H晶型SiC外延生长。2007年 与兰州大学物理学院合作设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室合作设计制造了金刚石薄膜制备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。2017年-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。2021年 MBE生产型设计。2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备（≥Φ6英寸）。2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。