垂直腔发射激光器

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垂直腔发射激光器相关的厂商

  • 华日激光坚持以市场需求引领新产品的研发,为客户提供纳秒、皮秒、飞秒等多种脉冲宽度,红外、绿光、紫外、深紫外等多种波长的激光器产品,所有产品均具备自主产权,同时产品通过欧盟CE质量安全认证,完全满足严苛条件下的工业加工要求,是超精细加工领域的理想光源。同时通过与全球高端激光设备制造商在电子电路、硬脆材料、半导体、新能源、生命科学等领域开展紧密合作,为用户提供全面的激光技术解决方案。
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  • 本公司是一家专业从事激光产品研发的高科技公司,拥有雄厚的技术设计和生产能力,终身致力于为国内外客户提供品质优良、性能出众、价格有竞争力之产品。目前已开发出多种半导体激光产品,其中激光标线器是一种方便实用的标线工具。可广泛用于作服装钉钮点光源定位、裁布机裁布辅助标线、缝纫机/裁剪机/钉钮机/自动手动断布机辅助标线定位、裁床裁剪对格与对条、电脑开袋机标线等等。方便快捷、直观实用。。  产品主要包括:半导体激光器、激光准直光源、激光平行光管、激光标线仪、光学透镜、实验室教学光源、激光功率计等。  半导体激光器主要包括绿光(532nm)系列激光器、红光(635nm、650nm、780nm)系列激光器和红外(808nm、850nm、980nm)系列激光器。  激光准直光源主要包括:D-系列(点状光斑)激光器、L-系列(一字线)激光器、S-系列(十字线)激光器、T1-系列(功率可调)激光器、T2-系列(频率调制)激光器,P-系列(平行光管)激光器,B-系列激光标线仪。其中D-系列激光器光束发散度可达0.1mrad;L-系列激光器线宽最小可达0.3mm;调制(T2)激光器调制范围0-10KHz。P-系列激光平行光管口径可达40mm,光束发散度可达0.02mrad。  激光功率计可标定532nm、635nm、650nm、780nm、808nm、850nm、980nm、1100nm各波段,工作同时可监测电流。  我公司激光产品及光学产品可广泛应用于科研、工业、勘探、测量及医疗等领域。可以根据用户的特殊要求设计加工专用激光器及光学系统,也可以提供激光系统应用和特殊用途的批量供应。“团结、自信、坚韧、进取”是我们的企业宗旨,我们将一如既往地为用户提供高品质的产品。
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  • 广州神科光电有限公司广州神科光电科技有限公司主要从事国内外各知名品牌激光、光电子、光纤、光学仪器和光纤通讯等高校/研究所以及企业所需产品的设计、引进、咨询和经销。我们以品种齐全,交货快捷,价格合理,服务周到,逐渐得到广大科研用户的认可和支持。经过数年的勤奋拼搏,目前已经成为中国最大的光电子产品供应商之一。公司自主研发产品:分布式光纤温度感温器——被大量的应用到智能建筑的防火监控;未来数字家电产品的相关温度/湿度/压力等的传感;消防/隧道/大坝/科研/石油勘探等各个行业领域 锁相放大器——微弱信号检测,在科研和工业领域有大量应用 公司主营产品:各种超快光纤激光器(如大功率光纤激光器、纳秒/皮秒/飞秒光纤激光器,窄线宽光纤激光器等)半导体激光器(连续/脉冲激光器)光纤放大器(EDFA)特种光纤(掺铒光纤,非线性光纤,保偏光纤,聚酰亚胺涂层光纤等)光无源器件(光纤合束器MFPC,光纤耦合器,波分复用器WDM,隔离器,法拉第镜,环形器,谐振腔等)光测量产品(光纤识别仪,可视故障仪,TIA光电转换器,光时域发射仪OTDR,光学斩波器,光纤激光转计,模拟数字光纤链接机,光谱仪等)光纤传感器(Snkoo分布式光纤感温系统)光纤通信器件(数字可调/手动可调衰减器,录波器,偏正控制器,光纤延迟线,保偏耦合器,偏振旋转片,光纤光电探测器,偏振合束器/分束器。其他光电应用解决方案与产品DTS 分布式光纤感温系统/FBG 光纤光栅温度/FBG 光纤光栅应变系统光学精密位移台/光学机械附件/光学实验仪器/光纤调节架等应用光学/近代物理光学等实验室课程解决方案OTDR 光纤测量系统/锁相放大器系统实验室用各种SOI 硅/Si/Ge/GaAs/GaSb/蓝宝石/InAs 片激光防护镜,各种光学用滤光片如需深入了解可联系:13760786617 联系人:罗先生 QQ:1284920222公司网页:www.snkoo.com
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垂直腔发射激光器相关的仪器

  • 外腔型垂直表面发射激光器 外腔型垂直表面发射激光器结合了半导体和薄片激光器的重要优点。半导体增益结构的波长多功能性,以及薄片概念的散热能力和外腔架构共同构成了通用的激光技术平台。这种组合提供了宽波长覆盖、高功率和可调谐窄线宽操作的高质量光束。利用分子束外延技术的专业知识制造高质量的半导体增益结构,在 630 nm 至 3 μm 的波长范围内具有定制特性。一、外腔型垂直表面发射激光器产品特点从近红外到可见光谱的高效腔内倍频宽波长范围单频、可调谐卓越的光束质量二、外腔型垂直表面发射激光器型号及参数(1)VALO SHG SF - 单频 VIS VECSEL 系统VALO SHG SF 是一种独特的可调谐单频 VECSEL 系统,具有高效的腔内二次谐波生成功能。这种新开发的激光器目前在 350-750 nm 之间提供瓦级输出功率,并匹配近红外 VALO SF 产品线相同的交钥匙 VECSEL 平台。产品参数:中心波长350 – 750 nm连续波长功率0.5 - 2 W 集成泵浦光调节中心波长±1nm锁线宽100 kHz (10 ms)尺寸大小320 mm x 190 mm x 100 mm (L x W x H)(2)VALO SF - 单频 NIR VECSEL 系统VALO SF 是一种单频 VECSEL 系统,可在 700–2100 nm 之间使用。VALO 在一个紧凑的封装中结合了一组独特的激光特性;即高功率连续波操作(1-4 W CW)、窄线宽(100 kHz)、宽调谐(~10 THz)和出色的光束质量(M 2 1.1)。该系统包括一个带有集成泵浦激光器的 VECSEL 头、一个控制单元和一个低振动冷却器。使用外部泵浦激光器可以达到 10 W 的输出功率。产品参数:中心波长700 – 2100 nm连续波长功率1–4 W集成泵浦光/12W外部泵浦激光调节中心波长~10 THz锁线宽100 kHz (10 ms)尺寸大小320 mm x 190 mm x 100 mm (L x W x H)更多详情欢迎直接联系昊量光电!关于昊量光电:昊量光电 您的光电超市!上海昊量光电设备有限公司致力于引进国外创新性的光电技术与可靠产品!与来自美国、欧洲、日本等众多知名光电产品制造商建立了紧密的合作关系。代理品牌均处于相关领域的发展前沿,产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、精密光学元件等,所涉足的领域涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防及前沿的细分市场比如为量子光学、生物显微、物联传感、精密加工、激光制造等。我们的技术支持团队可以为国内前沿科研与工业领域提供完整的设备安装,培训,硬件开发,软件开发,系统集成等优质服务,助力中国智造与中国创造! 为客户提供适合的产品和提供完善的服务是我们始终秉承的理念!您可以通过我们昊量光电的官方网站了解更多的产品信息,或直接来电咨询,我们将竭诚为您服务。
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  • 产品说明 垂直腔面发射激光器阵列芯片(SLD)是边发射半导体光源。垂直腔面发射激光器阵列芯片(SLD)的独特特性是与输出激光二极管(LD)类似的高输出功率和低光束发散度,但具有更宽的光谱和低相干性,类似于发光二极管(LED)。超辐射发光二极管(SLD)在几何形状上与激光器类似,但是没有内置的LD反射机制用于受激发射以实现激光。与LD相比,超辐射发光二极管(SLD)操作的主要区别是:有源区内的增益更高,电流密度更高,光子的不均匀性和载流子密度分布更强。超辐射发光二极管(SLD)具有与LED相似的结构特征,通过降低刻面的反射率来抑制激光作用。超辐射发光二极管(SLD)本质上是高度优化的LED。虽然超发光二极管(SLD)像低电流水平的LED一样工作,但是它们的输出功率在高电流下也是超线性地增加。产品特点: 中心波长:750-1640nm 典型3dB带宽:10-110nm 典型输出功率:0.2-45mW 典型波纹:0.1-1dB产品参数: 中心波长(nm)光谱宽度(nm)输出功率(W)孔距(um)数组大小(um)型号9051035122 x 1222440 x 2430IPVSC09019401035122 x 1222440 x 2430IPVSC0902
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  • 垂直腔表面发射激光器(VCSEL)短波长VCSEL模式:单模,多模多种波长可选:759nm,763nm,780nm,795nm,808nm,810nm,840nm,850nm,852nm,860nm,945nm,948nm,980nm输出功率:5mw,6mw,12mw,24mw,100mw封装:E2000连接器,SMA连接器,SMD,TO46can,TO56can,TO5can,无封装 近红外波段 VCSEL 概述:单模VCSEL激光二极管以几种标准或常用波长覆盖了从1400nm到2050nm整个近红外范围。垂直腔结构保证了低域值、低工作电流和极好的调谐性能。它的工作温度范围为0℃到50℃ (非冷却)。应用:可调谐激光管吸收光谱(TDLAS),气体的检测和监控,工业过程控制,空气质量监控,尾气测试。应用于气体传感的标准波长:特点:² 低功率消耗,低域值电流² 内置TEC+热敏电阻控制温度,确保极高的波长精确度² 高压环境下的快速、宽调谐性能现场测试² 双温度下,提供单个激光器数据表完整描述² 多种小脚包装选择带TEC的TO-5封装,热敏电阻和保护环: T0 = 25℃时的电/光参数: 1: 最大绝对电流刚好由激光二极管数据表给出。2: 当T0=25° C,在这些限度内,扫描电流时能保证达到目标波长&lambda 0± ∆ ë 0。3: 稍稍改变温度可将波长调整到目标波长。4: T0由 TEC控制,由热敏电阻测量。 To-5封装管帽图(单位:英寸):
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垂直腔发射激光器相关的资讯

  • 傅立叶变换红外光谱技术(FTIR)助力人脸识别技术硬件:垂直腔面发射激光器(VCSELs)的研究与开发
    “扫码时代”或成过去式,“刷脸时代”已悄然而至人脸识别科技大大改变了人们的生活方式,从现金支付到刷卡支付,再到今天无处不在的扫码时代,一部智能手机既可以出行无忧。但您是否为忘带手机、手机没有网络、或者电量用完而感到焦急、困扰?别担心,“扫码时代”或将成为过去式,“刷脸时代”已悄然而至!从身份审核到线下支付,从乘坐地铁到取快递、领养老金,“刷脸”正在变得一路畅通。这一变革的核心就是人脸识别(脸部识别)技术。采用人脸识别技术的智能手机、电脑、银行柜员机、检票闸机、智能门锁、门禁、考勤、安检系统、远程认证、支付系统等已悄悄走进了人们的生活。人脸识别--这种非接触式、基于人的脸部特征信息进行身份识别的生物识别方法,是一种即体贴又便利的方法,某些情况下甚至优于现有的指纹识别系统,例如当冬天您戴着厚厚的棉手套,或者您手里刚好拿着其他东西时,指纹识别就显得不那么方便了。 人脸识别和垂直腔面发射激光器(VCSELs)人脸识别技术,这一重大进展硬件上可以通过所谓的垂直腔面发射激光器(vertical-cavity surface-emitting lasers,简称VCSELs)来实现。 VCSELs是一种特殊类型的半导体激光二极管,与传统的边缘发射激光二极管不同,它的发射垂直于芯片表面,因此可以很容易地封装成单个芯片上包含数百个发射器的发射阵列。用于智能手机的 VCSELs芯片通常发射的红外线,体积非常小,成本低廉,为脸部扫描提供了良好、安全的辐照性能。此外, VCSELs不仅可以用于人脸和手势识别,还可以用于通信、近距离传感器、增强现实显示、机器人(扫地机器人)和自动驾驶汽车的激光雷达等。 因此,表征VCSELs的发射光谱、功率、光束轮廓、噪声等是这些器件发展和改进的关键。傅立叶变换红外光谱技术(FTIR)用于垂直腔面发射激光器(VCSELs)的表征虽然辐照度传感器和快速光电二极管可以测量VCSELs激光器的功率和光束轮廓,但它们不能确定其发射光谱。 在这里,结合了步进扫描技术(StepScan)的傅立叶变换红外光谱(FTIR)以其高灵敏度、宽光谱范围、杰出的时间和光谱分辨率,被证明是理想的VCSELs激光器表征方法。来自德国达姆施塔特工业大学的Wolfgang Elsaesser教授和他的研究小组,使用布鲁克高性能VERTEX80v真空型傅立叶变换红外光谱仪,对VCSELs激光器进行了详细的微秒尺度时间分辨偏振(斯托克斯偏振参数)分析,很好地支持了VCSELs基础开发的理论模型。VERTEX80v真空型傅立叶变换红外光谱仪
  • 我国首个碱金属原子光学传感器专用激光器诞生
    日前,中科院长春光机所在国内首次研制出碱金属原子光学传感技术专用的795nm和894nm 垂直腔面发射激光器(VCSEL)。该器件采用完全自主的结构设计、材料生长和芯片工艺研制而成,芯片体积仅为0.05立方毫米(0.5mmx0.5mmx0.2mm)。器件高稳定单模态激光输出高于0.2毫瓦,工作电流低于1.5毫安,功耗低于3毫瓦,工作温度超过100℃,可作为核心光源用于芯片级原子钟、原子磁力计、原子陀螺仪等碱金属原子传感器。  基于原子光学技术的精密传感需要一些特定的波长(如795nm和894nm等)并且满足窄线宽、低功耗、可直接调制、单模和稳定偏振态的光源来激发碱金属原子。传统灯泵浦光源方案的传感器存在的体积大、功耗高、稳定性差等问题一直是困扰原子光学传感器小型化的主要难题。垂直腔面发射激光器(VCSEL)作为一种新型的半导体激光器,具有窄线宽、低功耗、高调制频率、小体积和容易集成等特征,因此基于VCSEL的相干布居俘获(CPT)方法使得原子光学器件的微型化和低功耗应用成为可能。  目前,国外只有个别实验室和公司具有制作该类原子光学传感器专用VCSEL的能力。中科院长春光机所大功率半导体激光组在十余年研究基础上成功制备出性能符合要求的VCSEL器件,为国内原子传感器的研制提供了必需的核心元器件并掌握了自主知识产权,目前正在与国内相关单位开展合作研究,促进芯片级原子传感器的产品开发。这些产品将应用于航天、国防以及民用领域,例如:精密计时技术、单兵卫星精确定位,长航时远距离惯性导航,高灵敏度水下金属磁场测量等。   795nm VCSEL 芯片(左)和TO46封装器件(右)
  • Thorlabs收购中红外半导体激光器公司Maxion
    垂直集成光电子产品制造商Thorlabs公司从Physical Sciences(PSI)公司收购了Maxion Technologies公司。Maxion公司致力为客户提供交钥匙型的中红外激光器,其由美国军队研究实验室的几位科学家和工程师于2000年创建,并于2009年被PSI公司收购。Maxion公司的带间级联(IC)激光器和量子级联(QC)激光器产品能够为化学传感、红外对抗以及自由空间光通信中等应用提供3-12μm的产品解决方案。  Maxion将加入Thorlabs的量子电子(TQE)团队。Thorlabs公司总裁兼创始人Alex Cable表示,“非常欢迎Maxion团队加入Thorlabs的大家庭。Maxion的IC/QC激光器的加入,将为TQE现有半导体激光技术提供有力补充。”  收购Maxion将进一步增强Thorlabs的TQE部门的设计和制造能力,包括高功率GaAs激光二极管和最先进的基于MEMS的可调垂直腔面发射激光器(VCSEL)。有了强大的QC/IC设计和专业知识和SB-MBE生长技术,Thorlabs公司将可以生产全系列的半导体激光器,波长覆盖0.7-12μm,这也将使其成为工业传感、医疗、生命科学、电信/仪器仪表领域的可靠商业合作伙伴。

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垂直腔发射激光器相关的试剂

垂直腔发射激光器相关的论坛

  • 【分享】科学前沿--宽禁带氮化物面发射半导体激光器研究获重大突破

    863计划新材料领域“蓝绿色垂直腔面发射半导体激光器”课题近日取得重大突破,在我国(除台湾地区外)首次实现了室温光泵条件下氮化物面发射激光器(VCSEL)的受激发射,所得器件重要性能指标超过了国际报道的最好水平。这标志着我国氮化物面发射激光器研究已进入世界先进行列。该成果由厦门大学、中国科学院半导体研究所和厦门三安电子有限公司组成的合作研究团队,经过将近一年的艰苦研发,攻克高质量增益区材料的生长、高反射介质膜分布布拉格反射镜的制作和蓝宝石衬底剥离等关键技术难题后得以实现。所使用的增益区是研究团队自主设计的由纳米级尺寸氮化物量子阱材料构成的新型特殊结构,利用该结构容易获得光场波峰与增益区峰值高的匹配因子,使激射阈值降低了一个量级。激光剥离后氮化物材料的表面平整度小于几个纳米,可以直接沉积反射镜,免除了减薄抛光工艺,简化了制作过程。该研究得到激射峰值波长449.5纳米,激射阈值6.5毫焦/平方厘米,半高宽小于0.1纳米。以上结果在国际上处于前沿先进水平。氮化物面发射激光器在激光显示、激光照明、激光高密度存储、激光打印,水下通信等方面有着广阔的应用前景。该成果为进一步研制实用化氮化物面发射激光器奠定了重要的基础。来源:科技部

  • 【分享】俄提出伽马射线激光器研发新方案

    2011年05月04日 来源: 科技日报 作者: 常丽君  本报讯 长期以来,建造原子核伽马激光器一直是个难题。据美国物理学家组织网5月2日报道,莫斯科大学核物理专家最近提出了一种新方案,并从理论上证明,钍原子核受激产生的伽马辐射也能发出相干“可见”光。相关研究发表在最近出版的《物理评论快报》上。   尽管原子核伽马射线激光也是以受激辐射为基础,但操作起来却和普通激光大不相同。在通常物质中,处于低能级的原子数大于处于高能级的粒子数,为了得到激光,必须使高能级上的粒子数目大于低能级上的原子数目,这种情况称为粒子数反转。在普通激光中,粒子数反转是让高能态电子比低能态电子多。普通激光的光子由原子或离子发出,而伽马射线激光的光子是由原子核发出,也称为原子核光。  原子核光的产生至少要克服两个基本难题:一是积累一定量的同质异能原子核(能长时间保持激发态的原子核),二是缩小伽马射线发射界限。莫斯科大学核物理学院的尤金·塔卡利亚解释说,他们利用钍元素的独特原子核结构,满足了这些要求,与外部激光的光子直接反应的是钍原子核,而不是它的电子。  研究小组使用了一种锂—钙—铝—氟(LiCaAlF6)混合物,并用钍替代了其中一些钙。当足够数量的同质异能钍原子核被外部激光激发后,原子核跟周围的电磁场发生反应,产生了粒子数反转,使整个系统中激发态的原子核多于非激发态原子核。然后,原子核能够发射或吸收光子而不会反冲,能发光而不会损失能量。  塔卡利亚表示,该研究中的原子核伽马射线激光只能发射“可见的”真空紫外光或称视觉范围的伽马射线。其应用之一是,可作为原子核频率的度量标准,即“原子核钟”。此外,该设备还可用以测试许多自然界的基本属性,如衰变指数定律和精细结构常数的变化效应等。(常丽君)

垂直腔发射激光器相关的耗材

  • 894.6 nm, VCSEL单模垂直腔面发射激光器GaAs
    总览垂直腔面发射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),简称VCSEL,是一种半导体激光器,其激光垂直于顶面射出。以砷化镓半导体材料为基础研制,不同于LED(发光二极管)和LD(激光二极管)。结构由镜面,有源层和金属接触层组成。两个发射镜分别为P型,N型布拉格发射器。有源区有量子肼组成,在P型DBR外表面制作金属接触层,形成欧姆接触,并在P型DBR上制作一个圆形出口,输出激光。中心波长894.6nm输出功率0.3mW技术参数应用原子钟磁力计特点:包装: 裸片芯片工艺: GaAs 垂直腔面发射激光器激光波长: 894.6 nm辐射剖面: 单模ESD: 250 V acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 1A)最大额定值Ta = 80°C 参数符号值操作/焊接温度DC = 100%TS最小值最大值-20°C110°C储存温度Tstg最小值最大值-40°C125°C正向电流(保持单模)直流操作 DC = 100% TS = 75°CIf最大值1.5 mA正向电流直流操作 DC = 100% TS = 75°CIf最大值3 mA反向电压不适合反向操作ESD 耐电压acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 1A)VESD最大值250 V 注意:超出绝对最大额定值范围的应力可能会对设备造成永久性损坏。 特点Ta = 80°C, IF = 1.4 mA DC = 100% - Group 3 参数符号值正向电流VF典型值1.78 V输出功率Φ典型值0.3 mW阈值电流Ith典型值0.61 mA斜率效能SE典型值0.37 W / A单模抑制比SMSR最小值20 dB偏振消光比5)PER最小值15 dB峰值波长λpeak-v最小值 典型值最大值894.1 nm894.6 nm895.1 nm光谱线宽度Λlinewidth最大值100 MHz调频调制带宽Fm最小值4.6 GHz波长温度系数TCλ典型值0.06 nm / K半峰全宽处视场(50% of Φmax)φxφY典型值典型值12°12°1/e2处 视场φxφY典型值典型值20°20° 注意:波长,输出功率根据操作温度和电压的变化而变化。
  • 1567nm VCSEL激光器
    1567nm VCSEL激光器垂直腔面发射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),简称 VCSEL,是一种半导体激光器,其激光垂直于顶面射出。以砷化镓半导体材料为基础研制,不同于LED(发光二极管)和LD(激光二极管)。结构由镜面,有源层和金属接触层组成。两个发射镜分别为P型,N型布拉格发射 器。有源区有量子肼组成,在P型DBR外表面制作金属接触层,形成欧姆接触,并在P型DBR上制作一个圆形出口,输出激光。它具有较小的远场发散角,发散角光束窄且圆 并且阈值电流低,调制频率高,能达到300KHz。 通过改变激光电流跟温度可以实现波长调谐。内置TEC和PD的包装,它专 为高速光纤通信而设计。产品特点 7 Pin 小尺寸 非球面透镜帽 集成TEC控制温度稳定 输出功率1.6mW 单模,可以通过C-L波段 具有宽谱调谐范围:8nm 快速波长调谐(~100KHz)产品应用 TDLAS 测量气体系统 人脸识别 激光雷达 数据中心,云计算产品结构VCSEL激光的产生主要由三部分组成,即激光工作物质、泵浦源和光学谐振腔。利用泵浦源对工作物质进行激励,形成粒子数反转,发出激光。在通过底部和顶部反射镜组成的谐振腔,在激光腔内放大振荡,并从顶部反射镜输出,输出的光线只集中在中间不带有氧化层的部分输出,形成了垂直腔面的激光发射,从而得到稳定,持续,有一定功率的高质量激光。技术参数实验数据我们对于VCSEL激光器进行了相关实验,测量了VCSEL激光器的电压,电流 与波长的关系,以及频率的关系。VCSEL光谱图VCSEL激光器测量底座1、电压与波长的关系我们给激光器加载4-18V的电压,每2V电压增加一个点,测量如上图数据, 我们会发现,随着电压的增加,波长随着减小,减小了8nm左右,呈现负向 接近线性曲线。2、电流与波长的关系我们保持电压恒定,电流调节,从13到25mA,每3mA测试一次,发现电流调 节,波长大小变化比较大,且呈现一个正向线性曲线。3、加载不同频率的变化加载5V电压,20KHz频率波形加载5V电压,40KHz频率波形加载5V电压,60KHz频率波形加载5V电压,80KHz频率波形加载5V电压,100KHz频率波形加载5V电压,120KHz频率波形加载5V电压,140KHz频率波形固定给5V电压,调整频率值,得到以上图形,我们的调制频率很高,可以携带更多的信息,响应速度更快。
  • 高功率单频激光二极管 780nm 180mw (高功率边发射激光器)
    PH780DBR系列高功率边发射激光器基于Photodigm先进的单频激光技术。它提供衍射受限的单横向和纵向模式光束。端面经过钝化处理,具有高功率和高可靠性。该装置应用于以铷基光电材料的原子光谱学中。中心波长780nm输出功率180mW技术参数技术DBR单频激光芯片砷化铝镓量子阱(QW)AlGaAs QW 有源层Epi设计,可靠性高特征多种封装样式可供选择短脉冲长度下的脉冲操作,确保光谱稳定性适用于 CW 应用的高功率高斜率效率绝对最大额定参数参数符号单位最小值最大值储存温度TSTG°C080工作温度TOP°C5.070连续波激光正向电流, T=TopIFmA-~150**脉冲激光正向电流, T=25°C,IFA-0.3PW=300 ns, DC=10% 激光器反向电压VRV-0.0光电二极管正向电流1/2/IPmA-5.0光电二极管反向电压 1/2/VRV-20.0光电二极管暗电流, VR=10V, LD IF=0, 1/2/IDnA-50制冷器电流 1/2/ITECA-1.81.8制冷器电压 1/2/VTECV-1.91.9热敏电阻电流 1/2/ITHRMmA-1.0热敏电阻 1/2/VTHRMV-10外部背反射-dB--14焊接温度, 10 sec. Max.1/2/-°C-260光纤牵引力 1/-N-5.0光纤弯曲半径 1/-mm-351/ 蝶形封装 2/ TO8 封装 **不超过所提供的LIV的驱动电流或操作功率 TC = 25°C时的连续波特性参数符号单位最小值典型值最大值中心波长λcnm778780782光输出功率 @ LIV 电流PomW请参阅Power Options Call-out斜率效能, 1/ηdW/A0.250.36斜率效能ηdW/A0.600.75-阈值电流IthmA-5070激光器串联电阻RSΩ-2.02.5激光正向电压VFV-2.02.5热敏电阻阻抗 @ 25°C, 1/2/RTKΩ-10-光电二极管暗电流, VR=10V, LD IF=0, 1/2/IDnA--50激光线宽∆vMHz-0.51偏振消光比, 1/PERdB-16-19-光束发散度 @ 半峰全宽θװ X θ┴º-6 X 268 X 28边模抑制比SMSRdB-30--激光偏振TE模结构基谐模 1/ 蝶形封装 2/ TO-8 封装
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