晶体电光调制实验仪

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晶体电光调制实验仪相关的厂商

  • 泰兴市和宸晶体科技公司位于长江之滨泰兴市,距无锡常州苏州扬州泰州距离均在150公里以内,交通方便,公司主要产品有:蓝宝石精密光学窗口片保护片、蓝宝石精密部件、蓝宝石光学透镜棱镜等,其中高面型蓝宝石产品享誉市场。拥有技术研发团队和多年浸染光电加工行业的高素质技工团队,并采购了国内和国际顶尖水平的加工和检测设备。和宸晶体的蓝宝石产品已广泛应用于:深海探测、高铁监控监测、油田监测、航空航天等领域。热忱欢迎国内外客商莅临我公司参观指导!
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  • 1. 提供氟化物晶体材料,CAF2, BAF2, MGF2, LIF2. 提供光学元件:透镜,柱面,棱镜,楔角,平面3. 质量稳定,信誉可靠
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  • 常州中捷实验仪器制造有限公司坐落于著名数学家华罗庚的故乡江苏省金坛市,专业从事各种高低温试验箱、盐雾试验箱、培养箱、振荡器、搅拌器、离心机、水浴锅等各种系列一百多个产品的生产。产品广泛应用于环境检测、卫生防疫、医疗、生化、化工和大专院校等科研单位的各类实验室。我公司本着开拓进取,精益求精的精神,以人为本,顾客至上的理念,以优异的品质,良好的信誉,完善的售后服务全心全意为您服务.。我公司愿与社会各界相关人士精诚合作共同发展,谋求共赢!
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晶体电光调制实验仪相关的仪器

  • RTP晶体与电光调制模块RTP晶体有高介电常数和电阻率,高激光损伤阈值,低插入损耗,无潮解,和无振铃效应,很适用于做激光的电光调制,包括:Q开关,普克尔盒Pulse Picker电光快门相位调制器,幅度调制器腔倒空器等RTP是双折射晶体,RTP电光器件通常采用两块几何结构和性能完全一致的晶体,光轴彼此垂直做配对使用。这样的双晶体结构器件可以在-50℃-+70℃环境中稳定工作。同时,由于其低半波调制电压需求,使其更加适用于军用,医疗和工业应用,
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  • qioptiq电光调制器 400-860-5168转3512
    电光调制器相位调制器特点:l 两个晶体加工成布鲁斯特角,进行内部补偿l 高透过率l 高损伤阈值l 设计精巧、紧凑 主要技术参数:激光调制器特点:l 4个晶体进行内部补偿l 波长范围覆盖250-1100nm l 消光比:1:250(VIS,IR),1:100(UV)l 高透过率l 高损伤阈值l 设计精巧、紧凑
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  • 总览4-N,N-二甲基氨基-4'-N'-甲基己烯唑鎓2,4,6-三甲基苯磺酸盐(4-N,N-dimethylamino-4’-N’-methyl-stilbazolium 2,4,6-trimethylbenzenesulfonate)瑞士Rainbow Photonics 公司推出DSTMS晶体用于产生太赫兹,突破传统的光电导天线产生太赫兹的模式。THz DSTMS 太赫兹电光有机晶体,THz DSTMS 太赫兹电光有机晶体产品特点高品质晶体可切割、抛光用于各种应用高非线性光学性质高电光系数在720-1650nm 波段 相位匹配可产生太赫兹波产品应用有效太赫兹产生和探测(0.3 to 16 THz)快速电光调制光学参量产生1550 nm 有效倍频通用参数物理性能熔融温度250 °C点群对称 (point group symmetry)m折射率@1550nmn1 = 2.07, n2 = 1.641900 nm时的非线性光学系数d111 = 214 ± 20 pm/Vd122 = 31 ± 4 pm/V d212 = 35 ± 4 pm/V1900 nm时的电光系数r111 = 37 ± 3 pm/V吸收光谱曲线及太赫兹转换效率曲线太赫兹发生器安装在1英寸圆盘上如下所示,无需额外费用。
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晶体电光调制实验仪相关的资讯

  • 仅细菌大小 迄今世界最小电光调制器问世
    p  据最新一期《纳米快报》报道,美国研究人员设计并制造出了目前世界上最小的电光调制器,这或许意味着未来数据中心和超级计算机所使用的能源将得到大幅削减。/pp  电光调制器在光纤网络中起着关键作用。就像晶体管作为电信号的开关一样,电光调制器可用作光信号的开关。光通信使用光,所以调制器用于打开和关闭在光纤中发送二进制信号流的光。/pp  俄勒冈州立大学电子与计算机学院副教授王小龙在接受科技日报记者采访时称,此项技术的创新点是在光子晶体的微腔里集成了透明氧化物—硅基MOS(金属氧化物半导体)结构。微腔调制器可以把光场压缩到很小的范围,通过载流子富集形成很强的电光调制效应,从而在很小的区间内实现很大的电光调制。/pp  王小龙表示,新研制的电光调制器可极大降低光互联器件的功耗。目前全球数据中心和超级计算机所使用的能源占据了全球电力使用量的4%—5%,数据中心的大部分功耗主要由互联产生,通过光取代电来降低系统功耗是今后的研究方向。但光互联研究的一个瓶颈在于电光转换,电光转换同样需要消耗大量能源。/pp  此项设计结合了材料和器件的创新,增强电子和光子之间的相互作用,从而使研究人员能够创建出一个更小的电光调制器。新调制器相比主流硅基微环电光调制器在尺寸上缩小了10倍,仅为一个细菌大小(8微米× 0.6微米),有源区更是缩小到了0.06立方微米(仅仅是波长立方尺寸的2%),在理论上可将电光转换的能耗降低2—3个数量级。/pp/p
  • 5G电光调制解调器核心部件:王家海教授团队在有机电光材料取得系统性进展
    近年来,人们在居住、工作、休闲和交通等各种不同场景的多样化业务需求推动着新一轮的光子革命。其中,以5G无线通讯为主,对于信息高速传输的需求已经渗透到大数据、机器学习、远程医疗及自动驾驶等领域,使信息突破时空限制进行智能互联。而光子作为载体的信息处理传输材料可以很好的解决传输速率慢的问题,因此制备出高速、低耗能和易于工业化生产的电光材料,从而实现高速率的数据中心光互连,成为学术界和工业界亟待解决的关键问题。在传统的商业化电光材料的研究中,主要是以无机材料铌酸锂作为代表。然而传统铌酸锂材料所制成的电光调制器的信号质量、带宽、半波电压、插入损耗等关键性能参数的提升逐渐遭遇瓶颈,电光系数低,晶体生长、加工困难、体积庞大且与CMOS工艺不兼容等。与无机材料和电子为载体的微电子材料相比,光子为载体的二阶非线性有机电光材料具有电光系数高、光学损伤阈值高、响应速度快、制备过程更易于生产,具有良好的热稳定性、成本低以及选择范围广等优点,并能易与半导体微电子器件实现集成,故而有很大的应用前景。然而有机非线性光学材料运用到商业化的电光调制器等领域也面临着技术瓶颈(难以满足Telecordia GR-468-CORE standards 标准),如何获得兼具大的电光系数(r33值)、光热稳定性、极化取向稳定性的有机电光发色团仍然是行业的难点。1. 高性能交联型有机电光材料的研究针对有机电光材料的研究难点,王家海教授团队首次提出了二元交联材料的基解决方案:将可以交联的蒽和丙烯酸酯基团修饰到发色团QLD1-QLD4的电子给体和电子桥上,发色团在电场的作用下发色极化取向,温度进一步升高,交联反应发生,以网状聚合物的形式固定住已经取向的发色团分子,光热稳定性大幅提升。此外,由于没有小分子/聚合物交联剂的存在,发色团含量高达100wt%,电光系数大幅提升。交联后,QLD1/QLD2和QLD2/QLD4薄膜的电光活性非常高,r33的最大值分别为327 pm/V和373 pm/V, 这是目前文献报告的最高值。经Diels-Alder反应后,其电光薄膜的玻璃化转变温度从~90°C增加至185°C,这高于任何其他纯发色团膜。在85℃退火后,99.63%的r33初始值可保持500 h以上,这些材料具有超高的电光活性和长期长期极化取向稳定性,为有机电光材料的器件化和商业化提供了可能。图 1 电光材料QLD1-QLD4的分子结构该成果发表在化学顶级刊物 Chemical Science, 2022, 13, 13393-13402文章链接 https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2022/sc/d2sc05231h图 2 发色团数密度与极化效率的关系图;b)长期稳定性测试结果。2. 基于新型双给体的有机非线性光学材料的研究 研发了一种基于(N-乙基-N-羟乙基)苯胺衍生物的可修饰性双给体,并首次将其应用于非线性光学材料。在发色团的给体 和桥上分别引入三个隔离基团,用于减少分子之间的静电相互作 用,从而提高极化效率。基于此,我们开发了一系列非线性光学 发色团 BLD1-4,它们具有相同的双(N-乙基-N-羟乙基)苯胺基 给体、TCF 或 CF3–TCF 受体,和异佛尔酮衍生桥。密度泛函理 论计算表明,这四个发色团由于给体具有强大的给电子能力,比 传统的非线性光学发色团的一阶超极化率更大。纯发色团 BLD1– BLD4 的极化膜由于发色团的大空间位阻和大的一阶超极化率从而展现出非常高的极化效率。含有发色团 BLD3 的纯发色团膜在1310nm 处获得了超高的 r33 值(351pm/V)和极化效率(3.50±0.10 nm2 V-2)。大的电光系数使这些新的给体为有机非线性光学材料提 供了很有价值的参考。图 3 发色团 BLD1-4 的结构图 4 发色团 BLD1-4 的极化效率曲线该成果发表在材料刊物 Materials Chemistry Frontiers, 2022, 6,1079-1090.文章链接 https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2022/qm/d1qm01577j3. 树枝状有机电光材料的研究图 5 发色团 C1-C3 的结构 开发出具有大电光系数和高稳定性的电光材料,一直是这个领域最具挑战性的话题。一系列基于相同的双(N,N-二乙基)苯胺给体、三亚乙基二氢呋喃受体和异佛尔酮衍生桥的发色团 C1-C3 被合成开发出来。与含有单发色团的树枝状材料 C1 进行比较,我们合成了双枝发色团分子 C2 和三枝发色团分子 C3。这是第一次将双(N,N-二乙基) 苯胺基给体用于 CLD 型发色团和多发色团系统。与 C1 发色团相比, C2 和 C3 多发色团具有更高的电光性系数和玻璃化转变温度。纯发色团 C2 的薄膜上在 1310 nm 处取得了大的 r33 系数 (180 pm/V)和极化效率(1.94±0.08 nm2 V-2),已经实现在。此外,树枝状分子 C2 的玻璃化转变温度高达 122℃。该材料具有良好的稳定性和大的电光系数,具有良好的应用前景。图 6 发色团 C1-C3 的 DSC 曲线该成果发表在材料刊物 Materials Chemistry Frontiers, 2021, 5, 8341-8351文章链接 https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2021/qm/d1qm01337h4. 自组装型有机电光材料的研究我们已经开发了一系列自组装的树枝状电光材料。通过在发色团的给体和桥部分引入芳香树枝状化合物(HD)、三氟苄基树枝状化合物、五氟苯基树枝状化合物和蒽环,合成了四种交联型树枝状化合物H1、H2、H3 和 HLD1。此外,还合成了含有三枝化三氟苄基的多发色团 H4。基于 HD-PFD/HD-AH/TFD-TFD 的π-π相互作用使得这些分子可以进行超分子自组装的,以最大限度地减少发色团的偶极-偶极相互作用,并在高负载密度下最大限度地提高发色团的极化效率。 对于分别含有发色团 1:1 H1:H3、1:2 H3:HLD1 和 H4 的纯电光膜,已经实现了高 r33 值(328、317 和 279 pm/V)。此外,发色团的长期取向稳定性也得到了改善。在室温下 1000 小时后,自组装型电光薄膜的初始电光系数仍然保持在 95%以上。图 7 发色团 H1-H4 以及 HLD1 的结构该成果发表在材料刊物 Dyes and Pigments, 2022, 202, 110283.文章链接 https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0143720822002054图 8 发色团 H1-H4 以及 HLD1 的极化效率与分子数密度的关系图团队负责人简介王家海,广州大学化学化工学院教授、研究生和博士后导师,2008年5月美国University of Florida化学系毕业,师从Charles R. Martin;2008年5月至2009年1月,美国约翰霍普金斯大学化学生物工程系博士后,从事微纳米器件加工课题,致力于智能器件的设计及其应用性能的探讨;2009年1月至2014年8月,分别在中科院苏州纳米所和长春应用化学研究所任副研究员,从事体外诊断纳米孔检测相关的技术开发。2014年10月加入山东大学,任研究员,从事氢能源催化剂材料的开发。2017年至今加入广州大学,百人计划教授。入选中国科学院首批促进会会员,广州市高层次青年后备青年人才,全球顶尖十万科学家之一。目前团队研究方向包括能源催化材料、锂电池、生物化学传感器、纳米孔单分子计数器和5G通讯。代表性成果发表在Advanced Materials、Biosensor and Bioelectronics、J. Am. Chem. Soc.、Nano Letters 等国际著名期刊上。
  • 盛志高研究团队成功研发出一种主动智能化的太赫兹电光调制器
    近日,中科院合肥研究院强磁场中心盛志高研究团队依托稳态强磁场实验装置成功研发了一种主动智能化的太赫兹电光调制器。相关研究成果发表在国际期刊 ACS Applied Materials & Interfaces 上。虽然太赫兹技术具有优越的波谱特性和广泛的应用前景,但其工程应用还严重受制于太赫兹材料与太赫兹元器件的开发。其中,围绕智能化场景应用,采用外场对太赫兹波进行主动、智能化的控制是这一领域的重要研究方向。瞄准太赫兹核心元器件这一前沿研究方向,强磁场中心磁光团队继2018年发明一种基于二维材料石墨烯的太赫兹应力调制器[Adv. Optical Mater. 6, 1700877(2018)]、2020年发明一种基于强关联氧化物的太赫兹宽带光控调制器[ACS Appl. Mater. Inter. 12, 48811(2020)]、2021年发明一种基于声子的新型单频磁控太赫兹源[Advanced Science 9, 2103229(2021)]之后,选择关联电子氧化物二氧化钒薄膜作为功能层,采用多层结构设计和电控方法,实现了太赫兹透射、反射和吸收多功能主动调制(图a)。研究结果表明,除了透射率和吸收率,反射率和反射相位也可被电场主动调控,其中反射率调制深度可以达到99.9%、反射相位可达~180o调制(图b)。更为有趣的是,为了实现智能化的太赫兹电控,研究人员设计了一种具有新型“太赫兹-电-太赫兹”的反馈回路的器件(图c)。不管起始条件和外界环境如何变化,该智能器件可以在30秒左右自动达到太赫兹的设定(预期)调制值。(a)基于VO2的电光调制器示意图(b)透射率、反射率、吸收率和反射相位随外加电流变化(c)智能化控制原理图这一基于关联电子材料的主动、智能化太赫兹电光调制器的研发为太赫兹智能化控制的实现提供了新的思路。该工作获得了国家重点研发计划、国家自然科学基金、强磁场安徽省实验室方向基金的支持。文章链接:https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsami.2c04736

晶体电光调制实验仪相关的方案

晶体电光调制实验仪相关的资料

晶体电光调制实验仪相关的试剂

晶体电光调制实验仪相关的论坛

  • 晶体管知识简介

    晶体管知识简介

    晶体管(transistor)是一种固体半导体器件,可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关,基于输入的电压,控制流出的电流,因此晶体管可做为电流的开关,和一般机械开关(如Relay、switch)不同处在于晶体管是利用电讯号来控制,而且开关速度可以非常之快,在实验室中的切换速度可达100GHz以上。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2012/12/201212201403_414109_1841898_3.jpghttp://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2012/12/201212201403_414110_1841898_3.jpg

  • 美制造出超小型单电子晶体管

    据美国物理学家组织网4月19日(北京时间)报道,由美国匹兹堡大学领导的一个研究小组日前宣布,他们制造出了一种核心组件直径只有1.5纳米的超小型单电子晶体管。该装置是制造下一代低功耗、高密度超大规模集成电路理想的基本器件,具有极为广泛的应用价值。相关论文发表在最新一期《自然·纳米技术》杂志上。  单电子晶体管是用一个或几个电子就能记录信号的晶体管,其尺度都处于纳米级别。随着集成电路技术的发展,电子元件的尺寸越来越小,由单电子晶体管组成的电路日益受到研究人员的青睐,其高灵敏度的特性和独特的电气性能使其成为未来随机存储器和高速处理器制造材料的有力竞争者。  据研究人员介绍,这种新型单电子晶体管的核心组件是一个直径只有1.5纳米的库伦岛,另外还有一两个电子负责对信号进行记录。负责该项研究的匹兹堡大学文理学院物理学和天文学教授杰里米·利维称,该晶体管未来可用于研制具有超密存储功能的量子处理器。这种处理器将能轻松应对那些让目前全世界所有的计算机同时工作数年也计算不完的复杂问题。同时因其中央的库伦岛可以被当作人工原子,该晶体管还可用来制造自然界原本并不存在的新型超导材料。  利维和其同事将这种超小型单电子晶体管命名为“SketchSET”。原因在于这项技术受到了一种名为蚀刻素描画板(Etch A Sketch)的启发,这种晶体管的制造原理也与其类似。在实验中,通过原子力显微镜,研究人员用一种极为尖锐的电导探针就能在钛酸锶晶体界面上用1.2纳米厚的一层铝酸镧“蚀刻”出所需的晶体管。  据介绍,SketchSET是第一个完全由氧化物制成的单电子晶体管,并且其库伦岛内能容纳两个电子。经过库伦岛的电子数量可以是0、1或2,而不同数量的电子将决定其具有怎样的导电性能。  利维表示,这种单电子晶体管对电荷极为敏感,且所使用的氧化物材料具有铁电效应,该晶体管还可制成固态存储器,即便没有外部电源,该晶体管存储器也不会丢失此前存储的信息。此外,这种晶体管对压力变化也极为敏感,根据这一特性可用其来制成纳米尺度的高灵敏度压力传感设备。  1959年一个芯片上只能放一个晶体管,今天家用计算机微处理器上的晶体管数量已达11.7亿,是半导体材料支撑起了电子计算机时代。下一代计算机如何发展?无论是基于单电子晶体管的量子计算机,还是基于蛋白质技术的生物计算机,我们还是要从新材料上找答案。当前已经有多种单电子晶体管研制出来,也许这些方案将来都派不上用场,然而每次实验都会向成功迈进一步,最后开启计算机新时代的新材料一定会在这些实验中脱颖而出。

晶体电光调制实验仪相关的耗材

  • 电光调制器
    这款横向电光调制器是低电压横向光调制器,是一种横向场模式工作的横向光电调制器装置. 横向电光调制器非常适合腔外应用,横向光调制器使用了优质KD*P晶体,严格密封于金属外壳中.横向电光调制器由中国领先的进口光学精密仪器和器材旗舰型服务商-孚光精仪进口销售,精通光学,服务科学,先后为北京大学,中科院上海光机所,中国工程物理研究院,航天3院,哈工大,南开,山东大学等单位提供优质进口的横向电光调制器,横向光调制器,横向光电调制器。横向光电调制器参数 型号Felles3079/3Felles3079/4Felles3079/6孔径/直径, mm346半波延迟电压,V @515nm @633nm @1060nm195240400365450755459550925建议最大工作电压 V50010001500电容50pf40pf50pf晶体材料2块KD*P透过率95% 400-950nm最大建议CW输入功率5W 光谱范围350-1300nm电波范围DC-75MHz共振频率(理论) 大约35KHz电极连接#2-56螺丝接头体积 mm直径50.8x131长峰值损伤阈值850MW/cm2 领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪!
  • 高速电光调制器
    高速电光调制器由孚光精仪进口销售,孚光精仪是中国领先的进口(光学)精密仪器旗舰型服务商!精通光学,服务科学,先后为北京大学,中科院上海光机所,哈尔滨工业大学,中国工程物理研究院,,山东大学等单位提供这种高速普克尔盒。Felles1040KD*P系列高速电光调制器特意为高速激光快门和脉冲斩波的腔内和腔外应用而设计。这些高速光电调制器也常常用作Q开关、激光腔倒空器(cavity dumper)、偏振旋转器(Polarization rotator)。 这些高速电光调制器可以与大多数装置连接,因此具有广泛的的使用性。Felles1040KD*P系列高速光电调制器特别注意巧妙设计电容阻抗,使用低电感,全铜材料获取最小的RC 和 L/R时间常数,因此使得转换时间快到300皮秒(10mm孔径).该高速普克尔盒使用微型针直接连接印刷电路板驱动器和,N,BNC,HN,MHV, SHV型连接器,具有良好的连接普适性.Felles1040KD*P系列高速光调制器在同样孔径下具有最低的电容. 也有双晶体配置.1040系列高速电光调制器,高速光电调制器使用高质量的KD*P晶体作为电光介质.这些KD*P晶体没有应力,色心,裂纹,杂物,并且具有较低的双折射和波前畸变. 标准的产品为平整度:1/8波长, 平行度: 10 arcsec.高速电光调制器,高速光电调制器的窗口采用了无气泡和应力的高档熔炉石英窗口,光学质量高达 10-5 S/N.高速电光调制器产品参数: 型号:Felles1040孔径:10mm, 16mm材料:KD*P晶体 (98.5%+Deuterated D-KDP)承受峰值功率密度: (光束均匀无热点)750MW/cm^2 脉宽20ns10GW/cm^2 脉宽500ps20GW/cm^2 脉宽100ps透光范围:400-1100nm透过率:98℅ 400-1064nm四分之一波电压: 2.1KV@694nm,1.1KV@694nm, 3.2KV@1064nm,1.7KV@1064nm任选消光比:700:1,800:1,1000:1@633nm 任选上升时间(10%-90%):300ps,350ps,450ps,500ps任选电容:重量:0.18kg领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪!
  • 高速电光调制器 Felles1040KD*P
    高速电光调制器由孚光精仪进口销售,孚光精仪是中国领先的进口(光学)精密仪器旗舰型服务商!精通光学,服务科学,先后为北京大学,中科院上海光机所,哈尔滨工业大学,中国工程物理研究院,,山东大学等单位提供这种高速普克尔盒。Felles1040KD*P系列高速电光调制器特意为高速激光快门和脉冲斩波的腔内和腔外应用而设计。这些高速普克尔盒也常常用作Q开关、激光腔倒空器(cavity dumper)、偏振旋转器(Polarization rotator)。 这些高速电光调制器可以与大多数装置连接,因此具有广泛的的使用性。Felles1040KD*P系列高速普克尔盒特别注意巧妙设计电容阻抗,使用低电感,全铜材料获取最小的RC 和 L/R时间常数,因此使得转换时间快到300皮秒(10mm孔径).该高速普克尔盒使用微型针直接连接印刷电路板驱动器和,N,BNC,HN,MHV, SHV型连接器,具有良好的连接普适性.Felles1040KD*P系列高速普克尔盒在同样孔径下具有最低的电容. 也有双晶体配置.1040系列高速电光调制器,高速普克尔盒使用高质量的KD*P晶体作为电光介质.这些KD*P晶体没有应力,色心,裂纹,杂物,并且具有较低的双折射和波前畸变. 标准的产品为平整度:1/8波长, 平行度: 10 arcsec.高速电光调制器,高速普克尔盒的窗口采用了无气泡和应力的高档熔炉石英窗口,光学质量高达 10-5 S/N.高速电光调制器产品参数: 型号:Felles1040孔径:10mm, 16mm材料:KD*P晶体 (98.5%+Deuterated D-KDP)承受峰值功率密度: (光束均匀无热点)750MW/cm^2 脉宽20ns10GW/cm^2 脉宽500ps20GW/cm^2 脉宽100ps透光范围:400-1100nm透过率:98℅ 400-1064nm四分之一波电压: 2.1KV@694nm,1.1KV@694nm, 3.2KV@1064nm,1.7KV@1064nm任选消光比:700:1,800:1,1000:1@633nm 任选上升时间(10%-90%):300ps,350ps,450ps,500ps任选电容:重量:0.18kg领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪!
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