光学研磨

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光学研磨相关的资讯

  • 卡尔蔡司扩建光刻设备光学元件工厂并扩建光掩模研发设施
    卡尔蔡司半导体制造技术公司(ZEISS SMT)是卡尔蔡司的子公司,生产半导体光刻设备的光学元件,宣布在德国黑森州韦茨拉尔(Wetzlar)开始建设一座用于DUV光刻设备光学元件的新工厂。 计划于2025年完工。新工厂计划竣工示意图(资料:卡尔蔡司)Wetzlar的生产基地生产DUV光刻设备的光学元件已有20多年的历史,但该公司表示,随着工业4.0、自动驾驶和5G等大趋势推动对半导体制造设备的需求,现有工厂的制造能力已达到极限,它将随着新工厂的建设而提高产量。 新工厂的生产面积将超过1,2000m2,将创造150个新工作岗位。Wetzler的现有工厂(380名员工)也在测试各种自动化新概念,并将结果纳入新工厂,并特别注意用于敏感测量的无振动结构,因为DUV光刻设备的光学产品需要纳米级精度。蔡司SMT最大的客户ASML将公司的大量积压归因于曝光设备光学镜头供应不足,这也提高了对蔡司SMT新工厂运营的期望。扩大德国研发基地卡尔蔡司还宣布,到2026年底,将投资超过2000万欧元扩建其位于德国黑森州罗斯多夫的光掩模研发设施。 该设施将增加一个300平方米的洁净室,并开发一个以纳米精度修复光掩模缺陷的系统。基于卡尔蔡司电子束技术的MeRiT系统甚至可以以纳米精度修复光掩模中的最小缺陷,许多半导体制造商使用该系统来修复光掩模。 由于半导体不断小型化、精密化和节能化,因此不断开发掩模修复系统也至关重要。
  • 飞纳电镜新搭档——1060 离子研磨抛光仪
    离子研磨抛光仪是一台高质量的 sem 样品制备台式精密仪器,满足几乎所有应用材料的制备。离子研磨抛光仪是通过物理科学技术来加强样品表面特性。使用的是惰性气体中具有代表性的氩气,通过加速电压使其电离并撞击样品表面。在控制的范围内,通过这种动量转换的方式,氩离子去撞击样品表面从而达到无应力损伤的 sem 观察样品。1060 ion milling 台式离子研磨抛光仪先进的样品制备技术如今 sem 在快速研究和分析高端材料结构和性能方面被认为是一种非常理想的手段方式,fischione 1060 是一个优秀的样品制备工具,是一台具有目前最先进技术的离子研磨抛光系统,设计精巧,操作方便,性能稳定。1060 离子研磨抛光仪为 sem 呈现样品表面结构和分析样品特性提供了便利,是 sem 样品制备完美的工具,正不断用于制备高质量的 sem 样品,满足苛刻的成像及分析要求。专利的双离子束源fischione 1060 两束专利电磁聚焦离子束源可直接控制作用在样品表面的离子束斑点直径,操作者可以根据需求自己调节。两束离子束可以同时聚焦在样品表面,这样可以大大提高研磨抛光速度。1060 离子束源采用独特的专利电磁聚焦设计,这样的设计可以让离子束斑点直径可调,从而离子撞击的时候是直接撞击样品,且只可以撞击样品,同时样品溅出的材料不会沉积在样品夹具、样品仓或者样品表面上。离子研磨抛光仪有哪些应用sem 样品制备时常常需要研磨抛光。制样时即使再留意,常常一些不理想的形貌也会出现。随着 sem 技术的快速发展,即使一个微不足道的损伤也会限制样品表面的彻底观察分析。通过惰性气体离子研磨抛光解决样品表面之前的损伤是一个非常理想的方法。这是离子研磨的基本功能。块状样品事实上一些无机样品也受益于离子研磨抛光技术。当离子束低入射角度直接作用在样品上时,样品表面剩余的机械应力损伤,氧化层及残留物层均会被溅出,最终显现原始的形貌供 sem 观察和分析。ebsdebsd 是一项非常有用的技术,可以让 sem 获取更多晶体信息,因为通过 sem 获得的背散射电子信息能很好的反应材料晶体结构、晶向和晶体纹理。ebsd 对表面信息非常敏感,任何轻微的表面缺陷均能通过 ebsd 获得比较好的图案信息。因此通过离子研磨抛光来增强表面信息是非常有利的。为了让 ebsd 提高到更好的检测水平,离子研磨抛光能被用来去除精细样品材料的表面材料。使用二维的方法无法得到这一系列的技术产量切片技术。半导体截面观察在半导体行业的很多案例中,离子研磨抛光可以让失效分析快速的得到有用的信息。通常切割或者机械研磨样品会产生样品表面损伤,这些问题可以通过离子研磨抛光来解决,这也得力于多样化的样品夹具来优化了这些操作过程。使用飞纳台式电镜观察 1060 离子研磨抛光仪制样效果1060 离子研磨抛光仪标准版和专业版1060 离子研磨抛光仪技术参数离子束源两束电磁聚焦离子源加速电压范围: 100 ev - 6.0 kev,连续可调离子束流密度高达 10 ma/cm2可选择单束或者双束离子源工作独立控制两束离子束源加速电压 (仅专业版)样品台离子束入射角 0? 到 +10?最大样品尺寸:直径 25mm,高度 15mm样品高度自动感应360? 样品旋转样品往复摇摆,从 ±40? 到 ±60?真空系统两级真空系统:无油干泵和涡轮分子泵皮拉尼型真空计感应控制真空工作气体99.999% 纯度的氩气每离子束流速约 0.2 sccm,名义上所需压力为 15psi 采用自动气体流量控制技术,实现离子源气流的精密流量控制,含两个流量计气压源气动阀驱动氩气,液氮, 或者干燥空气;所需压力要求名义上 60 psi样品照明用户可选的反射照明自动终止计时器设定自动加工终止用户界面标准版内置触摸屏,包含基本设备功能模块专业版?内置触摸屏,包含基本设备功能模块?基于电脑,加工流程可通过参数编程并实时显示操作状态?操作灯光指示器(选配)辅助光学显微镜可选配一个 7-45 倍的体视显微放在与真空系统内用于直接观察样品;或者选配一个具有 2,000 倍的显微成像系统,用于定点成像并显示在电脑显示屏上尺寸标准版69cm*38cm*74cm*51cm (宽*底端到设备外壳高*底端到显微镜高*深)专业版107cm*38cm*74cm*51cm (宽-含电脑显示器*底端到设备外壳高*底端到显微镜高*深)重量73 kg电源100/120/220/240 vac,50/60 hz,720 w
  • 御微半导体:首台掩模基板缺陷检测产品交付国内先进掩模厂
    5月12日,御微首台掩模基板缺陷检测产品Halo-100在御微合肥成功发运,并顺利交付国内先进掩模厂。御微半导体官方消息显示,其Halo-100设备是御微“掩模全生命周期质量控制”产品线的第二款产品,以高精度光学系统、高稳定性运动台系统以及高洁净度环控与传输系统为基础,结合御微半导体专有的算法和软件系统,实现了针对掩模基板(blank)缺陷检测的需求,并将掩模检测的应用领域拓展至掩模厂来料检和掩模基板厂全制程控制检。据介绍,在掩模基板厂中,Halo-100设备可以运用在玻璃基板来料检、多层镀膜过程检和成品出货检等环节,助力客户在每个制程节点监测洁净度情况。

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  • 高通量组织研磨仪液氮冷冻研磨实验

    高通量组织研磨仪液氮冷冻研磨实验

    TJ2011高通量组织研磨仪对植物叶片的液氮冷冻研磨实验处理材料:植物叶片 (水稻、玉米、小麦、草、蔬菜叶等)1 装物料:将植物叶片截成所需的小段,用镊子夹住,放入1.5/2ml的离心管管底,对离心管进行编号。现以24空离心管适配器为例;2 装研磨珠:每个离心管内装上1个5mm碳化钨(或氧化锆)研磨珠,或3mm碳化钨(或氧化锆)研磨珠5个;3 冷冻保存:将铝合金夹具夹住24孔,固定好,放到专业液氮盒中,加液氮冷冻,3-5分钟,充分冷冻夹具及管内样品。4 溶剂加入:如有需要,在每个离心管中,小心加入裂解液或其他溶剂;4 主机运转:设定转速与时间例如1500转/分钟 3min,点击Start5 研磨过程:在典型研磨时间(2~3min)内,研磨结束。可同时得到2*24=48个通量的样品;6 取下夹具,进行下一步实验。注意事项:在上夹具时,要注意一是要带上厚一点的手套,防止被液氮冻伤;一是要迅速,且要保证螺栓拧紧,卡上保险扣。然后,启动研磨。TJ2011高通量组织研磨仪同时适用动物组织(骨骼、肌肉、内脏、毛发等)的研磨,高通量提取DNA/RNA。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2012/02/201202141110_349211_1812435_3.jpghttp://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2012/02/201202141110_349212_1812435_3.jpg

光学研磨相关的资料

光学研磨相关的仪器

  • 研发,产销:研磨加工材料,光学光电材料,包装材料;销售:电子产品,合成材料,高分子材料,货物或技术进口。
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  • 玻璃电极研磨仪(磨针仪)适合研磨玻璃微电极,玻璃毛细管,微量注射针,微量吸管尖,微量移液管尖等,研磨精度高,性能稳定。 磨针仪提供一个光学平面的磨面盘,在显微镜下移液管(玻璃微电极、显微注射针等)与磨面盘接触,通过加入的适量研磨浆,以一定的转速,将目标物前端制作成尖锐的针尖,亦可处理成不同斜切角度。这种通过磨针仪处理后的微电极、显微注射针、移液管等,提高了微电极的线性、注射针更易于刺入细胞对细胞破坏更小、减少切面的毛刺等。此款磨针仪利用特殊的电动机减少了磨面上的不规则运动,通过准确分辨方法使得玻璃微电极等和磨面之间的接触磨削更加准确稳定。可调的磨削转速,高性能的运行电机,使得无论在低速还是高速运行下都能提供稳定的设定转速,保证了实验样品处理后的均一性及高可重复性。磨针仪还提供一个微操作器,可以在垂直方向方便地对微电极等进行粗调和微调。同时,微电极架上配有量角器,可以方便地设置需要的研磨角度等数据。本系列设备配有加水和排水模块,用于避免研磨碎屑对系统的堵塞和累计。有两种主要的型号可供选择:EG-45磨针器:不带显微镜EG-400显微磨针器:带单目显微镜 EG-45型磨针器 EG-45显微磨针器应用了可以小型化研磨面不规则运动的特种电机,是研磨微量吸管尖的理想仪器。此外,该显微磨针器EG-45在所有的转速下都稳定运行,低转速时精度更高,高转速时研磨更快。有安装一个易于操作的粗细运动同轴操作器,用来垂直操作显微操作针,可以进行非常精密的研磨。量角器安装在持针器固定部分,因此很容易设置所需要的磨角,还安装了一个用于立式研磨的适配器。安装了新充水和排水的机械,防止堵塞或刨花的积累,使整个设备更容易使用。EG-45显微磨针器的主要配置:EG-45磨针仪主机专用移液管夹 立式磨床适配器金刚石砂轮清洁器电源线六角扳手 EG-45显微磨针器的主要参数:操作器上下移动范围≥47mm玻璃毛细管直径:1mm-1.5mm电源:AC100V-AC240V,50/60Hz消耗功率:10W机动速度:150-2,100rpm尺寸/重量:W185 x D165 x H310mm,2.4kg EG-400型微电极研磨仪EG-400型微电极研磨仪上安置了显微镜,用于确认电极与研磨盘的接触情况。无论是高速还是低速情况下,该研磨仪都能提供稳定的性能。EG-400微电极研磨仪配有一个微操作器,在垂直方向上可方便的的对微电极进行粗调和精调。微电机架上配有量角器,可以方便设置需要的研磨角度。微电极研磨仪同时设备配有加水和排水机构,用于避免研磨碎屑的堵塞和累计。 EG-400的主要技术参数:移动范围:电极操作器:47mm;显微镜:X轴7mm,Y轴30mm,Z轴8mm放大倍数:30X(目镜10X,物镜3X)玻璃毛细管范围:外径1-1.5mm马达速度50-2000备注:玻璃电极抛光仪(锻针仪)与磨针仪 加工电极的区别:锻针仪可以把电极尖端打磨的比较圆滑;磨针仪可以对电极尖端修正合适的角度,使电极更加尖锐; 可根据需要,配合电极抛光仪(锻针仪),显微注射泵,微操作器,玻璃电极、电极拉制仪等使用电极抛光仪(锻针仪) 显微注射泵显微操作器 玻璃毛细管有多种型号可选,部分长度和规格:B100-75-10型:长度10cm,外径1.0mm,内径0.75mmB100-50-10型:长度10cm,外径1.0mm,内径0.75mmB100-58-10型:长度10cm,外径1.0mm,内径0.75mmB150-86-10型:长度10cm,外径1.0mm,内径0.75mm 微电极拉制仪用于玻璃毛细管的拉制,适合于细胞注射、电生理、膜片钳等多种实验。请关注玉研仪器的更多相关产品。如对产品细节和价格感兴趣,敬请来电咨询!
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  • 日立高新离子研磨装置IM4000(HITACHI Ion Milling System IM4000 )具有断面加工和平面研磨功能的混合仪器!日立高新离子研磨装置IM4000(HITACHI Ion Milling System IM4000 )的混合模式带有两种研磨配置:断面加工:将样品断面研磨光滑,便于表面以下结构高分辨成像。平面研磨:将样品表面均匀研磨5平方毫米,从不同角度有选择地研磨,以便突出样品的表面特性。日立高新离子研磨装置IM4000(HITACHI Ion Milling System IM4000 )的高通量能提高加工效率:与之前的E-3500型相比,采用新型离子枪设计,减少了横截面研磨时间。(最大加工率:硅元素为300微米/小时--加工时间减少了66%。日立高新离子研磨装置IM4000(HITACHI Ion Milling System IM4000 )的可拆卸样品台装置:为便于样品设置和定义研磨边缘,可将样品台装置拆卸。 特点混合模式:两种研磨配置断面加工:将样品断面研磨光滑,便于表面高分辨观察平面研磨:不同角度有选择地,大面积,均匀地研磨5 mm的平面,以突显样品的表面特性高效:提高加工效率,与之前的E-3500型相比,采用新型离子枪设计,减少了横截面研磨时间(最大加工速度:硅材质为300 μm/h - 加工时间减少了66%)可拆卸式样品台:为便于样品设置和边缘研磨,样品台设计为可拆卸型规格项目描述断面加工台平面研磨台气源氩气(Ar)加速电压0-6Kv最大研磨速率﹡1﹡2(硅材质)约300μm/h﹡1﹡2约20μm/h﹡3(点)约2μm/h﹡?(面)最大样品尺寸20(W)×12(D)×7(H)mmΦ50×25(H)mm样品移动范围X±7mm,Y0-+3mmX0-+5mm旋转角度-1r/m,25r/m摆动角度±15°,±30°,±40°±60°,±90°倾斜-0-90°气体流量控制系统流量调节器排气系统涡轮分子泵(33L/S)+机械泵(50Hz时,135L/min,60Hz时,162L/min)仪器外观尺寸616(W)×705(D)×312(H)mm仪器重量主机48kg+机械泵28Kg可选附件光学显微镜(用于观测研磨中的样品)﹡1:此研磨速率是对研磨板边缘处的硅材质的材料研磨至100μm粒度时所获得的最大深度值﹡2:此研磨速率是对硅材质的材料进行研磨两小时后获得的平均值﹡3:照射角度60°偏心值4mm﹡?:照射角度0°偏心值0mm
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光学研磨相关的耗材

  • 吉致电子SiC碳化硅衬底研磨抛光产品
    产品分类:吉致碳化硅研磨抛光半导体晶圆抛光产品名称:碳化硅研磨液/碳化硅抛光液/碳化硅sic研磨垫/sic精抛垫产品特点:吉致针对碳化硅sic抛光的4道工艺制程搭配不同型号研磨液、抛光液和抛光垫(粗磨垫/精磨垫/粗抛垫/精抛垫)。在研磨和抛光应用中提高碳化硅衬底表面质量,同时大大提高材料去除率。产品工艺及用途:适用于sic碳化硅衬底DMP和CMP工艺制程,有效提升效率以及良率,碳化硅抛光液/抛光垫实现国产化替代。吉致sic碳化硅抛光液储存方法:通风,阴凉,干燥的库房,本品需在5-35℃储存,防止阳光直射,零度以下因产生不可再分散结块而失效。吉致cmp抛光液/slurry抛光液价格:吉致的cmp金属抛光液生产技术是引进国外生产技术和设备,特殊化学配方制备而成。吉致抛光液品质可以替代进口同类产品。本土化生产的优势使吉致cmp抛光液产品交货周期快,抛光液价格实惠亲民。吉致cmp抛光耗材适用范围 吉致拥有成熟的加工工艺和生产设备,为不锈钢、铜、铝、陶瓷、导光板、五金产品、蓝宝石、光学玻璃等各类抛光加工服务。为您提供可靠有效的抛光解决方案!
  • 吉致电子JEEZ半导体抛光液/蓝宝石抛光液/蓝宝石研磨液
    无锡吉致电子25年研发生产——蓝宝石研磨液/蓝宝石LED衬底抛光液/Sapphire Slurry/CMP化学机械抛光/液蓝宝石A向抛光液/蓝宝石C向抛光液/半导体抛光液/吉致蓝宝石抛光液/蓝宝石研磨液厂家/蓝宝石抛光液厂家/JEEZ蓝宝石抛光液/蓝宝石CMP集成电路抛光液/蓝宝石slurry/蓝宝石Lapping研磨抛光液产品简介:为半导体行业/光学行业调配的蓝宝石研磨液/蓝宝石LED衬底抛光液/Sapphire Slurry组合浆料,适用于蓝宝石基片、外延片、LED的平坦化加工。设计满足从研磨到CMP的衬底制造的各个工艺阶段的规范,在蓝宝石基片抛光应用中提供了可靠的解决方案。吉致电子蓝宝石LED抛光液/Sapphire Slurry抛光液储存方法:1.贮存时应避免曝晒,贮存温度为5-35℃2.低于0℃以上储存,防止结冰,在无度以下因产生不可再分散结块而失效。3.避免敞口长期与空气接触。吉致电子CMP抛光液/Slurry抛光液价格:吉致电子的CMP金属抛光液生产技术是引进国外生产技术和设备,特殊化学配方制备而成。吉致电子抛光液品质可以媲美进口同类产品。 本土化生产使得吉致电子CMP抛光液产品交货周期快,品质好,抛光液价格亲民。吉致电子CMP抛光耗材适用范围吉致电子科技有限公司拥有成熟的加工工艺,为不锈钢、铜、铝、塑胶、陶瓷、导光板、五金产品、蓝宝石、光学玻璃等各类抛光加工服务。为您提供可靠的抛光解决方案!
  • 研磨管 研磨珠 研磨套装
    各种型号和规格 研磨管 和 研磨珠~满足实验中不同组织或器官的均质研磨需要!适用于各种研磨均质机器!欢迎来询价!本公司可以提供单独的研磨管,研磨珠,也可以提供预装好珠子的研磨管。

光学研磨相关的试剂

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