激光分子束外延设备

随着半导体市场,，特别是化合物半导体市场的逐步开放和增长，作为化合物半导体研发中相关材料制备的关键仪器，MBE、MOCVD等薄膜沉积与外延设备的市场也在逐年增长和扩大中，不论是海外品牌还是国产品牌，近几年的市场规模都在逐年扩大。由于高校的管理模式及制度，这些仪器设备大多养在“深闺”，大量科研资源潜能没有得到充分发挥。为解决这个问题并加速释放科技创新的动能，中央及各级政府在近几年来制订颁布了关于科学仪器、科研数据等科技资源的共享与平台建设文件。2021年1月22日，科技部和财政部联合发布《科技部 财政部关于开展2021年度国家科技基础条件资源调查工作的通知（国科发基〔2020〕342号）》，全国众多高校和科研院所将各种科学仪器上传共享。其中，对化合物半导体薄膜沉积与外延设备的统计分析或可一定程度反映科研领域相关仪器的市场信息（注：本文搜集信息来源于重大科研基础设施和大型科研仪器国家网络管理平台，部分仪器品牌信息不全则根据型号等信息补全，不完全统计分析仅供读者参考）。共享化合物半导体薄膜沉积与外延设备分布北京市共享化合物半导体薄膜沉积与外延设备分布本次统计，共涉及化合物半导体薄膜沉积与外延设备的总数量为184台，涉及23省（直辖市/自治区），73家单位。其中，北京市共享设备数量最多达64台，占比35%，涉及14所高校院所，北京如此高的占比主要是由于其科研院所较多，产品也主要用于科研领域。共享仪器平台主要来自科研用户上传并服务于科研用户，也因此该类仪器设备主要分布于科研院所众多的北京市。从北京市的分布情况来看，其主要分布于高校集中的海淀区，该地区共有60台共享设备。化合物半导体材料制备设备主要有MBE和MOCVD。从统计中可以看出，MBE在科研领域中的占比较大，高达73%，MOCVD占比为21%。MBE由于其外延生长时间长，大批量生产性差，对真空条件要求高，目前还无法大规模用于工业化生产中，又由于其可原位观察单晶薄膜的生长过程等优势，主要用于进行生长机制的研究，图中比例仅代表科研领域中的分布情况。虽然MBE成膜质量好，但生产效率低，因此在工业领域中，MOCVD占据主流。不过近年来，众多厂商和科研人员一直在致力于MBE技术的产业化，信息显示，北京意莎普科技发展中心有限公司近年来在推进MBE分子束外延片研发及产业化建设项目。还有知情人士称，深圳地区有人做相关产业化，一次性买入几十台MBE，做2寸的晶圆，做出来多少，就有人收多少。相关仪器设备所属学科领域分布从仪器所属学科领域分布可以看出，这些仪器设备主要用于物理学和材料科学研究，占比分别为36%和32%。需要注意的是，以上统计存在交叉分布的情况，即该仪器同时属于多类学科领域，实际上材料科学和物理学研究具有很大的重合度。化合物半导体薄膜沉积与外延设备TOP5品牌MOCVD设备中Aixtron占比那么这些仪器主要有哪些品牌呢？整体来看，化合物半导体薄膜沉积与外延设备中，沈阳科仪、Aixtron和Omicron占比最高，其中沈阳科仪MBE和MOCVD产品均有涉及，Aixtron则聚焦MOCVD设备，Omicron聚焦MBE产品。MBE产品的品牌占比可参考【这类仪器本土品牌在崛起——全国共享MBE盘点】。进一步统计分析了MOCVD的品牌构成，发现MOCVD主要以德国Aixtron的产品为主，占比高达49%。需要注意的是德国Aixtron集团在英国有子品牌Thomas Swan，本次统计未归入Aixtron中。Aixtron是一家总部位于德国的欧洲技术公司，专门为半导体行业的客户制造金属有机化学气相沉积（MOCVD）设备。2016年10月，中国福建大芯片投资基金LP希望收购Aixtron，但德国经济部撤回了对该收购的批准。Axitron与SemiLEDs在2009年5月就合作开发出6寸蓝光LED芯片，在6x6寸AIX 2800G4 HT MOCVD反应炉的结构上，产量增加约30%(相较于传统42x2-inch的架构)，不但均匀性较好，也减少了边缘效应。不过就现阶段而言，大多数的困难仍然在于6寸的基板价格偏高与外延片切割技术的挑战。AIXTRON公司最先进的独特的行星转盘技术应用在大型G4 2800HT 42*2”以及Thomas Swan(1999年被AIXTRON收购) CCS Crius 30*2” MOCVD系统，使得Aixtron的MOCVD设备被公认为世界上技术和商业价值最完美的结合。设备品牌所属国家分布那么这些仪器主要来自于哪些国家呢？统计结果表明，此类产品以德国品牌居多，占比达32%，其次为国产品牌，可以看出中国产品正在崛起。本次统计主要涉及牛津、Aixtron、Thomas Swan、沈阳科仪、Emcore、中科宏微、Veeco、Omicron、TSST、SPECS、MBE-Komponenten GmbH、DCA、VG、Unisoku、SVTA、国成仪器、RIBER、Neocera、大连齐维科、上海实路、KurJ.Lesker、青岛精诚华旗、湖南顶立、EPGRESS等品牌。

随着半导体市场，特别是化合物半导体市场的逐步开放和增长，分子束外延作为一种新发展起来的外延制膜方法而逐渐崭露头角。分子束外延技术是在半导体工艺中近十几年来发展起来的一项新技术，它是在超高真空条件下，类似于真空蒸发镀把构成晶体的各个组分和予掺杂的原子(分子)，以一定的热运动速度，按一定的比例从喷射炉中喷射到基片上去进行晶体外延生长而制备单晶膜的一种方法。简称MBE法。该技术的优点是：使用的衬底温度低，膜层生长速率慢，束流强度易于精确控制，膜层组分和掺杂浓度可随源的变化而迅速调整。用这种技术已能制备薄到几十个原子层的单晶薄膜，以及交替生长不同组分、不同掺杂的薄膜而形成的超薄层量子显微结构材料。专利一般是由政府机关或者代表若干国家的区域性组织根据申请而颁发的一种文件，这种文件记载了发明创造的内容，并且在一定时期内产生这样一种法律状态，即获得专利的发明创造在一般情况下他人只有经专利权人许可才能予以实施。在我国，专利分为发明、实用新型和外观设计三种类型。专利文献作为技术信息最有效的载体，囊括了全球90%以上的最新技术情报，相比一般技术刊物所提供的信息早5～6年，而且70%～80%发明创造只通过专利文献公开，并不见诸于其他科技文献，相对于其他文献形式，专利更具有新颖、实用的特征。可见，专利文献是世界上最大的技术信息源，另据实证统计分析，专利文献包含了世界科技技术信息的90%～95%。如此巨大的信息资源远未被人们充分地加以利用。事实上，对企业组织而言，专利是企业的竞争者之间惟一不得不向公众透露而在其他地方都不会透露的某些关键信息的地方。因此，通过对专利信息细致、严密、综合、相关的分析，可以从其中得到大量有用信息。基于此，仪器信息网特统计分析了国内分子束外延的专利信息，以期为从业者提供参考。（本文搜集信息源自网络，不完全统计分析仅供读者参考，时间以专利申请日为准）本次统计，以“分子束外延”为关键词进行检索，共涉及专利总数量为593条，其中发明专利540条、实用新型专利52条和外观专利1条。从统计结果可以看出，从1992年开始，分子束外延专利数量整体呈增长趋势，但在2004-2006年之间出现了一个小高峰。这表明分子束外延的研发投入整体在不断增加，相关企业和科研院所数量也在不断增加，从事相关研究的人数也在逐年增加。1992-2003是国内分子束外延技术的起步阶段，2004年进入了发展阶段。从申请人专利量排行可以看出，在专利申请人申请量排名中，中国科学院半导体研究所的表现最为突出共申请专利60件，中国科学院上海微系统与信息技术研究46件专利与中国科学院上海技术物理研究所24件专利，分列第二与第三位。整体来看，相关专利几乎都集中于科研院所，特别是中科院系统内，在专利申请量TOP20中的企业只有新磊半导体科技（苏州）有限公司和苏州焜原光电有限公司。具体来看，科研院所的分子束外延专利主要集中于材料生长、加工工艺等方面；而两家企业的专利主要围绕分子束外延设备方面。据了解，苏州焜原光电有限公司成立于2017年5月，位于苏州吴江汾湖高新区，地处江浙沪两省一市交汇的黄金腹地，由陈意桥博士携美国及国内团队创立，主要从事III-V族化合物半导体材料和器件的研发和生产。该公司技术团队拥有器件及材料结构设计、外延材料生长、器件研制、MBE设备设计及定制化升级改造等多方面人才。可以看出，目前分子束外延的研发主要集中于科研院所，相关设备主要用于科研领域。从发明人专利量排行可以看出，在专利申请人申请量排名中，中国科学院上海技术物理研究所的顾溢研究员的表现最为突出，共申请专相关利22件，其次为冯巍、张永刚等人。顾溢是中科院上海技物所研究员，主要研究领域为III-V族半导体光电材料与器件，包括半导体材料分子束外延、失配材料生长与应变控制、短波红外半导体探测材料及其光电特性等，在大失配异变和赝配In(GaAl)As晶格工程和大尺寸高均匀材料外延及其器件研制方面取得系列成果。通过对专利申请区域进行统计能够了解到目前专利技术的布局范围以及技术创新的活跃度，进而分析各区域的竞争激烈程度。从专利申请区域可以看出，国内分子束外延相关专利申请主要集中于北京市、上海市、江苏省等，这些地区都是半导体相关研究发达的地区，而分子束外延主要用于科研。从专利技术分类来看，大部分的专利都集中于电学领域（57.77%）。这主要是因为其被广泛应用于半导体器件或其部件的制造或处理（h01l21/02）。具体来讲，主要是其被用于半导体材料得生长等方面。

一、项目基本情况项目编号：GZGK22D205A0645Z项目名称：季华实验室分子束外延系统采购项目采购方式：公开招标预算金额：6,500,000.00元采购需求：合同包1(分子束外延系统):合同包预算金额：6,500,000.00元品目号品目名称采购标的数量（单位）技术规格、参数及要求品目预算(元)最高限价(元)1-1其他仪器仪表分子束外延系统1(台)详见采购文件6,500,000.00-本合同包不接受联合体投标合同履行期限：见“标的提供时间”要求。二、申请人的资格要求：1.投标供应商应具备《政府采购法》第二十二条规定的条件，提供下列材料：1）具有独立承担民事责任的能力：在中华人民共和国境内注册的法人或其他组织或自然人，投标时提交有效的营业执照（或事业法人登记证或身份证等相关证明）副本复印件。分支机构投标的，须提供总公司和分公司营业执照副本复印件，总公司出具给分支机构的授权书。2）有依法缴纳税收和社会保障资金的良好记录：提供投标截止日前6个月内任意1个月依法缴纳税收和社会保障资金的相关材料。如依法免税或不需要缴纳社会保障资金的，提供相应证明材料。3）具有良好的商业信誉和健全的财务会计制度：供应商必须具有良好的商业信誉和健全的财务会计制度（提供2021年度财务状况报告或基本开户行出具的资信证明）。4）履行合同所必需的设备和专业技术能力：按投标文件格式填报设备及专业技术能力情况。5）参加采购活动前3年内，在经营活动中没有重大违法记录：参照投标函相关承诺格式内容。 重大违法记录，是指供应商因违法经营受到刑事处罚或者责令停产停业、吊销许可证或者执照、较大数额罚款等行政处罚。（根据财库〔2022〕3号文，“较大数额罚款”认定为200万元以上的罚款，法律、行政法规以及国务院有关部门明确规定相关领域“较大数额罚款”标准高于200万元的，从其规定。）2.落实政府采购政策需满足的资格要求：合同包1(分子束外延系统)落实政府采购政策需满足的资格要求如下:本采购包不属于专门面向中小企业采购的项目。3.本项目的特定资格要求：合同包1(分子束外延系统)特定资格要求如下:(1)供应商未被列入“信用中国”网站(www.creditchina.gov.cn)“失信被执行人或重大税收违法失信主体或政府采购严重违法失信行为记录名单”；不处于中国政府采购网(www.ccgp.gov.cn)“政府采购严重违法失信行为信息记录”中的禁止参加政府采购活动期间。（以采购代理机构于投标截止时间当天在“信用中国”网站（www.creditchina.gov.cn）及中国政府采购网（http://www.ccgp.gov.cn/）查询结果为准，如相关失信记录已失效，供应商需提供相关证明资料）。(2)单位负责人为同一人或者存在直接控股、管理关系的不同供应商，不得同时参加本采购项目（采购包）投标。 为本项目提供整体设计、规范编制或者项目管理、监理、检测等服务的供应商，不得再参与本项目投标。 投标函相关承诺要求内容。(3)已获取本项目采购文件。三、获取招标文件时间： 2022年10月14日 至 2022年10月21日 ，每天上午 00:00:00 至 12:00:00 ，下午 12:00:00 至 23:59:59 （北京时间,法定节假日除外）地点：广东省政府采购网https://gdgpo.czt.gd.gov.cn/方式：在线获取售价： 免费获取四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点2022年11月04日 09时00分00秒 （北京时间）递交文件地点：佛山市禅城区季华五路公交大厦6楼开标室（6）开标地点：佛山市禅城区季华五路公交大厦6楼开标室（6）五、公告期限自本公告发布之日起5个工作日。六、其他补充事宜1.本项目采用电子系统进行招投标，请在投标前详细阅读供应商操作手册，手册获取网址：https://gdgpo.czt.gd.gov.cn/help/transaction/download.html。投标供应商在使用过程中遇到涉及系统使用的问题，可通过020-88696588 进行咨询或通过广东政府采购智慧云平台运维服务说明中提供的其他服务方式获取帮助。2.供应商参加本项目投标，需要提前办理CA和电子签章，办理方式和注意事项详见供应商操作手册与CA办理指南，指南获取地址：https://gdgpo.czt.gd.gov.cn/help/problem/。3.如需缴纳保证金，供应商可通过"广东政府采购智慧云平台金融服务中心"(http://gdgpo.czt.gd.gov.cn/zcdservice/zcd/guangdong/)，申请办理投标（响应）担保函、保险（保证）保函。/七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。1.采购人信息名 称：季华实验室地 址：广东省佛山市南海区桂城街道环岛南路28号联系方式：李工 0757-635053532.采购代理机构信息名 称：广州市国科招标代理有限公司地 址：广州市先烈中路100号科学院大院9号楼东座2楼（中国广州分析测试中心对面）联系方式：0757-83277829、020-876888473.项目联系方式项目联系人：黄小姐、李小姐电 话：0757-83277829、020-87688847广州市国科招标代理有限公司2022年10月14日

近年来自动驾驶技术频频引发舆论关注，更是成为了资本市场的新宠，无数资本巨头、科技企业切入自动驾驶赛道，并开发各种配套解决方案。9月22日,华为发布《智能世界2030》报告,其中对未来十年的智能世界进行了系统性描绘和产业趋势的展望。在智能出行方面，华为预测，到2030年，全球电动汽车占所销售汽车总量的比例将达50%，中国自动驾驶新车渗透率达20%，整车算力将超过5000 TOPS，C-V2X渗透率达 60%。华为认为，当前汽车电动化、智能化的大潮已经不可阻挡。在智能化方面,随着自动驾驶汽车由L2、L3向L4、L5迈进，华为指出公交车、出租汽车、低速物流、垂直行业运输(物流车、矿车)等领域有望率先实现自动驾驶商业化。比如在低速开放道路上,自动驾驶汽车在物流配送、清洁消杀、巡逻等领域已经取得了积极的成果。在高速以及港口或物流园区等半封闭道路上，由于行驶环境相对单一，路线较为固定,降低了对自动驾驶系统所要处理的行驶环境的复杂度,加之卡车司机还存在成本高、易超负荷运载、超工时工作的风险,对自动驾驶也有较大的需求。而多家专注于无人干线物流的自动驾驶技术提供商也已纷纷表明今年将量产L3自动驾驶卡车,助力重卡行业降本增效。自动驾驶发展热潮下，各类传感器迎来新的增长点自动驾驶的安全性，是其能否实现大规模应用的核心影响因素。为此，主机厂和自动驾驶方案提供商不断试验在汽车上融合多种传感器，光学相机、激光雷达和毫米波雷达是目前搭配使用最广泛的三种传感器。此外，红外传感器也在汽车自动驾驶领域的方案里频频出现，得到了广泛关注。苹果公司在今年 3 月公布的一项汽车夜视系统专利中，就应用了近红外波传感器和长红外波传感器；此外，滴滴自动驾驶联合沃尔沃推出的新一代 L4 级自动驾驶测试车 " 滴滴双子星 " 中，也配备了 1 个红外摄像头。业界有观点认为，2022-2023 年将是 L2 级及以上自动驾驶汽车大规模采用红外热像仪的时间节点。红外在驾驶辅助及自动驾驶中的应用可能兴起，将带来红外传感器新的增长点。探测器用半导体材料需求将助推MBE市场爆发激光雷达、红外传感器等探测器的制造都离不开相关的半导体材料。据了解，由于器件的生产需要MBE做外延，虽然MBE不适合量产，但在生长探测器材料的时候需要生长本征材料，一般MBE生长出来的本征材料会比MOCVD的要好，比如GaAs，InGaAs，InP的本征材料，究其原因是MOCVD用的是有机源，在分解生长的时候不可避免的带入杂质，影响本征材料的Hall参数。随着自动驾驶汽车市场爆发，对探测器，特别是红外传感器的需求强烈。目前MBE数量比MOCVD少得多得多，相关市场将爆发。值得注意的是，LPE生长出的本征材料特性比MBE的还要好，但由于人才缺口等因素，相关技术并未在国内铺开。目前高品质的激光探测器一般都出自日本。

硅基光电子集成芯片以成熟稳定的CMOS工艺为基础，将传统光学系统所需的巨量功能器件高密度集成在同一芯片上，提升芯片的信息传输和处理能力，可广泛应用于超大数据中心、5G/6G、物联网、超级计算机、人工智能等新兴领域。硅(Si)材料发光效率低，因此将发光效率高的III-V族半导体材料如砷化镓(GaAs)外延在CMOS兼容Si基衬底上，并外延和制备激光器被公认为最优的片上光源方案。Si与GaAs材料间存在大的晶格失配、极性失配和热膨胀系数失配等问题，因而在与CMOS兼容的无偏角Si衬底上研制高性能硅基外延激光器需要解决一系列关键的科学与技术难点。 　　近期，中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室杨涛与杨晓光研究团队，在硅基外延量子点激光器及其掺杂调控方面取得重要进展。该团队采用分子束外延技术，在缓冲层总厚度2700nm条件下，将硅基GaAs材料缺陷密度降低至106cm-2量级。科研人员采用叠层InAs/GaAs量子点结构作为有源区，并首次提出和将“p型调制掺杂+直接Si掺杂”的分域双掺杂调控技术应用于有源区，研制出可高温工作的低功耗片上光源。室温下，该器件连续输出功率超过70mW，阈值电流比同结构仅p型掺杂激光器降低30%。该器件最高连续工作温度超过115°C，为目前公开报道中与CMOS兼容的无偏角硅基直接外延激光器的最高值。上述成果为实现超低功耗、高温度稳定的高密度硅基光电子集成芯片提供了关键方案和核心光源。 　　6月1日，相关研究成果以Significantly enhanced performance of InAs/GaAs quantum dot lasers on Si(001) via spatially separated co-doping为题，发表在《光学快报》(Optics Express)上。国际半导体行业杂志Semiconductor Today以专栏形式报道并推荐了这一成果。研究工作得到国家重点研发计划和国家自然科学基金等的支持。图1.硅基外延量子点激光器结构示意及器件前腔面的扫描电子显微图像。图2.采用双掺杂调控的器件与参比器件在不同工作温度下的连续输出P-I曲线，插图为双掺杂调控激光器在115℃、175mA连续电流下的光谱。

加拿大OCI公司推出新型多功能分子束外延生长装置IMBE300 我司全权代理的加拿大OCI公司近期首次推出世界上最新型多功能分子束外延生长装置IMBE300。该装置在一台装置上同时可集成如下6大技术使之尤为引人瞩目。1. 带有7个蒸发源的MBE2. 低能电子衍射仪3. 俄歇电子能谱仪4. X射线光电子能谱仪5. 反射高能电子衍射仪6. 热脱附质谱仪 该装置实现了如下的设计制造目标:在一个超高真空腔体上完成外延生长过程集成监控，2-D结晶状态跟踪以及原位成分/电子能带分析。具体说来有如下特点。1. 在薄膜生长后无需传送到另外的超高真空室进行分析。2. 在蒸发和表面分析之间只需很短的切换时间。3. 具有传送臂和试样存储机构的样品室。4. 试样传送机构和其他系统兼容，SPM和SEM。敬请国内材料工作者来电咨询合作。参见下面图片说明。

table border="1" cellspacing="0" cellpadding="0" width="600"tbodytrtd width="123"p style="line-height: 1.75em "成果名称/p/tdtd width="525" colspan="3"p style="line-height: 1.75em "低温扫描探针显微镜-分子束外延联合系统/p/td/trtrtd width="123"p style="line-height: 1.75em "单位名称/p/tdtd width="525" colspan="3"p style="line-height: 1.75em "中科院物理研究所/p/td/trtrtd width="123"p style="line-height: 1.75em "联系人/p/tdtd width="177"p style="line-height: 1.75em "郇庆/p/tdtd width="161"p style="line-height: 1.75em "联系邮箱/p/tdtd width="187"p style="line-height: 1.75em "qhuan_uci@yahoo.com/p/td/trtrtd width="123"p style="line-height: 1.75em "成果成熟度/p/tdtd width="525" colspan="3"p style="line-height: 1.75em "√正在研发 □已有样机 □通过小试 □通过中试 □可以量产/p/td/trtrtd width="123"p style="line-height: 1.75em "合作方式/p/tdtd width="525" colspan="3"p style="line-height: 1.75em "√技术转让 √技术入股 □合作开发 √其他/p/td/trtrtd width="648" colspan="4"p style="line-height: 1.75em "strong成果简介： /strongbr/ /pp style="text-align: center line-height: 1.75em "img src="http://img1.17img.cn/17img/images/201603/insimg/d3e8deb8-9a73-4570-b633-d2de2a65bcdd.jpg" title="LT-STM-MBE.jpg" width="350" height="347" border="0" hspace="0" vspace="0" style="width: 350px height: 347px "//pp style="line-height: 1.75em " br//pp style="line-height: 1.75em " 该系统是针对SPM的专业研究应用所研发的。采用自制杜瓦型低温恒温器，可获得最低5K的低温，制冷剂利用效率高。特殊设计的扫描探头结构紧凑、体积小巧，具有极好的机械和温度稳定性。兼容目前主流商业化样品架，可原位更换针尖、样品和沉积分子/原子。集成了基于tuning fork技术的AFM，可在STM和AFM两种模式下工作。系统同时集成了专业的MBE腔体和独立的样品处理腔，具有液氮的冷屏和多达7个蒸发源安装位置，可以通过RHEED和LEED等手段监控生长。尚在研发中，主要技术指标待测。/p/td/trtrtd width="648" colspan="4"p style="line-height: 1.75em "strong应用前景： /strongbr/ 纳米表征和研究的重要工具，国内每年需求量在数十台。/p/td/trtrtd width="648" colspan="4"p style="line-height: 1.75em "strong知识产权及项目获奖情况： /strongbr/ 发明专利：201510345910.8/p/td/tr/tbody/tablepbr//p

p style="text-align: justify " 中美贸易战以来，半导体产业受到了空前的关注。半导体产业发展至今经历了三个阶段，第一代半导体材料以硅（Si）为代表。第二代半导体材料砷化镓（GaAs）也已经广泛应用。而以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）、氧化锌（ZnO）等宽禁带为代表的第三代半导体材料相较前两代产品，性能优势显著并受到业内的广泛好评。面对第一代和第二代半导体落后于世界先进水平的局面，我国在第三代半导体上的研究有望实现“弯道超车”。因此，我国对第三代半导体的研究空前重视。/pp style="text-align: justify " 而分子束外延是第三代半导体中的关键技术，主要用来沉淀GaAs异质外延层并可达到原子分辨率的一种主要方法。也被用来在硅片衬底上沉积硅并能严格控制外延层厚度和掺杂的均匀性。/pp style="text-align: justify " 近日，中国科学院物理研究所耗资908.1774000万成功采购一套分子束外延系统（MBE）。/pp style="text-align: justify " 以下为中标公告。/pp style="text-align: justify "一、项目编号：OITC-G200331103（招标文件编号：OITC-G200331103）/pp style="text-align: justify "二、项目名称：中国科学院物理研究所分子束外延系统（MBE）采购项目/pp style="text-align: justify "三、中标（成交）信息/pp style="text-align: justify "供应商名称：磊备半导体科技（上海）有限公司/pp style="text-align: justify "供应商地址：上海市宝山区毛家路31号12幢G006室/pp style="text-align: justify "中标（成交）金额：908.1774000（万元）/pp style="text-align: justify "四、主要标的信息/ptable style="border-collapse:collapse "tbodytr class="firstRow"td style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all text-align: justify " width="35" valign="top" 序号br//tdtd style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all text-align: justify " width="112" valign="top" 供应商信息br//tdtd style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all text-align: justify " width="96" valign="top" 货物名称br//tdtd style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all text-align: justify " width="54" valign="top" 货物品牌br//tdtd style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all text-align: justify " width="84" valign="top" 货物型号br//tdtd style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all text-align: justify " width="66" valign="top" 货物数量br//tdtd style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all text-align: justify " width="74" valign="top" 货物单价（欧元）br//td/trtrtd style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all text-align: justify " width="35" valign="top" 1br//tdtd style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all text-align: justify " width="112" valign="top" 磊备半导体科技（上海）有限公司/tdtd style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all text-align: justify " width="96" valign="top" 分子束外延系统/tdtd style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all text-align: justify " width="54" valign="top" RIBERbr//tdtd style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all text-align: justify " width="84" valign="top" Compact 21/tdtd style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all text-align: justify " width="66" valign="top"1br//tdtd style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all text-align: justify " width="74" valign="top" 1105000/td/tr/tbody/tablep style="text-align: justify "五、评审专家（单一来源采购人员）名单：/pp style="text-align: justify "奚文龙、高子萍、蒋秀高、李毅民、苏少奎/pp style="text-align: justify "六、代理服务收费标准及金额：/pp style="text-align: justify "本项目代理费收费标准：[2002]1980号文件/pp style="text-align: justify "本项目代理费总金额：9.1654万元（人民币）/pp style="text-align: justify "七、公告期限/pp style="text-align: justify "本公告发布之日起1个工作日。/pp style="text-align: justify "八、其它补充事宜/pp style="text-align: justify "中标金额：欧元1105000/pp style="text-align: justify "1欧元=8.2188人民币/p

分子束外延（MBE）是新发展起来的外延制膜方法，是一种在晶体基片上生长高质量的晶体薄膜的新技术。在超高真空条件下，由装有各种所需组分的炉子加热而产生的蒸气，经小孔准直后形成的分子束或原子束，直接喷射到适当温度的单晶基片上，同时控制分子束对衬底扫描，就可使分子或原子按晶体排列一层层地“长”在基片上形成薄膜。外延是一种制备单晶薄膜的新技术，它是在适当的衬底与合适的条件下，沿衬底材料晶轴方向逐层生长薄膜的方法。该技术的优点是：使用的衬底温度低，膜层生长速率慢，束流强度易于精确控制，膜层组分和掺杂浓度可随源的变化而迅速调整。用这种技术已能制备薄到几十个原子层的单晶薄膜，以及交替生长不同组分、不同掺杂的薄膜而形成的超薄层量子显微结构材料。随着半导体市场,，特别是化合物半导体市场的逐步开放和增长，作为化合物半导体研发中，材料制备的关键仪器—MBE的市场也在逐年增长和扩大中，不论是海外品牌还是国产品牌，近几年的市场规模都在逐年扩大。由于高校的管理模式及制度，MBE大多养在“深闺”，大量科研资源潜能没有得到充分发挥。为解决这个问题并加速释放科技创新的动能，中央及各级政府在近几年来制订颁布了关于科学仪器、科研数据等科技资源的共享与平台建设文件。2021年1月22日，科技部和财政部联合发布《科技部 财政部关于开展2021年度国家科技基础条件资源调查工作的通知（国科发基〔2020〕342号）》，全国众多高校和科研院所将各种科学仪器上传共享。其中，对MBE的统计分析或可一定程度反映科研领域相关仪器的市场信息（注：本文搜集信息来源于重大科研基础设施和大型科研仪器国家网络管理平台，部分仪器品牌信息不全则根据型号等信息补全，不完全统计分析仅供读者参考）。全国各省（直辖市/自治区等）共享MBE分布图北京市共享MBE分布图本次统计，共涉及MBE的总数量为133台，涉及23省（直辖市/自治区），58家单位。其中，北京市共享MBE数量最多达46台，占比35%，涉及8所高校院所，北京如此高的占比主要是由于其科研院所较多，产品也主要用于科研领域。MBE由于其外延生长时间长，大批量生产性差，对真空条件要求高，目前还无法大规模用于工业化生产中，又由于其可原位观察单晶薄膜的生长过程等优势，主要用于进行生长机制的研究，也因此该类仪器设备主要分布于科研院所众多的北京市。从北京市的分布情况来看，其主要分布于高校集中的海淀区，该地区共有44台共享MBE设备。学科领域分布从仪器所属学科领域分布可以看出，MBE主要用于物理学和材料科学研究，占比分别为39%和34%。需要注意的是，以上统计存在交叉分布的情况，即该仪器同时属于多类学科领域，实际上材料科学和物理学研究具有很大的重合度。MBE品牌地区分布那么这些仪器主要来自于哪些国家呢？统计结果表明，共享MBE主要还是以国产居多，占比29%，其次为德国和美国品牌。这一结果不同于此前盘点的其他仪器以进口品牌为主的特点，而是呈现出国产品牌占比居首的特点，可以看出中国产品正在崛起。TOP6品牌笔者进一步统计了占比TOP6的品牌，居首位的是德国品牌Omicron，不过国产品牌沈阳科仪紧随其后。Scienta Omicron成立于2015年，由表面科学领域的两家最知名的公司合并而成：VG Scienta和Omicron NanoTechnology。两家公司都于20世纪80年代初开始运营。Scienta Omicron提供超高真空下的电子能谱、扫描探针显微镜和薄膜沉积等仪器设备，专注于在下一代电子产品、量子技术、太阳能、智能传感器和先进材料等领域争夺新的独特材料和解决方案，推动表面科学研究走向未来。沈阳科仪创建于1958年，总部位于辽宁省沈阳市浑南区，占地面积110亩，建筑面积3.5万平方米。多年来，沈阳科仪专注于高真空、超高真空、超洁净真空技术的研究和发展，是我国集成电路装备和真空仪器设备的研制、生产基地，先后组建“国家分子束外延技术试验基地”、“国家真空仪器装置工程技术研究中心”和“真空技术装备国家工程实验室”等科研平台。共享仪器的类型分布从共享的MBE仪器类型科仪看出，以传统MBE为主，但LMBE（激光分子束外延系统）的占比也不容忽视。激光分子束外延系统（LMBE），集PLD（激光脉冲沉积）的制膜特点和传统MBE的超高真空精确控制原子尺度外延生长的原位实时监控为一体，除保持了PLD方法制备的膜系宽，还可以生长通常的半导体超晶格材料，特别适合生长多元素、高熔点、复杂层状结构的薄膜，如超导体、光学晶体、铁电体、压电体、铁磁体等，同时还能进行其相应的激光与物质相互作用和成膜过程的物理、化学等方面的基础研究。本次统计中，还有部分属于联用系统和零部件，其中联用系统中大部分MBE和STM联用，扫描隧道显微镜 STM 是一种利用量子理论中的隧道效应探测物质表面结构的仪器, STM 技术的最大优势在于可获得原子级的分辨率。分子束外延MBE与扫描隧道显微镜STM联用可以成功分析MBE生长晶体表面结构, 这种联用现已广泛应用于各大院校和研究院应用表面物理实验中。统计中的STM和MBE的联用系统主要为日本Unisoku品牌。本次统计主要涉及Omicron、TSST、SPECS、MBE-Komponenten、DCA、VG、Unisoku、SVT、国成仪器、Riber、Veeco、苏州新锐博纳米、Neocera、大连齐维、北京矿亿拓元科技有限公司、上海实路真空、北京珀菲特、费勉仪器、KurJ.Lesker等品牌。

p　　strong仪器信息网讯/strong 材料对于推动生产力发展和社会进步起着举足轻重的作用。关键材料的研发周期更是直接决定了相关领域的发展进程。材料基因组技术的出现为快速构建精确的材料相图，缩短材料的研发周期带来了希望。/pp　　中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心技术部电子学仪器部郇庆/刘利团队一直致力于科研仪器装备的自主研发 超导国家重点实验室金魁/袁洁团队专注于基于高通量组合薄膜技术的新超导体探索和物理研究。两团队经多年合作成功研制并搭建了一台高通量连续组分外延薄膜制备及原位局域电子态表征系统。作为目前国际上最先进的第四代高通量实验设备，审稿人和项目验收专家组均给予了高度评价，认为该设备实现了研究应用和核心技术上的创新突破，解决了现有技术的诸多缺陷和不足，将成为材料基因研究的重要工具，并有望在推动多个领域的前沿研究中发挥重要作用。/pp style="text-align: center "img style="max-width:100% max-height:100% " src="https://img1.17img.cn/17img/images/202002/uepic/042ce1da-8ab9-46b9-8bb1-eb602327463f.jpg" title="组合激光分子束外延-扫描隧道显微镜联合系统：(a)三维设计图；(b) 实物照片.jpg" alt="组合激光分子束外延-扫描隧道显微镜联合系统：(a)三维设计图；(b) 实物照片.jpg"//pp style="text-align: center "组合激光分子束外延-扫描隧道显微镜联合系统：(a)三维设计图；(b) 实物照片/pp　　该系统采用的关键技术为研发团队首次提出，核心部件均自主研发，具备多项独特优点：/pp　　1)采用专利的旋转掩膜板设计，避免累积误差和往复运动的问题，大大提高了系统运行精度和稳定性 /pp　　2)特殊设计的STM扫描头能够实现大范围XY移动( 10 mm)和高精度定位(定位精度优于 1 μm) 3)完备的传递设计可实现样品、针尖、靶材的高效传递，并易于未来功能扩展。/pp　　该仪器研发历时4年多，设计版本多达50多个，并完成了全面的性能测试。他们利用自研系统制备了高质量的梯度厚度FeSe样品，得到可靠的超导转变温度随厚度的演变关系。在HOPG样品、金单晶样品、BSCCO样品以及原位生长FeSe样品表面均获得了高清原子分辨图像，并测量了BSCCO样品局域超导能隙扫描隧道谱。目前，该系统已用于研究高温超导机理问题和新型超导材料探索。/pp　　组合薄膜制备技术作为材料基因组核心技术之一经历了三个发展阶段，即共磁控溅射技术、阵列掩膜板技术和组合激光分子束外延技术。目前，组合薄膜生长往往采用往复平行位移掩膜板的方式，这样不可避免造成累积误差，直接影响到薄膜制备过程中组分控制的精度。此外线性掩膜板反复变向及加减速操作也会加速机械部分磨损，降低系统稳定性。另一方面，目前对组合薄膜高通量快速表征技术也存在不足，很多传统方法无法直接用于组合薄膜表征。以扫描隧道显微镜(STM)为例，其对样品表面清洁度具有很高的要求，通常需要原位解理或制备样品 此外，有限的样品移动范围和不具备精确定位功能限制了STM在组合薄膜表征上的应用：大多数商业化STM样品移动范围一般仅为数毫米且不具备定位功能。对于连续组分薄膜性质的研究来说，实际的测量位置与样品组分是一一对应的，失去了位置坐标就失去了组分的信息。因此，发展更加精确的高通量薄膜制备和原位表征手段十分必要，并对包括超导材料在内的多个前沿研究领域具有重要意义。/pp　　/ppbr//p

详细信息 [公开招标]物理系激光-氧化-还原分子束外延联合系统采购项目采购公告（重新采购第1次） 广东省-深圳市-南山区 状态：公告 更新时间： 2022-11-21 [公开招标]物理系激光-氧化-还原分子束外延联合系统采购项目采购公告（重新采购第1次） 深圳市南科大资产经营管理有限公司（以下简称“采购代理机构”）受采购人委托，就物理系激光-氧化-还原分子束外延联合系统采购项目（重新采购第1次）进行公开招标，欢迎符合资格条件的投标人前来投标。物理系激光-氧化-还原分子束外延联合系统采购项目（重新采购第1次）的潜在投标人应登录深圳政府采购智慧平台（http://zfcg.szggzy.com:8081/）下载获取本项目的招标文件，并于2022年12月05日14时00分（北京时间）前递交投标文件。 一、项目基本情况 1.项目编号：AOMC-2022-096-C（SZDL2022002186） 2.项目名称：物理系激光-氧化-还原分子束外延联合系统采购项目（重新采购第1次） 3.预算金额：人民币5,500,000.00元 4.最高限价：人民币5,500,000.00元 5.所属行业：工业 6.采购需求： 标的名称 数量 单位 简要技术需求（服务需求） 脉冲激光沉积系统 1 套 详见招标文件 7.本项目不接受联合体投标。 二、申请人的资格要求 （1）具有独立法人资格或具有独立承担民事责任的能力的其他组织（提供营业执照或事业单位法人证书等法人证明扫描件，原件备查）。 （2）本项目不接受联合体投标，不接受投标人选用进口产品参与投标。 （3）参与本项目投标前三年内，在经营活动中没有重大违法记录（由供应商在《政府采购投标及履约承诺函》中作出声明）。 （4）参与本项目政府采购活动时不存在被有关部门禁止参与政府采购活动且在有效期内的情况（由供应商在《政府采购投标及履约承诺函》中作出声明）。 （5）具备《中华人民共和国政府采购法》第二十二条第一款的条件（由供应商在《政府采购投标及履约承诺函》中作出声明）。 （6）未被列入失信被执行人、重大税收违法案件当事人名单、政府采购严重违法失信行为记录名单（由供应商在《政府采购投标及履约承诺函》中作出声明）。 注：“信用中国”、“中国政府采购网”、“深圳信用网”以及“深圳市政府采购监管网”为供应商信用信息的查询渠道，相关信息以开标当日的查询结果为准。 （7）本项目的特定资格要求：无。 三、获取招标文件 时间：2022年11月22日00时01分 至2022年11月28日23时59分（北京时间）。 地点：登录深圳政府采购智慧平台（http://zfcg.szggzy.com:8081/）下载本项目的招标文件。 方式：在线下载。 售价：免费。 凡已注册的深圳市网上政府采购供应商，按照授予的操作权限，可登录深圳政府采购智慧平台（http://zfcg.szggzy.com:8081/）下载本项目的招标文件。投标人如确定参加投标，首先要在深圳政府采购智慧平台网上办事子系统（http://zfcg.szggzy.com:8081/TPBidder/memberLogin）网上报名投标，方法为在网上办事子系统后点击“【招标公告】→【我要报名】”；如果网上报名后上传了投标文件，又不参加投标，应再到【我的项目】→【项目流程】→【递交投标(应答)文件】功能点中进行“【撤回本次投标】”操作；如果是未注册为深圳政府采购的供应商，请访问深圳公共资源交易中心（http://www.szzfcg.cn/）,先办理注册手续（注册咨询：83938966），后办理密钥（电子密钥咨询：83948165 4008301330 ），并前往深圳公共资源交易中心（深圳交易集团有限公司政府采购业务分公司）绑定深圳政府采购智慧平台用户（地址：深圳市福田区景田东路70号雅枫国际酒店北侧二楼市政府采购业务窗口服务大厅），再进行投标报名。在网上报名后，点击“【我的项目】→【项目流程】→【采购文件下载】”进行招标文件的下载。 四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点 1.投标截止时间：所有投标文件应于2022年12月05日14时00分（北京时间）之前上传到深圳政府采购智慧平台（http://zfcg.szggzy.com:8081/）。具体操作为登录“深圳政府采购智慧平台用户网上办事子系统（http://zfcg.szggzy.com:8081/TPBidder/memberLogin）”，用“【我的项目】→【项目流程】→【递交投标(应答)文件】”功能点上传投标文件。本项目电子投标文件最大容量为100MB，超过此容量的文件将被拒绝。 2.开标时间和地点：定于2022年12月05日14时00分（北京时间），在深圳政府采购智慧平台公开开标。供应商可以登录“深圳政府采购智慧平台用户网上办事子系统（http://zfcg.szggzy.com:8081/TPBidder/memberLogin）”，在“【我的项目】→【项目流程】→【开标及解密】”进行在线解密、查询开标情况。 3.在线解密：投标人须在开标当日14:00-14:30（北京时间）期间进行解密，逾期未解密的作无效处理。解密方法：登录“深圳政府采购智慧平台用户网上办事子系统（http://zfcg.szggzy.com:8081/TPBidder/memberLogin）”，使用本单位制作电子投标文件同一个电子密钥，在“【我的项目】→【项目流程】→【开标及解密】”进行在线解密、查询开标情况。） 五、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 六、其他补充事宜 1.本项目实行网上投标，采用电子投标文件。 2.采购文件澄清/修改事项：2022年11月30日17时00分（北京时间）前，供应商如果认为采购文件存在不明确、不清晰和前后不一致等问题，可登录深圳公共资源交易中心网（http://zfcg.szggzy.com:8081/）→“深圳政府采购智慧平台用户网上办事子系统（http://zfcg.szggzy.com:8081/TPBidder/memberLogin）”，在“【我的项目】→【项目流程】→【提问】”功能点中填写需澄清内容。2022年12月02日17时00分（北京时间）前将采购文件澄清/修改情况在“【我的项目】→【项目流程】→【答疑澄清文件下载】”中公布，望投标人予以关注。 （重要提示：“提出采购文件澄清要求”不等同于“对采购文件质疑”，供应商提出的澄清要求内容如出现“质疑”字眼，将予以退回。供应商如认为采购文件存在限制性、倾向性、其权益受到损害，应在采购文件公布之日起七个工作日内以线下方式向我公司递交提出书面质疑函。根据《深圳经济特区政府采购条例》第四十二条“供应商投诉的事项应当是经过质疑的事项”的规定，未经正式质疑的，将影响供应商行使向财政部门提起投诉的权利。） 3.本招标公告及本项目招标文件所涉及的时间一律为北京时间。投标人有义务在招标活动期间浏览深圳公共资源交易网（www.szggzy.com），在深圳公共资源交易网上公布的与本次招标项目有关的信息视为已送达各投标人。 4.本项目不需要投标保证金。 七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。 1.采购人信息 名 称：南方科技大学 地 址：深圳市南山区西丽学苑大道1088号 联系方式：张老师 13910520071 2.采购代理机构信息 名 称：深圳市南科大资产经营管理有限公司 地 址：深圳市南山区学苑大道1001号南山智园A7栋11楼 联系方式：王老师 0755-88012180 3.项目联系方式 项目联系人：赵老师 电 话：0755-88012181 深圳市南科大资产经营管理有限公司 2022年11月21日 [SZDL2022002186-A]物理物理系激光-氧化-还原分子束外延联合系统采购项目.pdf SZDL2022002186-A物理系激光-氧化-还原分子束外延联合系统采购项目采购公告.pdf [SZDL2022002186-A]物理物理系激光-氧化-还原分子束外延联合系统采购项目.szczf 附录.中小企业及残疾人福利性单位相关文件.zip [SZDL2022002186-A]物理物理系激光-氧化-还原分子束外延联合系统采购项目.docx × 扫码打开掌上仪信通App 查看联系方式 基本信息 关键内容：激光脉冲沉积 开标时间：2022-12-05 14:00 预算金额：550.00万元 采购单位：南方科技大学 采购联系人：点击查看 采购联系方式：点击查看 招标代理机构：深圳市南科大资产经营管理有限公司 代理联系人：点击查看 代理联系方式：点击查看 详细信息 [公开招标]物理系激光-氧化-还原分子束外延联合系统采购项目采购公告（重新采购第1次） 广东省-深圳市-南山区 状态：公告 更新时间： 2022-11-21 [公开招标]物理系激光-氧化-还原分子束外延联合系统采购项目采购公告（重新采购第1次） 深圳市南科大资产经营管理有限公司（以下简称“采购代理机构”）受采购人委托，就物理系激光-氧化-还原分子束外延联合系统采购项目（重新采购第1次）进行公开招标，欢迎符合资格条件的投标人前来投标。物理系激光-氧化-还原分子束外延联合系统采购项目（重新采购第1次）的潜在投标人应登录深圳政府采购智慧平台（http://zfcg.szggzy.com:8081/）下载获取本项目的招标文件，并于2022年12月05日14时00分（北京时间）前递交投标文件。 一、项目基本情况 1.项目编号：AOMC-2022-096-C（SZDL2022002186） 2.项目名称：物理系激光-氧化-还原分子束外延联合系统采购项目（重新采购第1次） 3.预算金额：人民币5,500,000.00元 4.最高限价：人民币5,500,000.00元 5.所属行业：工业 6.采购需求： 标的名称 数量 单位 简要技术需求（服务需求） 脉冲激光沉积系统 1 套 详见招标文件 7.本项目不接受联合体投标。 二、申请人的资格要求 （1）具有独立法人资格或具有独立承担民事责任的能力的其他组织（提供营业执照或事业单位法人证书等法人证明扫描件，原件备查）。 （2）本项目不接受联合体投标，不接受投标人选用进口产品参与投标。 （3）参与本项目投标前三年内，在经营活动中没有重大违法记录（由供应商在《政府采购投标及履约承诺函》中作出声明）。 （4）参与本项目政府采购活动时不存在被有关部门禁止参与政府采购活动且在有效期内的情况（由供应商在《政府采购投标及履约承诺函》中作出声明）。 （5）具备《中华人民共和国政府采购法》第二十二条第一款的条件（由供应商在《政府采购投标及履约承诺函》中作出声明）。 （6）未被列入失信被执行人、重大税收违法案件当事人名单、政府采购严重违法失信行为记录名单（由供应商在《政府采购投标及履约承诺函》中作出声明）。 注：“信用中国”、“中国政府采购网”、“深圳信用网”以及“深圳市政府采购监管网”为供应商信用信息的查询渠道，相关信息以开标当日的查询结果为准。 （7）本项目的特定资格要求：无。 三、获取招标文件 时间：2022年11月22日00时01分 至2022年11月28日23时59分（北京时间）。 地点：登录深圳政府采购智慧平台（http://zfcg.szggzy.com:8081/）下载本项目的招标文件。 方式：在线下载。 售价：免费。 凡已注册的深圳市网上政府采购供应商，按照授予的操作权限，可登录深圳政府采购智慧平台（http://zfcg.szggzy.com:8081/）下载本项目的招标文件。投标人如确定参加投标，首先要在深圳政府采购智慧平台网上办事子系统（http://zfcg.szggzy.com:8081/TPBidder/memberLogin）网上报名投标，方法为在网上办事子系统后点击“【招标公告】→【我要报名】”；如果网上报名后上传了投标文件，又不参加投标，应再到【我的项目】→【项目流程】→【递交投标(应答)文件】功能点中进行“【撤回本次投标】”操作；如果是未注册为深圳政府采购的供应商，请访问深圳公共资源交易中心（http://www.szzfcg.cn/）,先办理注册手续（注册咨询：83938966），后办理密钥（电子密钥咨询：83948165 4008301330 ），并前往深圳公共资源交易中心（深圳交易集团有限公司政府采购业务分公司）绑定深圳政府采购智慧平台用户（地址：深圳市福田区景田东路70号雅枫国际酒店北侧二楼市政府采购业务窗口服务大厅），再进行投标报名。在网上报名后，点击“【我的项目】→【项目流程】→【采购文件下载】”进行招标文件的下载。 四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点 1.投标截止时间：所有投标文件应于2022年12月05日14时00分（北京时间）之前上传到深圳政府采购智慧平台（http://zfcg.szggzy.com:8081/）。具体操作为登录“深圳政府采购智慧平台用户网上办事子系统（http://zfcg.szggzy.com:8081/TPBidder/memberLogin）”，用“【我的项目】→【项目流程】→【递交投标(应答)文件】”功能点上传投标文件。本项目电子投标文件最大容量为100MB，超过此容量的文件将被拒绝。 2.开标时间和地点：定于2022年12月05日14时00分（北京时间），在深圳政府采购智慧平台公开开标。供应商可以登录“深圳政府采购智慧平台用户网上办事子系统（http://zfcg.szggzy.com:8081/TPBidder/memberLogin）”，在“【我的项目】→【项目流程】→【开标及解密】”进行在线解密、查询开标情况。 3.在线解密：投标人须在开标当日14:00-14:30（北京时间）期间进行解密，逾期未解密的作无效处理。解密方法：登录“深圳政府采购智慧平台用户网上办事子系统（http://zfcg.szggzy.com:8081/TPBidder/memberLogin）”，使用本单位制作电子投标文件同一个电子密钥，在“【我的项目】→【项目流程】→【开标及解密】”进行在线解密、查询开标情况。） 五、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 六、其他补充事宜 1.本项目实行网上投标，采用电子投标文件。 2.采购文件澄清/修改事项：2022年11月30日17时00分（北京时间）前，供应商如果认为采购文件存在不明确、不清晰和前后不一致等问题，可登录深圳公共资源交易中心网（http://zfcg.szggzy.com:8081/）→“深圳政府采购智慧平台用户网上办事子系统（http://zfcg.szggzy.com:8081/TPBidder/memberLogin）”，在“【我的项目】→【项目流程】→【提问】”功能点中填写需澄清内容。2022年12月02日17时00分（北京时间）前将采购文件澄清/修改情况在“【我的项目】→【项目流程】→【答疑澄清文件下载】”中公布，望投标人予以关注。 （重要提示：“提出采购文件澄清要求”不等同于“对采购文件质疑”，供应商提出的澄清要求内容如出现“质疑”字眼，将予以退回。供应商如认为采购文件存在限制性、倾向性、其权益受到损害，应在采购文件公布之日起七个工作日内以线下方式向我公司递交提出书面质疑函。根据《深圳经济特区政府采购条例》第四十二条“供应商投诉的事项应当是经过质疑的事项”的规定，未经正式质疑的，将影响供应商行使向财政部门提起投诉的权利。） 3.本招标公告及本项目招标文件所涉及的时间一律为北京时间。投标人有义务在招标活动期间浏览深圳公共资源交易网（www.szggzy.com），在深圳公共资源交易网上公布的与本次招标项目有关的信息视为已送达各投标人。 4.本项目不需要投标保证金。 七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。 1.采购人信息 名 称：南方科技大学 地 址：深圳市南山区西丽学苑大道1088号 联系方式：张老师 13910520071 2.采购代理机构信息 名 称：深圳市南科大资产经营管理有限公司 地 址：深圳市南山区学苑大道1001号南山智园A7栋11楼 联系方式：王老师 0755-88012180 3.项目联系方式 项目联系人：赵老师 电 话：0755-88012181 深圳市南科大资产经营管理有限公司 2022年11月21日 [SZDL2022002186-A]物理物理系激光-氧化-还原分子束外延联合系统采购项目.pdf SZDL2022002186-A物理系激光-氧化-还原分子束外延联合系统采购项目采购公告.pdf [SZDL2022002186-A]物理物理系激光-氧化-还原分子束外延联合系统采购项目.szczf 附录.中小企业及残疾人福利性单位相关文件.zip [SZDL2022002186-A]物理物理系激光-氧化-还原分子束外延联合系统采购项目.docx

近日，著名半导体分析机构Yole Développement发布了《后摩尔时代的外延设备》报告。报告预测，到2026年，全球外延设备的总市场规模将达到11亿美元。高温化学气相沉积（HTCVD）市场规模将在2026年达到3.93亿，2020-2026年复合增长率为9.5%。分子束外延设备（MBE）将在2026年达到6800万美元的市场规模，2020-2026年复合增长率为7.1%，金属有机化学气相沉积（MOCVD）设备到2026年市场规模达6.3亿美元，2020-2026年复合增长率为7%。截至2020年，外延设备销售额约为6.92亿美元，预计到2026年将增长至11亿美元，平均年复合增长率为8%。然而，报告承认，这些数字并没有充分说明外延设备在汽车消费类以及航空航天和国防等细分市场中的关键应用中的活力和普遍性，而且大批量制造商（HVM）采用的外延设备往往来自一些非主流供应商。Yole的这份报告介绍了外延设备市场的现状，并提供了不同应用的详细信息，目标是全面概述涉及外延层的技术趋势。该报告还通过确定外延领域的关键参与者，对设备供应商、竞争格局和供应链协同效应进行了深入探索。不同衬底材料（包括单晶硅，碳化硅，氮化镓等）的外延设备市场的增长趋势报告分析，如今只有极少数设备供应商能够满足对设备的高需求。对此，Yole列举了11家外延设备的主要供应商，领先的三家是德国Aixtron（爱思强）、美国Veeco、中国AMEC（中微半导体），按照营收来算，这三家超过了总市场份额的60%。然而，这个市场非常复杂，其他一些前端设备供应商也有深度参与，比如应用材料，东京电子和北方华创等等，还包括其他一些特定领域的参与者，比如大阳日酸（Taiyo Nippon Sanso）、NuFlare等等。全球领先的外延设备供应商Yole分析师Vishnu Kumaresan 表示：“2020年排名前三的企业的市场统治地位并不令人意外。至少自2018年以来情况就一直如此。但是如果我们再看看前两名在2018年至2020年之间，德国设备公司Aixtron的市场份额增加了10%，而Veeco的市场份额下降15%。造成这种情况的众多原因之一是中美贸易紧张局势，半导体产业成为了‘战场’。这场战斗在外延设备领域更为明显。因此，2020年是Aixtron在中国大陆销售最好的年份之一，其大约57%的收入来自该地区，而Veeco的收入仅为 13%。”此外，中微半导体因为有不少LED客户，所以外延设备的增长率也十分可观。

近日，由上海微系统所信息功能材料国家重点实验室曹俊诚研究员负责的太赫兹（THz）课题组自主成功研制了激射频率为3.2 THz的量子级联激光器（QCL）。该器件的整个研制过程，包括有源区材料生长、器件流片工艺以及光电特性测试等均在微系统所完成，为发展相关THz应用系统奠定了基础。THzQCL具有体积小、轻便、易集成、能量转换效率高，并且可在连续波模式下工作等优点。它是一种具有复杂结构的半导体量子器件。课题组采用V90气态源分子束外延设备生长了基于GaAs/AlGaAs材料体系的THzQCL有源区；采用单面金属波导工艺制备并封装了THzQCL器件；采用远红外傅里叶变换光谱仪测试了器件的发射谱，激射频率为3.2 THz。

近日，睿创研究院及睿创光子团队在中红外带间级联激光器（Interband cascade laser，ICL）的研究取得重要进展，相关团队实现了高性能、室温连续工作、多个激射波长的带间级联激光器系列，结合分子束外延技术，在InAs衬底上生长带间级联激光器材料，制备的窄脊器件室温激射波长接近4.6μm和5.2μm。目前大部分带间级联激光器生长在GaSb衬底上，而睿创团队报道的带间级联激光器生长在InAs衬底上，波导包层由InAs/AlSb超晶格和高掺杂的InAs层构成。相比于常见的GaSb基带间级联激光器，InAs基带间激光器在较长波长处（例如长于4.5μm）具有更低的阈值电流密度。（a）4.6μm波长、2mm腔长、10μm脊宽的器件在20℃-64℃之间连续激射光谱；（b）同一器件在20℃-64℃之间的连续电流-电压-功率曲线对于4.6μm波长的带间级联激光器，宽脊器件室温脉冲阈值电流密度为292A/cm²；2mm腔长和10μm脊宽的窄脊器件的连续工作温度可达64℃，室温输出功率为20mW；在相近波长处为目前报道的最高连续工作温度。对于5.2μm波长的带间级联激光器，宽脊器件室温脉冲阈值电流密度为306A/cm²；2mm腔长和10μm脊宽的窄脊器件最高连续工作温度为41℃，室温输出功率为10mW；其中阈值电流密度在类似波长为报道的最低水平。相关论文“High-temperature continuous-wave operation of InAs-based interband cascade laser”和“InAs-based interband cascade laser operating at 5.17 μm in continuous wave above room temperature”分别发表于Applied Physics Letters 和IEEE Photonics Technology Letters。（a）5.2μm波长、2mm腔长、10μm脊宽的器件在15℃-41℃之间连续激射光谱；（b）同一器件在15℃-41℃之间的连续电流-电压-功率曲线带间级联激光器是基于能带工程和量子力学产生激射，技术含量很高并且研制难点众多，是国家纳米和量子器件核心技术的重要体现，目前和量子级联激光器（Quantum cascade laser，QCL）并列为重要的中红外激光光源，在环境监测、工业控制、医疗诊断和自由空间通信等领域具有重要的应用价值和科学意义。带间级联激光器的原始概念由美国俄克拉荷马大学的杨瑞青教授（Rui Q. Yang）于1994年首次提出，目前基本上都采用近晶格匹配的InAs/GaSb/AlSb三五族材料体系来构造，有源区大多为InAs/GaInSb二类量子阱，其能力可覆盖从中红外到远红外的波长范围。带间级联激光器结合了传统半导体二级管激光器和量子级联激光器的优势，与同样能覆盖中红外波段的量子级联激光器相比，具有更低的阈值功耗密度和阈值电流密度，这种极低功耗的优势在一些需要便携和电池供电设备的应用中显得非常重要。目前全球带间级联激光器市场仍由国外企业占据主导地位，国内仍处于产业发展的初始阶段。本文报道的这两项工作标志着睿创光子在带间级联激光器的外延设计和器件制备等多个方面同时达到了较高的技术水平，成为掌握高性能带间级联激光器技术的企业。该工作也为后续单模可调谐的DFB带间级联激光器的研发和量产打下了坚实的基础。睿创光子（无锡）技术有限公司是烟台睿创微纳技术股份有限公司的控股子公司，聚焦III-V族光电子器件、硅基光电子器件等光子芯片技术研发与产业化。

详细信息 中国科学院光电技术研究所2022年度国家重点实验室专项采购项目（第一批）（包2）公开招标公告 四川省-成都市-武侯区 状态：公告 更新时间： 2022-09-24 招标文件: 附件1 中国科学院光电技术研究所2022年度国家重点实验室专项采购项目（第一批）（包2）公开招标公告 2022年09月23日 17:54 公告信息： 采购项目名称 中国科学院光电技术研究所2022年度国家重点实验室专项采购项目（第一批）（包2） 品目 货物/专用设备/专用仪器仪表/其他专用仪器仪表 采购单位 中国科学院光电技术研究所 行政区域 成都市 公告时间 2022年09月23日 17:54 获取招标文件时间 2022年09月23日至2022年10月08日每日上午:9:00 至 12:00 下午:13:30 至 17:00（北京时间，法定节假日除外） 招标文件售价 ￥500 获取招标文件的地点 四川省成都市武侯区武侯大道顺江段77号汇点广场（武侯吾悦广场）3号楼13楼1319-1328室 开标时间 2022年10月17日 14:00 开标地点 四川省成都市武侯区武侯大道顺江段77号汇点广场（武侯吾悦广场）3号楼13楼1319-1328室 预算金额 ￥800.000000万元（人民币） 联系人及联系方式： 项目联系人 万女士 项目联系电话 028-86623861转8038 采购单位 中国科学院光电技术研究所 采购单位地址 中国四川省成都双流西航港光电大道1号 采购单位联系方式 戴老师，028-85100314 代理机构名称 五矿国际招标有限责任公司 代理机构地址 北京市海淀区三里河路5号五矿大厦D座二层，四川分公司地址：四川省成都市武侯区武侯大道顺江段77号汇点广场（武侯吾悦广场）3号楼13楼1319-1328室 代理机构联系方式 万女士，028-86623861转8038 附件： 附件1 采购需求包2.docx 项目概况 中国科学院光电技术研究所2022年度国家重点实验室专项采购项目（第一批）（包2） 招标项目的潜在投标人应在四川省成都市武侯区武侯大道顺江段77号汇点广场（武侯吾悦广场）3号楼13楼1319-1328室获取招标文件，并于2022年10月17日 14点00分（北京时间）前递交投标文件。 一、项目基本情况 项目编号：0716-224SCC911581 项目名称：中国科学院光电技术研究所2022年度国家重点实验室专项采购项目（第一批）（包2） 预算金额：800.0000000 万元（人民币） 最高限价（如有）：785.0000000 万元（人民币） 采购需求： 序号 设备名称 数量 买方名称 交货地点 交货期 1 分子束外延生长设备 1套 中国科学院光电技术研究所 中国四川省成都双流西航港光电大道1号 合同签订后12个月内 合同履行期限：合同签订后12个月内 本项目( 不接受 )联合体投标。 二、申请人的资格要求： 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定； 2.落实政府采购政策需满足的资格要求： 无 3.本项目的特定资格要求：1）如果投标人按照合同提供的货物不是投标人自己制造的，投标人应得到：A、货物制造商或货物制造商在中国地区合法授权机构同意其在本次投标中提供该货物的正式授权书原件（格式见《招标文件》第一册格式Ⅳ-9-4），或；B、中国区总代理同意其在本次投标中提供该货物的正式授权书原件（格式见《招标文件》第一册格式Ⅳ-9-4），同时还须提供货物制造商对中国区总代理的授权书复印件，或；C、项目所在区域代理同意其在本次投标中提供该货物的正式授权书原件（格式见《招标文件》第一册格式Ⅳ-9-4），同时还须提供货物制造商对项目所在区域代理的授权书复印件，或货物制造商对中国区总代理的授权书复印件及中国区总代理对项目所在区域代理的授权书复印件。2）国内的投标人需提供工商行政管理局认定的企业营业执照副本（复印件）。3）投标人应具备同类分子束外延生长设备在中国境内≥5台的销售业绩，并提供销售合同及验收报告，具备同类分子束外延生长设备在全球≥10台的销售业绩，并提供真实有效的客户清单，如后续验证业绩虚假，取消中标资格。4）投标人应当提供开标日前3个月内由其开立基本账户的银行开具的银行资信证明原件或复印件。5）其它资格证明文件：A.投标人自己具有能接收外币的银行账户，并提供承诺书，同时在承诺书中提供账户账号等信息。B.提供承诺书（详见附件2），承诺投标人、投标产品制造商与招标人不存在影响招标公正性的利害关系；投标人未参与项目前期咨询及招标文件编制工作；投标人与其他投标人单位负责人不为同一人、也不存在控股、管理关系。 三、获取招标文件 时间：2022年09月23日 至 2022年10月08日，每天上午9:00至12:00，下午13:30至17:00。（北京时间，法定节假日除外） 地点：四川省成都市武侯区武侯大道顺江段77号汇点广场（武侯吾悦广场）3号楼13楼1319-1328室 方式：邮件报名（请将报名资料以扫描件的形式发送至电子邮箱：swtendering@126.com，并在邮件中注明联系方式）。获取招标文件时，投标人为法人或者其他组织的，只需提供单位介绍信、经办人身份证明、标书款付款凭证；投标人为自然人的，只需提供本人身份证明、标书款付款凭证。本项目标书款不收取现金，投标人须将标书款转账至我分公司账户，账户信息如下：公司名称：五矿国际招标有限责任公司四川分公司 账户：中国工商银行北京首都体育馆支行 账号：9558 8502 0000 0601 208。 售价：￥500.0 元，本公告包含的招标文件售价总和 四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点 提交投标文件截止时间：2022年10月17日 14点00分（北京时间） 开标时间：2022年10月17日 14点00分（北京时间） 地点：四川省成都市武侯区武侯大道顺江段77号汇点广场（武侯吾悦广场）3号楼13楼1319-1328室 五、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 六、其他补充事宜 本项目采购产品为进口机电产品，采用国际招标的方式进行采购，公告内容以机电产品招标投标电子交易平台上的内容为准。 七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。 1.采购人信息 名 称：中国科学院光电技术研究所 地址：中国四川省成都双流西航港光电大道1号 联系方式：戴老师，028-85100314 2.采购代理机构信息 名 称：五矿国际招标有限责任公司 地 址：北京市海淀区三里河路5号五矿大厦D座二层，四川分公司地址：四川省成都市武侯区武侯大道顺江段77号汇点广场（武侯吾悦广场）3号楼13楼1319-1328室 联系方式：万女士，028-86623861转8038 3.项目联系方式 项目联系人：万女士 电 话： 028-86623861转8038 × 扫码打开掌上仪信通App 查看联系方式 基本信息 关键内容：激光脉冲沉积 开标时间：2022-10-17 14:00 预算金额：800.00万元 采购单位：中国科学院光电技术研究所 采购联系人：点击查看 采购联系方式：点击查看 招标代理机构：五矿国际招标有限责任公司 代理联系人：点击查看 代理联系方式：点击查看 详细信息 中国科学院光电技术研究所2022年度国家重点实验室专项采购项目（第一批）（包2）公开招标公告 四川省-成都市-武侯区 状态：公告 更新时间： 2022-09-24 招标文件: 附件1 中国科学院光电技术研究所2022年度国家重点实验室专项采购项目（第一批）（包2）公开招标公告 2022年09月23日 17:54 公告信息： 采购项目名称 中国科学院光电技术研究所2022年度国家重点实验室专项采购项目（第一批）（包2） 品目 货物/专用设备/专用仪器仪表/其他专用仪器仪表 采购单位 中国科学院光电技术研究所 行政区域 成都市 公告时间 2022年09月23日 17:54 获取招标文件时间 2022年09月23日至2022年10月08日每日上午:9:00 至 12:00 下午:13:30 至 17:00（北京时间，法定节假日除外） 招标文件售价 ￥500 获取招标文件的地点 四川省成都市武侯区武侯大道顺江段77号汇点广场（武侯吾悦广场）3号楼13楼1319-1328室 开标时间 2022年10月17日 14:00 开标地点 四川省成都市武侯区武侯大道顺江段77号汇点广场（武侯吾悦广场）3号楼13楼1319-1328室 预算金额 ￥800.000000万元（人民币） 联系人及联系方式： 项目联系人 万女士 项目联系电话 028-86623861转8038 采购单位 中国科学院光电技术研究所 采购单位地址 中国四川省成都双流西航港光电大道1号 采购单位联系方式 戴老师，028-85100314 代理机构名称 五矿国际招标有限责任公司 代理机构地址 北京市海淀区三里河路5号五矿大厦D座二层，四川分公司地址：四川省成都市武侯区武侯大道顺江段77号汇点广场（武侯吾悦广场）3号楼13楼1319-1328室 代理机构联系方式 万女士，028-86623861转8038 附件： 附件1 采购需求包2.docx 项目概况 中国科学院光电技术研究所2022年度国家重点实验室专项采购项目（第一批）（包2） 招标项目的潜在投标人应在四川省成都市武侯区武侯大道顺江段77号汇点广场（武侯吾悦广场）3号楼13楼1319-1328室获取招标文件，并于2022年10月17日 14点00分（北京时间）前递交投标文件。 一、项目基本情况 项目编号：0716-224SCC911581 项目名称：中国科学院光电技术研究所2022年度国家重点实验室专项采购项目（第一批）（包2） 预算金额：800.0000000 万元（人民币） 最高限价（如有）：785.0000000 万元（人民币） 采购需求： 序号 设备名称 数量 买方名称 交货地点 交货期 1 分子束外延生长设备 1套 中国科学院光电技术研究所 中国四川省成都双流西航港光电大道1号 合同签订后12个月内 合同履行期限：合同签订后12个月内 本项目( 不接受 )联合体投标。 二、申请人的资格要求： 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定； 2.落实政府采购政策需满足的资格要求： 无 3.本项目的特定资格要求：1）如果投标人按照合同提供的货物不是投标人自己制造的，投标人应得到：A、货物制造商或货物制造商在中国地区合法授权机构同意其在本次投标中提供该货物的正式授权书原件（格式见《招标文件》第一册格式Ⅳ-9-4），或；B、中国区总代理同意其在本次投标中提供该货物的正式授权书原件（格式见《招标文件》第一册格式Ⅳ-9-4），同时还须提供货物制造商对中国区总代理的授权书复印件，或；C、项目所在区域代理同意其在本次投标中提供该货物的正式授权书原件（格式见《招标文件》第一册格式Ⅳ-9-4），同时还须提供货物制造商对项目所在区域代理的授权书复印件，或货物制造商对中国区总代理的授权书复印件及中国区总代理对项目所在区域代理的授权书复印件。2）国内的投标人需提供工商行政管理局认定的企业营业执照副本（复印件）。3）投标人应具备同类分子束外延生长设备在中国境内≥5台的销售业绩，并提供销售合同及验收报告，具备同类分子束外延生长设备在全球≥10台的销售业绩，并提供真实有效的客户清单，如后续验证业绩虚假，取消中标资格。4）投标人应当提供开标日前3个月内由其开立基本账户的银行开具的银行资信证明原件或复印件。5）其它资格证明文件：A.投标人自己具有能接收外币的银行账户，并提供承诺书，同时在承诺书中提供账户账号等信息。B.提供承诺书（详见附件2），承诺投标人、投标产品制造商与招标人不存在影响招标公正性的利害关系；投标人未参与项目前期咨询及招标文件编制工作；投标人与其他投标人单位负责人不为同一人、也不存在控股、管理关系。 三、获取招标文件 时间：2022年09月23日 至 2022年10月08日，每天上午9:00至12:00，下午13:30至17:00。（北京时间，法定节假日除外） 地点：四川省成都市武侯区武侯大道顺江段77号汇点广场（武侯吾悦广场）3号楼13楼1319-1328室 方式：邮件报名（请将报名资料以扫描件的形式发送至电子邮箱：swtendering@126.com，并在邮件中注明联系方式）。获取招标文件时，投标人为法人或者其他组织的，只需提供单位介绍信、经办人身份证明、标书款付款凭证；投标人为自然人的，只需提供本人身份证明、标书款付款凭证。本项目标书款不收取现金，投标人须将标书款转账至我分公司账户，账户信息如下：公司名称：五矿国际招标有限责任公司四川分公司 账户：中国工商银行北京首都体育馆支行 账号：9558 8502 0000 0601 208。 售价：￥500.0 元，本公告包含的招标文件售价总和 四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点 提交投标文件截止时间：2022年10月17日 14点00分（北京时间） 开标时间：2022年10月17日 14点00分（北京时间） 地点：四川省成都市武侯区武侯大道顺江段77号汇点广场（武侯吾悦广场）3号楼13楼1319-1328室 五、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 六、其他补充事宜 本项目采购产品为进口机电产品，采用国际招标的方式进行采购，公告内容以机电产品招标投标电子交易平台上的内容为准。 七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。 1.采购人信息 名 称：中国科学院光电技术研究所 地址：中国四川省成都双流西航港光电大道1号 联系方式：戴老师，028-85100314 2.采购代理机构信息 名 称：五矿国际招标有限责任公司 地 址：北京市海淀区三里河路5号五矿大厦D座二层，四川分公司地址：四川省成都市武侯区武侯大道顺江段77号汇点广场（武侯吾悦广场）3号楼13楼1319-1328室 联系方式：万女士，028-86623861转8038 3.项目联系方式 项目联系人：万女士 电 话： 028-86623861转8038

详细信息 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所原位Mask器件级图案化分子束外延设备采购项目公开招标公告 江苏省-苏州市 状态：公告 更新时间： 2024-02-14 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所原位Mask器件级图案化分子束外延设备采购项目公开招标公告 2024年02月08日 12:18 公告信息： 采购项目名称 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所原位Mask器件级图案化分子束外延设备采购项目 品目 货物/设备/仪器仪表/其他仪器仪表 采购单位 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 行政区域 江苏省 公告时间 2024年02月08日 12:18 获取招标文件时间 2024年02月08日至2024年02月21日每日上午:9:00 至 12:00 下午:13:00 至 17:00（北京时间，法定节假日除外） 招标文件售价 ￥600 获取招标文件的地点 www.oitccas.com；北京市海淀区丹棱街1号互联网金融中心20层 开标时间 2024年02月29日 13:30 开标地点 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所A415会议室 预算金额 ￥550.000000万元（人民币） 联系人及联系方式： 项目联系人 郭宇涵、王军、李雯 项目联系电话 010-68290599 采购单位 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 采购单位地址 苏州工业园区若水路398号 采购单位联系方式 俞老师、赵老师；0512-62872525 代理机构名称 东方国际招标有限责任公司 代理机构地址 北京市海淀区丹棱街1号互联网金融中心20层 代理机构联系方式 郭宇涵、王军、李雯； 010-68290599， 010-68290530 附件： 附件1 1026.pdf 项目概况 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所原位Mask器件级图案化分子束外延设备采购项目 招标项目的潜在投标人应在www.oitccas.com；北京市海淀区丹棱街1号互联网金融中心20层获取招标文件，并于2024年02月29日 13点30分（北京时间）前递交投标文件。 一、项目基本情况 项目编号：OITC-G240661026 项目名称：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所原位Mask器件级图案化分子束外延设备采购项目 预算金额：550.000000 万元（人民币） 最高限价（如有）：550.000000 万元（人民币） 采购需求： 包号 货物名称 数量 （套） 是否允许采购进口产品 采购预算 1 原位Mask器件级图案化分子束外延设备 1 否 550万元 合同履行期限：合同签订后6个月内交货 本项目( 不接受 )联合体投标。 二、申请人的资格要求： 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定； 2.落实政府采购政策需满足的资格要求： 本项目不属于专门面向中小微企业、监狱企业、残疾人福利性单位采购的项目 3.本项目的特定资格要求：1） 投标人须符合《中华人民共和国政府采购法》第二十二条的规定；(具体为供应商参加政府采购活动应当具备下列条件：（一）具有独立承担民事责任的能力；（二）具有良好的商业信誉和健全的财务会计制度；（三）具有履行合同所必需的设备和专业技术能力；（四）有依法缴纳税收和社会保障资金的良好记录；（五）参加政府采购活动前三年内，在经营活动中没有重大违法记录；（六）法律、行政法规规定的其他条件。)2） 投标人须在中华人民共和国境内合法注册、有法人资格并符合工商局或相关行业主管部门核准的经营范围或经营许可；3） 投标人按照招标公告要求购买了招标文件；4） 投标人不得为列入失信被执行人、重大税收违法案件当事人名单、政府采购严重违法失信行为记录名单的供应商。5） 为本项目提供整体设计、规范编制或者项目管理、监理、检测等服务的供应商，不得参加本项目投标；6） 投标单位负责人为同一人或者存在直接控股、管理关系的不同供应商，不得参加同一合同项下的政府采购活动；7）本项目不接受联合体投标 三、获取招标文件 时间：2024年02月08日 至 2024年02月21日，每天上午9:00至12:00，下午13:00至17:00。（北京时间，法定节假日除外） 地点：www.oitccas.com；北京市海淀区丹棱街1号互联网金融中心20层 方式：登录“东方招标平台”http://www.oitccas.com注册并购买 售价：￥600.0 元，本公告包含的招标文件售价总和 四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点 提交投标文件截止时间：2024年02月29日 13点30分（北京时间） 开标时间：2024年02月29日 13点30分（北京时间） 地点：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所A415会议室 五、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 六、其他补充事宜 1、投标文件递交地点：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所A415会议室 2、招标文件采用网上电子发售购买方式： 1）登陆 东方招标 平台（http://www.oitccas.com/），点击 获取采购文件 链接图标，或直接输入访问地址（http://www.oitccas.com/pages/sign_in.html?page=mine）完成投标人注册手续（免费），然后登陆系统寻找有意向参与的项目，已注册的投标人无需重新注册。招标文件售价：每包人民币600 元。如决定购买招标文件，请完成标书款缴费及标书下载手续。 2）投标人可以电汇的形式支付标书款、保证金（应以公司名义汇款至下述指定账号）。 开户名称：东方国际招标有限责任公司 开户行：招商银行北京西三环支行 账 号：862081657710001 3）投标人应在平台上填写开票信息。在投标人足额缴纳标书款后，标书款电子发票将发送至投标人在平台上登记的电子邮箱，投标人自行下载打印。 3、以电汇方式购买招标文件和递交投标保证金的，须在电汇凭据附言栏中写明招标编号、包号及用途（如未标明招标编号，有可能导致投标无效）。 4、采购项目需要落实的政府采购政策： （1）政府采购促进中小企业发展 （2）政府采购支持监狱企业发展 （3）政府采购促进残疾人就业 （4）政府采购鼓励采购节能环保产品 七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。 1.采购人信息 名 称：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 地址：苏州工业园区若水路398号 联系方式：俞老师、赵老师；0512-62872525 2.采购代理机构信息 名 称：东方国际招标有限责任公司 地 址：北京市海淀区丹棱街1号互联网金融中心20层 联系方式：郭宇涵、王军、李雯； 010-68290599， 010-68290530 3.项目联系方式 项目联系人：郭宇涵、王军、李雯 电 话： 010-68290599 × 扫码打开掌上仪信通App 查看联系方式 基本信息 关键内容：激光脉冲沉积 开标时间：2024-02-29 13:30 预算金额：550.00万元 采购单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 采购联系人：点击查看 采购联系方式：点击查看 招标代理机构：东方国际招标有限责任公司 代理联系人：点击查看 代理联系方式：点击查看 详细信息 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所原位Mask器件级图案化分子束外延设备采购项目公开招标公告 江苏省-苏州市 状态：公告 更新时间： 2024-02-14 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所原位Mask器件级图案化分子束外延设备采购项目公开招标公告 2024年02月08日 12:18 公告信息： 采购项目名称 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所原位Mask器件级图案化分子束外延设备采购项目 品目 货物/设备/仪器仪表/其他仪器仪表 采购单位 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 行政区域 江苏省 公告时间 2024年02月08日 12:18 获取招标文件时间 2024年02月08日至2024年02月21日每日上午:9:00 至 12:00 下午:13:00 至 17:00（北京时间，法定节假日除外） 招标文件售价 ￥600 获取招标文件的地点 www.oitccas.com；北京市海淀区丹棱街1号互联网金融中心20层 开标时间 2024年02月29日 13:30 开标地点 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所A415会议室 预算金额 ￥550.000000万元（人民币） 联系人及联系方式： 项目联系人 郭宇涵、王军、李雯 项目联系电话 010-68290599 采购单位 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 采购单位地址 苏州工业园区若水路398号 采购单位联系方式 俞老师、赵老师；0512-62872525 代理机构名称 东方国际招标有限责任公司 代理机构地址 北京市海淀区丹棱街1号互联网金融中心20层 代理机构联系方式 郭宇涵、王军、李雯； 010-68290599， 010-68290530 附件： 附件1 1026.pdf 项目概况 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所原位Mask器件级图案化分子束外延设备采购项目 招标项目的潜在投标人应在www.oitccas.com；北京市海淀区丹棱街1号互联网金融中心20层获取招标文件，并于2024年02月29日 13点30分（北京时间）前递交投标文件。 一、项目基本情况 项目编号：OITC-G240661026 项目名称：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所原位Mask器件级图案化分子束外延设备采购项目 预算金额：550.000000 万元（人民币） 最高限价（如有）：550.000000 万元（人民币） 采购需求： 包号 货物名称 数量 （套） 是否允许采购进口产品 采购预算 1 原位Mask器件级图案化分子束外延设备 1 否 550万元 合同履行期限：合同签订后6个月内交货 本项目( 不接受 )联合体投标。 二、申请人的资格要求： 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定； 2.落实政府采购政策需满足的资格要求： 本项目不属于专门面向中小微企业、监狱企业、残疾人福利性单位采购的项目 3.本项目的特定资格要求：1） 投标人须符合《中华人民共和国政府采购法》第二十二条的规定；(具体为供应商参加政府采购活动应当具备下列条件：（一）具有独立承担民事责任的能力；（二）具有良好的商业信誉和健全的财务会计制度；（三）具有履行合同所必需的设备和专业技术能力；（四）有依法缴纳税收和社会保障资金的良好记录；（五）参加政府采购活动前三年内，在经营活动中没有重大违法记录；（六）法律、行政法规规定的其他条件。)2） 投标人须在中华人民共和国境内合法注册、有法人资格并符合工商局或相关行业主管部门核准的经营范围或经营许可；3） 投标人按照招标公告要求购买了招标文件；4） 投标人不得为列入失信被执行人、重大税收违法案件当事人名单、政府采购严重违法失信行为记录名单的供应商。5） 为本项目提供整体设计、规范编制或者项目管理、监理、检测等服务的供应商，不得参加本项目投标；6） 投标单位负责人为同一人或者存在直接控股、管理关系的不同供应商，不得参加同一合同项下的政府采购活动；7）本项目不接受联合体投标 三、获取招标文件 时间：2024年02月08日 至 2024年02月21日，每天上午9:00至12:00，下午13:00至17:00。（北京时间，法定节假日除外） 地点：www.oitccas.com；北京市海淀区丹棱街1号互联网金融中心20层 方式：登录“东方招标平台”http://www.oitccas.com注册并购买 售价：￥600.0 元，本公告包含的招标文件售价总和 四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点 提交投标文件截止时间：2024年02月29日 13点30分（北京时间） 开标时间：2024年02月29日 13点30分（北京时间） 地点：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所A415会议室 五、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 六、其他补充事宜 1、投标文件递交地点：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所A415会议室 2、招标文件采用网上电子发售购买方式： 1）登陆 东方招标 平台（http://www.oitccas.com/），点击 获取采购文件 链接图标，或直接输入访问地址（http://www.oitccas.com/pages/sign_in.html?page=mine）完成投标人注册手续（免费），然后登陆系统寻找有意向参与的项目，已注册的投标人无需重新注册。招标文件售价：每包人民币600 元。如决定购买招标文件，请完成标书款缴费及标书下载手续。 2）投标人可以电汇的形式支付标书款、保证金（应以公司名义汇款至下述指定账号）。 开户名称：东方国际招标有限责任公司 开户行：招商银行北京西三环支行 账 号：862081657710001 3）投标人应在平台上填写开票信息。在投标人足额缴纳标书款后，标书款电子发票将发送至投标人在平台上登记的电子邮箱，投标人自行下载打印。 3、以电汇方式购买招标文件和递交投标保证金的，须在电汇凭据附言栏中写明招标编号、包号及用途（如未标明招标编号，有可能导致投标无效）。 4、采购项目需要落实的政府采购政策： （1）政府采购促进中小企业发展 （2）政府采购支持监狱企业发展 （3）政府采购促进残疾人就业 （4）政府采购鼓励采购节能环保产品 七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。 1.采购人信息 名 称：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 地址：苏州工业园区若水路398号 联系方式：俞老师、赵老师；0512-62872525 2.采购代理机构信息 名 称：东方国际招标有限责任公司 地 址：北京市海淀区丹棱街1号互联网金融中心20层 联系方式：郭宇涵、王军、李雯； 010-68290599， 010-68290530 3.项目联系方式 项目联系人：郭宇涵、王军、李雯 电 话： 010-68290599

半导体量子点（QD）以其显著的量子限制效应和可调的能级结构，成为构筑新一代信息器件的重要材料，在高性能光电子、单电子存储和单光子器件等方面具有重要应用价值。半导体量子点材料的制备和以其为基础的新型信息器件是信息科技前沿研究的热点。近期，在中国科学院半导体研究所王占国院士的指导下，刘峰奇研究员团队等在量子点异质外延的研究方面取得重要进展。研究团队以二维材料为外延衬底，基于分子束外延技术，发展出范德华外延（van der Waals epitaxy）制备量子点材料（如图1）的新方案。图1 InSb量子点在MoS2表面的范德华外延生长层状结构的二维材料表面没有悬挂键，表面能低。因此在远离热平衡的超高真空条件下，具备闪锌矿、纤锌矿等稳定结构的材料在其表面生长时，在总自由能最小的驱动下，原子沉积在二维材料上，将倾向于裸露出更多衬底，同时将自身的原子更多地包裹进体内，以降低表面自由能，从而实现量子点的生长。反射式高能电子衍射（RHEED）的原位生长监测显示，量子点的范德华外延生长为非共格外延模式，区别于S-K生长模式，衬底和量子点材料的晶格常数没有适配关系，从而大大提高了衬底和量子点材料组合的自由度，呈现出普适特性；同时，二维材料的面内对称性对量子点材料的晶格取向具有诱导作用。二维材料各异的表面性质则为量子点的形貌调控提供了新的自由度（如图2）。图2 量子点范德华外延生长方法的普适基于该方案，研究团队成功在4种二维材料（hBN、FL mica、MoS₂ 、graphene）上制备了5种不同的量子点，包括4种III-V族的化合物半导体InAs、GaAs、InSb、GaSb和1种IV-VI族的化合物半导体SnTe，衬底和量子点组合共计20种。量子点种类受限于分子束外延（MBE）源材料种类，而非衬底，证实了外延方案的普适特性。研究团队在晶圆级尺度上完成了量子点的范德华外延制备，呈现出较好的尺寸均匀性和分布均匀性，且在较小的衬底温度范围内可以实现量子点密度4个数量级的变化。此外，研究团队通过制备光电探测器，拓宽了器件的响应光谱范围，证实了在范德华外延制备的0D/2D混维异质结中界面载流子的有效输运。该外延方案天然构筑的量子点/二维材料体系为研究混维异质结构提供了一个新平台，将有助于拓宽低维量子系统的潜在应用。该成果以“Epitaxial growth of quantum dots on van der Waals surfaces”为题发表于Nature Synthesis期刊。半导体所博士生辛凯耀、博士李利安和北京大学博士后周子琦为论文共同第一作者，半导体所刘峰奇研究员、翟慎强研究员、魏钟鸣研究员和中国人民大学刘灿副教授为该论文的共同通讯作者，论文合作者包括北京大学刘开辉教授、半导体所张锦川研究员、刘俊岐研究员、邓惠雄研究员等。该项工作得到了国家自然科学基金、国家重点研发计划以及中国科学院青年促进会等项目的资助。论文链接：https://doi.org/10.103 8 /s44160-024-00562-0

天眼查显示，广东天域半导体股份有限公司“碳化硅外延片的生长工艺”专利公布，申请公布日为2024年6月28日，申请公布号为CN118256991A。背景技术碳化硅半导体具有优良的稳定性、高热导率、高临界击穿场强、高饱和电子漂移速度等优良特性，是制作高温、高频、大功率和强辐射电力电子器件的理想半导体材料。与传统的硅器件相比，碳化硅器件能够在10倍于硅器件的电场强度下正常工作。用于制作碳化硅器件的碳化硅材料通常是在碳化硅衬底上生长碳化硅外延片。目前的碳化硅外延片，尤其是8英尺的碳化硅衬底，其晶体缺陷密度高，碳化硅衬底的长晶技术并不成熟，尤其是一些TSD、BPD、SF等缺陷会贯穿上来，所以需要有非常高的外延生长技术将其在外延层初期抑制住。而目前外延生长技术较为单一，主要为单一外延生长技术沉积，当前比较普遍的是采用化学气相沉积(CVD)生长外延片。现有化学气相沉积(CVD)外延生长是在碳化硅衬底上生长一层SiC外延层，以高纯H2作为输运和还原气体、TCS和C2H4为生长源(即为H2+SiH4+C2H4)、N2作为N型外延层的掺杂源、Ar作为保护气体。其工艺的主要生长环境要求1500℃以上高温，反应室内气压低于1×10-6mbar，并且水平式单片生长因其均匀性问题需要气悬浮基座旋转。于碳化硅衬底上直接采用化学气相沉积外延无法生长出高质量的、组分和杂质浓度更精确控制的单晶薄膜，并且会有残余气体对碳化硅薄膜有污染，导致衬底贯穿上来的晶体缺陷无法有效抑制，并且生长速率偏向快速，无法更精准的控制薄膜沉积。由上可知，目前的化学气相沉积外延层仍然存在各种缺陷，其会对碳化硅器件特性造成影响，所以针对碳化硅的外延生长工艺需要进行不断的优化。发明内容本发明提供了一种碳化硅外延片的生长工艺。此碳化硅外延片的生长工艺包括依次的如下步骤：（I）将碳化硅衬底进行前处理；（II）采用分子束外延设备于所述碳化硅衬底上形成第一碳化硅缓冲层；（III）置于化学气相沉积设备的外延炉中，先于1000～1400℃下进行热处理，再升高温度进行气相沉积以于所述第一碳化硅缓冲层上形成第二碳化硅缓冲层；（IV）于所述第二碳化硅缓冲层上外延生长出预定厚度的外延层。本发明的碳化硅外延片的生长工艺可消除反应产物污染，在衬底与外延层间做好贯穿晶体缺陷的转化，可完美的隔离外延缺陷。

陕西知芯外延半导体有限公司（简称：知芯外延）于2022年在秦创原平台支持下成立，基于西安电子科技大学微电子学院的研发团队，企业研究的硅基四族外延晶圆打破了国外的设备、技术封锁，解决了我国的“卡脖子”技术，带动了我国高端光电探测器、硅光集成产业、超高速通讯器件等各个方向产品的升级。知芯外延主要研究具有硅基四族外延晶圆，在不同掺杂、厚度、纳米结构等参数下的成熟生长工艺，同时团队还研发出了基于硅锗外延晶圆的红外探测器芯片。目前企业生产的外延晶圆以硅基四族材料为主，包括硅基锗、硅基硅锗，硅基锗锡等，可应用于红外探测器、激光雷达、光通讯、三四族材料硅基衬底等各个领域。基于硅锗外延片的硅锗短波红外探测器，作为一种全新的短波探测器技术路径，其高集成度、低成本的优势，将能够成为代替传统材料实现短波红外大规模、各领域应用。在世界各国争相发展短波红外探测技术的当下，陕西知芯外延半导体为我国的技术突破持续发力。公司已入选陕西省光电子产业重点项目，并与多所研究院、军工单位达成合作。项目促进光电子产业创新链发展的同时，也为产业链的发展提供了核心技术支撑，助力西安走上“追光”路。

在科研的路途中，固然山高水深，寒暑风雨，但只要初心如磐，奋楫笃行，终能让梦想照进现实。中国科学院半导体所研究员，博士生导师，中国科学院大学材料科学与光电技术学院量子光电子学首席教授牛智川，就是在这样的风雨兼程中，实现了半导体材料的突破。锑化物材料的突破半导体是一种材料，是现代科技不可或缺的技术。半导体技术发展一代材料体系、形成一代器件技术。本世纪初，锑化物半导体材料，即GaSb基晶格匹配异质结、量子阱、超晶格体系获得业界高度重视，其破隙型窄带隙能带构型和材料组分适于能带工程设计调控和先进的III－V族半导体工艺，为突破传统红外半导体长期瓶颈提供全新路径。近年来GaSb单晶、衬底与外延材料技术的突破，极大地促进了中波红外激光器、中长波红外探测器的技术跨越，其应用价值得到确认，2009年起西方实施锑化物半导体出口管控。“只有将科技掌握在自己的手中，才能真正的安心，放心。”近些年来，中国的科研工作者经历了太多这样的波折，所以，面对封锁，牛智川教授没有抱怨，更没有放弃，他知道，这是中国制造必然要走的一步。锑化物材料属于多元素化合物体系，相比于其他材料，锑化物量子阱超晶格等低维材料的能带结构最为复杂，器件台面、腔面表面氧化性质悬殊，实现高光电效率激光发光和探测器的能带设计优化、外延材料质量调控、器件高稳定性的工艺结构优化方法、高可靠性大功率输出热场等综合表征与优化等，都是该器件技术的核心科学难题。作为长期从事半导体低维材料物理与量子光电子器件技术研究的探索者，牛智川教授率先在我国开拓锑化物半导体外延材料与红外光电器件技术方向。他带领团队针对锑化物多元复杂材料能带设计及外延生长技术的挑战难题，聚焦中波红外量子阱激光器波长拓展效率提升、长波红外超晶格探测器暗电流抑制效率优化等关键科学问题和应用发展需求，历经20年攻关，成绩斐然。他，不仅发明GaSb基二元AlSb／AlAs／AlSb／GaSb超晶格数字合金，克服锑化物四元、五元合金组分精确控制和组分互溶，提升光学质量和发光效率；发明As／Sb、Ga／In双交叉外延技术，提升超晶格质量和载流子寿命；创新外延技术，解决应力平衡、缺陷界面调控、表面颗粒抑制难题；锑化物量子阱材料用于2－4微米中波红外激光器，激光单管／巴条／模组的室温连续功率分别达到2.6瓦／18.4瓦／172瓦的国际最高记录（超越禁运指标），超晶格材料用于中长波红外探测器，实现了单色、双色焦平面探测器，国际首次报道＞14微米甚长波焦平面成像芯片。这些成果标志着中国的单晶、衬底与外延材料及器件技术成功突破封锁，2023年7月，我国发布锑化物材料管制法规，自此，国内的锑化物半导体技术实现了跨越式的升级。乘风破浪的探索从零开始，一路披荆斩棘，屡获突破，到现在，整个锑化物半导体红外光电产业链逐渐完善和发展，牛智川教授依靠的就是开拓创新，砥砺前行。众所周知，科研是永无止境的，半导体领域的探索更是如此，InAs／GaAs量子点量子光源、InGaAsSb量子阱大功率与单模激光器的问世，就是牛智川教授持续深耕探索的见证。InAs／GaAs基量子点量子光源。面向量子光源核心器件基础研究前沿和量子信息系统重要需求，围绕半导体量子点生长密度和均匀性控制技术挑战，研究发展亚单层InAs循环、束流梯度分布外延新技术，揭示液滴法生长量子环机理，突破量子点相干发光效率、单光子发光速率和全同性瓶颈，实现三项全优性能单光子源，实现量子点单光子量子态存储（Nat. Comm.），发展量子点拓扑角态激光（Light），为构建全固态量子网络提供半导体量子光源器件解决方案。InGaAs（Sb）量子阱激光器。面向中短波红外激光重大需求，围绕量子阱应变临界束缚、拓展波长、提升功效难度难题，发明锑化物数字合金势垒结构，研制成功1.9－3.6微米高功率和单模激光器，其中2.0微米激光器的室温连续功率国际领先突破卡脖子（禁运）条例，发光效率和单模性能超越国际同行。花会沿路盛开，牛智川教授的科研之路也会如此。一个有坚定信念的探索者，总是能够从容的面对荆棘，能以智慧扛起身负的责任和使命。作为中国的半导体人，牛智川教授始终对中国的半导体充满了期待，他认为，中国的半导体处于黄金发展时期，但任何产业的发展都不会一蹴而就，半导体的探索是一场接力赛，“只要有更多的人投入到半导体领域，中国的半导体技术，才会不断突破，产业才会实现可持续发展。”他这样说，也在这样做。作为博士生导师，牛智川教授十分关注学生的成长，毕竟，知识需要传承，科技需要接力，所以，他对学生的学业和科研要求严格，同时，对于学生遇到的问题，也给予指导和引导。目前，他已培养百余位硕士博士学位高级科技人才，这些人才走向了各自的工作岗位，继续助力中国半导体事业的发展。而牛智川教授本人，则继续以国家需求为目标，通过承担国家重点任务立足锑化物半导体领域，在基础研究成果之上，联合国内产学研用各方面力量，发起成立锑化物半导体技术创新与产业发展联盟，通过联盟方式针对各方需求，为国内各装备行业及高科技企业开发多功能高性能光电芯片，推动长期受限于国外技术封锁的红外高端光电芯片的自主可控全链条技术进步，实现从部分性能的超越领跑和满足各类需求的全链条解决方案。当前，半导体技术的代际更替已经进入了微电子与光电子技术的并重发展时代，锑化物窄带隙半导体呈现出第四代半导体光电芯片技术发展的重大潜力。未来，牛智川教授将以锑化物半导体光电材料与芯片为中心，面向智能化信息技术新时代广泛需求，建设完整的技术创新与产业制造链条，并以这样的方式，提升中国半导体的整体竞争和研发能力。在这个喧嚣的时代里，牛智川教授始终踏踏实实，创新探索。不被繁华迷惑，不被名利捆绑，心里，眼里，始终是中国的半导体，或许，正是这份坚定，这份执着，让他在这个领域硕果累累。这就是牛智川，这就是中国的半导体人。个人简介牛智川，中国科学院半导体所二级研究员，博导，中国科学院大学材料科学与光电技术学院量子光电子学首席教授。入选中科院“BR计划”，“国家杰出青年科学基金”、“新世纪百千万人才工程国家级人选（首批）”、“国务院政府特殊津贴”等。先后主持了国家863计划，国家973重大科学研究计划，国家重点基础研发计划等项目，在国际顶尖学术期刊发表了400多篇论文，曾获得北京市自然科学二等奖，中国电子学会自然科学一等奖，湖北省科技进步一等奖等。近年来积极推动引领新型锑化物半导体材料与红外光电器件成果转化，推动了相关制造与装备技术进步。

薄膜沉积是半导体制造工艺中的一个非常重要的技术，其是一连串涉及原子的吸附、吸附原子在表面扩散及在适当的位置下聚结，以渐渐形成薄膜并成长的过程。在一个新晶圆投资建设中，晶圆厂80%的投资用于购买设备。其中，薄膜沉积设备是晶圆制造的核心步骤之一，占据着约25%的比重。薄膜沉积工艺主要分为物理气相沉积和化学气相沉积两类。物理气相沉积(Physical Vapour Deposition，PVD)技术指在真空条件下，采用物理方法，将材料源——固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体（或等离子体）过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。物理气相沉积原理可大致分为蒸发镀膜、溅射镀膜和离子镀，具体又包含有MBE等各种镀膜技术。发展到目前，物理气相沉积技术不仅可沉积金属膜、合金膜、还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等。随着技术的发展，PVD技术也不断推陈出新，出现了很多针对某几种用途的专门技术，在此特为大家盘点介绍各种PVD技术。真空蒸发镀膜技术真空蒸发(Vacuum Evaporation) 镀膜是在真空条件下，用蒸发器加热蒸发物质，使之升华，蒸发粒子流直接射向基片，并在基片上沉积形成固态薄膜，或加热蒸发镀膜材料的真空镀膜方法。其物理过程为：采用几种能源方式转换成热能，加热镀料使之蒸发或升华，成为具有一定能量(0.1~0.3eV) 的气态粒子(原子、分子或原子团)；离开镀料表面，具有相当运动速度的气态粒子以基本上无碰撞的直线飞行输运到基体表面；到达基体表面的气态粒子凝聚形核生长成固相薄膜；组成薄膜的原子重组排列或产生化学键合。电子束蒸镀技术电子束蒸镀（Electron Beam Evaporation）是物理气相沉积的一种。与传统蒸镀方式不同，电子束蒸镀利用电磁场的配合可以精准地实现利用高能电子轰击坩埚内靶材，使之融化进而沉积在基片上。电子束蒸镀常用来制备Al、CO、Ni、Fe的合金或氧化物膜，SiO2、ZrO2膜，抗腐蚀和耐高温氧化膜。电子束蒸镀与利用电阻进行蒸镀最大的优势在于：可以为待蒸发的物质提供更高的热量，因此蒸镀的速率也更快；电子束定位准确，可以避免坩埚材料的蒸发和污染。但是由于蒸镀过程中需要持续水冷，对能量的利用率不高；而且由于高能电子可能带来的二次电子可能使残余的气体分子电离，也有可能带来污染。此外，大多数的化合物薄膜在被高能电子轰击时会发生分解，这影响了薄膜的成分和结构溅射镀膜技术溅射镀膜技术是用离子轰击靶材表面，把靶材的原子被击出的现象称为溅射。溅射产生的原子沉积在基体表面成膜称为溅射镀膜。通常是利用气体放电产生气体电离，其正离子在电场作用下高速轰击阴极靶体，击出阴极靶体原子或分子，飞向被镀基体表面沉积成薄膜。射频溅射技术射频溅射是溅射镀膜技术的一种。用交流电源代替直流电源就构成了交流溅射系统，由于常用的交流电源的频率在射频段，如13.56MHz，所以称为射频溅镀。在直流射频装置中，如果使用绝缘材料靶，轰击靶面的正离子会在靶面上累积，使其带正电，靶电位从而上升，使得电极间的电场逐渐变小，直至辉光放电熄灭和溅射停止。所以直流溅射装置不能用来溅射沉积绝缘介质薄膜。磁控溅射技术磁控溅射技术属于PVD（物理气相沉积）技术的一种，是制备薄膜材料的重要方法之一。它是利用带电荷的粒子在电场中加速后具有一定动能的特点，将离子引向被溅射的物质制成的靶电极（阴极），并将靶材原子溅射出来使其沿着一定的方向运动到衬底并在衬底上沉积成膜的方法。磁控溅射设备使得镀膜厚度及均匀性可控，且制备的薄膜致密性好、粘结力强及纯净度高。该技术已经成为制备各种功能薄膜的重要手段。离子镀膜技术离子镀是在真空蒸发镀和溅射镀膜的基础上发展起来的一种镀膜新技术，将各种气体放电方式引入到气相沉积领域，整个气相沉积过程都是在等离子体中进行，其中包括磁控溅射离子镀、反应离子镀、空心阴极放电离子镀（空心阴极蒸镀法）、多弧离子镀（阴极电弧离子镀）等。离子镀大大提高了膜层粒子能量，可以获得更优异性能的膜层，扩大了“薄膜”的应用领域。是一项发展迅速、受人青睐的新技术。广义来讲，离子镀膜的特点是：镀膜时，工件（基片）带负偏压，工件始终受高能离子的轰击。形成膜层的膜基结合力好、膜层的绕镀性好、膜层组织可控参数多、膜层粒子总体能量高，容易进行反应沉积，可以在较低温度下获得化合物膜层。多弧离子镀(MAIP)多弧离子镀是采用电弧放电的方法，在固体的阴极靶材上直接蒸发金属，蒸发物是从阴极弧光辉点放出的阴极物质的离子，从而在基材表面沉积成为薄膜的方法。多弧离子镀与一般的离子镀有着很大的区别。多弧离子镀采用的是弧光放电，而并不是传统离子镀的辉光放电进行沉积。简单的说，多弧离子镀的原理就是把阴极靶作为蒸发源，通过靶与阳极壳体之间的弧光放电，使靶材蒸发，从而在空间中形成等离子体，对基体进行沉积。分子束外延（MBE）分子束外延（MBE）是新发展起来的外延制膜方法，是一种在晶体基片上生长高质量的晶体薄膜的新技术。在超高真空条件下，由装有各种所需组分的炉子加热而产生的蒸气，经小孔准直后形成的分子束或原子束，直接喷射到适当温度的单晶基片上，同时控制分子束对衬底扫描，就可使分子或原子按晶体排列一层层地“长”在基片上形成薄膜。该技术的优点是：使用的衬底温度低，膜层生长速率慢，束流强度易于精确控制，膜层组分和掺杂浓度可随源的变化而迅速调整。用这种技术已能制备薄到几十个原子层的单晶薄膜，以及交替生长不同组分、不同掺杂的薄膜而形成的超薄层量子显微结构材料。分子束外延不仅可用来制备现有的大部分器件，而且也可以制备许多新器件，包括其它方法难以实现的，如借助原子尺度膜厚控制而制备的超晶格结构高电子迁移率晶体管和多量子阱型激光二极管等。我们在公车上看到的车站预告板，在体育场看到的超大显示屏，其发光元件就是由分子束外延制造的。脉冲激光沉积（PLD）脉冲激光沉积（Pulsed Laser Deposition，PLD），也被称为脉冲激光烧蚀（pulsed laser ablation，PLA），是一种利用激光对物体进行轰击，然后将轰击出来的物质沉淀在不同的衬底上，得到沉淀或者薄膜的一种手段。由脉冲激光沉积技术的原理、特点可知，它是一种极具发展潜力的薄膜制备技术。随着辅助设备和工艺的进一步优化，将在半导体薄膜、超晶格、超导、生物涂层等功能薄膜的制备方面发挥重要的作用；并能加快薄膜生长机理的研究和提高薄膜的应用水平，加速材料科学和凝聚态物理学的研究进程。同时也为新型薄膜的制备提供了一种行之有效的方法。激光分子束外延（L-MBE）激光分子束外延技术（L-MBE）是近年来发展起来的一项新型薄膜制备技术，是将分子束外延技术与脉冲激光沉积技术的有机结合，在分子束外延条件下激光蒸发镀膜的技术。L- MBE结合了PLD的高瞬时沉积速率（不需要考虑成分挥发时的热平衡问题等等）及MBE的实时检测功能，是一种改良的MBE方法。近年来，薄膜技术和薄膜材料的发展突飞猛进，成果显著，在原有基础上，相继出现了离子束增强沉积技术、电火花沉积技术、电子束物理气相沉积技术和多层喷射沉积技术等。目前，芯片制造过程中关键的PVD设备主要包括硬掩膜（Hard Mask ）PVD设备、铜互联（CuBS）PVD 以及铝衬垫（Al PAD）PVD，主要使用溅射镀膜技术。目前，主流物理气相沉积厂商包括，北方华创、合肥科晶、中科科仪、SPTS、ULVAC、Applied Materials、Optorun、那诺-马斯特、IHI Corporation、Lam Research、Semicore Equipment、Veeco Instruments、Oerlikon Balzers、Mustang Vacuum Systems、Singulus Technologies、KurtJ.Lesker、博远微纳、汇成真空、佛欣真空、北京丹普、九鼎精密、意力博通、CHA Industries、Angstrom Engineering、Denton Vacuum、Mantis、沈阳科学仪器有限公司等。更多仪器请查看以下专场【物理气相沉积】、【激光脉冲沉积】、【分子束外延】。

超导技术被誉为21世纪最具有经济战略意义的新兴技术之一，超导体所具备的“零电阻”和“完全抗磁”这两大神奇特性，为人们带来了巨大想象空间。例如利用超导体电阻为零的特性来进行电力输送，可以大大减少线路损耗，实现超远距离的大容量电力输送；利用它完全的磁抗性可以制造磁悬浮列车、电磁弹射装置等。“超导最近在媒体出现的频率比较高。比如时下热门的量子计算，涉及到超导量子比特；被称为‘人造太阳’的全超导托卡马克核聚变实验装置，也应用了超导磁体。”中国高温超导研究奠基人之一、国家最高科学技术奖得主赵忠贤院士介绍道，超导距离实际生活最近的应用，则是医院常见的核磁共振成像中的超导磁体。超导薄膜技术是超导技术发展的重要方向之一。日前，由赵忠贤院士倡导建立并担任顾问的研究团队，面对国外禁运，通过技术集成创新，成功研制出基于国产部件的“三光束脉冲激光共沉积镀膜系统”，并制备出大尺寸双面钇钡铜氧（YBCO）超导单晶薄膜，为我国制备高品质、应用型超导薄膜产品技术带来新突破。关键设备买不来，怎么办？在东莞松山湖科学城松山湖材料实验室“实用超导薄膜研究团队”的一间实验室内，一组银白色装置占据了房间一角，三台激光器宛如手术台上的三支机械臂，将一个带有观测窗的球形操作台围在中间，绿色和紫色的光束不时闪烁。这个装置就是该团队近期研发成功的“三光束脉冲激光共沉积镀膜系统”。该设备基于国产部件实现技术集成创新，包括采用国产小型固态脉冲激光器实现多光束共沉积、激光器与光路系统模块化整体位移、自主研发控制软件实现操作智能化等。利用这台设备，该团队还成功制备出2英寸双面YBCO超导单晶薄膜，将脉冲激光沉积技术制备高品质应用型薄膜产品，推向了一个新的高度。该团队负责人金魁研究员表示，大尺寸双面钇钡铜氧（YBCO）单晶薄膜，是设计高温超导薄膜器件的良好载体，而高温超导薄膜器件则是开发未来通信技术和超高性能雷达探测器的重要部件，具有十分重要的应用前景。然而，能够制备该类薄膜的先进设备，此前被德日美等少数国家掌握，一直以来对我国封锁核心技术，并且大尺寸薄膜制备设备近期也已对我国禁运，导致我国高品质应用型“薄膜”和“镀膜设备”核心技术受制于人。金魁坦言，按照最初构想，是希望直接从国外购买一套先进的大尺寸镀膜设备，之后按团队的需求改造，然而却未能如愿。“买小尺寸薄膜制备设备回来，做出的样品主要是用于基础研究，找规律、写论文，国外公司同意卖给我们；但要买能投入实用的大尺寸薄膜制备设备，他们就拒绝了。”金魁表示，另一方面，国外的设备只能实现单面薄膜的制备，无法满足团队需求。关键设备买不来，怎么办？在赵忠贤院士的鼓励和指导下，团队最终下定决心走上了自研之路。令他们感到高兴的是，团队产出成果的进度超过了预期。在国外禁运的情况下，团队仅用一年多时间就取得了成功。“积小胜为大胜”“我们用激光去打真空腔里面的靶材，由于瞬时高温，靶材表面的成分会变成等离子体向外喷射，之后接触高温衬底，外延沉积完成镀膜，过程就像是烙饼一样。”该设备主要的设计和搭建者冯中沛博士是团队里的一名年轻人，设备成功运转，让他格外兴奋。过去一年多，冯中沛和同事们几乎每天都围着这台设备转。在工作室紧邻该装置的墙边有一面白板，上面写满了与装置搭建相关的事项。一年时间里，大到整个装置的设计装配，小到一根螺丝钉的定制，整个团队“挂图作战”，环环推进，最终才获得了成功。“这台设备的功能可以扩展，也可以为超导以外的材料进行镀膜。就像买了一口锅，一开始只用来炒菜，后面还可以用来蒸煮。”冯中沛介绍道。令整个团队感慨的是，直到他们研制出成本更低、性能更优的设备时，从日本采购的小尺寸镀膜设备甚至因为疫情，还没有厂家工程师前来拆箱。“这件事虽然谈不上伟大，但是它给了我们很大信心。遇到‘卡脖子’难题，逼着自己进行自主研制和创新，最终把一条新的技术路线走通了。”赵忠贤表示，假如全国几十万、上百万的科研团队，能有十分之一像这样专注去做一件事，我们跟国外的科技竞争就能握有更大的主动权。“积小胜为大胜，变成大胜就有了长板，有了竞争优势，国外还怎么卡我们脖子？”他说道。除了团队自身的努力和经验积累，赵忠贤还特别提到，松山湖科学城给予的宽松科研环境与合理的评价体系，为这一成果取得提供了重要土壤。在他看来，松山湖材料实验室一方面注重研究实效，不以论文论英雄，让科研人员集中精力搞攻关；另一方面，充分信任科学家，原本购置设备的钱可以灵活用于自主研发，“允许用打酱油的钱去买醋”，赋予科学家自主权。推动超导技术成果转化能否制备出大尺寸、高质量的超导薄膜，关系诸多关键产业的发展前景。以超导薄膜为基础的数字电路，相比半导体材料做的数字电路速度更快、损耗更小、容量更大；用超导薄膜制成的超导量子干涉器，可以探测比人脑磁场弱几千倍的磁场，用收集来的磁信号进行分析，能够确定矿源、预报地震等。而超导薄膜制成的天线、谐振器、滤波器等微波通讯器件，具有常规材料（如金、银等）无法比拟的高灵敏度。此外超导薄膜在大型粒子加速器中也有着广泛的应用。粗略估计，国内外计划建设的各类加速器项目，对超导薄膜谐振腔的需求量将超过10000个。面对这一趋势，与超导基础研究打了大半辈子交道的学界泰斗，开始将工作重心放在推动超导技术成果转化与实际应用上来。2017年底，广东启动首批四家省实验室建设，赵忠贤接受邀请，出任松山湖材料实验室学术委员会主任一职，从北京来到了东莞松山湖。在他倡议和亲自指导推动下，“实用超导薄膜研究团队”在松山湖材料实验室迅速建立起来。除赵忠贤院士作为团队顾问之外，担任团队负责人的金魁研究员，也是一位高水平超导研究专家，他在高温超导体机理研究、超导薄膜制备、新超导体探索等方面都有诸多重要成果，先后在《自然》杂志等主流刊物发表重要论文80余篇。此外，多位具备国家重点实验室工作背景的超导薄膜和低温技术专家也先后加入，组成了国内一流的班底阵容。“我们选定的题目是‘实用超导薄膜及相关技术研究’，这个不像‘量子’或者‘智能’之类的名字时髦，但并不意味着研究的内容不重要。”赵忠贤说，希望以应用为目标来做一个中长期项目，解决超导应用过程中一系列关键核心技术难题，推动实现跨越性的进步，带来应用上的质变。谈及今后的打算，年届八旬的赵忠贤心心念念的，仍然是超导。“一是找到超导应用存在的短板，想办法推动一些项目、组织一批队伍来把超导领域的这些问题全部扫光；二是在超导应用的某些方面，希望看到我们比别人强，有自己的‘绝活’。”

近日，据华矽盖泽半导体科技（上海）有限公司（以下简称“盖泽半导体”）消息，其自主研发生产的SiC外延膜厚测量设备GS-M06Y已正式交付客户。消息显示，GS-M06Y将应用于半导体前道量测，主要针对硅外延/碳化硅外延层厚度进行测量。GS-M06Y设备采用了盖泽半导体自主研发的高精算法、Load Port、控制软件以及FTIR光路系统。据悉，该公司自主研发的FTIR光路系统，可快速检测晶圆厚度，实现了扫描速度快、分辨率高、灵敏度高等需求。值得一提的是，此次出货的设备与以往不同，此台设备运用盖泽半导体最新研发的碳化硅外延检测技术，可对碳化硅外延精准测量，是继盖泽半导体9月硅外延检测设备出货后，公司的又一里程碑。盖泽半导体不仅突破了SiC外延检测技术，还可实现一代半导体（硅外延6英寸&8英寸&12英寸）、二代半导体（砷化镓、磷化铟衬底外延4英寸&6英寸&8英寸）、三代半导体（碳化硅外延4英寸&6英寸&8英寸、氮化镓外延）、SOI片顶层硅6英寸&8英寸&12英寸，以及锗硅外延制程工艺中不同的外延层厚度测量。

近日，晶盛机电在接受机构调研时表示，公司8-12英寸大硅片设备（长晶、切片、抛光以及CVD设备等）基本实现国产化并批量交付；功率半导体设备的外延设备及高温炉管等设备也已批量交付，特别是碳化硅外延设备，出货量已经做到了国内前列；在先进制程领域，公司在12英寸减薄及外延（常压外延、减压外延）等设备进行布局。此外，还有半导体材料，零部件，辅材耗材等相关的研发与布局。据介绍，晶盛机电半导体设备业务主要聚焦于三个领域：第一、大硅片，即8-12英寸大硅片；第二、特色工艺，即功率半导体设备；第三，先进制程，即晶圆端相关设备。随着光伏行业和半导体行业快速发展，硅片厂商加速推进产能扩充，石英坩埚作为硅片生产环节的核心耗材，市场需求快速增长，晶盛机电紧抓行业发展机遇，积极推进石英坩埚业务的发展进度,加速宁夏坩埚生产基地的建设和投产，随着扩产产能的逐步释放，公司石英坩埚业务取得快速增长。2023年度，晶盛机电将在继续强化装备领域核心竞争力的同时，积极推动新材料业务快速发展，希望年度能够实现新签电池设备及组件设备订单超30亿元（含税），材料业务销售突破50亿元（含税），全年整体营业收入同比增长60%以上。

盖泽华矽半导体科技（上海）有限公司（以下简称：盖泽半导体）继向多家客户批量交付8、6寸（硅/碳化硅）外延膜厚量测设备后，年初又与国内知名头部晶圆生产企业签订12寸Online外延膜厚量测设备订单。近日，盖泽半导体宣布，由公司自主开发的，12寸量测设备GS-A12X即将交付。该设备为国内首台12寸Online外延膜厚量测设备，可精确测量多种晶圆材料外延膜厚，并可确保测量的精准性、安全性。晶圆制备包含了衬底制备和外延工艺两大环节，外延是指在单晶衬底上生长一层新单晶的过程。外延工艺可能受到各种条件因素影响出现厚度不均的情况，如衬底温度、反应腔气压、反应生长物及晶圆片表面清洗过程等。如果外延厚度不均位于晶圆片表面制作晶体管器件的有源区域，将导致器件失效。所以晶圆在通过外延工艺制备后，使用膜厚测量设备对外延的厚度均匀性进行测量尤为重要。GS-A12X使用了行走轴双臂洁净机械手，同时测量单元使用全新设计的Stage平台，可选择吸附或者夹持方式，更大程度上兼容客户应用场景，双臂机械手和Stage的配合，使得GS-A12X测量效率提高至少30%；气浮平台的设计应用减少了震动对于测量的影响，使得测量数据更加稳定；GS-A12X设备整体使用模块化设计，减少了开发周期，提高了装配效率，缩短了设备的维护时间，定制化设计让GS-A12X更懂客户。该设备基于FTIR红外光谱技术，可以在线监测晶圆外延制造过程中的实时数据，并提供高精度的测试结果。其主要特点包括以下方面：高效快速：采用快速扫描技术，能够在短时间内获得高精度的测试数据，提高生产效率；非侵入式检测：采用红外光谱技术，不会对晶圆造成任何损伤和影响，保证测试数据真实可靠；可靠性高：采用优质材料和先进技术，保证设备稳定性和可靠性；数据分析：设备自带数据分析软件，可以实现数据可视化，帮助用户更好地理解晶圆的性能和特性；定制化功能开发：针对客户应用的痛点定制开发，让系统更懂客户。Online在线技术本次交付的设备增加了Online在线技术。该设备遵循SEMI标准协议，可无缝连接客户OHT/MES等系统。同时，设备实现检测自动化控制，具备智能化控制和自动化运行功能，降低人力成本，提高生产效率。大尺寸晶圆检测技术相比6、8寸晶圆量测设备，12寸晶圆量测设备在自动化、通讯、算法等多个方面都需要更高的技术支持，全新推出的GS-A12X设备打破专业壁垒，使用更先进的检测技术，满足晶圆厂对12寸大尺寸晶圆的检测需求，帮助晶圆厂降本增效。近年来，国家层面始终坚定地强调集成电路产业的重要性和产业链自主可控的必要性，并从政策和市场两方面推动行业发展，半导体产业本土化已成为趋势。盖泽半导体专注于半导体前道量测设备的研发及应用，赋能中国半导体行业智能制造。

上海屹持光电技术有限公司与德国Batop Gmbh正式达成代理协议 上海屹持光电技术有限公司于近期正式与BATOP GmbH达成代理协议, 屹持光电将负责BATOP全线产品在中国地区的销售、技术支持及安装培训等服务。鉴于屹持光电在太赫兹时域光谱系统TDS方面的丰富经验，我们将荣幸后续为BATOP太赫兹TDS用户提供全面服务。上海屹持光电技术有限公司是一家专业从事太赫兹、超快激光、传统激光等领域相关产品的研发、引进、销售、方案设计、组装集成、技术服务的现代高科技企业。我们的团队成员都具有专业光电背景和长期从业经验，我们利用自身的专业优势将最前沿的科研设备及服务提供给用户。从单个产品到整体解决方案，从商务服务到技术支持，均获得了广大用户的肯定和信赖。 BATOP GmbH成立于2003年，是一家隶属于德国耶拿大学的私人创新型公司。BATOP从事的专业领域包括：低温分子束外延技术，介质溅射镀膜，晶圆加工和芯片安装技术。在过去几年里， BATOP 已成为一个用于被动锁模激光器的可饱和吸收体的全球性的供应商。可饱和吸收产品集合了各式各样的不同的器件，从可饱和吸收镜(SAM™ )，到可饱和输出镜(SOC)和用于透过应用的可饱和吸收体(SA)。迄今为止，可饱和吸收产品已经覆盖了800nm到3μm的常用激光波长范围。另一个产品系列是用于太赫兹发射和探测的太赫兹光电导天线(PCA)。BATOP不仅提供单带隙天线，还包括整合了微透镜的高能大狭缝交叉天线阵列和整套的太赫兹光谱仪。 太赫兹光电导天线的激发波长为800nm到1550nm之间。BATOP借助强大的研发能力来不断提高自己的产品， 我们始终和客户在一起，最好的满足他们的需求。 上海屹持光电技术有限公司地址：上海市闵行区元江路3599号福克斯创新园3号楼302电话：021-62209657 021-54843093 传真：021-54843093邮箱：sales@eachwave.com 网站：www.eachwave.com

2020年12月29日，华为数字能源产品线产业暨技术论坛在深圳成功召开，其中在30日的车载电源分论坛 “聚力高压化发展，共擎电动化未来”，吸引了新能源汽车行业上百位技术专家、企业代表、生态伙伴的参与。论坛上来自于行业组织、桩企头部企业、车企等代表就高压快充的发展趋势和未来机遇进行了较为深入的探讨。会议上，华为车载电源产品线总裁王超介绍了中国新能源汽车的超级快充趋势，并表示，预计2024年左右，基于1200V和1700V碳化硅器件的成熟，会帮助产业在7.5分钟快充体验上实现质的飞跃。碳化硅为第三代半导体的主要代表之一，拥有禁带宽度大、器件极限工作温度高、临界击穿电场强度大、热导率等显著的性能优势，在电动汽车、电源、军工、航天等领域备受欢迎，为众多产业发展打开了全新的应用可能性，被行业寄予厚望。那么，碳化硅究竟是何方神圣呢？性质优良的碳化硅材料碳化硅（SiC）又叫金刚砂，密度是3.2g/cm 3 ，天然碳化硅非常罕见，主要通过人工合成。按晶体结构的不同分类，碳化硅可分为两大类：αSiC和βSiC。在热力学方面，碳化硅硬度在20℃时高达莫氏9.2-9.3，是最硬的物质之一，可以用于切割红宝石；导热率超过金属铜，是Si的3倍、GaAs的8-10倍，且其热稳定性高，在常压下不可能被熔化；在电化学方面，碳化硅具有宽禁带、耐击穿的特点，其禁带宽度是Si的3倍，击穿电场为Si的10倍；且其耐腐蚀性极强，在常温下可以免疫目前已知的所有腐蚀剂。随着碳化硅单晶生长和加工技术的进步，碳化硅单晶抛光片产量在快速增长。碳化硅（SiC）作为发展最为成熟的第三代半导体，是半导体界公认的“一种未来的材料”，是发展第三代半导体产业的关键基础材料。预计在今后 5～10 年将会快速发展和有显著成果出现。碳化硅具有宽禁带、高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及高抗辐射性能的优点，可以突破硅作为基片的半导体器件性能和能力极限，是电力电子及微波射频器件的“CPU”、绿色经济的“核芯”，在新一代移动通信 、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域有广阔的应用前景。碳化硅制备产业链宽禁带半导体晶片和器件的制备基本工艺流程同硅基半导体基本一致，大致可分为以下几个阶段：晶体生长、晶片加工、器件制备（包括有源层制备、欧姆接触、钝化层沉积等工艺段）、器件封装等。具体的碳化硅功率器件生产过程如下，1.碳化硅高纯粉料合成碳化硅高纯粉料是采用PVT法生长碳化硅单晶的原料，其产品纯度直接影响碳化硅单晶的生长质量以及电学性能。碳化硅粉料有多种合成方式，主要有固相法、液相法和气相法3种。其中，固相法包括碳热还原法、自蔓延高温合成法和机械粉碎法；液相法包括溶胶-凝胶法和聚合物热分解法；气相法包括化学气相沉积法、等离子体法和激光诱导法等。2.单晶衬底制备单晶衬底是半导体的支撑材料、导电材料和外延生长基片。生产碳化硅单晶衬底的关键步骤是单晶的生长，也是碳化硅半导体材料应用的主要技术难点，是产业链中技术密集型和资金密集型的环节。目前，SiC单晶生长方法有物理气相传输法（PVT法）、液相法（LPE法）、高温化学气相沉积法（HTCVD法）等。3.外延片生长碳化硅外延片，是指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶薄膜（外延层）的碳化硅片。实际应用中，宽禁带半导体器件几乎都做在外延层上，碳化硅晶片本身只作为衬底，包括GaN外延层的衬底。目前，碳化硅单晶衬底上的SiC薄膜制备主要有化学气相淀积法（CVD）、液相法（LPE）、升华法、溅射法、MBE法等多种方法。4.功率器件制造采用碳化硅材料制造的宽禁带功率器件，具有耐高温、高频、高效的特性。按照器件工作形式，SiC功率器件主要包括功率二极管和功率开关管。SiC功率器件与硅基功率器件一样，均采用微电子工艺加工而成。碳化硅产业链设备半导体制造离不开半导体设备，碳化硅产业链更是如此，其涉及的设备种类繁多。碳化硅的很多工艺段设备可以与硅基半导体工艺兼容，但由于宽禁带半导体材料熔点较高、硬度较大、热导率较高、键能较强的特殊性质，使得部分工艺段需要使用专用设备、部分需要在硅设备基础上加以改进。相关工艺及半导体制造设备如下，环节设备晶体生长碳化硅粉料合成设备碳化硅单晶生长炉晶体加工碳化硅多线切割机碳化硅研磨机碳化硅抛光机器件制备碳化硅外延炉分步投影光刻机涂胶显影机高温退火炉高温离子注入机溅射设备干法刻蚀机PECVDMOCVD高温氧化炉激光退火设备器件封装背面减薄机划片机国内碳化硅产业链企业目前整个碳化硅产业尚未进入成熟期，但国际厂商已实现多个环节规模量产技术瓶颈的突破，并已摩拳擦掌、即将掀起一场大战，而国内碳化硅产业仍处于起步阶段，与国际水平仍存在差距。不过，近年来国内已初步建立起相对完整的碳化硅产业链体系，IDM厂商中车时代电气、世纪金光、泰科天润、扬杰电子等，单晶衬底企业山东天岳、天科合达、同光晶体等，外延片企业天域半导体、瀚天天成等，部分厂商已取得阶段性进展。单晶衬底方面，目前国内可实现4英寸衬底的商业化生产，山东天岳、天科合达、同光晶体均已完成6英寸衬底的研发，中电科装备研制出6英寸半绝缘衬底。外延片方面，国内瀚天天成和天域半导体均可供应4-6英寸外延片，中电科13所、55所亦均有内部供应的外延片生产部门。器件方面，国内600-3300 V SiC SBD已开始批量应用，有企业研发出1200V/50A SiC MOSFET；泰科天润已建成国内第一条碳化硅器件生产线，SBD产品覆盖600V-3300V的电压范围；中车时代电气的6英寸碳化硅生产线也于今年1月首批芯片试制成功。模块方面，国内已开发出1200V/50-400A全SiC功率模块、600-1200V/100-600A混合SiC功率模块；今年9月18日，厦门芯光润泽国内首条碳化硅 IPM产线正式投产。碳化硅功率器件应用领域碳化硅功率器件不仅能够在直流、交流输电，不间断电源，工业电机等传统工业领域广泛应用，而且在新能源汽车、太阳能光伏、风力发电等领域具有广阔的潜在市场。碳化硅功率器件应用领域可以按电压划分：低压应用（600 V至1.2kV）：高端消费领域（如游戏控制台、等离子和液晶电视等）、商业应用领域（如笔记本电脑、固态照明、智能手机、电子镇流器等）以及其他领域（如医疗、电信、国防等）中压应用（1.2kV至1.7kV）：电动汽车/混合电动汽车（EV/HEV）、太阳能光伏逆变器、不间断电源（UPS）以及工业电机驱动（交流驱动AC Drive）等。高压应用（2.5kV、3.3kV、4.5kV和6.5kV以上）：风力发电、机车牵引、高压/特高压输变电等。由于能源和环境问题日益凸显，节能环保和低碳发展逐渐成为全球共识。降低能耗、提高能源使用效率是当今世界各国节能减排的重大举措。以碳化硅为代表的宽禁带半导体材料及功率器件被公认将成为电子电力应用的一次革命，受到世界各国政府与产业界的广泛关注和高度重视，将成为增长潜力巨大的战略性产业。碳化硅的检测碳化硅功率器件的生产离不开检测，只有通过对各个生产环节的检测才能不断提高良率和工艺水平。碳化硅的检测主要包括衬底检测、外延片检测、器件工艺、点穴参数、可靠性分析和失效分析。检测环节检测项目衬底检测抛光片几何尺寸、平整度、缺陷、位错、粗糙度、电阻率、金属沾污、有机污染物、显微结构观察、透射电镜、SIMS杂质成分分析外延片检测外延层厚度、成分、杂质、表面缺陷、位错、电阻率、金属沾污、SRP工艺等器件工艺Stepper曝光、掩模版制备、高能离子注入、氢离子注入、ICP干法刻蚀、A及Ti金属镀膜、介质膜钝化及刻蚀、激光退火、高温退火、SiC背面减薄、激光打标、晶圆测试电学参数静态、动态、反向、热阻、雪崩参数、 Data Sheet测试可靠性分析高温贮存、高温反偏、高温栅偏、机械振动、冲击、气密性试验、三综合试验箱等相关试验等失效分析样品制备、X-Ray、热点分析、IV- Curve、EMMI＆ OBRICH、FIB、红外热像、SAM等碳化硅相关标准无规矩不成方圆，只有有了规矩，有了标准，这个世界才变得稳定有序！标准是科学、技术和实践经验的总结。为在一定的范围内获得最佳秩序，对实际的或潜在的问题制定共同的和重复使用的规则的活动，即制定、发布及实施标准的过程，称为标准化。为规范碳化硅半导体材料的发展，相关组织和机构也出台了一系列的标准。（以下碳化硅标准只统计其作为半导体材料的现行相关标准）合计35项标准，其中国标7项，地方标准2项，联盟标准20项和行业标准6项。标准号标准名称T/IAWBS 008-2019SiC晶片的残余应力检测方法T/IAWBS 009-2019功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验T/IAWBS 010-2019碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法T/IAWBS 011-2019导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法T/IAWBS 012-2019碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法——共焦点微分干涉光学法T/IAWBS 013-2019半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法T/IAWBS 001—2017碳化硅单晶T/IAWBS 002—2017碳化硅外延片表面缺陷测试方法T/IAWBS 003—2017碳化硅外延层载流子浓度测定_汞探针电容-电压法T/IAWBS 004—2017电动汽车用功率半导体模块可靠性试验通用要求及试验方法T/IAWBS 005—20186 英寸碳化硅单晶抛光片T/IAWBS 006—2018碳化硅混合模块测试方法T/IAWBS 007—20184H 碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法T/CASA001-2018碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范T/CASA003-2018p-IGBT器件用4H-SiC外延晶片T/CASA004.1-20184H-SiC衬底及外延层缺陷 术语T/CASA004.2-20184H-SiC衬底及外延层缺陷 图谱T/CASA009-2019半绝缘SiC材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法T/CASA006-2020碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范T/CASA007-2020电动汽车用碳化硅（SiC）场效应晶体管（MOSFET）模块评测规范SJ/T 11499-2015碳化硅单晶电学性能的测试方法SJ/T 11500-2015碳化硅单晶晶向的测试方法SJ/T 11504-2015碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法SJ/T 11502-2015碳化硅单晶抛光片规范SJ/T 11501-2015碳化硅单晶晶型的测试方法SJ/T 11503-2015碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法DB13/T 5118-20194H 碳化硅 N 型同质外 延片通用技术要求DB61/T 1250-2019SiC（碳化硅）材料半导体分立器件通用规范GB/T 32278-2015碳化硅单晶片平整度测试方法GB/T 31351-2014碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法GB/T 30656-2014碳化硅单晶抛光片GB/T 30866-2014碳化硅单晶片直径测试方法GB/T 30867-2014碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法GB/T 30868-2014碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法GB/T 10195.1-1997电子设备用压敏电阻器 第2部分:空白详细规范 碳化硅浪涌抑制型压敏电阻器 评定水平E值得注意的是，目前新的《碳化硅单晶抛光片》国家标准正在征求意见，以替代GB/T 30656-2014标准，届时将有一批新的标准出台。国内碳化硅研究现状国内碳化硅半导体材料与国外企业的技术水平相差较大，但与前两代半导体技术不同，国内不少专家认为我国有望在以碳化硅为代表的第三代半导体领域实现弯道超车。《中国制造2025》和“十三五规划”也明确将碳化硅行业定位为重点支持行业。国家电网、中国中车、比亚迪、华为等国内企业也在加大针对碳化硅在智能电网、轨道交通、电动汽车、手机通信芯片等领域应用的投资。国内SiC单晶的研究始发于2000年，主要研究单位有中科院物理研究所、山东大学、中科院上海硅酸盐研究所、中电集团46所等。以相关的技术为基础，能批量生产单晶衬底的公司包括北京天科合达、山东天岳、河北同光等。目前，国内已经生产出6英寸SiC单晶，微管密度和国际产品相当，一定程度上可满足国内半导体器件制备的需求，但我国SiC单晶衬底质量与国际先进水平相比还存在巨大差距。SiC外延材料研发工作开始于“九五计划”，材料生长技术及器件研究均取得较大进展。主要研究单位有中科院半导体研究所、中电集团13所和55所、西安电子科技大学等，产业化公司主要是东莞天域和厦门瀚天天成。目前我国已研制成功6英寸SiC外延晶片，且基本实现商业化。可以满足3.3kV及以下电压等级SiC电力电子器件的研制。不过，还不能满足研制10kV及以上电压等级器件和研制双极型器件的需求。国内近年来西安理工大学、西安电子科技大学微电子所、中科院半导体所、上海硅酸盐所等单位一直坚持不懈进行碳化硅材料及其器件的研究，但从市场上市产品来看，多数为SiC肖特基二极管、其参数大致范围为：击穿电压为600V、1200V、1700V等级别。学术论文一定程度上可以反映出各高校的研究方向和研究水平，以中国知网的相关论文为参考，可以间接反映出国内碳化硅的研发情况。分别以主题为【碳化硅AND功率器件】、【碳化硅AND半导体】以及【碳化硅AND半导体】进行检索，结果如下，知网检索：主题=碳化硅AND主题=功率器件知网检索：主题=碳化硅AND主题=功率半导体知网检索主题=碳化硅AND主题=半导体从结果来看，西安电子科技大学、电子科技大学和浙江大学遥遥领先，在碳化硅研究领域，成果较多。SiC目前存在的问题尽管碳化硅功率器件应用前景广阔，但是目前受限于价格过高等因素，迄今为止，市场规模并不大，应用范围并不广，主要集中于光伏、电源等领域。在碳化硅单晶材料领域，存在大尺寸碳化硅单晶衬底制备技术仍不成熟；缺乏更高效的碳化硅单晶衬底加工技术；P型衬底技术的研发较为滞后等问题。在碳化硅外延材料领域，还有N型碳化硅外延生长技术有待进一步提高、P型碳化硅外延技术仍不成熟等问题亟待解决。在碳化硅器件应用领域，存在驱动技术尚不成熟；保护技术尚不完善；电路应用开关模型尚不能全面反映碳化硅功率器件的开关特性，尚不能对碳化硅器件的电路拓扑仿真设计提供准确的指导；电磁兼容问题尚未完全解决；电路拓扑尚不够优化等问题。在碳化硅功率模块领域，存在采用多芯片并联的碳化硅功率模块产生较严重的电磁干扰和额外损耗；在焊接、引线、基板、散热等方面的创新不足，功率模块杂散参数较大，可靠性不高；碳化硅功率高温封装技术发展滞后等问题。整体而言，碳化硅作为半导体材料的研发和应用尚处于发展状态，还有许多不足之处。SiC的可能替代材料虽然碳化硅受到的关注度越来越高，在未来的大功率、高温、高压应用场合将发挥传统的硅器件无法实现的作用，但却并不是终点。以金刚石、氧化镓、氮化铝、氮化硼等为代表的超宽禁带半导体材料（禁带宽度＞4.5 e V）的研究和应用，近年来不断获得技术的突破，未来有望打造具有更优异性能的功率器件，取代目前碳化硅的地位。氧化镓（Ga2O3）是一种新兴的功率半导体材料，其禁带宽度（4.9eV）大于碳化硅（约3.4eV），在高功率应用领域的应用优势愈加明显。尽管Ga2O3半导体材料具有良好的射频性能以及高功率等许多优势，但同时还具有很多需要克服的障碍。Ga2O3的导热率很低，这在高功率密度应用中尤为凸显。Ga2O3存在的另一个缺点就是缺乏p型掺杂机制，从理论上看，这可能会是一个影响其应用的根本问题。金刚石具有高硬度、超宽带隙、出色的载流子迁移率和优异的导热性能，是实现“后摩尔”时代电子、光电子和量子芯片的基础性材料之一，已是业界公认的“终极”半导体材料。具有如此多优良性能的半导体材料目前正成为国际竞争的新热点。近日，哈尔滨工业大学与香港城市大学、麻省理工学院等单位合作，在金刚石单晶领域取得重大科研突破，首次通过纳米力学新方法，通过超大均匀的弹性应变调控，从根本上改变金刚石的能带结构，为实现下一代金刚石基微电子芯片提供了一种全新的方法。

近日，一种“基于步进扫描的光调制反射光谱方法及装置”近日获得国家知识产权局专利授权。该专利由中科院上海技术物理研究所邵军、陆卫等科研人员发明。该装置包括傅立叶变换红外光谱测量系统、作为泵浦光源的激光器、以及联结傅立叶变换红外光谱仪中探测器与电路控制板的锁相放大器和低通滤波器，置于样品与激光器之间光路上的斩波器，从而使连续泵浦激光变为调制激光，并馈入锁相放大器的输入参考端来控制锁相。该方法使用上述装置进行光调制反射光谱测量，包括消除泵浦光的漫反射信号以及泵浦光产生的光致发光信号的干扰；消除傅立叶频率和增强中、远红外波段微弱光信号的探测能力三个功能。经过对分子束外延生长GaNxAs1-x/GaAs 单量子阱样品和Ga1-xInxP/AlGaInP多量子阱材料的光调制反射光谱实际测试。表明本发明显著提高探测灵敏度和光谱信噪比，并具有快速、便捷的优点，特别适用于中、远红外光电材料微弱光特性的检测。

table border="1" cellspacing="0" cellpadding="0" width="600"tbodytrtd width="123"p style="line-height: 1.75em "成果名称/p/tdtd width="525" colspan="3"p style="line-height: 1.75em "高速外延片PL谱扫描成像仪/p/td/trtrtd width="123"p style="line-height: 1.75em "单位名称/p/tdtd width="525" colspan="3"p style="line-height: 1.75em "北京中拓机械集团有限责任公司/p/td/trtrtd width="123"p style="line-height: 1.75em "联系人/p/tdtd width="177"p style="line-height: 1.75em "徐杰/p/tdtd width="161"p style="line-height: 1.75em "联系邮箱/p/tdtd width="187"p style="line-height: 1.75em "ct_kfjx@126.com/p/td/trtrtd width="123"p style="line-height: 1.75em "成果成熟度/p/tdtd width="525" colspan="3"p style="line-height: 1.75em "□正在研发 √已有样机 □通过小试 □通过中试 □可以量产/p/td/trtrtd width="123"p style="line-height: 1.75em "合作方式/p/tdtd width="525" colspan="3"p style="line-height: 1.75em "□技术转让 □技术入股 □合作开发 √其他/p/td/trtrtd width="648" colspan="4"p style="line-height: 1.75em "strong成果简介： /strong /pp style="text-align:center"img src="http://img1.17img.cn/17img/images/201603/insimg/599fc25d-25b2-407e-9598-71f126d093d8.jpg" title="高速外延片PL谱扫描成像仪- 北京中拓.jpg" width="350" height="280" border="0" hspace="0" vspace="0" style="width: 350px height: 280px "//pp style="line-height: 1.75em " 高速外延片PL谱扫描成像仪利用线激光器激发荧光光谱，利用光谱仪及面阵EMCCD对线荧光采集和光谱分析。这种荧光光谱采集方式较传统点扫描方式，采集速度快，可在短时间内获得高密度点的光谱信息，即1分钟内实现4万点的扫描采集,采集速度提高20倍，波长测量重复精度优于± 0.5nm，光强度稳定性优于± 0.75%。/p/td/trtrtd width="648" colspan="4"p style="line-height: 1.75em "strong应用前景： /strongbr/ 该设备主要用于LED半导体晶片的荧光光谱检测及太阳能晶片的检测，其中LED半导体晶片荧光光谱检测的市场年需求量约50台，市场销售额约为4000万元人民币，针对太阳能晶片荧光光谱测量领域，目前己有设备只能测得荧光光谱强度，并不能获得荧光光谱谱线形状，及光谱波长等细信息，该设备可快速获得太阳能晶片的荧光光强及光谱信息，具有独特的技术优势，预计太阳能晶片的市场年需求量约在20台左右，市场销售额约为2000万元人民币。/p/td/trtrtd width="648" colspan="4"p style="line-height: 1.75em "strong知识产权及项目获奖情况： /strongbr/ 该产品获得3项发明专利：半导体晶片的高速荧光光谱检测装置、半导体晶片的托起装置、半导体晶片的检测装置。 br/ 该项目获得北京市科委“2014年首都科技条件平台科学仪器开发培育项目”的专项资金资助。/p/td/tr/tbody/tablepbr//p

近日，中科院长春应化所发布该所2016年第一批科研仪器采购资格预审公告。　　公告显示，该所2016年第一批科研仪器项目拟采购电喷雾质谱分析仪、300MHz液体核磁共振分析仪、能量过滤低温透射电子显微镜、智能转靶X射线衍射仪等38套科研仪器。序号 设备名称 采购数量 1原子分辨率双球差透射电子显微镜12智能转靶X射线衍射仪13微焦斑单晶衍射仪14等离子体辅助原子层沉积设备15微下拉稀土晶体光纤生长设备16双光子激光共聚焦成像系统（含近红外激发波段）17脉冲激光分子束外延沉积设备18X-波段台式连续波EPR波谱仪19等离子喷涂设备110锂空气电池多通道在线测控分析系统111全自动催化剂表征装置112多通道固定床高通量催化剂113化学机械抛光试验机114飞秒激光器115磁性测量系统He3低温组件116大型空气敏感稀土材料与器件研发平台117能量过滤低温透射电子显微镜118台式荧光扫描电镜一体机119制备高温凝胶渗透色谱仪120可见近红外稳态/瞬态光谱分析仪121开尔文探针表面光电压谱仪122多维全景流式细胞分析仪123全自动核酸分离纯化加样仪（全自动核酸分离纯化系统）124附加电化学成像的活细胞快速激光聚焦成像系统125自动微生物鉴定及表型分析系统126智能自动活细胞工作站系统127惰性气体放电特性工作站128微流控细胞芯片实验室129在线水质监测及评估系统130全自动耗散型石英晶体微天平131电喷雾质谱分析仪132300MHz液体核磁共振分析仪133超灵敏多功能成像仪/检测器134电化学识别成像系统135活细胞微流控芯片原位培养分析系统136低压气相沉积设备137散射型近场光学成像及纳米傅里叶红外光谱系统138电化学器件三维探针测试系统1