低能散射俄歇谱仪

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低能散射俄歇谱仪相关的厂商

  • 北京艾飞拓科技有限公司作为德国 IONTOF 公司的中国总代理,成立于2012年。主要负责飞行时间二次离子质谱仪(ToF-SIMS,新一代型号ToFSIMS M6)、低能离子散射能谱仪(LEIS,型号Qtac100)和高分辨磁力显微镜(hr-MFM,型号VLS-80)这三类产品,在中国大陆及港澳地区的销售、售后、宣传、培训、技术服务等工作。公司成员来自北京大学、中科院物理所等一流院校研究生,“以物理学、材料学、国际贸易等专业背景打造核心团队,秉承引进国际质谱领域先进技术的理念,以提高我国材料分析技术为核心目标,密切与国内多所高校、研究机构、科技公司合作,共同攻克技术难题。”IONTOF是由Alfred Benninghoven教授,Dr.Ewald Niehuis和Thomas Heller先生于1989年创立,创始人Prof.Benninghoven教授是国际静态二次离子质谱的奠基人,他们团队始终带领国际二次离子术的发展,从上世纪80年代初开始,Benninghoven教授和他的研究组就致力于飞行时间二次离子质谱的系统和应用研究。依托于明斯特大学和州纳米中心的技术和人才优势,TOF-SIMS已经发展成为无可替代的表面分析手段。TOF.SIMS 5从2003年定型到现在已经成为市场上相当成功的飞行时间二次离子质谱系统。到2016年,世界上已经有超过350套高性能的TOF.SIMS系统成功地应用在世界各地的公司和学术研究机构中。获取更多资讯,请访问艾飞拓官网:www.iontof.com.cn,或扫描下方二维码关注“IONTOF-CHINA”微信公众号。
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  • 400-860-5168转0165
    美国布鲁克海文仪器公司(BIC)是世界上最著名的专业从事设计、开发和生产颗粒特性表征以及分子量测定仪器的高技术公司,其专家组成员包括在光散射研究领域最具国际声望的科学家,在他们的领导下,并经过长期的研究与实践,确立了BIC在光散射领域的地位。 九十年代以来,BIC不断推出新产品,包括相位光散射原理的Zeta电位分析仪(ZetaPALS)、高浓度粒度分析仪(BI-FOQELS)、数字相关器(TurboCorr)、以及多角度激光光散射仪(BI-MwA)与动静态光散射系统(BI-200SM)等等,这些仪器所采用的技术都代表着该领域的成就。目前,BIC的仪器已广泛应用于包括中国在内的各国顶尖实验室的研究中。此外,BIC的一些核心技术以其优越的性能,被其他公司作为其产品的重要部件所采用。 BIC的总部设在美国的纽约,在全球40多个国家设有分支机构。在中国设有技术服务中心和3个代表处,为客户提供及时周到的技术支持与售后服务。
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  • Xenocs China,是法国Xenocs SAS公司于2019年在中国直接设立的全资子公司。其业务范围覆盖法国Xenocs SAS公司旗下全部专业小角X射线散射产品及软件在中国地区包含销售、技术支持、售后服务等全部业务。2023年,赛诺普(苏州)科学仪器有限公司成立,将在亚太地区以及印度地区开展销售、应用与技术支持、售后服务等全部业务。Xenocs China自成立以来,一直秉承法国Xenocs SAS所奉行“用户至上”的服务理念和精神,将致力于为中国用户提供全方位、专业化、实时且周到的至诚服务,为纳米材料的表征提供针对性的解决方案视为己任,满足您的多样化需求。
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低能散射俄歇谱仪相关的仪器

  • 一、前言作为物质存在的第四种状态的等离子体通常由电子、离子和处于基态以及各种激发态的原子、分子等中性粒子组成。等离子体中带电离子间库伦相互作用的长程特性,是带电粒子组分的运动状态对等离子体特性的影响起决定性作用,其中的电子是等离子体与电磁波作用过程中最重要的能量与动量传递粒子,因此,等离子体中最重要的基本物理参数是电子密度及其分布以及描述电子能量分布的函数以及相应的电子温度。而对于中高气压环境下产生的非热低温等离子体来说,等离子体中的主要组分是处于各种激发态的中性粒子,此时除了带电粒子外,中性粒子的分布和所处状态对等离子体电离过程和稳定性控制也起着非常重要的作用,尤其是各种长寿命亚稳态离子的激发。为了可以充分描述等离子体的状态,在实验上不仅要对带电粒子的分布和运动状态进行诊断,如电子温度、电子密度、电离温度等参数,还需要对等离子体中的中性粒子进行必要的实验测量,来获得有关物种的产生、能量分布以及各个激发态布居数分布等信息,如气体温度、转动温度、振动温度、激发温度等参数。基于这种要求,结合相关学科的各种技术形成了一个专门针对等离子体开展诊断研究的技术门类,如对等离子体中电子组分的诊断技术有朗缪尔探针法(Langmuir Probe),干涉度量法(Interferometer),全息法(Holographic Method),汤姆逊散射法(Thomason Scattering, TS),发射光谱法(Optical Emmission Spectroscopy, OES)等,对离子组分的光谱诊断技术有光腔衰减震荡(Cavity Ring-Down Spectroscopy, CRDS)和发射光谱法(OES),而对中性粒子的光谱诊断技术包括了吸收光谱法(Absorption Spectroscopy, AS),发射光谱法(OES),单光子或者双光子激光诱导荧光(Laser Induced Fluorescence, LIF)等。二、汤姆逊散射(Thomson Scattering)基于激光技术发展起来的汤姆逊散射诊断原本用于高温聚变等离子体的测量,借助激光技术和光电探测技术的突飞猛进,汤姆逊散射在近年也大量应用于低温等离子体的密度和电子温度的测量。汤姆逊散射具有空间分辨率高(局域测量),测量值稳定可靠等优点。测量的物理量:电子温度:下限0.1e密度:下限1019m-3.图1. 汤姆逊散射分析系统结构示意图2.1、激光束在等离子体中的束斑大小(束径DLP)激光束经过透镜聚焦,等离子体应该位于透镜的焦点,以达到激光束在等离子体中有最小的束径,最高的功率密度。DLP = f´ q其中f是聚焦透镜的焦距,q是激光束发散角,考虑各种综合因素,实际束径是上述公式的2倍左右。假设使用f=1000mm的聚焦透镜和q=0.5mrad的激光束,DLP大约是1mm。2.2、收集光学系统的光纤的像斑(fP)与等离子体中激光束径DLP的匹配为了有效的收集激光束上的散射光子,光纤的像斑fP应该完全覆盖激光的束径。理想情况是光纤的像斑与DLP尺寸完全相同,并且二者完全重合,这样激光的散射光最大,同时背景非散射光最小。但是考虑到实际的准直的难度,这样的理想条件在有限的资金投入下很难实现。建议fP是DLP的两倍,既能有效的收集散射光子,也能比较容易准直。如果DLP =1mm, fP =2mm是比较合适的。2.3、光纤的芯径、布局和光谱仪以及ICCD的选择汤姆逊散射谱线展宽与温度的关系如下:汤姆逊散射角度 Theta=90度;me是电子质量,c是光速,kB是玻尔兹曼常数,公式右边分母下面:是激光的波长 532nm;分子是谱线展宽,不过是1/e展宽因此汤姆逊散射光谱的半高宽△λ1/e(nm)与等离子体温度Te(ev)的关系可以简化为△λ1/e=1.487×Te1/2Te eV0.10.20.30.4124510△λ1/e nm0.470.530.810.941.492.102.973.324.70表1. 电子温度与汤姆逊散射谱半高宽对应值在光谱仪没有入射狭缝或者入射狭缝宽度超过光纤的芯径的情况下,光纤的芯径实际决定了谱仪的实际分辨率(仪器展宽):△λof = fof ´ LSPfof是光纤的芯径,LSP是谱仪的倒线色散率。针对于此应用,可以考虑选择两款光谱仪,分别是:1、Zolix 北京卓立汉光仪器有限公司的Omni系列 750mm的谱仪,如果使用1200l/mm的光栅,LSP = 1nm/mm。测量电子温度的原则是仪器展宽应该与最低温度的展宽相当,才能有效的测量到最低温度。2、选用207(670mm焦距)光谱仪,在搭配1200l/mm光栅的情况下,LSP=1.24nm/mm,可以满足要求。同时可以考虑搭配1800l/mm光栅,这样的话可以兼容高电子温度和低电子温度的同时测量,以及同时兼顾高分辨和宽光谱。原则上,使用芯径400mm的光纤,△λof=0.4-0.48nm,完全符合0.1eV的测量要求。但是还是建议谱仪安装入射狭缝,靠狭缝来控制分辨率,不仅确保0.1 eV的测量要求,还能实现更低的温度测量。同时在调试阶段,靠狭缝来控制通光量,以免532nm的激光杂散光太强,对ICCD造成破坏。另一方面ICCD的尺寸决定了光纤的排布数量。光纤数量越多,对汤姆逊散射这种微弱光测量是越有利的。在信号很弱的时候,可以把几道合成一道使用,以增加信噪比,提高信号质量。因此在波长覆盖范围(CCD的横向尺寸)满足要求的情况下,ICCD的纵向尺寸应该尽量大一些,以便容纳更多的光纤。选用iStar 334T探测器,这款CCD的尺寸是13.3 ´ 13.3 mm,对焦距目前的光谱仪无论是Omni-750还是207在搭配1200l/mm光栅的情况下,波长覆盖范围是13nm左右,同时纵向13.3mm,容纳的光纤数量也更多,可以做更多的多道光谱。如果已有更大面阵的CCDsCMOS或高速相机,可以考虑使用Zolix 卓立汉光的IIM系列镜头耦合像增强模组与之配合,达到类似ICCD的功能和效果,同时获得更大的相机选取自由度;IIM 内部可以选择25mm 尺寸的增强器,1:1耦合到CCD, 可以获得更大的成像面,双层增强器也可以获得更高的增益;光纤的布局是一字型密集排布,在13mm的长度内,尽量的密布尽可能多的光纤。同时光纤应该严格排列在一条直线上,整排光纤的偏心距小于20mm。2.4、收集透镜的选择等离子体中心到透镜的距离L和光纤的芯径,及像斑决定了收集透镜的焦距。举例如下:如果像斑要求是fP =2mm,光纤芯径400mm, 则物像比是4,如果L=320mm, 则透镜的焦距就是320/4=80mm。同时如果观测的等离子体范围是50mm,那光纤一字排开的范围就是50mm/4=12.5mm。这个宽度和连接谱仪一侧的光纤束的尺寸很接近了,连接收集透镜一侧光纤也应该是密集排布,这样两端容纳的光纤数量就是匹配的。2.5、瑞利散射的滤除与使用瑞利散射信号通常也可以用来测试重粒子的相关信息比如中性原子。但是相比于瑞利散射法来说,作为弹性散射的汤姆逊散射法更多用于自由电子的测试。和离子与原子相比,由于自由电子的速度更快,质量更轻,因此具备更宽的光谱展宽。比较强的杂散光信号与更强的瑞利散射信号则可以通过例如布儒斯特窗、笼式结构或者黑丝挡板的方式滤除掉。图2 滤除瑞利散射的笼式结构示意光路因此在实际的测试过程中,如何合理地使用这些信号为等离子体诊断服务,则是另一个相关的话题。如图3[1]所示,为实际测试过程中得到的瑞利与汤姆逊散射信号如图4[2]所示,为实际测试过程中得到的滤除瑞利散射后的汤姆逊散射信号图3 包含瑞利散射与汤姆逊散射的实测信号图4 滤除瑞利散射后的汤姆逊信号2.6其他附属部件光电倍增管谱仪第二出射口配宽度可调的狭缝三维调整光学支架,用以调节镜头的方位和方向三、整体解决方案汇总推荐根据用户需求,一般推荐的配置如下:光谱仪:Zolix 北京卓立汉光仪器有限公司的Omni-500I 或750i光谱仪搭配1200l/mm和1800l/mm的全息光栅高光通量光谱仪,搭配120*140mm 或110*110mm 的大尺寸,高分辨率的1200l/mm光栅和1800l/mm光栅探测器:ICCD, 18mm 增强器,13*13mm 探测面;Zolix卓立汉光 公司的IIM-A系列 镜头耦合像增强模组,配合更大面阵的CCD或sCMOS相机, 18mm或25mm 的大面积增强器,灵活的CCD 相机选择; DG645数字延迟脉冲发生器:用于系统触发控制标准A光源,用于系统强度校准其他的配件:包括多道光纤,收集光路,可以后续一并考虑,先购买标准部件参考文献[1] Yong WANG, Cong LI, Jielin SHI, et al. Measurement of electron density and electron temperature of a cascaded arc plasma using laser Thomson scattering compared to an optical emission spectroscopic approach[J]. Plasma Sci. Technol. 19 (2017) 115403 (8pp) [2] Ma P, Su M, Cao S, et al. Influence of heating effect in Thomson scattering diagnosis of laser-produced plasmas in air[J]. Plasma Science and Technology, 2020.
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  • ELSD-4000KS型微流量蒸发光散射检测器 1、管路特殊设计,扩散小,样品集中;2、使用激光光源,寿命长、灵敏度高;3、采用不锈钢蒸发管路,耐腐蚀、易清洗、不易损坏4、采用进口光电倍增管,检测限低;5、采用电子气体流量计,控制简单明了;6、带有尾吹浓缩功能,提高检测的灵敏度,保持检测池清洁;7、流动相低温雾化与蒸发,可测热不稳定成分;8、采用汇聚光路,噪音低、信号强,灵敏度高;9、采用双文丘里结构,样品集中、信号强;1、是国内第一台微流量型蒸发光散射检测器;2、喷嘴免维护,不容易堵塞;3、抗干扰能力强,结果准确,重复性良好;4、使用简单,容易掌握;5、可与任何厂家HPLC系统联用;6、所有参数均可计算机控制,自动化程度高;7、结构牢固,故障率低;8、可与本厂或其他厂家的色谱工作站联用;1、气体流量:0~5L/min;2、喷雾压力:0~100psi;3、温度范围:室温至150℃,调节精度为1℃;4、流量范围:0~0.5ml/min;5、光源:标配650nm激光;6、检测器:光电倍增管;7、电压范围:220V;8、气体要求:空气或氮气;主机:包括蒸发管、喷头、激光光源、光电倍增器;ELSD-4000KS专用色谱工作站; 由于技术不断进步,本公司保留设计更改之权利,更改恕不通知敬请谅解。
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  • ELSD-2000KS药典型蒸发光散射检测器1、使用激光光源,寿命长、灵敏度高;2、采用不锈钢蒸发管路,耐腐蚀、易清洗、不易损坏;3、采用进口硅光电二极管,与进口主流产品同一品质;4、采用电子气体流量显示计,控制简单明了;5、带有尾吹浓缩功能,提高检测的灵敏度,保持检测池清洁;6、流动相低温雾化与蒸发,可测热不稳定成分;7、采用汇聚光路,噪音低、信号强,灵敏度高;1、结构牢固,故障率低;2、喷嘴免维护,不容易堵塞;3、抗干扰能力强,结果准确,重复性良好;4、使用简单,容易掌握;5、可与任何厂家HPLC系统联用;6、适应药典所有ELSD分析品种检测;7、低采购成本,高性价比;8、可与本厂或其他厂家的色谱工作站联用;1、气体流量:0~5L/min;2、喷雾压力:0~100psi;3、温度范围:室温至150℃,调节精度为1℃;4、流量范围:0~5mL/min;5、光 源:标配650nm激光;6、检测器:进口大面积硅光二极管;7、电压范围:220V;8、气体要求:空气或氮气;主机:包括蒸发管、喷头、激光光源、光电检测器、ELSD-2000KS专用色谱工作站;ELSD-2000KS型主要分析的医药品种:1、中药材山银花、马鞭草、巴戟天、四季青、瓜子金、地肤子、伊贝母、路路通、知母、桔梗、益母草、浙贝母、黄芪、炙黄芪、银杏叶、商路、湖北贝母、酸枣仁、薏苡仁、浙贝流浸膏、银杏叶提取物;2、中成药乙肝宁颗粒、三黄片、牛黄消炎片、牛黄蛇胆川贝液、升气养元糖浆、升血颗粒、丹桂香颗粒、乌贝散、玉屏风口服液、北芪五加片、归脾丸、乐儿康糖浆、当归补血口服液、安神补脑液、芪冬颐心口服液、补中益气丸、补心气口服液、阿胶补血口服液、阿胶补血膏、驴胶补血颗粒、肾康宁片、金贝痰咳清颗粒、降糖甲片、胃乃安胶囊、复方石韦片、复方蛤清片、复方止汗颗粒、复脉定胶囊、养心氏片、养正消积胶囊、养阴生血合剂、前列通片、黄氏响声丸、虚寒胃痛颗粒、银杏叶片、银杏叶胶囊、银杏叶滴丸、清开灵片、清开灵软胶囊、清开灵软泡腾片、清开灵胶囊、紫金龙片、舒心口服液、舒心糖浆、渴乐宁胶囊、新血宝胶囊、醒脑再造胶囊、糖脉康颗粒、藿胆片;3、抗生素妥布霉素、妥布霉素滴眼液、硫酸妥布霉素注射液、硫酸小诺霉素、硫酸小诺霉素口服液、硫酸小诺霉素片、硫酸小诺霉素注射液、硫酸巴龙霉素、硫酸巴龙霉素片、硫酸卡那霉素、硫酸卡那霉素注射液、硫酸卡那霉素滴眼液、注射用硫酸可那霉素、硫酸西索米星、硫酸西索米星注射液、硫酸庆大霉素、硫酸庆大霉素片、硫酸庆大霉素注射液、硫酸庆大霉素缓释片、硫酸庆大霉素颗粒、硫酸庆大霉素滴眼液、硫酸奈替米星、硫酸奈替米星注射液、硫酸依替米星、注射用硫酸依替米星、硫酸核糖霉素、注射用硫酸核糖霉素、硫酸链霉素、注射用硫酸链霉素;4、药物辅料胆固醇、甘油、糖类、氨基酸、类脂、表面活性剂、聚乙二醇、类固醇、糊精、脂肪酸; 蒸发光散射检测器比较表:型号Alltech3300ELSDELSD-3000KSELSD-2000KS厂家格雷斯戴维森上海科哲上海科哲光源650nm激光650nm激光650nm激光检测器硅光电二极管光电倍增管硅光电二极管加热温度范围室温~120℃室温~200℃室温~200℃喷雾压力0~80psi 0~150psi 0~150psi 检测角度90℃90℃90℃喷嘴不锈钢,需清洗不锈钢/特氟龙无需清洗不锈钢,需清洗蒸发管不锈钢,不含玻璃等易碎元件不锈钢/特氟龙,不含玻璃等易碎元件不锈钢,不含玻璃等易碎元件显示简单显示,复杂显示需外接PC内嵌触摸计算机,可显示并存储色谱图需外接PC气体电子流量显示有有有气体电子流量控制有有无温度补偿功能有有有售后12个月18个月15个月 HPLC-ELSD方法是中药制药定量分析的重要选项,目前蒸发光散射仪器主要被进口产品所占领,价格还处于较高价位、货期较长;为此,上海科哲公司推出的蒸发光散射检测器产品,性能不低于进口产品、可很好取代进口仪器,而且价格便宜、交货迅速、服务周到、是从事中药制药、天然产物、抗生素分离分析工作的单位的最佳选择,更加实惠的选择! 由于技术不断进步,本公司保留设计更改之权利,更改恕不通知敬请谅解。
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低能散射俄歇谱仪相关的资讯

  • 细谈二次电子和背散射电子(一)
    二次电子(SE)和背散射电子(BSE)是扫描电镜(SEM)中最基本、最常用的两种信号,对于很多扫描电镜使用者而言,二次电子可以用来表征形貌,背散射电子可以进行原子序数表征已经是基本的常识。然而,二次电子、背散射电子与衬度的关系并非如此简单。今天,我们就来深入的了解一下SE、BSE的细分类型,各自的特点,以及它们和衬度之间的关系。二次电子 二次电子是入射电子与试样中弱束缚价电子产生非弹性散射而发射的电子,一般能量小于50eV,产生深度在试样表面10nm以内。二次电子的产额在很大程度上取决于试样的表面形貌,因此这也是为什么在很多情况下大家把SE图像等同于形貌像。然而,这种说法并不严谨。二次电子(SE)和其它衬度的关系 二次电子的产额其实和成分也有很大的关系,尤其是在低原子序数(Z20)时,二次电子也能够清晰的反映出成分之间的差异。图1中显示的就是SE产额随原子序数Z的关系。 图1 SE产额随原子序数Z的关系 这类实际例子非常多,如图2中的碳银混合材料,SE像不但可以区分出碳和银的成分差异,而且相对BSE图像来说具有更多的形貌细节。图2 碳银混合材料的SE、BSE图像以及碳、银电子产额 所以,如果对于低原子序数试样,或者原子序数差异非常大时,若要反映成分衬度,并不一定非要用BSE像,SE像有时也可获得上佳的效果。 除了成分衬度外,SE还具有较好的电位衬度,在正电位区域SE因为收到吸引而使得产额降低,图像偏暗,反之负电位区域SE像就会偏亮。而BSE因为本身能量高,所以产额受电位影响小,因此BSE像的电位衬度要比SE小的多。图3 另外,如果遇上试样的导电性不好,出现荷电效应或者是局部荷电,这也可以看成是一种电位衬度。这也是当出现荷电现象的情况下,相对SE图像受到的影响大,BSE图像受影响则比较小。这也是为什么在发生荷电现象的情况下,有时可以用BSE像代替SE像来进行观察。 至于通道衬度,一般来说因为需要将样品进行抛光,表面非常平整,这类样品基本上没有太多的形貌衬度。SE虽然也能看出不同的取向,但是相比BSE来说则要弱很多,所以一般我们都是用BSE图像来进行通道衬度的观察。图4 SE和衬度的关系,总结来说就是SE的产额以形貌为主,成分为辅,容易受到电位的影响,取向带来的差异远不及BSE。在考虑具体使用哪种信号观察样品的时候,可以参考表1,SE和BSE特点刚好互补,并没有孰优孰劣之分,需要根据实际关注点来选择正确的信号进行成像。 表1SEBSE能量低高空间分辨率高低表面灵敏度高低形貌衬度为主兼有成分衬度稍有为主阴影衬度弱强电位衬度强弱抗荷电弱强 二次电子的分类 刚才简单介绍了SE和衬度的一些基本关系,接下来我们细谈一下SE的分类。因为不同类型的二次电子在衬度、作用深度上的表现完全不同,使得不同SE探测器采集的SE像会有非常大的差异。因此,为了能在电镜拍摄中获得最佳的效果,我们有必要对SE的类别进行详细的了解。 如果按照国家标准来进行分类的话,SE主要分为四类,分别是:SE1:由入射电子在试样中激发的二次电子;SE2:由试样中背散射电子激发的二次电子;SE3:由试样的背散射电子在远离电子束入射点产生的二次电子;SE4:由入射束的电子在电子光学镜筒内激发的二次电子。 国标这样定义完全正确,然而这样的分类对于在实际电镜操作中并没有太多指导意义。为什么呢?因为不管是什么类别的SE都是属于低能电子,探测器在采集的时候往往也不能对其加以区分。那么,我们现在可以换个思路来理解一下这几种二次电子。由于SE4对成像不起作用,我们在此不进行讨论。A. SE1: 由原始电子束激发,因此其作用深度最浅,对表面最为敏感,我们知道SE本身也有成分衬度,所以SE1也非常能体现出极表层的成分差异。 其次,正因为SE1信号来自于样品的极表面,作用体积小,所以其出射角度应该相对比较高。因此,SE1的分辨率应该是所有类型中最好的。 再者,正是因为SE1的出射高度都是高角,所以其产额不易受到试样表面凹凸不平的影响,因而其分辨率虽好,但是立体感则相对比较弱。B. SE2和SE3: 由BSE激发产生的SE。因为BSE本身作用区域较大,所以在回到试样表面再次产生的SE的作用范围要比SE1大的多,正因如此, SE2和SE3的分辨率也弱于SE1。 其次,SE2和SE3是被位于试样深处的BSE激发,它们的产额在很大程度上取决于试样深处的BSE,而且它们作用区域较深,也更能体现出试样深处的成分信息。 再者,SE2和SE3由不同方向的BSE产生,因此其出射角度相对也较为广泛,从高角到低角均有分布。C. 另外,我们需要再考虑到荷电因素,荷电本身的负电位会将产生的SE尽量推向高出射角方向出射,所以受到荷电影响的电子也一般分布于较高的出射角。 SE1分布在高角、SE2和SE3分布在各个角度,荷电SE分布在高角。这样一来,我们把SE1、SE2、SE3原来按产生的类型分类转化为更加实用的按照出射角度进行分类。即:高角电子以“SE1+荷电SE”为主,低角电子以“SE2+SE3”为主。不同出射角度的SE有着截然不同的特点,我们分别来看一下。A. 轴向SE: 轴向SE是以接近90° 出射的二次电子,其中以SE1所占比例最高。由于作用体积最小,分辨率相应也是最高,且具有最高的表面敏感度,因此可以分辨极表面的成分差异,但是同时对一些并不希望看见的表面沉积污染或者氧化等,也会一览无遗。同时,因为轴向SE中所含的荷电SE也相应最多,所以,一方面对电位衬度最为敏感,另一方面受到荷电的影响也最为严重。B. 高角SE 高角SE是以较高角度出射的二次电子,也是以SE1为主,不过相对轴向SE中所含SE1而言数量稍低。高角SE的分辨率、表面灵敏度、电位衬度相对轴向SE而言也有所降低,不过由于荷电SE占比减少,所以和轴向SE相比,高角SE受到的荷电现象影响较小。高角SE和轴向SE都是向上出射,所以图像的立体感都比较差。C. 低角SE 低角SE是以较低角度出射的二次电子,其中SE2、SE3占有较高比例。所以低角SE反映的是试样较为深层的信息,表面灵敏度低,作用体积大,分辨率也不及高角SE和轴向SE。不过低角SE的图像立体感很好,抗荷电能力也比前两者强。 不同类型二次电子的特点 这样,我们就将原来只能从定义的角度进行区分的SE1、SE2、SE3,转变成出射角度不同的轴向SE、高角SE和低角SE。而按照角度进行分类之后,在实际探测信号时是完全可以对其进行区分的,我们会在之后的篇幅中对其进行详细的介绍。这样,我们现在可以总结一下几种类型SE的特点,如表2。表2轴向高角低角出射角度接近90°大角度小角度凹坑处的观察有信号有信号信号弱分辨率最好很好一般表面灵敏度最好很好较弱立体感差差很好成分衬度极表面成分表面成分较为深处电位衬度强强弱抗荷电能力弱较弱强 很多人都用过场发射扫描电镜,对样品室内SE探测器得到的低角SE2信号,与镜筒内SE探测器得到的高位SE1信号的图像对比会深有感触,很明显两者的立体感相差很大,见图5。图5 低角SE图像(左)和高角SE图像(右) 但是对镜筒内的SE信号再次拆解为高角SE和轴向SE可能会觉得很陌生,虽然前面我们已经对二者进行了介绍,但是毕竟不够直观。我们不妨看看图6,两张图都是使用镜筒内探测器获得,分辨率和立体感都很类似,总体效果非常接近,但是轴向SE(左图)受到小窗口聚焦碳沉积的影响,而同时获得的高角SE(右图)的碳沉积影响则轻微很多。 图6 轴向SE图像(左)和高角SE图像(右) 图7的样品为硅片上的二维材料,左图为高角SE图像,右图为轴向SE图像,轴向SE的灵敏度明显高于高角SE。图7 硅片上的二维材料,高角SE图像(左)和轴向SE图像(右)图8的样品为绝缘基底上的二维材料,左图为高角SE图像,右图为轴向SE图像,可以看到轴向SE受到荷电的影响也要高于高角SE。图8 绝缘基底上的二维材料,高角SE图像(左)和轴向SE图像(右) 总结一下,我们将二次电子拆解成轴向、高角和低角三个不同的类型,它们没有优劣之分,均有自己的特点,有优点也有缺点。我们只有在实际操作时发挥出每种信号的优势,才能获得最适合的图像。 好了,关于SE的分类相对比较简单,相信您已经完全理解,我们将在下一篇中详细说一下BSE。 为了更好的理解这篇的内容,让我们通过几张SE图像来实际感受一下不同类型SE之间的差异吧! 您能分得清以下图片分别是哪一类型的SE信号,并且在什么衬度特点上产生的差异吗?我们将会在下一期文章中公布答案哦!0102030405
  • CSNS微小角中子散射谱仪成功出束
    2023年1月4日下午,中国散裂中子源(CSNS)微小角中子散射谱仪成功出束,开始带束调试。微小角中子散射谱仪由广东省科技厅资助,是国际首台飞行时间多狭缝微小角中子散射谱仪,兼具常规小角、极化小角和多狭缝微小角模式,配备液体、高温、流变、停-留、磁场、小角/广角X射线等样品环境和实验条件,可同时测量0.3-1000纳米的多尺度范围,获取样品的中子衬度分布、绝对质量、基本形状以及散射体之间相互作用等信息。微小角中子散射谱仪是CSNS第四台出束的合作谱仪,2019年11月开始建设,时逢疫情,微小角中子散射谱仪项目组、中子科学部相关专业组、高能所东莞研究部相关部门团结奉献,协力创新,克服谱仪建设期间疫情的多重影响,攻克激光辅助多狭缝位置调节、陶瓷基体高位置分辨GEM探测器等首创关键技术,保证了谱仪设计、研制、安装与调试的顺利实施。首次出束测试获得的小角模式样品处中子飞行时间谱、微小角模式VSANS探测器处中子强度分布等结果表明谱仪光路与设计相符,标志着谱仪多狭缝技术方案有效实现,机械设备研制与安装成功。微小角中子散射谱仪将应用于关系国计民生的重大前沿科学问题攻关,例如:生命科学领域信使疫苗结构和作用机理、化学领域高分子基特种纤维加工成型关键技术、材料科学领域量子材料结构和性能关系、能源科学领域电池隔膜形貌调控等。微小角中子散射谱仪也将与CSNS已运行的小角散射谱仪互补,广泛应用于生物、医药、化学、材料、环境、物理等多学科领域研究,为粤港澳大湾区和我国的相关产业技术升级提供先进的研究平台支撑。
  • 高能非弹性中子散射谱仪在东莞揭牌
    作者:朱汉斌 张玮 来源:中国科学报11月12日,由中国科学院高能物理研究所(以下简称高能所)与中山大学共建的高能非弹性中子散射谱仪(以下简称高能非弹谱仪)在中国散裂中子源园区揭牌。这是中国散裂中子源首台非弹性散射类型谱仪,也是国内首台中高能非弹性中子散射谱仪,填补了我国百meV以上中高能非弹性中子散射的空白。记者获悉,高能非弹谱仪是中国散裂中子源建设的八台合作谱仪之一。自2019年9月开始,建设团队攻克了一系列关键技术,克服了疫情等重重困难,最终于今年1月12日成功产出第一束中子,标志着谱仪设备研制与安装的成功,开始进入调试阶段。非弹性中子散射谱仪既可获得散射中子的空间分布信息,同时也可获取散射中子的能量变化,可以在动量与能量空间测量物质微观结构的动力学行为,是研究材料元激发(如晶格、自旋动力学)最直接的工具。中国散裂中子源根据元激发的能量尺度和能量分辨的需求,规划了三台直接几何非弹性中子散射谱仪。“此次揭牌标志着双方合作取得又一代表性成果。”中国科学院院士、高能所所长王贻芳在致辞时表示,高能所和中山大学有悠久的合作历史和良好的合作基础,高能所在粤的三个重大设施的建设都有中山大学的贡献,双方于2017年底签署了《战略合作协议》,高能非弹谱仪的建设是协议重点内容之一。中国科学院院士、中山大学校长高松致辞时表示,中山大学和高能所将以高能非弹谱仪建设合作为契机,在科学研究、人才培养等方面继续深入合作,共同为粤港澳大湾区建设和国家科学技术发展做出更大贡献。同时期待高能非弹谱仪开放运行后,坚持面向世界科技前沿和国家战略需求,主动服务粤港澳大湾区,积极推动我国中子科学与技术发展。“高能非弹谱仪将为高温超导物理机制、量子磁性作用机制、热电材料输运性质、电池中离子扩散机制、以及生物材料活性等前沿基础研究工作提供晶格热振动、自旋波、晶体场等关键微观结构动力学信息,从而为相关材料的性能提高与新材料开发提供重要的基础支撑。”高能非弹谱仪首席科学家、中国散裂中子源学术委员会主任童欣表示。据介绍,本次建成的高能非弹谱仪的入射中子能量为10-1500 meV,最佳能量分辨率3%,提供1.5-800K高低温环境和7T磁场环境,利用费米斩波器和带宽斩波器协同工作,可实现多波长模式和单波长模式的快速切换。

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