晶体电光调制实验仪

这款横向电光调制器是低电压横向光调制器,是一种横向场模式工作的横向光电调制器装置. 横向电光调制器非常适合腔外应用，横向光调制器使用了优质KD*P晶体,严格密封于金属外壳中.横向电光调制器由中国领先的进口光学精密仪器和器材旗舰型服务商-孚光精仪进口销售,精通光学，服务科学，先后为北京大学,中科院上海光机所,中国工程物理研究院,航天3院,哈工大,南开,山东大学等单位提供优质进口的横向电光调制器,横向光调制器,横向光电调制器。横向光电调制器参数 型号Felles3079/3Felles3079/4Felles3079/6孔径/直径, mm346半波延迟电压,V @515nm @633nm @1060nm195240400365450755459550925建议最大工作电压 V50010001500电容50pf40pf50pf晶体材料2块KD*P透过率95％ 400-950nm最大建议CW输入功率5W 光谱范围350-1300nm电波范围DC-75MHz共振频率(理论) 大约35KHz电极连接#2-56螺丝接头体积 mm直径50.8x131长峰值损伤阈值850MW/cm2 领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪！

高速电光调制器由孚光精仪进口销售,孚光精仪是中国领先的进口（光学）精密仪器旗舰型服务商！精通光学，服务科学，先后为北京大学,中科院上海光机所，哈尔滨工业大学，中国工程物理研究院，,山东大学等单位提供这种高速普克尔盒。Felles1040KD*P系列高速电光调制器特意为高速激光快门和脉冲斩波的腔内和腔外应用而设计。这些高速光电调制器也常常用作Q开关、激光腔倒空器（cavity dumper）、偏振旋转器（Polarization rotator）。 这些高速电光调制器可以与大多数装置连接，因此具有广泛的的使用性。Felles1040KD*P系列高速光电调制器特别注意巧妙设计电容阻抗,使用低电感,全铜材料获取最小的RC 和 L/R时间常数,因此使得转换时间快到300皮秒(10mm孔径).该高速普克尔盒使用微型针直接连接印刷电路板驱动器和,N，BNC，HN，MHV, SHV型连接器,具有良好的连接普适性.Felles1040KD*P系列高速光调制器在同样孔径下具有最低的电容. 也有双晶体配置.1040系列高速电光调制器,高速光电调制器使用高质量的KD*P晶体作为电光介质.这些KD*P晶体没有应力,色心,裂纹,杂物,并且具有较低的双折射和波前畸变. 标准的产品为平整度:1/8波长, 平行度: 10 arcsec.高速电光调制器,高速光电调制器的窗口采用了无气泡和应力的高档熔炉石英窗口,光学质量高达 10-5 S/N.高速电光调制器产品参数: 型号：Felles1040孔径：10mm, 16mm材料：KD*P晶体 （98.5%+Deuterated D-KDP)承受峰值功率密度: (光束均匀无热点）750MW/cm^2 脉宽20ns10GW/cm^2 脉宽500ps20GW/cm^2 脉宽100ps透光范围：400-1100nm透过率：98℅ 400-1064nm四分之一波电压： 2.1KV@694nm,1.1KV@694nm, 3.2KV@1064nm,1.7KV@1064nm任选消光比：700：1，800：1，1000：1@633nm 任选上升时间（10%-90%）：300ps,350ps,450ps,500ps任选电容：重量：0.18kg领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪！

高速电光调制器由孚光精仪进口销售,孚光精仪是中国领先的进口（光学）精密仪器旗舰型服务商！精通光学，服务科学，先后为北京大学,中科院上海光机所，哈尔滨工业大学，中国工程物理研究院，,山东大学等单位提供这种高速普克尔盒。Felles1040KD*P系列高速电光调制器特意为高速激光快门和脉冲斩波的腔内和腔外应用而设计。这些高速普克尔盒也常常用作Q开关、激光腔倒空器（cavity dumper）、偏振旋转器（Polarization rotator）。 这些高速电光调制器可以与大多数装置连接，因此具有广泛的的使用性。Felles1040KD*P系列高速普克尔盒特别注意巧妙设计电容阻抗,使用低电感,全铜材料获取最小的RC 和 L/R时间常数,因此使得转换时间快到300皮秒(10mm孔径).该高速普克尔盒使用微型针直接连接印刷电路板驱动器和,N，BNC，HN，MHV, SHV型连接器,具有良好的连接普适性.Felles1040KD*P系列高速普克尔盒在同样孔径下具有最低的电容. 也有双晶体配置.1040系列高速电光调制器,高速普克尔盒使用高质量的KD*P晶体作为电光介质.这些KD*P晶体没有应力,色心,裂纹,杂物,并且具有较低的双折射和波前畸变. 标准的产品为平整度:1/8波长, 平行度: 10 arcsec.高速电光调制器,高速普克尔盒的窗口采用了无气泡和应力的高档熔炉石英窗口,光学质量高达 10-5 S/N.高速电光调制器产品参数: 型号：Felles1040孔径：10mm, 16mm材料：KD*P晶体 （98.5%+Deuterated D-KDP)承受峰值功率密度: (光束均匀无热点）750MW/cm^2 脉宽20ns10GW/cm^2 脉宽500ps20GW/cm^2 脉宽100ps透光范围：400-1100nm透过率：98℅ 400-1064nm四分之一波电压： 2.1KV@694nm,1.1KV@694nm, 3.2KV@1064nm,1.7KV@1064nm任选消光比：700：1，800：1，1000：1@633nm 任选上升时间（10%-90%）：300ps,350ps,450ps,500ps任选电容：重量：0.18kg领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪！

硅酸铋(Bi)12SiO20，bso)晶体是一种高效率的光导材料，暗导率低，允许大量的光诱导空间电荷的积累。巨大的光电导性和电光特性提高了BSO晶体的应用范围：空间光调制器、光开关、相位共轭混合器。Optogama用改进的Czochralski法生长了BSO晶体，其孔径可达3英寸。铌酸锂(LiNbO)3掺杂铁(Fe：LiNbO)的LN晶体3)具有高的光折变灵敏度、高的电光系数和衍射效率、化学力学性能，是一种很有吸引力的光折变材料。Fe：LiNbO3晶体采用Czochralsky法生长，尺寸大。广泛的可用掺杂剂和水平可以调整特定应用的材料性能。更重要的是，Fe：Linbo3晶体操作方便，成本低，适合批量生产。SBN晶体具有优良的光学和光折变性能。它们表面上是纯的，被Ce，Cr，Co或Fe掺杂。不同成分的SBN晶体在电光、声光、光折变、非线性光学等领域有着广泛的应用。包裹体和其它非均匀性SBN晶体，采用改进的Stepanov法生长，线性尺寸可达40 mm。锗酸铋（Bi12GeO20，BGO）晶体是具有低暗电导率的高效光电导体，可以积累大量光致空间电荷。硅酸铋晶体主要特点：-高电光系数(r41=5pm/v)-高相位共轭效率-可在3“以下的大尺寸元件或晶片中使用。-可根据要求定制 BSO晶体主要应用： -空间光调制器-光开关-相位共轭混合器。铌酸锂晶体主要特点：-高电光系数(r41=5pm/v)-高相位共轭效率-可在3“以下的大尺寸元件或晶片中使用。-可根据要求定制LiNbO3晶体的主要应用：-空间光调制器-光开关-全息记录-光波导SBN晶体的主要特点：-Ce，Cr，Co，Fe纯掺杂-有效相位共轭-定制尺寸，掺杂水平，无极化，减反射涂层和没有电极晶体可根据要求 SBN晶体的主要应用：-光学信息记录-热释电探测器-自泵浦自共轭镜-光学相关器BGO晶体的主要特点：-高电光系数(r41=3，5 pm/v)-低暗电导-大尺寸元件或晶片最多可达3“-可根据要求定制 BGO晶体的主要应用：-空间光调制器-光开关-光学相关器

1310/1550nm 铌酸锂（LiNbO3）高频相位调制器采用钛扩散或质子交换工艺制作光波导，输入输出光纤与波导精密斜耦合，利用铌酸锂材料的电光效应实现光信号的相位调制。钛扩散（Ti-indiffusion）或质子交换（APE）波导工艺可分别得到双折射或单偏振的相位调制。中心波长1310nm调制带宽20GHZ材质铌酸锂 LiNbO3光纤接头FC/APC通用参数产品特点 低插入损耗 低驱动电压 钛扩散或质子交换波导 优异的长期稳定性产品应用 光纤通信 微波光子 量子通信 光学传感 光学啁啾技术参数参数单位最小值典型值最大值型号PM-1310/1550-10G-PM-FA半波电压DC直流电极V3.54.5电光带宽S21@-3dBGHz1020RF 半波电压@DCV3.54.0偏置半波电压V5.0抖动dB0.51电回波损耗S110-20GHzdB-12-10射频连接器输入电阻Ω40输入阻抗直流连接器Ω1M晶体：Lithium Niobate.X-cut Y-propagation波导制作（waveguide process）APE工艺插入损耗dB3.04.0光回波损耗dB-45波长相关损耗（1480-1600nm）dB0.51.0直流（DC）消光比dB2022输入光纤Panda保偏光纤1.5米长，900um输出光纤SMF-28单模光纤1.5米长，900um（PMF可选）输入RF连接器SMADC连接器Pin feed-through直径：1.0mm封装尺寸mm110 x12.5 x9.0工作温度℃0~ +70存储温度℃-40 ~ +85DC输入最大电压V±20最大RF输入功率dBm+28最大输入光功率mW200（APE工艺）

1310/1550nm 铌酸锂（LiNbO3）高频相位调制器采用钛扩散或质子交换工艺制作光波导，输入输出光纤与波导精密斜耦合，利用铌酸锂材料的电光效应实现光信号的相位调制。钛扩散（Ti-indiffusion）或质子交换（APE）波导工艺可分别得到双折射或单偏振的相位调制。中心波长1550nm调制带宽10GHZ材质铌酸锂 LiNbO3光纤接头FC/APC通用参数产品特点 低插入损耗 低驱动电压 钛扩散或质子交换波导 优异的长期稳定性产品应用 光纤通信 微波光子 量子通信 光学传感 光学啁啾技术参数参数单位最小值典型值最大值型号PM-1310/1550-10G-PM-FA半波电压DC直流电极V3.54.5电光带宽S21@-3dBGHz1020RF 半波电压@DCV3.54.0偏置半波电压V5.0抖动dB0.51电回波损耗S110-20GHzdB-12-10射频连接器输入电阻Ω40输入阻抗直流连接器Ω1M晶体：Lithium Niobate.X-cut Y-propagation波导制作（waveguide process）APE工艺插入损耗dB3.04.0光回波损耗dB-45波长相关损耗（1480-1600nm）dB0.51.0直流（DC）消光比dB2022输入光纤Panda保偏光纤1.5米长，900um输出光纤SMF-28单模光纤1.5米长，900um（PMF可选）输入RF连接器SMADC连接器Pin feed-through直径：1.0mm封装尺寸mm110 x12.5 x9.0工作温度℃0~ +70存储温度℃-40 ~ +85DC输入最大电压V±20最大RF输入功率dBm+28最大输入光功率mW

ZnSe硒化锌晶体 通常硒化锌材料是一种黄色透明的多晶材料, 结晶颗粒大小约为70μm, 透光范围0.5-15μm。由化学气相沉积(CVD)方法合成的基本不存在杂质吸收, 散射损失极低。由于对10.6μm波长光的吸收很小, 因此成为制作高功率CO2激光器系统中光学器件的优秀材料选择。 此外在其整个透光波段内, 也是在不同光学系统中所普遍使用的材料。 硒化锌材料对热冲击具有很高的承受能力, 使它成为高功率CO2激光器系统中的优秀光学材料。硬度只是多光谱级ZnS的2/3, 材质较软易产生划痕, 而且材料折射率较大, 所以需要在其表面镀制高硬度减反射膜来加以保护并获得较高的透过率。在其常用光谱范围内, 散射很低。在用做高功率激光器件时, 需要严格控制材料的体吸收和内部结构缺陷, 并采用最小破坏程度的抛光技术和最高光学质量的镀膜工艺。广泛应用于激光,医学，天文学和红外夜视等领域中。ZnSe硒化锌也可生成单晶材料，可应用于IR电光调制器等。 ZnSe硒化锌是红外光学、衬底、闪烁体和电光调制器等的材料优秀选择。基本参数：结构：立方（锌矿）密度5.264 g/ cm3硬度105 kg/ mm2弯曲强度（4pt弯曲）7500 psi杨氏模数10.2 Mpsi泊松比0.28热膨胀系数7.1×10-6 / K比热0.339 J / gK导热系数0.16 W / cmKEg，295 K.2.67 eV介电常数8.976最大透射率（λ=2.5-15μm）≥70.5％吸收系数（λ=10.6μm）（1-2）×10-3 cm-1（包括2个表面）损伤阈值（λ=10.6μm）≥100kWt/ cm2热光系数（dn / dT）6.1（λ=10.6μm）折射率（λ=10.6μm）2.4电光系数r41（λ=10.6μm）2.2×10-12 m / V.γ-辐射耐受剂量 106 J / kgZnSe透射率产品类型ZnSe晶体棒、晶圆、窗片和镜片等直径/宽度1-50 mm厚度/长度0.1-150 mm径向(110), (111),(100)表面质量As-grown, as-cut, 80/50, 60/40, 40/20 perMIL-0-13830用于气相沉积的ZnSe镜片：CVD - ZnSe硒化锌窗片硒化锌透镜纯度99.99%, 99.999%粒度0.01- 10 mm更多晶体相关产品碲化锌晶体ZnTe晶体铌酸锂晶体LiNbO3晶体硒化锌晶体ZnSe晶体硒化镓晶体GaSe晶体硫化锌晶体ZnS晶体磷化镓晶体GaP晶体有机晶体DAST晶体有机晶体DSTMS晶体有机晶体OH1晶体

光折变晶体SBN,BSO,BGO,Fe:LNB晶体光折变晶体：SBN锶钡铌酸盐晶体/BSO硅酸铋晶体/BGO锗酸铋晶体/Fe:LNB掺铁铌酸锂晶体 光折变效应是局部折射率通过光强度的空间变化而改变的现象。当形成空间变化的照明图案的光折射材料中，相干光彼此干涉时，可强烈观察到。这是由于漂移或扩散和空间电荷分离效应，在迁移材料中产生电荷载流子。产生的所产生的电场通过电光效应引起折射率变化。其中一些应用是空间光调制器，4波混频，相位共轭，光存储器和计算。 Sillenite单晶Bi12SiO20（BSO）和Bi12GeO20（BGO）显示了不同物理性质的独特组合。BSO和BGO晶体是非常有效的光电导体，具有低暗电导率，允许建立大的光诱导空间电荷。光电导性和光电特性的强烈光谱依赖性允许开发和生产各种各样的光学器件和系统。BSO和BGO晶体用于空间光调制器，动态实时全息记录设备，相位共轭波混合，光学相关器和光学激光系统，用于超短光脉冲的自适应校正。光诱导吸收使其有可能开发和生产“光 - 光”型光学器件，如光学调制器，开关等。 通过不同技术制造氧化亚锡薄膜晶体结构允许开发包括光学波导，集成光学器件的多种装置。基于Sillenites的波导光学结构的使用允许在宽光谱范围内实现均匀照射（通常到波导平面）。 BGO SBN Sillenite Oxides的相对较大的电光和法拉第效应使其可用于光纤电/磁场传感器。我们能够少量提供未掺杂的BSO和BGO晶体用于科学研究，并大量用于工业目的。随着2x2x2 - 25x25x25 mm3晶体，我们还提供带有ITO（氧化铟锡）涂层的孔径高达30x30 mm2，厚度为0.5 - 5 mm的晶体板。 锶钡铌酸盐（SrxBa（1-x）Nb2O6）SBN是一种优异的光学和光折变材料。名义上纯，由Ce，Cr，Co，Fe掺杂。不同组成的SBN晶体用于电光学，声光学和光折变非线性光学器件。一种新的生长技术提供了优异的光学质量单晶，没有生长条纹，夹杂物和其他不均匀性，以及高达80mm的确定横截面和线性尺寸。SBN晶体元件满足不同应用的要求。基于这种独特的晶体生长技术，可以使用大量高质量的SBN光学元件和光折变单元，Fe：LiNbO3（其他掺杂剂可用）。 铁掺杂铌酸锂晶体（Fe：LiNbO3）是一种常用的具有高电光（EO）系数，高光折变灵敏度和衍射效率的光折变材料。与BaTiO3系列光折变晶体相比，它具有易于操作和存储，成本低，尺寸利用率大等突出优点，使其更适用于批量制造和实用设备。因此，Fe：LiNbO3晶体将预测广泛的应用。MolTech提供具有不同Fe掺杂浓度，尺寸和光学处理要求的晶体。光折变晶体：SBN锶钡铌酸盐晶体/BSO硅酸铋晶体/BGO锗酸铋晶体/Fe:LNB掺铁铌酸锂晶体晶体Bi12SiO20（BSO）Bi12GeO20（BGO）Fe：LiNbO3SBN x = 0.60SBN x = 0.75晶体结构立方，点组：23立方，点组：23三角形，3m4mm4mm晶格（胞）参数，?10.1010.15-a = 12.46，c = 3.946a = 12.43024，c = 3.91341透射范围，μm0.4-60.4-70.35 - 5.50.3 5 - 6.00.35 - 6.0折射率在0.63μm2.542.552.20（ne），2.29（no）ne= 2.33，no= 2.36@0.51μmne= 2.35，no= 2.37@0.51μm电光系数r41，pm / V53.5r22 = 6.8，r31 = 10，r33 = 32r13= 47，r33= 235r13= 67，r33= 1340光学活性，500纳米处的deg / mm4241.5---在600nm处为 - deg / mm2524---密度，g / cm39.159.24.645.45.4莫氏硬度5555.55.5熔点，C8909201255（Tc = 1140）1500±10°C1500±10°C介电常数564085（e11）30（e33）8803400暗电阻，欧姆厘米10141014-- -吸收系数@0.44μm--- 0.3cm-1- 在25°C时的热导率---0.006 W / cm * K@ 1370至1470℃下----0.008 W / cm * K热光系数dne/ dT---3×10-4K-1-居里温度---75℃56℃半波电压---240伏48 V我们可提供棒或薄片，由具有不同横截面和尺寸的薄膜光折射晶体制成。不同浓度的不同掺杂剂可满足特定客户的要求。光折变晶体：SBN锶钡铌酸盐晶体/BSO硅酸铋晶体/BGO锗酸铋晶体/Fe:LNB掺铁铌酸锂晶体

磷酸氧钛钾（KTiOPO4或KTP）是一种优良的非线性晶体。它具有高的光学质量、宽的透明范围、相对较高的有效倍频系数（约为KDP的3倍）、极高的光学损伤阈值、宽的接受角、小的走离(small walk-off)以及宽波长范围内的I型和II型非临界相位匹配（NCPM）。KTP是Nd:YAG激光器和其他掺钕激光器倍频最常用的材料，特别是在低或中等功率密度下。KTP的特性使其作为电光调制器以及光波导器件（包括相位调制器、幅度调制器和定向耦合器）具有优越性。技术参数主要特性复合物KTiOPO4透光率, μm0.35 – 4.5非线性系数, pm/Vd31 = 2.0 d32 = 3.6对称度斜方晶系, mm2 point group晶胞参数, ?a=12.818, b=6.404, c=10.596典型反射系数1064 nm 532 nmnx=1.7381, ny=1.7458, nz=1.8302 nx=1.7785, ny=1.7892, nz=1.8894光学损坏阈值, GW/cm21064 nm (t=10 ns)~1电光系数, pm/Vr13=9.5, r23=15.7, r33=36.3莫氏（Mohs）硬度5 光学元件参数定向精度, arc min 30平行度, arc sec 30平面度546 nmλ/6表面质量, scratch/dig20/10应用近红外区高达4μm的光学参量振荡器（OPO）在高达4μm的近红外区域产生不同频率（DFG）1.064μm辐射产生的二次谐波（SHG） 对于所有晶体，我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层，以及反射率曲线。

KTA 砷酸氧钛钾(KTiOAsO4)非线性晶体是近年来发展起来的一种用于非线性光学和电光器件应用的优良光学非线性晶体。与KTP相比，这些非线性光学和电光系数更高，并且它们还具有显著降低2.0-5.0μm区域吸收的额外好处。大的非线性系数与宽的角度和温度带宽相结合。砷酸盐的其他优点是较低的介电常数、较低的损耗角正切和比KTP小几个数量级的离子电导率。这些砷酸盐的单晶具有化学和热稳定性，不吸湿，并且对高强度激光辐射具有高度抗性。KTA晶体在二次谐波产生（SHG）、和差频率产生（SFG）/（DFG）、光学参量振荡（OPO）、电光调Q和调制以及作为光波导的衬底方面具有重要作用。基于这些晶体的OPO器件是可靠的固态可调谐激光辐射源，其能量转换效率超过50%。KTA有很高的伤害阈值。皮秒染料激光在10-20 GW/cm2的水平下未观察到光学损伤。这种晶体是用高温熔剂技术生长的。技术参数主要特性复合物KTiOAsO4透光率, μm0.35 – 5.5非线性系数, pm/Vd31= 2.76 d32= 4.74 d33= 18.5对称度斜方晶系, mm2 point group晶胞参数, ?a=13.103, b=6.558, c=10.746典型反射系数1064 nm532 nmnx=1.7826, ny=1.7890, nz=1.8677nx=1.8293, ny=1.8356, nz=1.9309光学损坏阈值, GW/cm21064 nm(t=10 ns)1.5电光系数, pm/Vr13=15, r23=21, r33=40莫氏（Mohs）硬度5光学元件参数定向精度, arc min 30平行度, arc sec 30平面度546 nmλ/6表面质量, scratch/dig20/10应用中间红外区域1 - 5.5μm的光学参量振荡器(OPO) 在1 - 5.5μm的红外中间区域产生不同的频率（DFG） 对于所有晶体，我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层，以及反射率曲线。

铌酸钾晶体 光折变晶体KNbO3晶体 光折变晶体铌酸钾 铌酸钾KNbO3为优异的非线性光学晶体，属钙钛矿结构，其晶胞这样构成：K+离子占据立方体角顶位置，Nb5+占据体心位置，O2-占据面心位置。铌酸钾(KNbO3，简称KN)晶体除有优异的激光倍频性能外，还具有优异的电光、光折变、压电等性能。它的非线性光学品质因数、电光品质因数、光折变品质因数以及压电性能在非线性晶体及压电晶体中都名列前茅，KN不潮解，耐一般酸碱，化学性质十分稳定。铌酸钾晶体标准特性?- 可用于电光和非线性光学的高质量非掺杂铌酸钾晶体- 可用于可见红外波段光折变高质量掺杂Rh（铑）, Fe（铁）, Mn（锰）, 和 Ni（镍）的铌酸钾晶体- 非常低的散射损耗可选特性- 高光敏性铌酸钾晶体，长波可至1000nm- 毫秒级的响应时间应用- 电光晶体和非线性光学- 光折变应用 （和激光二极管）- 可见红外波段的动态全息和光学相位结合光折变光栅记录时间（photorefractive grating recording times）Selected KNbO3 crystal at different wavelengths for I=1W/cm2铌酸钾晶体波长记录时间KNbO3: Fe488nm1sKNbO3: Mn515nm860nm1s3sKNbO3: Fereduced488nm515nm0.01s0.01sKNbO3: Rhreduced860nm1064nm0.5s50s铌酸钾晶体吸收光谱更多晶体相关产品碲化锌晶体ZnTe晶体铌酸锂晶体LiNbO3晶体硒化锌晶体ZnSe晶体硒化镓晶体GaSe晶体硫化锌晶体ZnS晶体磷化镓晶体GaP晶体有机晶体DAST晶体有机晶体DSTMS晶体有机晶体OH1晶体

BSO晶体和硅酸铋晶体是一种优异的光折变晶体，具有广阔的应用。BSO晶体和硅酸铋晶体是一种淡黄色的光电电光晶体，又是光折变晶体,可用于：电光读出光存储器（PROM),薄膜光波导,光折变和相位共轭等研究。BSO晶体和硅酸铋晶体参数晶体对称性：立方体，23密度：9.2 g/cm^3硬度：5熔点：900deg透光范围：0.45-6um折射率：5.0(r41) &lambda =0.63 um介电常数：56 （低频）BSO晶体,硅酸铋晶体由孚光精仪进口,孚光精仪是中国最大的进口精密光学器件和仪器供应商！所销售的BSO晶体,硅酸铋晶体系优质光折变晶体, 经过在国外生长, 严格切割抛光加工和国外高质量的镀膜，并进行严格的质量控制后进口到国内，质量非常可靠。

KDP晶体DKDP晶体ADP晶体磷酸二氢钾二氢磷酸钾 KDP晶体（KH2PO4）、DKDP晶体或D * KDP（KD2PO4）和ADP晶体（NH4H2PO4）广泛用作Nd:YAG和Nd:YLF激光器的二次、三次和四次谐波发生器。该晶体也被广泛用于电光应用，如Nd:YAG、Nd:YLF、钛:蓝宝石Ti:Sapphire和翠绿宝石Alexandrite激光器Q开关，以及用于普克尔盒和声-光应用。常用的电光晶体是DKDP，氘化 率超过98％。这些晶体通过水溶液法生长，并且可以长到非常大的尺寸，可用作低成本和大尺寸的非线性元件。对于1064nm 的Nd:YAG激光器的倍频（SHG）和 三倍频（THG），I型和II型相位匹配都可用于KDP和DKDP。对于Nd:YAG 激光器的四倍频（4HG，266 nm），通常建议使用KDP晶体。KDP磷酸二氢钾晶体（KH2PO4）是一种水溶性晶体，因其非线性光学特性而闻名。KDP晶体用于生产各种脉冲激光器中的电光元件（普克尔盒）、波片、变频器（用于自相关仪和互相关仪的二次、三次和四次谐波发生，参量发生器和放大器等）DKDP晶体可以提供 94％， 96％和 98％的氘化水平。我们可根据客户的要求提供未抛光或者抛光的高品质KDP、ADP和DKDP晶体。形状可谓棒状、方形或其他形状。参数规格：KDPDKDPADP透明度范围，μm0.174 - 1.570.2 - 2.10.18 - 1.53对称类42m42m42m晶格参数，?A = B = 7.453 C = 6.975A = B = 7.469 C = 6.976A = B = 7.499 C = 7.549密度，g / cm32.3382.3551.803莫氏硬度2.52.52.0折射率 407.8 nm：no= 1.52301 ne= 1.47898no= 1.5185 ne= 1.4772no= 1.53925 ne= 1.49123在632.8nmno= 1.50737 ne= 1.46685no= 1.5044 ne= 1.4656（在623.4 nm处）no= 1.52195 ne= 1.47727在1064nmno= 1.4938 ne= 1.4599no= 1.4948 ne= 1.4554no= 1.5071 ne= 1.4685非线性系数为1.064μm，pm / V.d36= 0.39d36= 0.37d36= 0.47光损伤阈值，MW / cm2300 - 600（1064 nm，20 ns） 100（1064 nm，20 ns）500（1064 nm，60 ns）常温下KDP波长折射率曲线选型：材料KDP/DKDP/ADP应用For example:SHG@1064 SFG@800+267-200 DFG@780-842-10600 OPO@355-460÷560+960÷1150 etc.Type &angles:Type =I/ II？Angles：Theta=？° , phi=？°镀膜For example:p-coating, ARC s1/s2 1064 RARC s1/s2 1064 RBBAR s1/s2 1064 R尺寸抛光面更多晶体相关产品:碲化锌晶体ZnTe晶体铌酸锂晶体LiNbO3晶体硒化锌晶体ZnSe晶体硒化镓晶体GaSe晶体硫化锌晶体ZnS晶体磷化镓晶体GaP晶体有机晶体DAST晶体有机晶体DSTMS晶体有机晶体OH1晶体

SBN晶体又名铌酸锶钡是一种非常优异的光折变晶体材料。我们提供欧洲生长的高纯度SBN晶体或Ce,Cr,Co,Fe掺杂的SBN晶体。 纯SBN晶体和掺杂 Ce, Cr, Co, Fe 的铌酸锶钡 (SBN:60, SBN:61, SBN:75)是优良的光折变晶体,用于电光，声光和光折变等非线性光学研究。我们提供的SBN晶体采用新的晶体生长技术 (Stepanov Method)， 提供出色的光学质量,晶体内部无生长条纹，包裹体和其他不均性现象。SBN晶体和铌酸锶钡元素满足不同的应用要求，基于这种生长技术，我们提供的SBN晶体具有尺寸大，品质高的特点。此外，我们还提供如下特殊掺杂的铌酸锶钡晶体：Ce, Cr, Co, Ni, La, Tm, Yb, Nd， Ce+La, Ce+Ti, Ce+Cr铌酸锶钡晶体应用： 1.SBN晶体用于双波混频：光学信息记录，动态全息干涉，光学全息放大等；2. 铌酸锶钡晶体用于四波混频：高效相位共轭，自泵浦相位共轭镜，双相位共轭镜：3. SBN晶体用于电光器件和声光器件；4. 铌酸锶钡晶体用于Pyroelectrical 探测器；5. SBN晶体晶体用于自倍频，自合频。SBN晶体和铌酸锶钡晶体由孚光精仪进口，孚光精仪是中国最大的进口精密光学器件和仪器供应商！所销售的SBN晶体等光折变晶体系高质量进口晶体, 经过在国外生长, 严格切割抛光加工和国外高质量的镀膜，并进行严格的质量控制后进口到国内，质量非常可靠。SBN晶体和铌酸锶钡元素满足不同的应用要求，基于这种生长技术，我们提供的SBN晶体具有尺寸大，品质高的特点。此外，我们还提供如下特殊掺杂的铌酸锶钡晶体：Ce, Cr, Co, Ni, La, Tm, Yb, Nd， Ce+La, Ce+Ti, Ce+Cr铌酸锶钡晶体应用： 1.SBN晶体用于双波混频：光学信息记录，动态全息干涉，光学全息放大等；2. 铌酸锶钡晶体用于四波混频：高效相位共轭，自泵浦相位共轭镜，双相位共轭镜：3. SBN晶体用于电光器件和声光器件；4. 铌酸锶钡晶体用于Pyroelectrical 探测器；5. SBN晶体晶体用于自倍频，自合频。

Cr:YAG晶体和掺铬钇铝石榴石由孚光精仪进口,孚光精仪公司是中国进口激光器件的第一品牌, 最大的进口精密光学器件和仪器供应商！精通光学，服务科学.提供的Cr:YAG晶体系高质量原装进口晶体, 在国外生长, 切割,抛光,高质量的镀膜，并进行严格的质量控制后进口到国内，质量非常优异，在中科院上海光机所，安徽光机所，中国工程物理研究院等单位成功使用。 Cr:YAG晶体中文名掺铬钇铝石榴石,是一种良好的被动Q开关材料或者饱和吸收体，Cr:YAG晶体（被动Q开关,饱和吸收体）提供高功率激光脉冲而不需要电光Q开关。这种被动Q开关材料或者饱和吸收体能够大幅度减少脉冲激光器，避免电光Q开关的高压供电。我们提供一系列被动Q开关晶体材料。例如：Cr:YAG晶体, Co:MgAl2O4晶体, V:YAG晶体。Cr:YAG晶体是Nd或Yb掺杂激光的良好的被动Q开关晶体材料，特别适合Nd:YAG,Nd:YLF或者Yb:YAG激光.适合波长范围在900-1200nm之间的激光。 |Cr:YAG晶体,掺铬钇铝石榴石主要参数有：Cr:YAG晶体工作波长：1200-1600nm掺铬钇铝石榴石损伤阈值：10J/cm^2Cr:YAG晶体对比值：10掺铬钇铝石榴石孔径：5-12mm Cr:YAG晶体厚度：1-5mmCr:YAG晶体初始透过率：30-99 % 掺铬钇铝石榴石镀膜：1.54微米增透镀膜或其他波长镀膜。领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪！

数字电导率仪实验仪器DDS-11A型一、仪器特点仪器用于准确测量各种液体介质的电导率，当配以0.1、0.01规格常数的电导电及时，可以准确测量高纯水电导率。仪器广泛适用于各领域的科研的生产。仪器特别设计（0～2×105）μS自动六档量程测量，使测量误差小。●采用高件能微机芯片，大屏幕液晶多参数显示●电导率测量、电阻率测量、TDS测量、温度测量●自动校准、自动量程切换、自动温度补偿（0～100℃）●可接0.01 0.1 1 10四种规格常数的电及二、技术指标1.仪器级别：1.0级2.测量范围： 电导率：（0～1.999）μS； （2.0～19.99）μS； （20.0～199.9）μS； （200～1999）μS； （2.0～19.99）mS； （20.0～199.9）mS 温度：-5～105（℃）3.电子单元基本误差： 电导率：±1.0（FS） 温度：±0.5（℃）4.电子单元稳定性：±0.5（FS）5.温度补偿系数：2.0（％）6.温度补偿范围：0～100（℃） 数字电导率仪实验仪器DDS-11A型

Fe:LiNbO3晶体,掺铁铌酸锂晶体是一种性能优良的光折变测量，Fe:LiNbO3晶体具有高的电光系数和光折变灵敏度和衍射效率，而且没有附加电场。我们提供各种掺杂的进口掺铁铌酸锂晶体。Fe:LiNbO3晶体,掺铁铌酸锂晶体参数晶体对称性：三方晶系密度：4.64g/cm^3莫氏硬度：5熔点：1255摄氏度透光范围：0.35-5.5微米折射率： 2.29(n0), 2.2(ne) λ=0.63 um电光系数：32 (r33), 6.8 (r22), 10(r31) pm/V at λ=0.63介电质常数：85 (epsilon11), 30(epsilon33) Fe:LiNbO3晶体和掺铁铌酸锂晶体由孚光精仪进口,孚光精仪是中国最大的进口精密光学器件和仪器供应商！所销售的Fe:LiNbO3晶体,掺铁铌酸锂晶体系高质量进口晶体, 经过在国外生长, 严格切割抛光加工和国外高质量的镀膜，并进行严格的质量控制后进口到国内，质量非常可靠。Fe:LiNbO3晶体,掺铁铌酸锂晶体询问服务：为了方便您的询价，请填写如下晶体要求，复制粘贴到Email中发生给我们即可，我们将尽快回复。Dopant level0.005 - 0.1mol.% Fe2O3Aperture Dimensions:mmLength:mmDescription of AR coatings I Surface:Description of AR coatings II Surface:Electrodes Cr + AuYesNoComments

我们提供的优质进口LiNbO3 晶体,铌酸锂晶体,铌酸锂是声光级和光学级的高质量LiNbO3晶体。 采用Czochralsky 方法生长，沿着Z轴极化的晶体棒长度可达100mm，我们也可提供其他方向的铌酸锂晶体,铌酸锂晶体棒，用于SAW衬底和 压电传感器/piezotransducers。透光范围：350-5500nm长度公差：+0/-0,1mm孔径公差：+0/-0,1mm切割角定位精度：表面质量：S/D10-5平整度：L/8@633nm平行度：垂直度：激光损伤阈值：250MW/cm2 for 10ns pulses @ 1064 nmLiNbO3晶体,铌酸锂晶体广泛地用作1微米以上激光倍频器和OPO光学参量振荡器，以及准相位匹配器件。LiNbO3晶体和铌酸锂晶体也是光电子器件的最为优秀材料之一。人们利用铌酸锂独特的电光，光弹，压电和非线性特性，以及良好的机械和光学稳定性，宽广的透光范围，制造了许多光电子器件。 领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪！LiNbO3晶体,铌酸锂晶体由孚光精仪进口，孚光精仪是中国最大的进口精密光学材料器件和仪器供应商！所销售的LiNbO3晶体,铌酸锂晶体,铌酸锂系高质量进口晶体, 经过在国外生长, 严格切割抛光加工和国外高质量的镀膜，并进行严格的质量控制后进口到国内，质量非常可靠。我们已经为上海光机所, 中科院物理所,南开大学,中国工程物理研究院等诸多单位提供大量的激光晶体和非线性光学晶体。

[110]晶向的ZnTe碲化锌晶体常通过光学整流来产生太赫兹振荡。光学整流效应是一种二阶非线性效应，也是一种特殊的差频效应。一定宽度的飞秒激光脉冲，拥有非常宽的频率分量，这些分量间的相互作用（主要是差频）将会产生从0到几个太赫兹的电磁波。太赫兹脉冲可通过另一个自由空间的晶向ZnTe实现光电探测。太赫兹光脉冲会使碲化锌晶体ZnTe产生双折射，因此当太赫兹光脉冲和可见光脉冲同时在（ZnTe）碲化锌晶体中直线传播时，可见光的偏振状态将会因此发生变化。使用λ/4波片，偏振分光体，以及平衡光电二极管，我们可以完成对可见光的偏振状态的监控，从而得知太赫兹光脉冲的振幅，延迟等各种参数。而这种监测太赫兹光脉冲的完整电磁场信息（振幅和相位延迟）的能力，是时域太赫兹光谱仪比较具有吸引力的特性之一。产品简介碲化锌晶体(ZnTe)是一种具有立方闪锌矿结构的电光晶体，通常被应用于THz波的产生以及探测。产品特点：— 应用于THz产生、探测和光学限幅器— 晶体纯度高 99.995%-99.999%— 表面质量优不同厚度碲化锌晶体ZnTe的TDS测试数据：产生端ZnTe晶体厚度为0.5mm，探测端晶体厚度分别为0.5mm，1mm，2mm碲化锌晶体参数规格：晶格结构：立方闪锌矿密度:5.633 g/ cm3比热:0.16 J/gK带隙(300 K)：2.25 eV最大透过率(λ=7-12μm):60 %最大电阻率：109Ohm*cm折射率(λ=10.6μm):2.7电光系数r41(λ=10.6μm):4.0×10-12m/V电阻率：a). low: 3Ohm*cmb). high: 109Ohm*cm最大IR-optic blank直径/长度：38×20 mm最大单晶尺寸直径/长度：38×20 mm碲化锌晶体ZnTe产品：碲化锌晶体ZnTe棒、碲化锌晶体晶圆片、碲化锌晶体窗片和基底直径/边长：1-50 mm厚度/长度：0.1-150 mm晶向：(110), (100), (111)表面质量：As-cut, 80/50, 60/40 perMIL-0-13830

40G电光调制器驱动产品概述 MD-40主要应用光网络射频放大40 Gb/sOC-768通用实验室测试双级放大设计带宽高达32 GHz峰峰值输出内置直流偏置调制器主要技术参数：参数MD-40MD-50MD-50-DX-R双通道40GHz调制器驱动/射频放大器50GHz调制器驱动/射频放大器50GHz调制器驱动/射频放大器3dB S21带宽32 GHz typ.50GHz typ50GHz typ饱和输出功率21.5 dBm typ.＞23dBm typ.＞23dBm typ.RF增益30 dB max.15~30dB，可调15~30dB，可调增益纹波±0. 75 dB±1.5dB±1.5dB(＞20GHz）输入/输出阻抗50 Ω50 Ω50 ΩS1110 dB min.

产品名称：掺铁铌酸锂晶体（Fe:LiNbO3）产品规格：浓度：0.07mol%Fe:LiNbO3尺寸：dia2"x0.5mm ，10x10x0.5mm；抛光情况：单抛及双抛注：可按照客户要求加工尺寸及方向。标准包装：1000级超净室100级超净袋性能参数 Fe:LiNbO3晶体是一种很好的光折变材料，具有很高的光折变性，理想的电光性能和化学机械性能，广泛用于全息存储，光学存储和信息加工等研发和器件应用领域。科晶公司采用提拉法生长晶体，可获得低成本，大尺寸，全极化，高光学质量的晶体和基片，选择不同的掺杂浓度可适应不同客户的需求。分子式LiNbO3掺杂离子Fe2+,Fe3+掺杂浓度（mol.%Fe2O3）0.005 0.02 0.05 0.1或其他浓度晶体结构三方，3m密度，g/cm34.64莫氏硬度5熔点，℃1255(Tc=1140)透过波段，nm0.35–5.5折射率@lambda=0.63nm2.29(no)2.20(ne)电光系数,pm/V(atlambda=0.63nm)32(r33)6.8(r22)10(r31)介电常数85(e11)

这套电光Q开关系统由高压Q开关电源/时序控制器，高压脉冲输出模块和Q开关/普克尔盒组成。为了产生偏振光，也可以再增加一个高功率格兰偏振器。这套电光Q开关系统使用了先进的高压场效应晶体管电路，转换速度高达5ns，适合的工作频率最高达5KHz, 这套电光Q开关系统是一种多功能，高可靠性，操作简单的电光系统。在中科院上海光机所，复旦大学，南开大学，哈尔滨工业大学，山东大学等单位大量广泛使用。5048型电光Q开关系统使用高可靠性的Q开关电源可以在各种情况下工作,Q开关电源输出脉冲电压而不改变其波形。 电光Q开关系统配备了独特的FET高压输出Q开关电源开关，可以保证在输出各种电压的情况下保持其上升时间不变。而且，可以从电源的面板上手动调节高压转换模块的输出脉冲电压，非常方便地与半波电压和四分之一电压匹配。这套电光Q开关系统可以选配如下普克尔盒晶体材料：KD*P晶体：适合300-1100nm的激光 LiNbO3晶体：适合700-2500nm的激光 其中，对于KD*P晶体而言，如果激光光斑直径大于8mm，或峰值功率密度大于750MW/cm2(脉冲)，建议选择对KD*P工作面进行Sol Gel 增透镀膜。而LiNbO3Q开关建议用于高重复频率（100pps）和低峰值功率密度（）的激光。 5048型电光Q开关系统构成：高压电源/时序控制器/Q开关电源，高压输出模块，各种连线和接头，LiNbO3 普克尔盒或 KD*P普克尔盒5048型电光Q开关系统参数：（说明：这套Q开关系统比较适合1064nm激光，其他波长的激光应用请与我们联系）主要特色： Q开关电源脉冲电压高达8KV 电光Q开关系统重复频率高达5KV 电光Q开关系统全固态，上升时间小于10ns 波长范围300-2500nm 可使用KD*P，CdTe，BBO, LiNbO3和其他Q开关材料Q开关电源可增加EMI/RFI抑制功能，以及外腔使用的高压驱动器等附件。电光Q开关系统符合欧洲CE标准，安全可靠电光Q开关系统 (含Q开关电源,普克尔盒）参数波长范围：LiNbO3: 700-2500nm KD*P: 300-1100nm光学透过率：LiNbO3: 99℅ KD*P: 98.5℅ (增透镀膜时)光学转换速度：5ns建议的峰值功率密度（无热点):LiNbO3开关: 最大 250MW/cm2 KD*P开关: 850MW/cm2 (脉宽)输出脉冲重复频率:1Hz-5KHz输出脉冲延迟:35微秒—1毫秒输出脉冲抖动:+/-0.2℅ of setting +1ns输出脉冲抖动（直接触发高压脉冲模块）:电力要求：100-130V 或190-240V 50/60Hz AC高压电源/时序发生器尺寸：8x11x11英寸标准输出脉冲模块尺寸：2.5x3x6英寸领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪！

实验电炉万用电炉可调电炉实验仪器 一、用途概述 本产品适用于工业、农业、工矿企业、医疗卫生、科研单位、实验室等加热试品用。 二、产品特点 1. 本产品外壳采用优良冷轧板表面静电喷塑，具有抗腐蚀性能强，坚固耐用。 2. 采用可控硅无机调功，适应用户的不同加热温度的需要。 3. 封闭型电炉采用封闭式加热盘，具有加热无明火的特点。 三、主要技术参数 型号：DL-1 规格：单联1KW；单联2KW；双联；四联；六联 工作电压(V)：220 功率(W) ：1000；2000；2000；4000；6000公司专业生产分析仪器,化验设备,化验仪器,材料化验,材料检验,理化仪器设备,电脑多元素联测分析仪,红外碳硫分析仪,定碳仪,定硫仪,碳硫分析仪,碳硫分析仪器,三元素分析仪器,元素分析仪,元素分析仪器,多元素分析仪器,钢铁分析仪器,钢铁化验设备,金属分析仪器,金属化验设备,合金分析仪器,合金化验设备,不锈钢分析仪器,不锈钢化验设备,铝合金分析仪器,铝合金化验设备,铜合金分析仪器,铜合金化验设备,镁合金分析仪器,镁合金化验设备,矿石分析仪器,矿石化验设备,铸造分析仪器,铸造化验设备,有色金属分析仪器,有色金属化验设备,钢铁元素分析仪器,金属元素分析仪器,合金元素分析仪器,元素化验分析设备,理化仪器设备,铝合金元素分析仪器,铜合金元素分析仪器,矿石元素分析仪器, 碳硅仪，碳硅分析仪，炉前铁水成分分析仪，热分析仪，用于分析钢铁及其合金（生铁、铸铁、球铁、铁合金、合金铸铁、普碳钢、铸钢、高、中、低合金钢、不锈钢等）、有色金属及其合金（铝合金、铜合金、锌合金、镁合金等）、矿石等材料中的碳、硫、锰、磷、硅、铬、镍、钼、钒、钛、铝、铜、铁、锡、锌、铅、稀土、镁、钴、镉、铋、锶等元素含量。产品广泛应用于钢铁、冶金、铸造、矿业、化工、机械、建筑等行业和大专院校、研究所及质量监督部门 实验电炉万用电炉可调电炉实验仪器

所属类别：? 晶体 ?铌酸锂晶体所属品牌：美国CTI公司美国Crystal Technology公司提供掺MgO铌酸锂晶片（MgO:LN）。由于没有光折变损伤，具有高纯度与高损伤阈值的掺氧化镁铌酸锂晶体能够承受的光强比一般的非掺杂纯铌酸锂晶体高几百倍。由于MgO的浓度对晶体的性能有很大的影响。因此，需要对MgO浓度进行严格的控制。应用：电光调制器、太赫兹生成、倍频产生蓝/绿光

美国YY LABS公司全线产品 量青光电专业代理美国YY LABS公司是世界上著名的电光调制器偏置控制器厂商，偏置控制器种类齐全，应对数字/模拟应用，有适用于系统集成的OEM版本，也有台式版本方便操作。需要了解更多的请与我们的销售人员联系。上海量青光电专业代理YYLABS公司的全线产品。电光调制器偏置控制器：D0156/D0153SPQPSK调制器偏压控制器PDFD0158/D0154DPQPSK调制器偏压控制器PDFD0157FBPSKDPQPSK调制器偏压控制器PDF0157FSSBDPQPSK调制器偏压控制器PDFMini-MBC-1UMini-MBC-1U,forsingleMZmodulatorPDFMini-MBC-1BUMini-MBC-1BU,高消光比MZ调制器偏压控制器PDFMini-MBC-3Mini-MBC-3可调谐调制器控制器PDFMini-MBC-4双DC偏置口调制器偏压控制器PDFMini-MBC-5用户自定义零点/峰值锁定调制器偏压控制器PDFDPMZ-MBCDPMZ调制器偏压控制器PDF0103Dithlerless调制器偏压控制器PDFMicro-MBC-1单路调制器偏压控制器PDFMicro-MBC-2双路调制器偏压控制器PDFMicro-MBC-plus-1单路调制器偏压控制器

磷化镓晶体GaP晶体太赫兹晶体产品简介 磷化镓是一种人工合成的化合物半导体材料。外观：橙红色透明晶体。磷化镓是一种由n从族元素镓(Ga)与vA族元素磷(P)人工合成的m- V族化合物半导体材料。磷化镓的晶体结构为闪锌矿型，晶格常数5.447±0.06埃，化学键是以共价键为主的混合键，其离子键成分约为20%，300K时能隙为2.26eV，属间接跃迁型半导体。磷化镓与其他大带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如GaAS、 InP)相同，可通过引入深中心使费米能级接近带隙中部，如掺入铬、铁、氧等杂质元素可成为半绝缘材料。目前尚未得到非掺杂半绝缘材料。 （110）晶向的GaP晶体常常被用在太赫兹时域光谱仪中作为探测晶体，其横光学支声子线在11THz。通常可探测的频谱宽度在0.1-6.5THz。中文名：磷化镓外文名：Gallium phosphide分子式：GaP分子量：100.6968实验结果图为40fs钛蓝宝石激光泵浦宽谱光电导天线，400um厚GaP晶体探测的结果GaP磷化镓晶体产品GaP 磷化镓晶体基本规格(a)Description1 GaP (110), 10x10x4 mm,2 sides polished. 2GaP (110), 10x10x2 mm,2 sides polished.. 3GaP (110), 10x10x0.5 mm,2 sides polished.. 4GaP (110), 10x10x0.4 mm,2 sides polished.. 5GaP (110), 10x10x0.2 mm,2 sides polished.. 6GaP (110), 10x10x0.1 mm,2 sides polished..(a)其他规格要求可以定制

硫铟锂（LiInS2或LIS）晶体的非线性特性与AgGaS2和AgGaS2相近，但其晶体结构不同。LiInS2是一种热释电材料，其电光参数是将其用作有效电光材料的基础。技术参数主要特性复合物LiInS2透光率, μm0.35– 13.2非线性系数, pm/Vd31=7.25, d24=5.66 @2.3 对称度斜方晶系, mm2 point group晶胞参数, ?a=6.893, b=8.0578, c=6.4816典型反射系数1064 nm532 nmnx=2.1305, ny=2.1668, nz=2.1745nx=2.2353, ny=2.2841, nz=2.2919用于SHG的基频 x-y, Type II, eoe2.35–6.11x-z, Type I, ooe1.78–8.22y-z, Type II, oeo2.35–2.67y-z Type II, oeo5.59–6.11总间隔时间1.617–8.71光学损坏阈值, GW/cm21064 nm (t=14 ns)40 热导率k, WM/M°Ckx=6.1 ± 0.3 ky=5.9 ± 0.3 kz=7.4 ± 0.30.2透明度级别的远红外吸收边缘2.58 THz at 118 μm 光学元件参数定向精度, arc min 30平行度, arc sec 30平面度546 nmλ/6表面质量, scratch/dig30/20 应用Ti: Sappire 激光泵浦的光学参量振荡器（范围 1 – 12 μm）用于使用OPO的可调谐固态激光器，由Nd:YAG和其他1.2-10μm范围内的激光器泵浦中红外(2-12μm)的差频产生 ,将CO2激光辐射图像上转换为近红外或可见光区域• 中红外范围（2-12μm）的不同频率发生器1-12μm泵浦Al2O3:Ti的光学参量振荡器席中红外区频率混频对于所有晶体，我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层，以及反射率曲线。

超快普克尔盒,超快电光调制器是目前转换最快的电光Q开关. Felles1111KD*P普克尔盒使用一块晶体, 上升时间为40皮秒而Felles1112KD*P型具有两块晶体,上升时间为85皮秒.这两款超快普克尔盒,超快电光调制器专业为超快激光的脉冲斩波和拾取而设计, 尤其适合锁模激光器脉冲中拾取皮秒或飞秒激光脉冲. Felles1111KD*P型超快电光调制器的光程为15mmFelles1112KD*P型超快电光调制器的光程是22mm, 这样就最大程度地减小时间色散.这两款超快普克尔盒,超快电光Q开关盒同样使用最优质的KD*P晶体制造而成, 晶体安装在配备熔炉石英窗口的密闭铝制外壳里, 也可使用折射率匹配的液体以减少内部光学界面的反射.超快普克尔盒超快电光Q开关产品参数: 型号：Felles1111KD*P材料：KD*P晶体晶体个数：1光程：15mm净孔径：2.5mm半波电压： 约6.5KV@1064nm反射系数tr=140ps: 上升时间：终端阻抗: 50欧姆阻抗使用1米长50欧姆阻抗的线连接到调制器上尺寸：光束方向 83W x 48H x 50.8 L mm重量：312g型号：Felles1112KD*P材料：KD*P晶体晶体个数：2光程：22mm净孔径：2.5mm半波电压： 约3.3KV@1064nm反射系数tr=140ps: 上升时间：终端阻抗: 50欧姆阻抗使用1米长50欧姆阻抗的线连接到调制器上尺寸：光束方向 83W x 48H x 50.8 L mm重量：312g超快普克尔盒,超快电光调制器,超快电光Q开关由孚光精仪进口销售,孚光精仪是中国领先的进口（光学）精密仪器旗舰型服务商！精通光学，服务科学，先后为北京大学,中科院上海光机所，哈尔滨工业大学，中国工程物理研究院，山东大学等单位提供这种优质进口的：超快普克尔盒,超快电光调制器,超快电光Q开关。

太赫兹晶体筱晓光子供应太赫兹晶体，具有品质高、非线性光学特性强、光电系数大的特点。该系列太赫兹晶体应用广泛，包括：太赫兹发生器、太赫兹探测器、快速光电调制、光参量发生器、1.55μm倍频。Physical PropertiesDAST CrystalMelting temperature256℃Refractive indices@720nmn1=2.519, n2=1.720, n3=1.635Nonlinear optical coefficientsd11(1318nm)=1010pm/Vd11(1542nm)=290pm/V, d26(1542nm)=39pm/VElectro optic coefficientsr11(720nm)=92pm/Vr11(1313nm)=53pm/Vr11(1535nm)=47pm/VDielectric constants@3KHzε1=5.2, ε2=4.1, ε3=3.0Phase matching for THz Generation1300-1600nmPhysical PropertiesOH1 CrystalMelting temperature212℃Refractive indices@1319nmn2=1.58, n3=2.15Nonlinear optical coefficients@1900nmd333=120±10pm/Vd223=13±2pm/Vd322=8.5±2pm/VElectro optic coefficientsr333(633nm)=109±4pm/Vr333(785nm)=75±7pm/Vr333(1064nm)=56±2pm/Vr333(1319nm)=52±7pm/VPhase matching for THz Generation1200-1460nmPhysical PropertiesDSTMS CrystalMelting temperature250℃Refractive indices@1550nmn1=2.07, n2=1.64Nonlinear Optical Coefficients@1900nmd111=214±20pm/Vd122=31±4pm/Vd212=35±4pm/VElectro optic coefficients@1900nmr111=37±3pm/VPhase matching for THz Generation1300-1700nmPhotorefractive Crystal KNbO3Wavelength[nm]Recording Time(typical)[s]KNbO3:Fe4881KNbO3:Mn51518603KNbO3:Fe reduced4880.015150.01KNbO3:Rh reduced8600.5106450

RTP普克尔盒,RTP电光Q开关,RTP电光调制器RTP普克尔盒,RTP电光Q开关,RTP电光调制器.RTP普克尔盒采用了新晶体材料RTP晶体,它兼具KD*P和LiNb03两种晶体次材料的特点，同时还具有独特的优点：无压电效应产生，适合高重复频率应用（最大100KHz），RTP普克尔盒是高重复频率光电调制器和Q开关的良好选择,是最佳的RTP电光Q开关和RTP电光调制器。RTP普克尔盒,又称RTP电光Q开关，有效光学波长范围为350-4300nm. 400-1100nm波段的透过率在镀增透膜后可达98.5％，目前我们标准的镀膜是1064nm和700-900nm,其他波段的镀膜也可根据用户要求提供。RTP普克尔盒和RTP电光Q开关的消光比在633nm时测得的数值是200：1，波长畸变小于1/8波长。RTP电光调制器在较宽的温度范围内表现出优异的热稳定性，RTP电光Q开关电光系数在10-50摄氏度的范围内受温度影响很小。RTP电光调制器的激光损伤阈值大约为850MW/cm2 @10ns, 1064nm.对于激光脉冲的拾取/脉冲选通应用而言，对于脉宽小于100皮秒的激光脉冲，损伤阈值大约为10GW/cm2.我们提供的RTP普克尔盒和RTP电光Q开关的工作电压与相同孔径的KD*P和BBO普克尔的电压稍低。领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪！