晶体电光调制实验仪

RTP晶体与电光调制模块RTP晶体有高介电常数和电阻率，高激光损伤阈值，低插入损耗，无潮解，和无振铃效应，很适用于做激光的电光调制，包括:Q开关,普克尔盒Pulse Picker电光快门相位调制器，幅度调制器腔倒空器等RTP是双折射晶体，RTP电光器件通常采用两块几何结构和性能完全一致的晶体，光轴彼此垂直做配对使用。这样的双晶体结构器件可以在-50℃-+70℃环境中稳定工作。同时，由于其低半波调制电压需求，使其更加适用于军用，医疗和工业应用，

电光调制器相位调制器特点：l 两个晶体加工成布鲁斯特角，进行内部补偿l 高透过率l 高损伤阈值l 设计精巧、紧凑 主要技术参数：激光调制器特点：l 4个晶体进行内部补偿l 波长范围覆盖250-1100nm l 消光比：1:250（VIS,IR），1:100（UV）l 高透过率l 高损伤阈值l 设计精巧、紧凑

总览4-N，N-二甲基氨基-4'-N'-甲基己烯唑鎓2,4,6-三甲基苯磺酸盐(4-N,N-dimethylamino-4’-N’-methyl-stilbazolium 2,4,6-trimethylbenzenesulfonate)瑞士Rainbow Photonics 公司推出DSTMS晶体用于产生太赫兹，突破传统的光电导天线产生太赫兹的模式。THz DSTMS 太赫兹电光有机晶体,THz DSTMS 太赫兹电光有机晶体产品特点高品质晶体可切割、抛光用于各种应用高非线性光学性质高电光系数在720-1650nm 波段 相位匹配可产生太赫兹波产品应用有效太赫兹产生和探测（0.3 to 16 THz）快速电光调制光学参量产生1550 nm 有效倍频通用参数物理性能熔融温度250 °C点群对称 (point group symmetry)m折射率@1550nmn1 = 2.07, n2 = 1.641900 nm时的非线性光学系数d111 = 214 ± 20 pm/Vd122 = 31 ± 4 pm/V d212 = 35 ± 4 pm/V1900 nm时的电光系数r111 = 37 ± 3 pm/V吸收光谱曲线及太赫兹转换效率曲线太赫兹发生器安装在1英寸圆盘上如下所示，无需额外费用。

铌酸锂（LiNbO3）晶体是重要的光电材料, 是集成光学、非线性光学、光电子元器件等领域中应用*广泛,*重要的基片材料之一。目前,铌酸锂晶体被广泛应用在声表面波、电光调制、激光调Q、光陀螺、光参量振荡、光参量放大、光全息存储等器件中,这些器件在手机、电视机、光通讯、激光测距、电场探测器等器件中发挥着重要的作用。晶正科技生产的铌酸锂单晶薄膜产品, 其晶格结构为单晶, 完全保持了体材料的**物理性质, 直径为3英寸,上层铌酸锂单晶薄膜厚度为300-700纳米, 中层为2微米厚的二氧化硅（SiO2）, *下层为0.5毫米厚的铌酸锂芯片衬底。其产品结构自上而下依次为铌酸锂单晶薄膜、二氧化硅层、铌酸锂衬底。铌酸锂单晶薄膜集成到铌酸锂衬底上，此结构可应用于电光调制器、光波导、谐振器、声表面波器件、铁电存储器等。 技术参数 产品应用 光纤通讯, 例如波导调制器等。用此薄膜材料生产的器件与传统产品相比体积可缩小百万倍以上, 集成度大幅提高, 响应频带宽,功耗低, 性能更加稳定, 制造成本降低。信息存储领域, 可实现高密度信息存储。电子学器件, 比如高质量滤波器、延迟线等。红外探测领域, 比如高灵敏度红外探测器。

电光相位调制器我们的电光相位调制器能够对线偏振入射光提供可调相位差。入射光沿竖直方向线偏振，即晶体的Z轴方向。通过RF输入端在Z轴电极上施加电压，使晶体的非寻常光折射率发生变化，以此使光信号产生相位差。控制信号可以是DC或随时间变化的RF信号。当控制电压信号随时间变化，光束将受到频率调制，部分基频能量将转到边带中，边带与基频间隔是调制频率的整数倍。转到边带的能量大小由调制深度决定。右图展示了边带的相对强度和调制深度的关系。

所属类别： » 调制器 » 电光调制器/电光Q开关所属品牌：美国ConOptics公司美国 ConOptics公司提供一系列的低压电光调制器、驱动器以及其它附件，以满足您的不同需求。电光调制器和调制系统用于脉冲选择、再生开关、光盘控制和数据存储。ConOptics公司提供的电光调制器都是横向电光调制器。其采用的晶体有三种类型：ADP、KD*P、LTA。电光调制器和放大器的详细参数如表1、表2所示。 　Model NumberV1/2wave@500nmV1/2wave @830nmV1/2wave @1064nmV1/2 wave @2500nmADP Crystal SeriesWavelength Limits(240 to 800nm)*M370184&ndash &ndash &ndash &ndash &ndash &ndash M370 LA263&ndash &ndash &ndash &ndash &ndash &ndash M38092&ndash &ndash &ndash &ndash &ndash &ndash M390115&ndash &ndash &ndash &ndash &ndash &ndash KD*P Crystal Series Wavelength Limits(240 to 1100nm)*M350-50455757970&ndash &ndash M350-80261433522&ndash &ndash M350-80LA360600720&ndash &ndash M350-105226376472&ndash &ndash M350-160130216275&ndash &ndash M350-210113188240&ndash &ndash LTA Crystal Series Wavelength Limits (700 to 2000nm)M360-40&ndash &ndash 312400950M360-80&ndash &ndash 143183430M360-120&ndash &ndash 107138323M360-160&ndash &ndash 7192215　Aperture DiameterResonancesContrast Ration @633nm and 1064nmLength w/PolarizerADP Crystal SeriesWavelength Limits(240 to 800nm)*2.5mmNo500:1,N/A158mm3.5mmNo500:1,N/A158mm2.5mmNo500:1,N/A253mm3.5mmNo500:1,N/A272mmKD*P Crystal Series Wavelength Limits(240 to 1100nm)*3.1mmYes500:1, 700:1106mm2.7mmYes500:1, 700:1137mm3.5mmYes　137mm3.1mmYes500:1, 700:1162mm2.7mmYes300:1, 500:1215mm3.1mmYes300:1, 500:1268mmLTA Crystal Series Wavelength Limits (700 to 2000nm)2.7mmYesN/A, 200:195mm2.7mmYesN/A, 200:1137mm2.7mmYesN/A, 100:1174mm2.7mmYesN/A, 100:1215mm表1电光调制器参数 ModelBandwidthRise/Fall TimesMax. Output VTypical Drive ConfigurationOutput25ADC TO 25MHz14ns145100 Ohms B.L.Analog25DDC TO 30MHz8ns175101 Ohms B.L.Digital50DC TO 50MHz7ns9050 Ohms B.L.Analog100DC TO 100MHz3.5ns9050 Ohms B.L.Analog20010KHz TO 200MHz&ndash 17050 Ohms S.E.&ndash 275DC TO 8MHz50ns275Lumped CapacitanceAnalog302RMDC TO 250KHz1micro sec750Lumped CapacitanceAnalog302ADC TO 1MHz350ns350Lumped CapacitanceAnalog307DC TO 50KHz8ns800Lumped CapacitanceDigital50520 TO 100MHz&ndash 4450 Ohms S.E.&ndash 55050 TO 500MHz&ndash 14051 Ohms S.E.&ndash 表2放大器参数 表1、表2中的的调制器和驱动器可以以多种方式组合成性价比高的调制系统。表3标明了系统的关键参数。 AmplifierModulatorBandwidthTransmission at Longest wavelength302RM350-80LADC to 250KHz85% @ 1040nm302RM350-50DC to 250KHz85% @ 830nm302RM350-80DC to 250KHz85% @ 1200nm302A350-105DC to 1MHz85% @ 830nm307350-50DC to 50KHz85% @ 900nm505360-8020MHz to 100MHzPhase Modulation550360-8050 to 250MHz85% @ 830nm25A350-160DC to 25MHz85% @ 600nm25A350-80DC to 25MHz85% @ 830nm25D350-160DC to 30MHz85% @ 700nm25D360-80DC to 30MHz85% @ 1064nm50380-2PDC to 50MHz85% @ 500nm50360-120DC to 50MHz85% @ 830nm100380-2PDC to 100MHz85% @ 500nm100360-120DC to 100MHz85% @ 830nm200350-8010KHz to 200MHz85% @ 350nm200350-16010KHz to 100MHz85% @ 600nm200360-8010KHz to 200MHz85% @ 830nm275350-105DC to 8MHz85% @ 650nm275350-160DC to 8MHz85% @ 1064nm表3调制系统参数 ConOptics公司提供的电光调制器都是作为强度调制器来使用的。但同时，这些调制器也可以设置成偏振旋转器、电压可变波片、相位调制器。需要注意的是，当作为相位调制器时，只有半个调制器是工作的，因此半波电压是两倍。并且，一旦被设置为相位调制器，就不能再设置回强度调制器。 KD*P SeriesPhase Sensitivity mrad/volt@500nmV for1/2 Wave Phase Modulator350-50LA3.85815350-507450350-8012261350-10514.7225350-16024130350-21029113ADP SeriesPhase Sensitivity mrad/volt@500nmV for1/2 Wave Phase Modulator370LA1226237017184380249039027115LTA SeriesPhase Sensitivity mrad/volt@500nmV for1/2 Wave Phase Modulator360-4013242360-8026120360-1203980360-1605260表4 相位调制器参 相关产品可变相位延迟器(液晶波片)声光调制器（AO Modulator）/声光移频器（AO Shifter）Leysop低压电光调制器超快电光调制器（150ps上升/下降沿）高频电光相位调制器（100MHz/1GHz）

产品特性：振幅调制和相位调制高性能、结构紧凑精巧宽带DC耦合2mm输入孔径SMA输入接口DC-100MHz带宽产品参数： 类型 振幅调制器EO-AM-NR相位调制器EO-PM-NR晶体 铌酸锂(LiNbO3) 波长 C1600 - 900 nm600 - 900 nmC2900 - 1250 nm900 - 1250 nmC31250 - 1650 nm1250 - 1650 nmC4400- 600 nm400 - 600 nm孔径 2 mm2 mm输入接口 SMA FemaleSMA Female半波电压, V&pi 360 V @1064 nm(Typical)240 V @ 1064 nm(Typical)最大功率密度 2 W/mm2 @ 532 nm,4 W/mm2 @ 1064 nm2 W/mm2 @ 532 nm,4 W/mm2 @ 1064 nm高电压放大器：　 　　Thorlabs高电压放大器HVA200专门设计来驱动Thorlabs的电光调制器。其输出电压± 200 V，输出电流100mA，带宽1MHz，低噪音。产品参数 型号 HVA200输出电压 &ndash 200 - 200 V最大输出电流100 mA DC最大输入电压 &ndash 10 to 10 V输入阻抗 1 k&Omega 输出阻抗 50&Omega 输入接口 BNC输出接口 BNCHV监控接口 BNC输出噪音 1.5 mV RMS电压增益 &ndash 20 ± 2%DC 偏置电压范围 &ndash 200 to 200 VHV Monitor to Output Ratio: 输入阻抗50&Omega 40:1 (Vout/40 ± 6%)输入阻抗10 k&Omega 20:1 (Vout / 20 ± 6%)

电光调制器 美国 ConOptics公司提供一系列的低压电光调制器和调制系统可用于脉冲选择、再生开关、光盘控制和数据存储。ConOptics公司提供的电光调制器都是横向调制器（通光方向与所加电场方向相垂直）。主要有三种晶体类型可供选择：ADP、KD*P、LTA。 电光调制器指标参数：ADP Crystal Series Wavelength Limits (240 to 800nm)Model NumberV 1/2 wave @ 500nmV 1/2 wave @ 830nmV 1/2 wave @ 1064nmV 1/2 wave @ 2500nmAperture DiameterResonancesContrast Ration @ 633nm and 1064nmLength w/ PolarizerM370184------2.5mmNo500:1, N/A158nmM370LA263------3.5mmNo500:1, N/A158nmM38092------2.5mmNo500:1, N/A253nmM390115------3.5mmNo500:1, N/A272nm KD*P Crystal Series Wavelength Limits (240 to 1100nm)Model NumberV 1/2 wave @ 500nmV 1/2 wave @ 830nmV 1/2 wave @ 1064nmV 1/2 wave @ 2500nmAperture DiameterResonancesContrast Ration @ 633nm and 1064nmLength w/ PolarizerM350-50455757970--3.1mmYes500:1, 700:1106mmM350-80261433522--2.7mmYes500:1, 700:1137mmM350-80LA360600720--3.5mmYes 137mmM350-105226376472--3.1mmYes500:1, 700:1162mmM350-160130216275--2.7mmYes300:1, 500:1215mmM350-210113188240--3.1mmYes300:1, 500:1268mm LTA Crystal Series Wavelength Limits (700 to 2000nm)Model NumberV 1/2 wave @ 500nmV 1/2 wave @ 830nmV 1/2 wave @ 1064nmV 1/2 wave @ 2500nmAperture DiameterResonancesContrast Ration @ 633nm and 1064nmLength w/ PolarizerM360-40--3124009502.7mmYesN/A, 200:195mmM360-80--1431834302.7mmYesN/A, 100:1137mmM360-120--1071383232.7mmYesN/A, 100:1174mmM360-160--71922152.7mmYesN/A, 100:1215mm 放大器指标参数：ModelBandwidthRise/Fall TimesMax. Output VTypical Drive ConfigurationOutput25ADC TO 25MHz14ns145100 Ohms B.L.Analog25DDC TO 30MHz8ns175100 Ohm' s B.L.Digital50DC TO 50MHz7ns9050 Ohms B.L.Analog100DC TO 100MHz3.5ns9050 Ohms B.L.Analog20010KHz TO 200MHz-17050 Ohms S.E.-275DC TO 8MHz50ns275Lumped CapacitanceAnalog302RMDC TO 250KHz1micro sec750Lumped CapacitanceAnalog302ADC TO 1MHz350ns350Lumped CapacitanceAnalog307DC TO 50KHz8ns800Lumped CapacitanceDigital50520 TO 100MHz-4450 Ohms S.E.-55050 TO 500MHz-14050 Ohms S.E- 电光调制器系统指标参数：AmplifierModulatorBandwidthTransmission at Longest wavelength302RM350-80LADC to 250KHz85% @ 1040nm302RM350-50DC to 250KHz85% @ 830nm302RM350-80DC to 250KHz85% @ 1200nm302A350-105DC to 1MHz85% @ 830nm307350-50DC to 50KHz85% @ 900nm505360-8020MHz to 100MHzPhase Modulation550360-8050 to 250MHz85% @ 830nm25A350-160DC to 25MHz85% @ 600nm25A350-80DC to 25MHz85% @ 830nm25D350-160DC to 30MHz85% @ 700nm25D360-80DC to 30MHz85% @ 1064nm50380-2PDC to 50MHz85% @ 500nm50360-120DC to 50MHz85% @ 830nm100380-2PDC to 100MHz85% @ 500nm100360-120DC to 100MHz85% @ 830nm200350-8010KHz to 200MHz85% @ 350nm200350-16010KHz to 100MHz85% @ 600nm200360-8010KHz to 200MHz85% @ 830nm275350-105DC to 8MHz85% @ 650nm275350-160DC to 8MHz85% @ 1064nmConOptics公司提供的电光调制器都是作为强度调制器来使用的。但同时，这些调制器也可以设置成偏振旋转器、电压可变波片、相位调制器。需要注意的是，当作为相位调制器时，只有半个调制器是工作的，因此半波电压是两倍。并且，一旦被设置为相位调制器，就不能再设置回强度调制器。 相位调节器指标参数KD*P SeriesPhase Sensitivity mrad/volt@500nmV for1/2 Wave Phase Modulator350-50LA3.85815350-507450350-8012261350-10514.7225350-16024130350-21029113ADP SeriesPhase Sensitivity mrad/volt@500nmV for1/2 Wave Phase Modulator370LA1226237017184380249039027115LTA SeriesPhase Sensitivity mrad/volt@500nmV for1/2 Wave Phase Modulator360-4013242360-8026120360-1203980360-1605260

光折变晶体 SBNSBN晶体，又名铌酸锶钡，是一种非常优异的光折变晶体材料。 纯SBN晶体和掺杂 Ce, Cr, Co, Fe 的铌酸锶钡 (SBN:60, SBN:61, SBN:75)是优良的光折变晶体，用于电光，声光和光折变等非线性光学研究。我司提供的进口SBN晶体采用优良的晶体生长技术，具有出色的光学质量。晶体内部无生长条纹，包裹体和其他不均匀性现象。SBN晶体指标参数：可根据客户需求提供极化处理等。SBN晶体应用领域：1. 光学信息记录，动态全息干涉，光学全息放大等；2. 高效相位共轭，自泵浦相位共轭镜，双相位共轭镜：3. 用于电光器件和声光器件；4. 用于Pyroelectrical 探测器；更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等服务。您可以通过我们昊量光电的官方网站了解更多的产品信息，或直接来电咨询。

铌酸锂(LiNbO3)电光相位调制器所属类别： » 调制器 » 铌酸锂(LiNbO3)电光调制器所属品牌：法国Photline公司铌酸锂相位调制器，40Gbps/40GHz高速调制器，工作波长涵盖了800nm, 1060nm, 1300nm, 1550nm和2um。关键词：电光相位调制器，铌酸锂电光相位调制器，铌酸锂相位调制器，相位调制器、高速调制器、铌酸锂高速调制器、高速铌酸锂电光调制器，LiNbO3 modulator法国Photline公司提供的铌酸锂(LiNbO3)电光调制器产品线非常丰富，包括强度调制器和相位调制器，电光带宽从低频到40Gbps/40GHz高速调制器均可提供，工作波长涵盖了800nm, 1060nm, 1300nm, 1550nm和2um。与Photline公司的射频驱动配合，我们的调制器为科研实验和工业系统集成提供各种合适的解决方案。 1550nm波段铌酸锂(LiNbO3)电光相位调制器 MPX-LN-0.1是专为低频相位调制(100MHz)设计一款铌酸锂(LiNbO3)相位调制器。该器件的集成化电极使其半波电压极低，X-Cut设计使其在高温下依然具有很强的稳定性。MPX-LN-0.1是恶劣环境中光纤传感应用的的理想器件。同时，该调制器具有高输入阻抗和低频性能优化的特点，使用更简便。MPX-LN, MPZ-LN系列高速相位调制器专为光学相位调制器设计，其调制频率40GHz。该系列产品为各种需要超高带宽和低插入损耗的应用提供解决方案，其中包括各种相位编码格式的模拟与数字通讯。应用：相位键控光通讯(Phase keyed optical communications)相干通讯连接(Coherent communication links)光谱展宽(Spectrum broadening)干涉型传感(Interferometric sensing)啁啾-频率调制(Chirping - Frequency modulation)量子密钥分配(Quantum Key Distribution) ParameterMPX-LN-0.1MPX-LN-05MPZ-LN-10MPZ-LN-20MPZ-LN-40Electro-Optic Bandwidth150MHz (Typ)5GHz (Typ)12GHz(Typ)20GHz (Typ)32GHz (Typ)Insertion Loss3.5dB (Typ)2.5dB (Typ)VП3V (Typ)6V (Typ)5V (Typ)7V (Typ) 1000nm波段铌酸锂(LiNbO3)电光相位调制器 NIR-MPX-LN-0.1是专为1000nm波长低频相位调制(100MHz)设计一款铌酸锂(LiNbO3)相位调制器。该器件制作中使用了基于质子交换的波导制作工艺，使其能够承受100mW的光功率，并具有很强的稳定性。同时，该调制器具有高输入阻抗和低频性能优化的特点，使用更简便.NIR-MPX-LN系列高速相位调制器是专为1000nm波长设计的铌酸锂(LiNbO3)相位调制器，调制频率可达10GHz。该器件制作中使用了基于质子交换的波导制作工艺，使其能够承受100mW的光功率，并具有很强的稳定性。应用：光谱展宽(Spectrum broadening)干涉型传感(Interferometric sensing)啁啾-频率调制(Chirping - Frequency modulation)ParameterNIR-MPX-LN-0.1NIR-MPX-LN-05NIR-MPX-LN-10Operating Wavelength980-1150nmElectro-Optic Bandwidth150MHz (Typ)5GHz (Typ)8GHz(Typ)Insertion Loss3.5dB (Typ)VП6V (Typ)8V (Typ) 800nm波段铌酸锂(LiNbO3)电光相位调制器 NIR-MPX800-LN-0.1是专为800nm波长低频相位调制(100MHz)设计一款铌酸锂(LiNbO3)相位调制器。该器件制作中使用了基于质子交换的波导制作工艺，使其能够承受100mW的光功率，并具有很强的稳定性。同时，该调制器具有高输入阻抗和低频性能优化的特点，使用更简便.NIR-MPX800-LN系列高速相位调制器是专为800nm波长设计的铌酸锂(LiNbO3)相位调制器，调制频率可达10GHz。该器件制作中使用了基于质子交换的波导制作工艺，使其能够承受较高的光功率，并具有很强的稳定性。应用：量子光学(Quantum Optics)干涉型传感(Interferometric sensing)光纤光学传感器(Fiber Optics Sensors)啁啾-频率调制(Chirping - Frequency modulation)光谱展宽(Spectrum broadening) ParameterNIR-MPX800-LN-0.1NIR-MPX800-LN-05NIR-MPX800-LN-10Operating Wavelength780-890nmElectro-Optic Bandwidth150MHz (Typ)5GHz (Typ)12GHz(Typ)Insertion Loss3.5dB (Typ)4dB (Typ)VП2.5V (Typ)5V (Typ)7V (Typ) 2um波段铌酸锂(LiNbO3)电光相位调制器MPX2000-LN-0.1是专为2.0um波长低频相位调制(100MHz)设计一款铌酸锂(LiNbO3)相位调制器。该调制器具有高输入阻抗和低频性能优化的特点，使用更简便。该器件集成了2.0um的特制波导和2.0um保偏光纤。应用：光学传感ParameterMPX2000-LN-0.1Operating Wavelength1900-2200nmElectro-Optic Bandwidth100MHz (Min) 150MHz (Typ)Insertion Loss3dB (Typ)VП100V (Min) 150V (Typ) 相关产品ModBox可调谐激光器铌酸锂(LiNbO3)电光强度调制器ModBox一体化铌酸锂调制系统与激光光源铌酸锂(LiNbO3)偏振开关/偏振切换器铌酸锂(LiNbO3)电光调制器射频驱动模块

铌酸锂(LiNbO3)电光强度调制器所属类别： » 调制器 » 铌酸锂(LiNbO3)电光调制器所属品牌：法国Photline公司Photline铌酸锂强度调制器，40Gbps/40GHz高速调制器，工作波长涵盖了800nm, 1060nm, 1300nm, 1550nm和2um。关键词：强度调制器、铌酸锂强度调制器，光纤耦合电光调制器，铌酸锂高速调制器、高速铌酸锂电光调制器，高速调制器、G赫兹调制器，GHz调制器法国Photline公司提供的铌酸锂(LiNbO3)电光调制器LiNbO3 modulators产品线非常丰富，包括强度调制器和相位调制器，电光带宽从低频到40Gbps/40GHz高速调制器均可提供，工作波长涵盖了800nm, 1060nm,1300nm, 1550nm和2um。与Photline公司的射频驱动配合，我们的调制器为科研实验和工业系统集成提供各种合适的解决方案。 1550nm波段铌酸锂电光强度调制器(LiNbO3Amplitude modulation) 马赫-曾德尔调制器(Mach-Zehndermodulator)的X-Cut设计使其具有极高的工作稳定性和零啁啾性能。Photline公司具有专利技术的波导设计使其铌酸锂电光强度调制器兼具低损耗与高消光比的特性。MX-LN系列铌酸锂(LiNbO3)强度调制器为光通信应用而设计，数据速率可达40Gb/s，是光通讯应用中NRZ、RZ、DPSK、Duo Binary调制模式的理想器件，也为各种高带宽应用的关键器件。MZDD-LN-20铌酸锂(LiNbO3)强度调制器是专为光通讯应用设计的双驱动强度调制器，数据速度可达28Gb/s,模拟调制速度可达20GHz。马赫-曾德尔调制器(Mach-Zehnder)的双驱动设计使其兼具低插入损耗、高带宽和极低的半波电压等特点，为当前各种先进的应用提供了很好的解决方案。应用：NRZ、RZ、DPSK数字通讯(2.5 Gb/s, 10 Gb/s, 28 Gb/s, 40 Gb/s)；20GHz模拟传输、强度外调制、测试与测量ParameterMX-LN-10MX-LN-20MX-LN-40MZDD-LN-20Electro-Optic Bandwidth12GHz (Typ)20GHz(Type)30GHz (Typ)20GHz(Typ)Insertion Loss4dB (Typ)3.5dB(Typ)VП RF4V (Typ)5.5V (Typ)6.4V (Typ)3.5V (Typ) MXAN-LN系列铌酸锂强度调制器(LiNbO3 modulator)专为模拟调制应用设计，调制频率可达40GHzMXDO-LN-20铌酸锂强度调制器(LiNbO3 modulator)是具有双光纤输出的模拟强度调制器。该器件专业化的设计为两个互补的光纤输出提供很好的输出平衡(Output Blance: 5%)，为使用差分探测的光纤射频系统(ROF)与微波光子应用提供20GHz的模拟通讯。应用：光纤射频系统(Radio Over Fiber)、雷达天线远程化(Antenna Remoting)、雷达与卫星通信(Radar/Satcom)、测试与测量、高频光纤连接ParameterMXAN-LN-10MXAN-LN-20MXAN-LN-40MXDO-LN-20Electro-Optic Bandwidth12GHz (Typ)20GHz(Typ)30GHz (Typ)20GHz(Typ)Insertion Loss4dB (Typ)4dB(Typ)VП RF5.5V (Typ)5.5V (Typ)6.4V (Typ)5.5V (Typ) MXER-LN-10铌酸锂(LiNbO3)强度调制器是一款具有极高消光比的高性能强度调制器。基于Photline的&ldquo Magic Junction&rdquo 专利设计，该调制器广泛应用于要求高消光比与高带宽应用领域，例如光放大前的激光脉冲选择、脉冲产生和基于传感系统的激光雷达应用、光纤传感应用等。应用：超快脉冲生成、脉冲选择、脉冲整形、载波抑制、光纤传感 MXER-LN-10ParameterMinTypMaxUnitOperating Wavelength1530-1580nmExtinction Ratio40 dBInsertion Loss-4-dBElectro-Optic Bandwidth-12-GHz 1310nm波段铌酸锂(LiNbO3)电光强度调制器 MX1300-LN-10 是专为1310nm波段设计的铌酸锂电光强度调制器。得益于在1310nm波长优化的光波导和为1310nm波段优选的光纤，这款器件可谓是真正的1310nm强度调制器。 应用：NRZ、RZ、DPSK数字通讯(2.5 Gb/s, 10 Gb/s)、1310nm波段强度外调制 MX1300-LN-10ParameterMinTypMaxUnitElectro-Optic Bandwidth1012-GHzInsertion Loss-4-dBVП RF-4-V 1000nm波段铌酸锂(LiNbO3)电光强度调制器 INR-MX-LN-10 是专为1000nm波段设计的铌酸锂电光强度调制器。这款调制器在1000nm波段具有铌酸锂(LiNbO3)外调制所固有的独特性能：高带宽、可达30dB的高消光比、使用简便等。得益于Photline公司专有的波导制作工艺，INR-MX-LN-10具有稳定的性能，并能够承受几十mW的输入光功率。 应用：超快脉冲生成、脉冲选择、脉冲整形、载波抑制、光纤传感、光纤激光器、光通讯 INR-MX-LN-10ParameterMinTypMaxUnitElectro-Optic Bandwidth1012-GHzInsertion Loss-6-dBOptical Power Handling -100mWExtinction Ratio-30-dB 800nm波段铌酸锂(LiNbO3)电光强度调制器 NIR-MX800-LN系列铌酸锂(LiNbO3)电光强度调制器是专为800nm波段设计的高带宽强度调制器。这款调制器在800nm波段具有铌酸锂(LiNbO3)外调制所固有的独特性能：高带宽、高消光比、使用简便等。得益于Photline公司专有的波导制作工艺，INR-MX800-LN-10具有稳定的性能，并能够承受几十mW的输入光功率。 应用：10 GbE850nm、超快脉冲生成、脉冲选择、脉冲整形、载波抑制、量子光学 ParameterINR-MX800-LN-10INR-MX800-LN-20Electro-Optic Bandwidth12GH (Typ)25GH (Typ)Insertion Loss4.5dB (Typ)Optical Power Handling20mW (Max)Extinction Ratio25dB (Typ) 2um波段铌酸锂(LiNbO3)电光强度调制器 MX2000-LN系列铌酸锂(LiNbO3)电光强度调制器是专为2um波段设计的强度调制器，调制频率可达10GHz。这款调制器在2.0um波段具有铌酸锂(LiNbO3)外调制所固有的独特性能：高带宽、高消光比、使用简便等。该器件基于X-Cut设计使其具有很强的稳定性，其中集成了2.0um的特制波导和2.0um保偏光纤。 ParameterMX2000-LN-01MX2000-LN-10Operating Wavelength1900-2200nmInsertion Loss4dB (Typ)Electro-Optic Bandwidth1GHz(Min) 2GHz (Typ)10GHz(Min) 20GHz (Typ) 相关产品ModBox可调谐激光器铌酸锂(LiNbO3)电光相位调制器ModBox一体化铌酸锂调制系统与激光光源铌酸锂(LiNbO3)偏振开关/偏振切换器铌酸锂(LiNbO3)电光调制器射频驱动模块

EKSMA OPTICS提供各种高质量的非线性晶体，如LBO，beta BBO，KTP，KDP，DKDP，LiIO3，各种红外非线性晶体，AgGaS2, AgGaSe2, GaSe, ZnGeP2等，我们提供标准尺寸和定向的晶体，并支持快速库存发货。同时，我们亦针对客户的特定需求提供各种定制化产品。非线性晶体具有极其广泛的应用，如激光谐波振荡，频率反转（SFG，DFG），光学参量振荡和放大（OPG，OPA），电光调制Q-switching等。-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------磷酸二氢钾及其同构晶体——KDP,KD*P(DKDP)应用激光倍频应用——高脉冲能量，低重复频率(100Hz)激光器的谐振转换电光调制普克尔盒Q开关晶体电光/Q开关应用EKSMA Optics提供Q-switch应用的高掺氘率(D96%),电光调制晶体基于Q-Switch的电光调制晶体DKDP标准尺寸为，Dia9x20mm和Dia12x24mm。亦可根据客户实际需求进行定制可定制金/银膜蒸镀电极可定制任意需求波长的AR电介质增透膜典型1/4波长电压为3.4kV@1064nm 倍频应用：DKDP晶体二倍频应用高脉冲能量，低重复频率(100Hz)Q-Switch和锁模Nd:YAG激光器。室温下的切割角为：Type1 匹配角36.6度，Type2匹配角53.7度DKDP晶体三倍频应用于高脉冲能量Q-Switch和锁模Nd:YAG激光器的和频谐振。室温下的切割角为：Type2匹配角59.3度Type1的DKDP晶体4阶倍频(532nm-266nm)不需要太严格的切割角度(theta=90度)，广泛应用于高脉冲能量的Q-Switch和锁模Nd:YAG激光器。而和DKDP相比，KDP晶体在UV波长范围内拥有更低的吸收。薄片型KDP晶体广泛用于钛宝石激光的二倍频或者用于脉冲宽度测量的自相关仪。和BBO晶体相比，在800nm的二倍频应用中，KDP晶体拥有约2.4倍的光谱接受范围，以及相应的，更低的群速失配率，而这对飞秒激光器的宽光谱脉冲是非常重要的参数。EKSMA optics能提供孔径至Dia80mm的KDP晶体。事实上，KDP是目前高功率密度的钛宝石飞秒激光器(30mm光束直径下亚-太瓦或太瓦级别峰值功率脉冲)谐振的唯一解决方案。

太赫兹有机晶体DSTMS，DAST，OH1EKSMA Optics提供适用于各种飞秒泵浦源的太赫兹振荡和探测的有机晶体DSTMS，DAST，OH1THZ有机晶体：太赫兹晶体DSTMS：高效率太赫兹振荡与探测, 0.3-15THz范围太赫兹晶体DAST：高效率太赫兹振荡与探测, 0.1-17THz范围太赫兹晶体OH1：高效率太赫兹振荡与探测, 0.1-3THz范围 有机太赫兹晶体DSTMS，DAST，OH1应用高效率太赫兹振荡与探测高速电光调制（200GHz）光学参量振荡高效率1.55微米倍频

一, 1310nm（保偏）铌酸锂2.5Gb/s 强度调制器Microphotons的铌酸锂（LiNbO3）强度调制器由钛扩散或质子交换工艺制作Mach-Zehnder 型光波导，输入输出光纤与波导精密斜耦合，利用铌酸锂材料的电光效应实现光信号的强度调制1310nm（保偏）铌酸锂2.5Gb/s 强度调制器,1310nm（保偏）铌酸锂2.5Gb/s 强度调制器产品特点● X 切Y 传铌酸锂● 钛扩散或质子交换波导● 低驱动电压● 独立偏置电极● 零啁啾● 光纤与芯片精密斜耦合，大大降低● 背向光反射● 优异的长期稳定性产品应用● 脉冲产生，脉冲整形，脉冲拾取● 载波抑制● 光纤传感系统● 脉冲应用● 模拟传输● 激光雷达技术参数参数单位最小值典型值最大值型号LIM-1310-3G-PM-FA半波电压DC直流电极V6.57.0电光带宽S21@-3dBGHz3RF 半波电压@DCV3.54.0偏置半波电压V5.0抖动dB0.51电回波损耗S110-20GHzdB-12-10射频连接器输入电阻Ω40输入阻抗直流连接器Ω1M晶体：Lithium Niobate.X-cut Y-propagation波导制作（waveguide process）APE工艺插入损耗dB3.04.0光回波损耗dB-45波长相关损耗（1480-1600nm）dB0.51.0直流（DC）消光比dB2022输入光纤Panda保偏光纤1.5米长，900um输出光纤SMF-28单模光纤1.5米长，900um（PMF可选）输入RF连接器SMADC连接器Pin feed-through直径：1.0mm封装尺寸mm110 x12.5 x9.0工作温度℃0~ +70存储温度℃-40 ~ +85DC输入最大电压V±20最大RF输入功率dBm+28最大输入光功率mW200（APE工艺）备注：1064nm、850nm 波长可定制二, 1550nm（保偏）铌酸锂2.5Gb/s 强度调制器Microphotons的铌酸锂（LiNbO3）强度调制器由钛扩散或质子交换工艺制作Mach-Zehnder 型光波导，输入输出光纤与波导精密斜耦合，利用铌酸锂材料的电光效应实现光信号的强度调制。1550nm（保偏）铌酸锂2.5Gb/s 强度调制器,1550nm（保偏）铌酸锂2.5Gb/s 强度调制器产品特点● X 切Y 传铌酸锂● 钛扩散或质子交换波导● 低驱动电压● 独立偏置电极● 零啁啾● 光纤与芯片精密斜耦合，大大降低● 背向光反射● 优异的长期稳定性产品应用● 脉冲产生，脉冲整形，脉冲拾取● 载波抑制● 光纤传感系统● 脉冲应用● 模拟传输● 激光雷达技术参数参数单位最小值典型值最大值型号LIM-1550-3G-PM-FA半波电压DC直流电极V6.57.0电光带宽S21@-3dBGHz3RF 半波电压@DCV3.54.0偏置半波电压V5.0抖动dB0.51电回波损耗S110-20GHzdB-12-10射频连接器输入电阻Ω40输入阻抗直流连接器Ω1M晶体：Lithium Niobate.X-cut Y-propagation波导制作（waveguide process）APE工艺插入损耗dB3.04.0光回波损耗dB-45波长相关损耗（1480-1600nm）dB0.51.0直流（DC）消光比dB2022输入光纤Panda保偏光纤1.5米长，900um输出光纤SMF-28单模光纤1.5米长，900um（PMF可选）输入RF连接器SMADC连接器Pin feed-through直径：1.0mm封装尺寸mm110 x12.5 x9.0工作温度℃0~ +70存储温度℃-40 ~ +85DC输入最大电压V±20最大RF输入功率dBm+28最大输入光功率mW200（APE工艺）备注：1310nm、1064nm、850nm 波长可定制三, 1550nm相位调制器300 MHzPM-1550-300-PA 相位调制器是一款具有高性能，带宽高达300MHz的LiNbO3调制器。该调制器可以提供具有低驱动电压的相位调制。它的低插入损耗提供了最大的传输功率。PM-1550-300-PA调制器使用偏振保持(PM)输入和输出光纤，使其易于与其他光学元件集成。1550nm相位调制器300 MHz,1550nm相位调制器300 MHz通用参数产品特点：高达300MHz的带宽工作范围1525 nm to 1565 nm低插入损耗，3 dB典型最小的背面反射驱动电压，4V@1 MHz保偏光纤输入输出产品应用：相干通信光啁啾光学传感FM光谱学频移激光线宽展宽电/光学特性(Tsub=25°C，连续波偏置，除非另有说明)产品型号PM-1550-300-PA波导制作（waveguide process）退火质子交换 (APE)集成光电二极管No工作波长范围1525nm to 1570nm插入损耗3 dB typical, 3.5 dB max.On/Off消光比≥ 21 dB min.光回波损耗≥ 30 dB电参数RF 端口驱动电压Vpi8 V typ. @ 1 MHz电光带宽 @-3dB300 MHz typ., @ -3 dBRF 回波损耗RF 输入功率+30 dBm max.RF 阻抗偏置端口驱动电压 VpiN/A输入阻抗N/A环境/用户界面输入光纤Panda – PM1550输出光纤Panda – PM1550输出光纤接头PM FC/APC, 可按客户需要修改输出光纤接头PM FC/APC, 可按客户需要修改RF连接头3pinBias 连接头尺寸3.783”x 0.981” x 0.640”工作温度范围-55 º C to +75 º C存储温度范围-60 º C to +90 º C封装尺寸和引脚定义：四, 1064/1310/1550nm 铌酸锂高频相位调制器（10/20GHZ电光带宽）1064/1310/1550nm 铌酸锂（LiNbO3）高频相位调制器采用钛扩散或质子交换工艺制作光波导，输入输出光纤与波导精密斜耦合，利用铌酸锂材料的电光效应实现光信号的相位调制。钛扩散（Ti-indiffusion）或质子交换（APE）波导工艺可分别得到双折射或单偏振的相位调制。1064/1310/1550nm 铌酸锂高频相位调制器（10/20GHZ电光带宽）,1064/1310/1550nm 铌酸锂高频相位调制器（10/20GHZ电光带宽）通用参数产品特点 低插入损耗 低驱动电压 钛扩散或质子交换波导 优异的长期稳定性产品应用 光纤通信 微波光子 量子通信 光学传感 光学啁啾技术参数参数单位最小值典型值最大值型号PM-1064/1310/1550-10G-PM-FA半波电压DC直流电极V3.54.5电光带宽S21@-3dBGHz1020RF 半波电压@DCV3.54.0偏置半波电压V5.0抖动dB0.51电回波损耗S110-20GHzdB-12-10射频连接器输入电阻Ω40输入阻抗直流连接器Ω1M晶体：Lithium Niobate.X-cut Y-propagation波导制作（waveguide process）APE工艺插入损耗dB3.04.0光回波损耗dB-45波长相关损耗（1480-1600nm）dB0.51.0直流（DC）消光比dB2022输入光纤Panda保偏光纤1.5米长，900um输出光纤SMF-28单模光纤1.5米长，900um（PMF可选）输入RF连接器SMADC连接器Pin feed-through直径：1.0mm封装尺寸mm110 x12.5 x9.0工作温度℃0~ +70存储温度℃-40 ~ +85DC输入最大电压V±20最大RF输入功率dBm+28最大输入光功率mW200（APE工艺）六,1064/1310/1550nm 铌酸锂高频相位调制器（40GHZ电光带宽）1064/1310/1550nm 铌酸锂（LiNbO3）高频相位调制器采用钛扩散或质子交换工艺制作光波导，输入输出光纤与波导精密斜耦合，利用铌酸锂材料的电光效应实现光信号的相位调制。钛扩散（Ti-indiffusion）或质子交换（APE）波导工艺可分别得到双折射或单偏振的相位调制。1064/1310/1550nm 铌酸锂高频相位调制器（40GHZ电光带宽） ,1064/1310/1550nm 铌酸锂高频相位调制器（40GHZ电光带宽） 产品特点低插入损耗低驱动电压钛扩散或质子交换波导优异的长期稳定性产品应用 光纤通信 微波光子 量子通信 光学传感 光学啁啾通用参数参数单位最小值典型值最大值型号PM-1064/1310/1550-40G-PM-FA半波电压DC直流电极V3.55.0电光带宽S21@-3dBGHz1040RF 半波电压@DCV3.55.0偏置半波电压V5.0抖动dB0.51电回波损耗S110-20GHzdB-12-10射频连接器输入电阻Ω40输入阻抗直流连接器Ω1M晶体：Lithium Niobate.X-cut Y-propagation波导制作（waveguide process）APE工艺插入损耗dB3.04.0光回波损耗dB-45波长相关损耗（1480-1600nm）dB0.51.0直流（DC）消光比dB2022输入光纤Panda保偏光纤1.5米长，900um输出光纤SMF-28单模光纤1.5米长，900um（PMF可选）输入RF连接器SMADC连接器Pin feed-through直径：1.0mm封装尺寸mm110 x12.5 x9.0工作温度℃0~ +70存储温度℃-40 ~ +85DC输入最大电压V±20最大RF输入功率dBm+28最大输入光功率mW200（APE工艺）七 ,635nm 光纤耦合波导电光强度调制器 频谱宽度± 20nm集成光学振幅调制器AMxxx是一种基于光纤耦合波导的紧凑型电光调制器，基于MgO:LiNbO3和LiNbO3晶体工作。它提供快速的电光响应，允许频率高达千兆赫的幅度调制。可用的调制器可以处理可见光谱和红外光谱范围内的波长。标准设计的调制器使用保偏单模光纤来耦合光的输入和输出。它们也可以配置有不同类型的光纤系统或连接器。根据特殊要求，每个调制器可配备一个控制和驱动单元635nm 光纤耦合波导电光强度调制器 频谱宽度± 20nm,635nm 光纤耦合波导电光强度调制器 频谱宽度± 20nm产品特点在可见光或红外光谱中的应用高调制频率单模光纤耦合高消光比开关电压低产品应用模拟和数字调制短激光脉冲生成– 振荡放大器系统中的脉冲产生脉冲拾取激光扫描显微镜测量通用参数型号AM635AM705AM830 AM1064AM1550波长 [nm] 可根据要求提供其他波长63570583010641550频谱宽度[nm]± 20± 20± 30± 40± 50插入损耗，典型值[dB]7765.54.5消光，典型值500 : 1500 : 1800 : 11000 : 11000 : 1Min. 光学上升时间10/90，典型值(Minimum optical rise time 10/90, typical)200 ps200 ps200 ps200 ps200 ps光学连接，输入标准光纤连接器保偏单模光纤*裸光纤、FC/PC连接器或FC/APC连接器**光学连接，输出标准可选光纤连接器保偏单模光纤*单模或多模光纤裸光纤、FC/PC或FC/APC连接器**半波电压，典型值2.5 V2.5 V2.5 V3 V5 VMax. 偏置调制频率（正弦）[kHz]11111Max. 光输入功率（cw）20 mW20 mW30 mW300 mW300 mW尺寸 长x宽x高 [mm]（外壳，无光纤馈通）96 x 19 x 10*标准：蝴蝶结型，可选：熊猫型**标准：宽键连接器，可选：小键连接器相位调制器尺寸（mm）

技术参数：产品参数 类型 振幅调制器 EO-AM-NR 相位调制器 EO-PM-NR 晶体 铌酸锂(LiNbO3) 波长 C1 600 - 900 nm 600 - 900 nm C2 900 - 1250 nm 900 - 1250 nm C3 1250 - 1650 nm 1250 - 1650 nm C4 400- 600 nm 400 - 600 nm 孔径 2 mm 2 mm 输入接口 SMA Female SMA Female 半波电压, V&pi 360 V @1064 nm(Typical) 240 V @ 1064 nm(Typical) 最大功率密度 2 W/mm2 @ 532 nm, 4 W/mm2 @ 1064 nm 2 W/mm2 @ 532 nm, 4 W/mm2 @ 1064 nm主要特点：产品特性： 振幅调制和相位调制 高性能、结构紧凑精巧 宽带DC耦合 2mm输入孔径 SMA输入接口 DC-100MHz带宽

EKSMA OPTICS提供各种高质量的非线性晶体，如LBO，beta BBO，KTP，KDP，DKDP，LiIO3，各种红外非线性晶体，AgGaS2, AgGaSe2, GaSe, ZnGeP2等，我们提供标准尺寸和定向的晶体，并支持快速库存发货。同时，我们亦针对客户的特定需求提供各种定制化产品。非线性晶体具有极其广泛的应用，如激光谐波振荡，频率反转（SFG，DFG），光学参量振荡和放大（OPG，OPA），电光调制Q-switching等。-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------超薄型晶体在飞秒光学中有多种不同应用谐波振荡（SHG，SFG）光学参量振荡和光学参量放大（OPG，OPA）差频振荡（DFG）脉宽测量——自相关仪或互相关仪太赫兹振荡（GaSe晶体）极化纠缠态光子对超短光脉冲在晶体中传播中会因群速失配(GVM)产生延迟，于是脉冲将会因群延迟色散(GDD)和频率啁啾而展宽。这种效应就迫使频率产生方案中必须限制非线性晶体的厚度。对两个具有不同群速的共线传播的脉冲，他们的准静态相互作用长度(Lqs)定义为：在一个脉冲宽度时间内（或所期望的脉冲宽度时间内），他们所分开的路径长度Lqs = τ/GVM 这里GVM为群速度失配，τ为脉冲宽度。对最常用几类晶体在Type1相位匹配，我们把GVM的计算结果列在表格一。而针对Type1，800nm的SHG效应， BBO，LBO，KDP和LiIO3等常用晶体因GVM所限，在各种不同基频光脉冲宽度下的厚度极限则列在表格二中，同时也列出了在室温（20°C）时的相位匹配角和转化效率因子。这时如果采用更长的晶体，则二次谐波的脉冲将会展宽至大于基频光脉冲宽度（或期望脉冲宽度）群延迟色散（GDD）对脉冲的传播有非常重要的影响。因为脉冲总是会有一定的光谱宽度，所以色散会导致其各频率分量以不同的速度进行传播。当晶体处于正常色散时，折射率随波长的增加而降低，这将导致高频分量产生更低群速度，于是引起正啁啾.群速度的频率相关特性也会对脉冲宽度产生影响。如果脉冲最初没有啁啾现象，晶体中色散将会不断增加脉冲宽度。这种现象被称作脉冲色散展宽。对非啁啾高斯脉冲，脉冲初始宽度为 0，其脉宽会按以下公式增加:L – 晶体厚度 mmD- 二阶群时延色散或色散参数表格三给出了各种晶体800nm二倍频的Type1相位匹配下的D因子

??集成光相位调制器?基于波导的电光调制器集成光相位调制器是一种紧凑的光纤耦合电光调制器，它的工作基于MgO:LiNbO3和LiNbO3晶体。它能提供最快的电光响应，允许相位调制的频率高达GHz范围。调制器可处理的波长位于可见光和红外光谱范围。标准设计的调制器使用保偏单模光纤耦合光输入输出。它们也能与光纤系统或者不同类型的接头配置使用。每个调制器可根据特殊要求配置模拟放大器。 优势VIS或IR光谱应用高调制响应单模光纤耦合调制电压低应用模拟和数字调制边带发生干涉计量学OCT 规格 杭州谱镭光电技术有限公司(HangzhouSPL Photonics Co.,Ltd)是一家专业的光电类科研仪器代理商，致力于服务国内科研院所、高等院校实验室、企业研发部门等。我们代理的产品涉及光电子、激光、光通讯、物理、化学、材料、环保、食品、农业和生物等领域，可广泛应用于教学、科研及产品开发。 我们主要代理的产品有：微型光纤光谱仪、中红外光谱仪、积分球及系统、光谱仪附件、飞秒/皮秒光纤激光器、KHz皮秒固体激光器、超窄线宽光纤激光器、超连续宽带激光器、He-Ne激光器、激光器附件及激光测量仪器、光学元器件、精密机械位移调整架、光纤、光学仪器、光源和太赫兹元器件、高性能大口径瞬态（脉冲）激光波前畸变检测干涉仪（用于流场、波前等分析）、高性能光滑表面缺陷分析仪、大口径近红外平行光管、Semrock公司的高品质生物用滤波片以及Meos公司的光学教学仪器等。 拉曼激光器，量子级联激光器，微型光谱仪，光机械，Oceanoptics，Thorlabs 。。。热线电话： / 传真：+86571 8807 7926网址： /邮箱：

??集成光振幅调制器基于波导的电光调制器集成光振幅调制器是一种紧凑的光纤耦合电光调制器，它的工作基于MgO:LiNbO3和LiNbO3晶体。它能提供最快的电光响应，允许振幅调制的频率高达GHz范围。调制器可处理的波长位于可见光和红外光谱范围。标准设计的调制器使用保偏单模光纤耦合光输入输出。它们也能与光纤系统或者不同类型的接头配置使用。每个调制器可根据特殊要求符合控制&驱动装置。 优势VIS或IR光谱应用高调制响应单模光纤耦合 应用模拟和数字调制短激光脉冲发生振荡放大器系统中的脉冲发生脉冲选择激光扫描显微镜 规格 杭州谱镭光电技术有限公司(HangzhouSPL Photonics Co.,Ltd)是一家专业的光电类科研仪器代理商，致力于服务国内科研院所、高等院校实验室、企业研发部门等。我们代理的产品涉及光电子、激光、光通讯、物理、化学、材料、环保、食品、农业和生物等领域，可广泛应用于教学、科研及产品开发。 我们主要代理的产品有：微型光纤光谱仪、中红外光谱仪、积分球及系统、光谱仪附件、飞秒/皮秒光纤激光器、KHz皮秒固体激光器、超窄线宽光纤激光器、超连续宽带激光器、He-Ne激光器、激光器附件及激光测量仪器、光学元器件、精密机械位移调整架、光纤、光学仪器、光源和太赫兹元器件、高性能大口径瞬态（脉冲）激光波前畸变检测干涉仪（用于流场、波前等分析）、高性能光滑表面缺陷分析仪、大口径近红外平行光管、Semrock公司的高品质生物用滤波片以及Meos公司的光学教学仪器等。 拉曼激光器，量子级联激光器，微型光谱仪，光机械，Oceanoptics，Thorlabs 。。。热线电话： / 传真：+86571 8807 7926网址： /邮箱：

总览等离子体马赫-曾德尔调制器是C波段高速电光转换的理想解决方案。封装在模块中，具有超过110 GHz的带宽，使其成为测量系统、光纤无线电（RoF）系统和高数据速率光传输应用的Shou选。我们的调制器的封装版本提供了一个1毫米的内螺纹RF连接器（单端）和2个引脚，用于通过直流偏压调整操作点。110GHz等离子体马赫-曾德尔电光调制器 1520-1570nm,110GHz等离子体马赫-曾德尔电光调制器 1520-1570nm产品特点3dB光电带宽110GHzC波段运作集总、低电容射频设计紧凑型外形通用参数性能数据操作波长1520 – 1570 nm插入损耗(IL)18dB静态消光比(ER)25dB直流偏置开/关电压1.5V3dB EO带宽110GHzVn,eq@100kHz @50 Ohm*5VMax. 额定参数光输入功率:长期0dBm光输入功率500h**3dBm射频输入功率@50 Ohm18dBm射频输入直流电压0V直流偏置电压2.5V直流偏置电流20mA操作/储存温度~25℃机械规范 光学输入SMF/PM与FC/APC连接器光学输出SMF/PM与FC/APC连接器电子射频接口单端，1mm母头直流接口2个直流引脚（2×DC pin)注：*等离子调制器是高阻抗器件。50欧姆信号源提供的两倍电压将在等离子调制器上下降。使用直流电源或高阻抗匹配的驱动器，需要双倍的电压才能将调制器从开到关状态。**VΠ降解率 2.5%以下分别为插入损耗,直流偏置功率,EO调制响应,电S11的曲线图图纸及尺寸:

亢特（上海）科技有限公司KONGTUM (SHANGHAI) SCIENCE & TECHNOLOGY CO., LTD.www.kongtum.com 基于M-Z推挽结构的LiNbO3电光强度调制器具有较低的半波电压和稳定的物理化学特性，且器件具有较高的响应速率，KT -AM-15系列是针对1550nm波段设计的模拟电光强度调制器，2.5G\10G\20G\40G速率可选， 被广泛的应用于高速光通信系统、光调Q系统、激光锁模和光纤传感等领域。产品特点低 插 入 损 耗3dB 带 宽 最 高 至 30GHz低 半 波 电 压客 户 定 制应用领域ROF 系 统量 子 密 钥 分 发光 纤 传 感高 速 光 通 信产品型号KT -AM-15-2.5GKT -AM-15-10GKT -AM-15-20GKT -AM-15-40G工作波长1550nm ±25nm3dB 带宽 (典型值) 2.5GHz10GHz18GHz28GHz插入损耗＜4.5dB＜4.5dB＜4.5dB＜4.5dB开关消光比 @DC＞20dB＞20dB＞20dB＞20dBRF 端 VΠ @ 1KHz＜3.5V＜5V＜5.5V＜5.5VBias 端 VΠ @1KHz＜5V＜7V＜7V＜7V极限条件性能参数符号单位最小值典型值最大值输入光功率Pin, MaxdBm20输入射频功率dBm28偏置电压VbiasV-2020工作温度Top℃-1060储存温度Tst℃-4085湿度RH%59021&S11 曲线 S21&s11 curves of KT-AM-15-20G S21&s11 curves of KT-AM-15-40G机械结构图端口释义备注 In光输入PM Fiber (125μm /250μm)Out光输出PM and SMF optionRFRF 输入SMA(f)BiasBias 控制1,2 Bias, 34-N/C订货信息KTAMWBFCAM--- 模拟强度调制器波长：15---1550nm3dB 带宽：2.5G---2.5GHz10G---10GHz20G---20GHz40G---28GHz 输入/输出光纤： PP---PMF/PMF PS---PMF/SMF光纤接头： FA---FC/APC FP---FC/PCSP---客户定制

铌酸锂电光调制器Thorlabs自由空间电光(EO)振幅和相位铌酸锂调制器是我们在晶体生长和电光材料方面经验的结晶。我们的电光调制器使用掺氧化镁的铌酸锂，用于高功率工作。调制器有一个SMA RF输入端，直接兼容我们的HVA200高压放大器(请见下方)。我们提供宽带DC耦合和高Q共振型号。特性高性能，紧凑封装宽带DC耦合或高Q共振2 mm直径通光孔径掺氧化镁的铌酸锂晶体SMA RF调制输入接头DC到100 MHz提供定制OEM版本电光振幅调制器电光振幅调制器(EO-AM)是一种普克尔盒型调制器，由封装在紧凑外壳中的两个匹配铌酸锂晶体(请看右图)组成，外壳带射频输入接头。对晶体施加电场将改变折射率(寻常光和非寻常光)，产生电场相关的双折射效应，以此改变光束的偏振态。电光晶体相当于一个可变波片，其延迟量与施加电场成线性关系。在输出端放置一个线偏振片，通过偏振片的光束强度将随施加电压的线性变化而发生正弦变化。请注意，工作在-C4波段(400 - 600 nm)的AM调制器仅用于几赫兹以上的AC调制。掺氧化镁的铌酸锂对这个波长范围的光敏感，对施加的DC电场显示出缓慢的负压。光越强，DC场消除得越快。因此，实际上，DC电压不能用于在指定的工作点给调制器施加偏压。但是，可以使用可调波片在需要的工作点给调制器施加光学偏置。

一, EOM脉冲选择器 Pulse Picker （用于光纤电光调制器）SmartPicker-EOM是一种理想的、使用方便、稳定性高、灵敏度高的信号发生器。适用于光纤电光调制器EOM的脉冲选择器，全软件控制，易于使用.脉冲选择器为电光调制器产生低抖动同步控制信号。一个完quan调节的软件，结合先进的微处理器，允许轻松调整延迟，脉冲宽度和控制参数。脉冲选择器能够处理高达200MHz的信号。监测功能允许一个容易的控制的信号路径。可用的分频器范围允许输出重复率的宽调整范围。EOM脉冲选择器 Pulse Picker （用于光纤电光调制器）,EOM脉冲选择器 Pulse Picker （用于光纤电光调制器）通用参数产品特点：自动工作点稳定SMA或内置光电探头EOM-RF高达5VppEOM-DC输出±10 V输入频率高达200MHz全软件控制可变触发电平(10mV…TTL)触发/门功能完quan配置PID和模糊控制2段漂移补偿简单易用的软件界面高速高分辨率STANDARDX-SERIESOffset control input:偏移控制输入：photodiodephotodiodeSensitivity range:灵敏度范围：20 nW … 10 mW20 nW … 10 mWDivider:分隔线：1 … 20471 … 16383Max. trigger frequency:最大触发频率：200 MHz200 MHzMax. output frequency:最大输出频率：40 MHz100 MHzTrigger input:触发器输入：SMA (50 Ω) (optional PD)SMA (50 Ω) (optional PD)RF fall/rise time:射频下降/上升时间：5 ns3 nsRF output:射频输出：7.5 Vpp (50 Ω)7.5 Vpp (50 Ω)Pulse width range:脉冲宽度范围：4 ns … 1 ms (0,25 ns resolution)3,8 ns …14 ns (0,01 ns resolution)Delay range:延迟范围：12 ns … 1 ms3.8 ns … 14 nsDC output:直流输出：±10 V±10 VDC output impedance:直流输出阻抗：1 kΩ1 kΩMonitor output:监视器输出：TTL ( 100mA @ 50 Ω)TTL (100 mA @ 50 Ω)Input voltage:输入电压：24 VDC24 VDC二, AOM脉冲选择器 Pulse Picker（用于声光调制器）SmartPicker系列 AOM激光脉冲选择器是匹配声光调制器AOM选频的全软件控制脉冲选择器,是一种理想的、使用方便、稳定性和灵敏度高的信号发生器。这款脉冲选择器为声光调制器(声光偏转器)产生低抖动同步控制信号。一个完quan调谐的软件，结合先进的微处理器，允许轻松调整延迟，脉冲宽度和控制参数。脉冲选择器能够处理高达200MHz的信号。监测功能允许一个容易的控制的信号路径。可用的分频器范围允许输出重复率的宽调整范围。AOM脉冲选择器 Pulse Picker（用于声光调制器）,AOM脉冲选择器 Pulse Picker（用于声光调制器）通用参数产品特点：优化超短脉冲激光系统可调Trigger电平SMA或内置PD探测器脉冲完整性检查延迟和脉宽的宽范围调节输入频率可高达200MHz输出频率可高达40MHz门控制功能全软件控制单脉冲检查完quan配置PID和模糊控制器两级漂移补偿高速高分辨率STANDARD 标准版本x-SERIES x-系列Trigger input:触发器输入：InGaAs | Si | SMAInGaAs | Si| SMAMin. trigger level:最低触发电平：10mV@20MHz10mV@20MHzDivider:分隔器1....20471...16383Max.pulse input frequency:最大脉冲输入频率：200MHz200MHzMax.pulse output frequency:最大脉冲输出频率：40MHz100MHzOutput rise time/fall time:输出上升/下降时间：1.5ns1.5nsOutput level:输出电平：TTLTTLPulse width range:脉冲宽度范围：4ns ..1ms (0,25ns resolution)3,8ns ...14ns(0,01ns resolution)Delay range:延迟范围：12ns ..1ms3,8ns ....14nsSupply voltage:电源电压：24VDC24VDC

特性台式驱动器，用于铌酸锂(LiNbO3)电光调制器高速数字运算MX10A: 最大系统比特率12.5 Gb/sMX40A: 最大系统比特率40 Gb/s模拟(线性)运算MX10A: 小信号带宽高至7 GHzMX40A: 小信号带宽高至20 GHzRF放大器可控制振幅和眼图的交叉特性全自动或手动偏压控制，用于强度调制器峰值、零值和正交设定点抖动模式或不抖动模式内置的可调光学衰减器(VOA)，可用于自动或手动功率控制通过触摸屏界面控制或使用USB或RS-232接口进行远程控制Thorlabs的高速铌酸锂(LiNbO3)调制器驱动器用于控制光纤耦合铌酸锂电光调制器，工作波长从1250 nm到1610 nm(从O波段到L波段)，用户可以通过触摸屏选择1310 nm、1550 nm和1590 nm 的功率校准点。这些设备既适用于研发实验室，也适用于生产制造的环境，是创建光链路，进行需要快速光调制实验，或测试调制器或其他元件的理想选择。这些驱动器专门为铌酸锂(LiNbO3)相位或强度调制器而设计，提供偏压和射频驱动所需的所有电子器件。根据不同模式，每个驱动器可用于数字模式下最高速度为12.5 Gb/s或40 Gb/s调制器，或是模拟模式下小信号带宽最高7 GHz或20 GHz的调制器。内部电路可实现峰值、零值和正交设置点的偏压控制。驱动器同样包含多个功率监测器(激光输入、调制输出和最终光输出)和一个可变光学衰减器，用于全自动监测和控制整个光路中的光功率。更多系统信息请查看操作标签。有两种方式可以控制MX10A和MX40A。其中最简单的方法是使用直观的触屏界面，实现对整个仪器功能的全方位控制。另外，它们也可以通过后面板上的RS-232或USB端口进行远程操作。操作标签描述了图形用户界面(GUI)和用户自定义功能，我们还提供远程控制用户指南和远程控制软件工具

压电光纤相位调制器/拉伸型光纤相位调制器/大相位延迟量专用相位调制器姓名：田工(Allen) 电话： 邮箱：昊量光电提供的此款压电型相位调制器通过压电陶瓷对光纤的拉伸，使得经过光纤的光产生既定相位延迟，并因为压电陶瓷周期的特性，可以引入所需频率扫描相位延迟比较与一般的相位调制器而言，这种调制器具有极大的相位延迟量范围，可用于产生需求的大延迟针对以上特性，该款产品大量用于相干合成，大范围傅里叶扫描，激光相位锁定，微分干涉，太赫兹研究等应用领域

EKSMA OPTICS提供各种高质量的非线性晶体，如LBO，beta BBO，KTP，KDP，DKDP，LiIO3，各种红外非线性晶体，AgGaS2, AgGaSe2, GaSe, ZnGeP2等，我们提供标准尺寸和定向的晶体，并支持快速库存发货。同时，我们亦针对客户的特定需求提供各种定制化产品。非线性晶体具有极其广泛的应用，如激光谐波振荡，频率反转（SFG，DFG），光学参量振荡和放大（OPG，OPA），电光调制Q-switching等。-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------红外非线性晶体AgGaS2, AgGaSe2, GaSe, ZnGeP2 由于极其独特的材料特性，红外光学非线性晶体ZnGeP2, AgGaSe2, AgGaS2, GaSe在中红外和远红外的应用方面赢得了人们极大的兴趣。这些红外非线性晶体拥有非常大的有效光学非线性，接收光谱和接收角度宽，透光范围广，对温度稳定性和振动控制没有苛刻要求，非常易于机械加工(GaSe除外)。 红外晶体ZnGeP2(ZGP)透光范围从074um至12um，其中有用的透过范围为1.9um至8.6um，以及9.6um到10.2um。ZGP晶体拥有最大的非线性光学系数和较高的激光损伤阈值。ZGP晶体目前已经成功的应用于各种领域： 通过谐波与混频效应实现CO2和CO激光辐射到近红外的上转换脉冲式CO，CO2，DF化学激光器的高效倍频通过OPO实现钬，铥，铒激光波长像中红外的下转换 EKSMA光学提供抗高损伤BBAR镀膜，并且具备超低的吸收损耗，2.05-2.1um泵浦波长下，吸收系数为α 0.05 cm-1；2.5-8.2um范围吸收系数为：α0.03 cm-1红外晶体AgGaSe透光波段在0.73um到18um之间。而具有高应用价值的透过范围为0.9-16um，这个范围具有非常宽的相位匹配能力，对当前大多数可用的激光泵浦光源均可提供潜在的OPO应用。2.05um的Ho:YLF激光泵浦已获得2.5-12um的可调谐输出。而通过1.4-1.55um的泵浦，也获得了非关键相位匹配下的1.9-5.5um输出。AgGaSe2(AgGaSe)也同时早已被证明为脉冲式CO2激光的高效倍频晶体。 红外晶体AgGaS2(AGS)透光波段为0.53-12um。虽然其非线性光学系数在上述提到的红外晶体中最小，但其透明波长短波边缘至550nm，因此可作为Nd:YAG激光器泵浦的OPO应用；同时也被大量应用于利用二极管，钛宝石，Nd:YAG，以及3-12um红外染料激光器进行的差频混频实验；还可以直接应用于红外对抗系统，以及CO2激光器的二倍频。而AgGaS（AGS）薄片晶体通过近红外波段脉冲差频效应在产生中红外超短脉冲方面也应用的非常普遍。 红外晶体 GaSe透光波长在0.65-18um。GaS3晶体已经成功的用于CO2激光的高效倍频；脉冲式CO、CO2和DF激光（λ = 2.36 μm）的二倍频；CO和CO2激光到可见光的上转换；Nd激光与燃料激光器或（F-）-central激光脉冲差频、混频产生红外脉冲；3.5-18um范围内的OPG。同时GaSe晶体薄片还广泛用于飞秒-太赫兹振荡。当然，由于材料结构（沿(001)平面解理）的特殊性，无法获得特定的相位匹配角度，也限制了其应用的领域

电光强度调制器选型表：强度调制器（Intensity Modulator）型号波长（nm）带宽插损(dB)DC消光比（dB）RF Vpi@50KHz(V)DC Vpi（V）类型光纤类型：单模光纤或者保偏光纤，接头类型： FC/PC、FC/APC、FC/UPCMX2000-LN-011900~22001~2GHz4.0225.511.5数字模拟MX2000-LN-101900~220010~12GHz4.0229.511.0MX-LN-101530~162510~12.5Gb/s3.5225.56.5数字脉冲2.7MX-LN-201530~162520Gb/s3.5225.06.5MX-LN-401530~162540~44Gb/s3.5225.06.5MXAN-LN-101530~162510GHz3.5225.56.5模拟脉冲2.7MXAN-LN-201530~162520GHz3.5255.06.5MXAN-LN-401530~162540GHz3.5255.06.5MXER-LN-101530~162510GHz4.030/35/405.56.5MXER-LN-201530~162520GHz4.030/35/405.56.5MX1300-LN-101270~133010GHz4.0224.05.5数字模拟脉冲MX1300-LN-201270~133020GHz4.0224.05.5MX1300-LN-401270~133040GHz4.0224.05.5NIR-MX-LN-10980~115010GHz4.020/25/304.54.5数字模拟脉冲NIR-MX-LN-20980~115020GHz4.020/25/306.05.0NIR-MX950-LN-20850~96020GHz5.5253.53.9NIR-MX800-LN-10780~85010GHz4.5223.53.5NIR-MX800-LN-20780~85020GHz4.5223.53.9MXDO-LN-201530~158020GHz4.0225.57.0DualoutputMZDD-LN-101530~158010GHz3.5-2.52.3DualDriverMXIQER-LN-301530~158030GHz5.0-6.0DC1/2:7DC3:7.5IQ注：以上产品都可选择是否内置PD（Photodiode）、部分产品支持高低温。 电光相位调制器选型表：相位调制器（Phase Modulator）型号波长（nm）带宽插损(dB)回损（dB）RF Vpi@50KHz(V)输入光功率阈值输入RF功率阈值光纤类型：单模光纤或者保偏光纤，接头类型： FC/PC、FC/APC、FC/UPCMPX2000-LN-0.11900~2200150MHz3.0-453.520dBm-20~20VMPZ2000-LN-101900~220010~12GHz3.0-456.520dBm28dBmMPX-LN-0.11530~1625150MHz2.7-453.520dBm-20~20VMPZ-LN-011530~16251.5GHz2.5-453.020dBm33dBmMPZ-LN-101530~162510GHz2.5-454.020dBm28dBmMPZ-LN-201530~162520 GHz2.5-456.020dBm28dBmMPZ-LN-401530~162540GHz2.5-456.020dBm28dBmNIR-MPX-LN-0.1980~1150150MHz3.0-452.020dBm-20~20VNIR-MPX-LN-02980~11502GHz3.0-453.020dBm33dBmNIR-MPX-LN-05980~11505GHz3.0-454.020dBm33dBmNIR-MPX-LN-10980~115010GHz3.0-455.020dBm33dBmNIR-MPX-LN-20980~115020GHz3.0-455.020dBm28dBmNIR-MPX950-LN-0.1850~950150MHz3.5-452.214dBm-20~20VNIR-MPX950-LN-05850~95020GHz3.5-453.514dBm28dBmNIR-MPX950-LN-10850~95020GHz4.5-453.514dBm28dBmNIR-MPX800-LN-0.1780~890150MHz3.5-452.014dBm-20~20VNIR-MPX800-LN-05780~8905GHz3.5-453.014dBm28dBmNIR-MPX800-LN-10780~89010GHz3.5-454.014dBm28dBmNIR-MPX800-LN-20780~89020GHz3.5-454.014dBm28dBm偏振开关、光纤移频器选型表:偏振开关（Polarization Switches）型号中心波长（nm）带宽开关电压@50KHz开关电压@150MHzPDL(dB)PER(dB)最大输入光功率PS-LN-0.11310/1550150MHz5.0V7.0V1.02020dBm光纤移频器（Frequency Shifter）型号中心频率中心频率带宽@3dB转换RF功率阈值工作波长光纤类型接头类型FS-LN-170171MHz200KHz21dBm1550nm保偏光纤SMAFC/APC 调制器驱动选型表：数字驱动（Digital Drivers）型号截止频率(Hz)低频（@3dB）高频（@3dB）输出电压（Vpp）增益(dB)饱和输出功率上升/下降时间DR-DG-10-MO-NRZ50K~8G45~60KHz6~8GHz6~92122dBm12psDR-DG-12-MO50K~12G50KHz15GHz2~82823dBm14psDR-DG-10-HO50K~8G45~50KHz6~8GHz123026dBm24.5psDR-DG-20-MO50K~18G50KHz18~20GHz2~83023dBm14psDR-DG-20-HO80K~25G80KHz23~25GHz12.5~13.52926dBm12/16psDR-DG-28-MO50K~28G45~50KHz25~28GHz6~93023dBm12/14psDR-DG-40-MO50K~40G50KHz36~40GHz6.32620dBm9/12ps模拟驱动（Analog Drivers）型号截止频率(Hz)低频（@3dB）高频（@3dB）输出电压（Vpp）增益(dB)饱和输出功率噪声系数（dB）DR-AN-10-MO50K~11G50KHz11GHz0~93023Bm3~6DR-AN-10-HO80K~11G80KHz11GHz0~12.53026dBm3DR-AN-20-MO50K~20G50KHz18~20GHz0~93023dBm5~7DR-AN-20-HO80K~25G80KHz23~25GHz0~12.53026dBm5DR-AN-28-MO50K~28G45~50KHz25~28GHz6~93023dBm5~7DR-AN-40-MO50K~40G50KHz36~40GHz6.32620dBm3~5脉冲驱动（Pulse Drivers）型号截止频率(Hz)脉冲重复频率脉宽输出电压（Vpp）增益(dB)最大RF输入电压上升/下降时间DR-PL-0.1-MODC~200M--19.62010Vpp6~10nsDR-PL-10-MO45K~8G10Hz~1GHz100ps~100ns2.5~8.5210.5Vpp40psDR-PL-20-MO45K~18G10Hz~1GHz60ps~10ns5.2300.5Vpp20~35ps 偏置控制器选型表：型号工作波长(nm)输入光功率DC偏置电压自动设置模式锁定范围锁定精度消光比(dB)数字自动偏置控制器（MBC-DG）非内置耦合器MBC-DG-LAB-A0900~1600-20~-3dBm@1550nm-10~+10VMINMAXQUAD-QUAD+360 Degree90 ± 0.5Degree50-19~-2dBm@1310nm-18~-0.8dBm@1064nmMBC-DG-LAB-B0600~900-17~0.5dBm@850nm数字自动偏置控制器（MBC-DG）内置耦合器MBC-DG-LAB-A11550±2010~17dBm-10~+10VMINMAXQUAD-QUAD+360 Degree90 ± 0.5Degree50MBC-DG-LAB-A21310±200.5~18dBmMBC-DG-LAB-A31060±202.5~19dBmMBC-DG-LAB-A4900±202.5~19dBmMBC-DG-LAB-B1850±102.8~20dBmMBC-DG-LAB-B2780±202.8~20dBm尺寸 (W x H x D): 220 mm x 220 m x 52 mm；电源（后面板）：100-120 V / 220-240 V automatic switch, 50-60 Hz模拟自动偏置控制器（MBC-AN）型号工作波长(nm)输入电压稳定性(dB)模式DC偏置电压(V)锁定点插损(dB)输入光功率(dBm)MBC-AN-BT(MBC-AN-Board)1530~1580±0.1dB自动模式-12~+12QUAD-QUAD+20~18手动模式-11.5~+11.5MBC-AN-BT： 尺寸 (W x H x D): 240 mm x 85 mm x 160 mm； MBC-AN-Board:尺寸(W x H x D): 100mm x 70 mm x 27 mm电源（后面板）：100-120 V / 220-240 V automatic switch, 50-60 HzIQ自动偏置控制器（MBC-IQ）型号工作波长(nm)输入电压稳定性(dB)锁定范围偏置电压(V)锁定点消光比(dB)输入光功率(dBm)MBC-IQ-BT-PD780~1650±0.1dB360 DegreeDC1/2-10~+10MIN MAXQUAD+ QUAD-50-4DC3-18~+18 MODBOX参考发射机选型表： 通信用ModBox是光学调制单元和发射机，主要用作参考发射机来描述网络组件，如光学接收器。它们也被用于实验室开发下一代的通信设备。对于各种调制格式和波长，通信用ModBox在升降时间、抖动、眼图稳定性方面提供了终极性能，因此可以观察到网络及其组成部分造成的信号损伤。 型号描述ModBox-850nm-NRZNRZ、850nm、50Gb/s参考发射机ModBox-OBand-NRZNRZ、全O波段、50Gb/s参考发射机ModBox-CBand-NRZNRZ、全C波段、50Gb/s参考发射机ModBox-1310nm-1550nm-NRZNRZ、1310nm /1550nm、50Gb/s参考发射机ModBox-OBand-28Gb/s-NRZ-SENRZ、O波段、28Gb/s应力眼图发射机ModBox-850nm-VNAVNA、850nm、30GHz参考发射机ModBox-OBand-VNAVNA、全O波段、65GHz参考发射机ModBox-CBand-VNAVNA、全C波段、65GHz参考发射机ModBox-1310nm-1550nm-VNAVNA、1310nm /1550nm、40GHz参考发射机ModBox-CBand-12Gb/s-DPSKDPSK、C-Band、12 Gb/s参考发射机ModBox-CBand-28Gb/s-DPSKDPSK、C-Band、28 Gb/s参考发射机MODBOX-IQQPSK, QAM, OFDM 32Gbaud/64Gbaud参考发射机ModBox-850nm-28Gbaud-PAM4PAM-4、850nm、 28 Gbaud参考发射机ModBox-OBand-28Gbaud-PAM4PAM-4、全O波段、28 Gbaud参考发射机ModBox-OBand-56Gbaud-PAM4PAM-4、全O波段、56 Gbaud参考发射ModBox-CBand-28Gbaud-PAM4PAM-4、全C波段、28 Gbaud参考发射机ModBox-1310nm-1550nm-PAM4PAM-4、1310nm /1550nm、28 Gbaud参考发射机 ModBOX前置脉冲整形器选型表： 脉冲应用使用的ModBox使用了含有短的升降时间高对比度高功率处理来产生、形成或选择高质量、高重复性的光脉冲的优点的iXblue光调制器。有多种波长可供选择，可根据具体应用进行定制。iXblue的ModBox脉冲和前端系统在世界各地的许多高强度激光设备中都很受欢迎。名称型号主要技术指标其他规格选配件前置脉冲发生器MODBOX-PULSE脉冲宽度≥25ps对比度≥40dB对比度≥55dB（双阶系列）1030nm、1053nm 、1064nm 、1550nm、2μm内置激光器内置脉冲发生器内置可定制较短升级时间的光接收器脉冲整形器MODBOX PULSE SHAPER光脉冲瞬时成型脉冲宽度≥25ps对比度≥40dB对比度≥55dB（双阶系列）1030nm、1053nm 、1064nm 、1550nm、2μm激光光源光放大器AWG前端机MODBOX-LASER-FRONT-END完整的前段激光系统，包括种子激光器、脉冲整形器、光纤放大器和光谱展宽单元1030nm、1053nm 、1064nm 、1550nm、AWG延时发生器激光光源光放大器光谱展宽单元光谱展宽MODBOX SPECTRAL ROADENING多个边带产生的光谱展宽展宽可达2um（@1064nm）1030nm、1053nm 、1064nm 、1550nm、2μm消光比测试仪MODBOX-DER动态消光比测量高达50dB的高消光比光脉冲1030nm、1053nm 、1064nm 、1550nm、脉冲选择器MODBOX PULSE PICKER在输入脉冲序列中选择光脉冲重复频率：DC-10GHz790nm、850nm、1030nm、1053nm 、1064nm 、1550nm、1310nm 、2μm脉冲发生器 光纤和光纤光栅 特种光纤： 光纤光栅：iXBlue为不同的应用提供了广泛的特种光纤: 用于光纤放大器和激光器的有源掺杂光纤 用于光纤陀螺仪的保偏光纤 用于光纤放大器和激光器的无源PM和SM光纤 用于光纤传感器和陀螺仪的偏振光纤 用于光纤电流传感器的光纤 用于光纤光栅刻字的光敏光纤 用于光纤陀螺仪或传感器的光纤线圈。iXBlue提供不同类型的FBG类产品: 光纤光栅激光反射镜；用于光纤放大器的增益平坦滤波器；光纤传感器用光纤光栅；光纤光栅阵列:高达100HR的光纤光栅可以镶嵌在同一条光纤中，无需任何拼接；用于单频DFB激光器的FBG组件。

适用频率覆盖范围从10 kHz到9.2 GHz新型谐振设计可提供极低的驱动电压输入和输出端的机械光圈使耦合更为简便相位调制器系列产品非常适合用于原子物理应用（包括原子捕获和冷却实验）、激光稳频（相位和幅度调制器的定义特性）、高分辨率光谱学和天文学中的激光导星系统中。我们提供宽带调制器，它可以应用于非常广泛的频率范围和谐振调制器上，它工作在单频下，而所需电压更低。只要使用得当，New Focus电光相位调制器可提供高效的相位调制，插入损耗极低。关键在于它拥有良好的光束到晶体增益轴的光学对准和激光电场方向和晶体电光轴的精确定向。New Focus使整个过程变得十分简单，只需将光束通过机械孔径即可。 40014002400340044421工作频率0.01-250 MHzDC to 100 MHz0.01-250 MHzDC to 100 MHz250-2000 MHz波长范围500-900500-9001000-16001000-1600500-900晶体材料MgO:LiNbO3MgO:LiNbO3MgO:LiNbO3MgO:LiNbO3MgO:LiNbO3孔径22222最大RF 功率1 W10 W1 W10 W4 WVSWR1.51.51.5 44234431443348514853工作频率250-2000 MHz2000-4600 MHz2000-4600 MHz6800 or 9200 MHz6800 or 9200 MHz波长范围1000-1600500-9001000-1600500-9001000-1600晶体材料MgO:LiNbO3MgO:LiNbO3MgO:LiNbO3MgO:LiNbO3MgO:LiNbO3孔径211最大RF 功率4 W4 W4 W3 W3 WVSWR1.51.51.51.51.5

一, EOM谐振电光相位调制器 共振频率0.1MHz~20GHz (PM6-UV散装PM/自由空间系列)Electro-optic phase modulators 电光相位调制器（PM）是通过向电光材料施加电场来改变光信号相位的装置。PM可以在从紫外（UV）到红外（LWIR）的宽光谱范围内工作，具有低光学损耗、高光功率和从50kHz到20GHz的调制频率。相位调制器可以在低驱动电压下实现高调制深度，使其对各种应用具有吸引力，包括激光冷却、光谱和光谱增宽。我公司提供体积/自由空间 PM（ bulk/free-space ）、光纤耦合 fiber-coupled（PM.FC）和 surface-mount (PM.SMD) devices表面安装相位调制器。我们为相位调制器提供多种频率和波长，并结合了附加/可选功能。在产品矩阵中选择所需调制器的适当参数范围并进行自定义。对于原子、离子或分子的激光冷却以及激光频率稳定，我们提供了许多预定义的标准产品。EOM谐振电光相位调制器 共振频率0.1MHz~20GHz (PM6-UV散装PM/自由空间系列) ,EOM谐振电光相位调制器 共振频率0.1MHz~20GHz (PM6-UV散装PM/自由空间系列)产品特点光谱范围：200nm-12um|大晶体孔径频率范围：50kHz-20GHz|调制效率高低插入损耗：典型值2%（t98%）| ODT高产品应用激光频率稳定-LFS（PDH、FM/MTS）激光冷却|量子态操纵（拉曼、Rydberg）光谱增宽|相干抑制通用参数一般产品PM60.1 - 1.9 MHzPM72.0 - 30 MHzPM831 - 499 MHzPM90.5 - 3.9 GHzPM104.0 - 9.9 GHzPM1110 - 20 GHzPM6-UVSEE DETAILSPM7-UVSEE DETAILSPM8-UVSEE DETAILSPM9-UVSEE DETAILSPM10-UVSEE DETAILSPM11-UVSEE DETAILSUV200 - 400 nmPM6-VISSEE DETAILSPM7-VISSEE DETAILSPM8-VISSEE DETAILSPM9-VISSEE DETAILSPM10-VISSEE DETAILSPM11-VISSEE DETAILSVIS360 - 650 nmPM6-NIRSEE DETAILSPM7-NIRSEE DETAILSPM8-NIRSEE DETAILSPM9-NIRSEE DETAILSPM10-NIRSEE DETAILSPM11-NIRSEE DETAILSNIR0.6 - 1.1umPM6-SWIRSEE DETAILSPM7-SWIRSEE DETAILSPM8-SWIRSEE DETAILSPM9-SWIRSEE DETAILSPM10-SWIRSEE DETAILSPM11-SWIRSEE DETAILSSWIR1.0 - 3.0 μmPM6-MWIRSEE DETAILSPM7-MWIRSEE DETAILSPM8-MWIRSEE DETAILSPM9-MWIRSEE DETAILSPM10-MWIRSEE DETAILSPM11-MWIRSEE DETAILSMWIR3.1 - 7.4 μmPM6-LWIRSEE DETAILSPM7-LWIRSEE DETAILSPM8-LWIRSEE DETAILSPM9-LWIRSEE DETAILSPM10-LWIRSEE DETAILSPM11-LWIRSEE DETAILSLWIR7.5 - 12 μm用于特定应用程序的预定义模型从我们的通用产品系列中，已经推导出了许多预定义的模型，这些模型符合量子科学实验中各种应用的要求，如激光捕获和冷却中性原子（ATC）、离子（ITC）、分子（MTC）以及光学时钟、光谱增宽（SB）和激光频率稳定（LFS）。原子捕获与冷却 Atom trapping & cooling （ATC）离子捕获和冷却 Ion trapping & cooling（ITC）分子捕获和冷却 Molecule trapping & cooling （MTC）激光稳频 Laser frequency stabilization（LFS）光谱增宽 Spectral broadening（SB）二, 光纤耦合自由空间谐振增强型EOM电光相位调制器(PM) 556/780/795/852nmElectro-optic phase modulators 电光相位调制器（PM）是通过向电光材料施加电场来改变光信号相位的装置。PM可以在从紫外（UV）到红外（LWIR）的宽光谱范围内工作，具有低光学损耗、高光功率和从50kHz到20GHz的调制频率。相位调制器可以在低驱动电压下实现高调制深度，使其对各种应用具有吸引力，包括激光冷却、光谱和光谱增宽。我公司提供体积/自由空间 PM（ bulk/free-space ）、光纤耦合 fiber-coupled（PM.FC）和 surface-mount (PM.SMD) devices表面安装相位调制器。我们的自由空间相位调制器（PM）具有大的频率范围（50kHz-20GHz）、宽的光谱带宽（UV-IR）、高的光学损伤阈值（ODT）和非常低的光学插入损耗（IL）。对于系统集成是优先事项并且可以在ODT和IL方面做出牺牲的应用，我们为选择性范围的自由空间相位调制器提供了非常稳健和长期稳定的光纤耦合。光纤耦合自由空间谐振增强型EOM电光相位调制器(PM) 556/780/795/852nm ,光纤耦合自由空间谐振增强型EOM电光相位调制器(PM) 556/780/795/852nm产品特点专为操纵中性Rb铷原子 , Yb镱原子 ,Cs铯原子而定制优化的调制效率高光功率处理能力低插入损耗经过广泛测试和长期验证包括精确的频率调整光纤连接：单模 PM，FC-APC，30cm产品应用激光冷却/再泵机生成量子态操纵（拉曼跃迁,...）光谱学PM.FC-Cs还可用于光学时钟通用参数一, 铯Cs, 铷Rb,镱Yb原子捕获和冷却 Atom trapping & cooling (ATC)用于铷Rb原子的捕获和冷却型号 PM.FC-Rb780_2.9PM.FC-Rb780_3.0PM.FC-Rb780_3.4PM.FC-Rb780_6.6PM.FC-Rb780_6.8谐振频率（GHz）2.9153.0353.4176.586.835应用激光冷却拉曼拉曼激光冷却拉曼调谐范围 Δf(MHz)+/- 50+/- 50+/- 50+/- 50+/- 50波长λο(nm)780/795780/795780780780插入损耗-IL(dB|%)~2dB|20%~2dB|20%~2dB|20%~2dB|20%~2dB|20%Max. 光功率(W)@λo~1~1~1~1~1典型调制深度βo(rad)0.61.01.01.01.0所需射频@{fo,λo,βo}(dBm)~25~30~30~2530匹配射频驱动器QD-Rb_2.9QD-Rb_3.0QD-Rb_3.4QD-Rb_6.6QD-Rb_6.8用于镱Yb原子的捕获和冷却型号PM.FC-Yb_3.8PM.FC-Yb_6.3谐振频率fo（MHz）38056330调谐范围Δf（MHz）±50±50波长λο (nm）556556插入损耗-IL（dB |%）~ 2.5dB | 30%~ 2.5dB | 30%Max. 光功率 (W) @ λo~0.5~0.5典型调制深度βo（rad）1.81.0所需RF@｛fo，λo，βo｝（dBm）~30~28匹配射频驱动器QDGQDG用于铯Cs原子的捕获和冷却型号PM.FC-Cs_4.6PM.FC-Cs_9.2谐振频率fo（GHz）4.6139.192应用激光冷却拉曼调谐范围Δf（MHz）±70±70波长λο (nm）852852插入损耗-IL（dB |%）~ 2dB | 20%~ 2dB | 20%Max. 光功率 (W) @ λo~1~1典型调制深度βo（rad）1.01.0所需RF@｛fo，λo，βo｝（dBm）~33~33匹配射频驱动器QD-Cs_4.6QD-Cs_9.2二, Mg+离子 Ca+离子 和Yb+离子捕获和冷却 Ion trapping & cooling (ITC)三,BaF ,SrF ,YbF ,YO, NaK ,BaH分子捕获和冷却 Molecule trapping & cooling (MTC)您的选项:T-控制：+TC (T-control: +TC)允许T-ctrl.和稳定EOM (allows T-ctrl. & stabilisation of EOMs)用于大功率型号的主动冷却 (for active cooling of high power models)包括T 型传感器（PT1000 或 NTC10k），TEC (incl. T-sensor (PT1000 or NTC10k), TEC)需要单独的温度控制器 (requires separate Temp.-controller)兼容多种外壳类型 (compatible with several housing types)

法国iXblue公司提供工作波段最为丰富的铌酸锂光强度调制器系列产品，涵盖800nm波段，1060nm波段，1310nm波段，1550nm波段以及2000nm波段。电光带宽可达40GHz，适用于模拟调制和数字调制应用。可配合该公司相应的射频放大器使用，M-Z型光强度调制器具有高功率承受能力、低漂移、长期稳定工作等优秀性能，能够满足科研、光纤传感、光纤通信系统等领域的需求。产品特点：n 高带宽n 高稳定X-cut型结构n 低驱动电压n 低插入损耗n 可选高消光比版本 产品应用： n 数字传输系统n 一般强度调制应用n 测试和测量 主要参数：参数符号MX-LN-10MX-LN-20MX-LN-40单位电光带宽 10～1220～2528～30GHz波动D0.5～10.5～10.5～1dB电回波损耗E-12 ~ -10-12 ~ -10-12 ~ -10dB@50kHz5.5～6.55～5.55～6V6.5～7@10Gb/s5.5～6@20Gb/sV@DC6.5～76.5～76.5～7V射频电阻505050Ω直流电阻111MΩ晶体类型铌酸锂晶体 X-Cut Y-Prop工作波长l1530～16251530～16251530～1562nm插入损耗IL3.53.5～4.53.5～4.5dBDC消光比ER20～2220～2220～22dB光回波损耗ORL-40 ~ -45-40 ~ -45-40 ~ -45dBRF最大额定输入功率282828dBm光最大额定输入功率202020dBm偏压范围-20 ~ +20-20 ~ +20-20 ~ +20V存储温度ST-40 ~ +85-40 ~ +85-40 ~ +85℃

液晶相位调制器PLM基于液晶的电光调制器相位调制器PLM不需要机械运动部件就能调节相位延迟。其基本原理是通过电压控制液晶层的双折射。施加合适的电压可以在PLM上对双折射进行调制，从而使O光和E光产生相位移动。相位差取决于液晶的光学属性、偏振方向和所施加的电压。 规格 选配件增透膜其它通光孔径 杭州谱镭光电技术有限公司(HangzhouSPL Photonics Co.,Ltd)是一家专业的光电类科研仪器代理商，致力于服务国内科研院所、高等院校实验室、企业研发部门等。我们代理的产品涉及光电子、激光、光通讯、物理、化学、材料、环保、食品、农业和生物等领域，可广泛应用于教学、科研及产品开发。 我们主要代理的产品有：微型光纤光谱仪、中红外光谱仪、积分球及系统、光谱仪附件、飞秒/皮秒光纤激光器、KHz皮秒固体激光器、超窄线宽光纤激光器、超连续宽带激光器、He-Ne激光器、激光器附件及激光测量仪器、光学元器件、精密机械位移调整架、光纤、光学仪器、光源和太赫兹元器件、高性能大口径瞬态（脉冲）激光波前畸变检测干涉仪（用于流场、波前等分析）、高性能光滑表面缺陷分析仪、大口径近红外平行光管、Semrock公司的高品质生物用滤波片以及Meos公司的光学教学仪器等。 拉曼激光器，量子级联激光器，微型光谱仪，光机械，Oceanoptics，Thorlabs 。。。热线电话： / 传真：+86571 8807 7926网址： /邮箱：