晶体管特性图示仪原理

仪器信息网晶体管特性图示仪原理专题为您提供2024年最新晶体管特性图示仪原理价格报价、厂家品牌的相关信息, 包括晶体管特性图示仪原理参数、型号等,不管是国产,还是进口品牌的晶体管特性图示仪原理您都可以在这里找到。 除此之外,仪器信息网还免费为您整合晶体管特性图示仪原理相关的耗材配件、试剂标物,还有晶体管特性图示仪原理相关的最新资讯、资料,以及晶体管特性图示仪原理相关的解决方案。
当前位置: 仪器信息网 > 行业主题 > >

晶体管特性图示仪原理相关的仪器

  • 品牌: 华科智源 名称: 晶体管图示仪 型号: HUSTEC-DC-2020 用途: 测试二三极管,MOS管,IGBT,晶闸管,可控硅等件测试仪设备扩展性强,通过选件可以提高电压、电流和测试品种范围。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条件点击即可完成测试任务。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座,自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降,保证测试结果准确可靠。面板显示装置可及时显示系统的各种工作状态和测试结果,前面板的功能按键方便了系统操作。通过功能按键,系统可以脱离主控计算机独立完成多种工作。系统提供与机械手、探针台、电脑的连接口,可以支持各种不同辅助设备的相互连接使用。产品介绍 产品为桌面放置的台式机结构,由测试主机和程控电脑两大部分组成。外接各类夹具和适配器,还能 够通过 Prober 接口、Handler 接口可选(16Bin)连接分选机和机械手建立工作站,实现快速批量化测 试。通过软件设置可依照被测器件的参数等级进行自动分类存放。能够极好的应对“来料检验”“失效分 析”“选型配对”“量产测试”等不同场景。 产品的可靠性和测试数据的重复性以及测试效率都有着非常优秀的表现。创新的“点控式夹具”让操 作人员在夹具上实现一点即测。操作更简单效率更高。测试数据可保存为 EXCEL 文本。 应用场景Ø 模化、自动化测试) 测试分析(功率器件研发设计阶段的初始测试) Ø 失效分析(对失效器件进行测试分析,查找失效机理。以便于对电子整机的整体设计和使用过程提 出改善方案) Ø 选型配对(在器件焊接至电路板之前进行全部测试,将测试数据比较一致的器件进行分类配对) Ø 来料检验(研究所及电子厂的质量部(IQC)对入厂器件进行抽检/全检,把控器件的良品率) Ø 量产测试(可连接机械手、扫码枪、分选机等各类辅助机械设备,实现规 产品特点(1) 可测试 7 大类 26 分类的各类电子元器件; (2) PC 机为系统的主控机; (3) 基于 Lab VIEW 平台开发的填充式菜单软件界面; (4) 自动识别器件极性 NPN/PNP (5) 16 位 ADC,100K/S 采样速率; (6) 程控高压源 10~1400V,提供 2KV 选配; (7) 程控高流源 1uA~40A,提供 100A,300A,500A 选配; (8) 驱动电压 10mV~40V; (9) 控制极电流 10uA~10mA; (10) 四线开尔文连接保证加载测量的准确;(11) 通过 RS232 接口连接校准数字表,对系统进行校验; (12) Prober 接口、Handler 接口可选(16Bin) (13) 可为用户提供丰富的测试适配器(14) 连接分选机最高测试量为每小时 1 万个 (15) 可以测试结电容,诸如 Cka,Ciss,Crss,Coss; (16) 脉冲电流自动加热功能,方便高温测试,无需另加升温装置; 测试参数 (1) 二极管类:二极管 Diode Kelvin,Vrrm,Irrm,Vf,△Vf,△Vrrm,Cka,Tr(选配);(2) 二极管类:稳压二极管 ZD(Zener Diode)Kelvin,Vz,lr,Vf,△Vf,△Vz,Roz,lzm,Cka; (3) 二极管类:稳压二极管 ZD(Zener Diode)Kelvin、Vz、lr、Vf、△Vf、△Vz、Roz、lzm、Cka;(4) 二极管类:三端肖特基二极管 SBD(SchottkyBarrierDiode)Kelvin 、Type_ident 、Pin_test 、Vrrm、Irrm、Vf、△Vf、V_Vrrm、I_Irrm、△Vrrm、Cka、Tr(选配);(5) 二极管类:瞬态二极管 TVSKelvin 、Vrrm 、Irrm、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka ; (6) 二极管类:整流桥堆 Kelvin 、Vrrm、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka;(7) 二极管类:三相整流桥堆Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm、Cka;(8) 三极管类:三极管Kelvin 、Type_ident、Pin_chk 、V(br)cbo 、V(br)ceo 、V(br)ebo 、Icbo、lceo、Iebo、Hfe、Vce(sat)、 Vbe(sat)、△Vsat、△Bvceo 、△Bvcbo 、Vbe、lcm、Vsd 、Ccbo 、Cces、Heater、Tr (选配)、Ts (选配)、Value_process; (9) 三极管类:双向可控硅 Kelvin、Type_ident、Qs_chk、Pin_test、Igt、Vgt、Vtm、Vdrm、Vrrm、Vdrm rrm、Irrm、 Idrm、Irrm_drm、 Ih、IL、C_vtm、△Vdrm、△Vrrm、△Vtm;(10)三极管类:单向可控硅Kelvin、 Type_ident、 Qs_chk、 Pin test、 lgt、 Vgt、 Vtm、 Vdrm Vrrm、 IH、IL、△Vdrm△Vrrm、 Vtm; (11)三极管类:MOSFETKelvin 、Type_ident、Pin_test、VGS(th) 、V(BR)Dss 、Rds(on) 、Bvds_rz、△Bvds、Gfs、Igss、ldss 、 Idss zero 、Vds(on)、 Vsd、Ciss、Coss、Crss、Bvgs 、ld_lim 、Heater、Value_proces、△Rds(on) ; (12)三极管类:双 MOSFET Kelvin、 Pin_chk、Ic_fx_chk、 Type_ident、 Vgs1(th)、 VGs2(th)、 VBR)Dss1、 VBR)Dss2、 Rds1(on)、 Rds2(on)、 Bvds1 rz、 Bvds2_rz、 Gfs1、Gfs2、lgss1、lgss2、Idss1、Idss2、Vsd1、Vsd2、Ciss、 Coss、Crss;(13)三极管类:JFET Kelvin、VGS(off )、V(BR)Dss、Rds(on)、Bvds_rz、Gfs、lgss、 Idss(off)、 Idss(on)、 vds(on)、 Vsd、 Ciss、Crss、Coss; (14)三极管类:IGBTKelvin、VGE(th)、V(BR)CES、Vce(on)、Gfe、lges、 lces、Vf、Ciss、Coss、Crss;(15)三极管类:三端开关功率驱动器Kelvin、Vbb(AZ)、 Von(CL)、 Rson、Ibb(off)、Il(lim)、Coss、Fun_pin_volt; (16)三极管类:七端半桥驱动器 Kelvin、lvs(off)、lvs(on)、Rson_h、Rson_l、lin、Iinh、ls_Volt、Sr_volt; (17)三极管类:高边功率开关Kelvin、Vbb(AZ)、Von(CL)、Rson、Ibb(off)、ll(Iim)、Coss、Fun_pin_volt; (18)保护类:压敏电阻Kelvin、Vrrm、 Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、 △Vr (19)保护类:单组电压保护器 Kelvin 、Vrrm、Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、△Vr; (20)保护类:双组电压保护器Kelvin、Vrrm、Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、△Vr; (21)稳压集成类:三端稳压器 Kelvin 、Type_ident 、Treg_ix_chk 、Vout 、Reg_Line、Reg_Load、IB、IB_I、Roz、△IB、VD、 ISC、Max_lo、Ro、Ext _Sw、Ic_fx_chk; (22)稳压集成类:基准 IC(TL431)Kelvin、Vref、△Vref、lref、Imin、loff、Zka、Vka; (23)稳压集成类:四端稳压Kelvin、Type_ident、Treg_ix_chk、Vout、Reg_Line、Reg_Load、IB、IB_I、Roz、△lB、VD、Isc、 Max_lo、Ro、Ext_Sw、Ic_fx_chk; (24)稳压集成类:开关稳压集成器 选配; (25)继电器类:4 脚单刀单组、5 脚单刀双组、8 脚双组双刀、8 脚双组四刀、固态继电器 Kelvin、Pin_chk、Dip6_type_ident、Vf、Ir、Vl、Il、Ift、Ron、Ton(选配)、Toff(选配); (26)光耦类:4 脚光耦、6 脚光耦、8 脚光耦、16 脚光耦 Kelvin、Pin_chk、Vf、Ir、Bvceo、Bveco、Iceo、Ctr、Vce(sat)、Tr、Tf;(27)传感监测类: 电流传感器(ACS712XX 系列、CSNR_15XX 系列)(选配); 霍尔器件(MT44XX 系列、A12XX 系列)(选配); 电压监控器(选配); 电压复位 IC(选配);
    留言咨询
  • 泰克Tektronix370A 晶体管测试仪TEK370A 泰克Tektronix 370A 晶体管测试仪名称:泰克Tektronix 370A 晶体管测试仪主要参数:半导体器件高精度测量-上限达2000V或电流到10A的源(370A/B)-上限到3000V(371A)-上限到220W(370A/B)-上限到400A(371A)-1nA的测量分辨率-上限到3000W(371A)-上限到2mV的测量分辨率(370A/B)-波形对比-包络显示-波形平均-点光标(370A)-Kelvin传感测量-全程控-MS-DOS兼容的软盘,方便设置参孝存储和调用交互式程-所有交互式程控测量是通过有鲜明特点的前面板或GPIB来完成的。使用几种存储方式,调整和存储操作参数,包括370A的非易失存储器、内置的MS-DOS兼容的软盘或到外部控制器。测试夹具-测试夹具是标准附件,它提供被测器件安全防护,以保护测量人员的安全。测试夹具适应标准的A1001,中间通过Kelvin传感的A1005适配器、无Kelvin传感的3芯适配器和A1023、A1024表面封装适配器。程控特性曲线图示仪高分辨率特性曲线图示仪,可应用到许多场合。370A能完成晶体管、闸流管、二极管、可控硅、场效应管、光电元件、太阳能电池、固态显示和其它半导体器件的直流参数特性的测试。-在研发实验室,用370A来完成新器件、SPIEC参数的提取、失败分析和产生数据报告这些具体的测试工作。应用-手动或自动进行半导体高分辨率DC参数测量-来料检查-生产测试-过程监视及质量控制-数据报告的生成-元件配对-失效分析-工程测试370A.jpg标签泰克Tektronix 370A 晶体管测试仪,泰克Tektronix 370A 晶体管测试仪价格相关产品半导体测试仪半导体测试仪备注: 本公司十年专业销售、租赁、维修、回收二手仪器,公司货源广阔,绝大部分直接从国外引进,成色新,价格低,资金雄厚,库存充足,售前严格,售后快捷是我们的特点:致力于为客户提供更专业,方便,快捷的人性化服务是我们的宗旨;勇于创新,敢于探索是我们的优势;凡在我司购买的仪器免费送较准服务一年!-鹏庆电子
    留言咨询
  • 产品目录? 晶体管图示仪(曲线追踪仪)? 半导体分立器件测试筛选系统。? 静态测试设备:包括导通、关断、击穿、漏电、增益等直流参数? 动态测试设备:包括 Tr, Trr , Qg , Rg , FRD , UIS , SC , Ci , RBSOA 等? 环境老化测试:包括 HTRB , HTGB , H3TRB , Surge 等? 热特性测试:包括 PC , TC , Rth , Zth , Kcurve 等? 测试范围:Si , SiC , GaN 材料的 IPM , IGBT , MOSFET , DIODE , BJT , SCR等分立器件及功率器件。ST-SP2000_5 (Curve版)晶体管曲线追踪仪可测试 19大类27分类 的大中小功率分立器件及模块的 静态直流参数(测试范围包括Si/SiC/GaN材料的 IGBTs/DIODEs/MOSFETs/BJTs/SCRs 等器件)主极2000V / 50~1250A,分辨率*高至1mV / 10pA支持曲线扫描图示功能?产品应用应用领域军工院所、高校、半导体器件生产厂商、电源、变频器、逆变器、变流器、数控、电焊机、白色家电、新能源汽车、轨道机车等所有的半导体器件应用产业链 ……主要用途? 测试分析(功率器件研发设计阶段的初始测试)? 失效分析(对失效器件进行测试,查找失效机理。以便于对电子整机的整体设计和使用过程提出改善方案 )? 选型配对(在器件焊接至电路板之前进行全部测试,将测试数据比较一致的器件进行分类配对)? 来料检验(研究所及电子厂的质量部(IQC)对入厂器件进行抽检/全检,把控器件的良品率)? 产线自动化测试(可连接机械手、扫码枪、分选机等各类辅助机械设备,实现规模化、自动化测试)?产品简述 产品扩展性强,通过选件可以提高电压、电流和测试品种范围。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条点击即可完成测试任务。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座,自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降,保证测试结果准确可靠。面板显示装置可及时显示系统的各种工作状态和测试结果,前面板的功能按键方便了系统操作。通过功能按键,系统可以脱离主控计算机独立完成多种工作。 曲线追踪仪(晶体管图示仪)功能则是利用高速ATE测试步骤逐点生成曲线,可快速而准确地生成精确的数据点。数据增量是可编程的线性或对数,典型的每步测试时间为6到20ms。一个两百条数据点曲线通常只需几秒钟就能完成。使用该系列跟踪仪更容易获取诸如 Transistor hFE vs. IC, Transistor VCESAT vs. IB and MOSFET RDSvs. VGS 等曲线数据。此外, 针对多条曲线,设备可以根据每条曲线的数据运行并将所获数据自动发送到一个单独的 Excel 工作表。系统能够更快,更简洁的创建曲线(单击,双击,选择输入菜单,单击)。就是这么简单。设备支持在单个 DUT 上运行高达 10 条不同曲线的能力,在运行过程中,每个图表都是可视的,每个数据集都被加载到一个被命名的 Excel 工作表中。系统运行速度快,可进行数据记录,提供更高级的数据工具箱,能够运行多条曲线并自动排序,自动将数据存入 Excel 表格,具有缩放功能,光标重新运行功能以及其他许多优点。 系统提供与机械手、探针台、电脑的连接口,可以支持各种不同辅助设备的相互连接使用。?可供选择的曲线Tel:d173h4295a2894
    留言咨询

晶体管特性图示仪原理相关的方案

晶体管特性图示仪原理相关的论坛

  • 【原创】晶体管特性图示仪

    晶体管特性图示仪是一种可以检测晶体管的特性参数的电子测量仪器。晶体管特性图示仪操作简便,主要有六个旋钮,每个旋钮代表不同的功能作用。它们分别是用来测试调控电流开关、电压开关、峰值电压开关、功耗限制电阻、零电压、零电流开关。晶体管特性图示仪的工作原理大致是这样的:通过示波管的内刻度可直接读测半导体管的低频直流参数,通过摄影装置可记录所需的特性曲线;根据需要还可以测试隧道二极管、场效应管、VMOS管、达林顿管及可控硅等半导体材料制做的器件。晶体管特性图示仪可同时在示波器管荧光屏上显示两只同类型半导器件的特性曲线。晶体管特性图示仪的具体参数如下:集电极扫描电压0-500V 二端测试电压0-5KV、 集电极电流1μA-500mA/div 、具有脉冲阶梯信号。

晶体管特性图示仪原理相关的耗材

  • 铌酸钾晶体 光折变晶体KNbO3晶体 光折变晶体铌酸钾
    铌酸钾晶体 光折变晶体KNbO3晶体 光折变晶体铌酸钾 铌酸钾KNbO3为优异的非线性光学晶体,属钙钛矿结构,其晶胞这样构成:K+离子占据立方体角顶位置,Nb5+占据体心位置,O2-占据面心位置。铌酸钾(KNbO3,简称KN)晶体除有优异的激光倍频性能外,还具有优异的电光、光折变、压电等性能。它的非线性光学品质因数、电光品质因数、光折变品质因数以及压电性能在非线性晶体及压电晶体中都名列前茅,KN不潮解,耐一般酸碱,化学性质十分稳定。 铌酸钾晶体标准特性? - 可用于电光和非线性光学的高质量非掺杂铌酸钾晶体- 可用于可见红外波段光折变高质量掺杂Rh(铑), Fe(铁), Mn(锰), 和 Ni(镍)的铌酸钾晶体- 非常低的散射损耗 可选特性- 高光敏性铌酸钾晶体,长波可至1000nm - 毫秒级的响应时间 应用- 电光晶体和非线性光学- 光折变应用 (和激光二极管)- 可见红外波段的动态全息和光学相位结合 光折变光栅记录时间(photorefractive grating recording times)Selected KNbO3 crystal at different wavelengths for I=1W/cm2 铌酸钾晶体波长记录时间KNbO3: Fe488nm1sKNbO3: Mn515nm860nm1s3sKNbO3: Fe reduced488nm515nm0.01s0.01sKNbO3: Rh reduced860nm1064nm0.5s50s 铌酸钾晶体吸收光谱 更多晶体相关产品 碲化锌晶体 ZnTe晶体 铌酸锂晶体 LiNbO3晶体 硒化锌晶体 ZnSe晶体 硒化镓晶体 GaSe晶体 硫化锌晶体 ZnS晶体 磷化镓晶体 GaP晶体 有机晶体 DAST晶体 有机晶体 DSTMS晶体 有机晶体 OH1晶体
  • GLOPHOTONICS空芯光子晶体光纤PMC(HC-PCF)
    GLOPHOTONICS空芯光子晶体光纤PMC(HC-PCF)光子晶体光纤(Photonic Crystal Fibers,PCF)又被称为微结构光纤(Micro-Structured Fibers, MSF),它的横截面上有较复杂的折射率分布,通常含有不同排列形式的气孔,这些气孔的尺度与光波波长大致在同一量级且贯穿器件的整个长度,光波可以被限制在低折射率的光纤芯区传播。光子晶体光纤有很多奇特的性质,可以在很宽的带宽范围内只支持一个模式传输;包层区气孔的排列方式能够极大地影响模式性质;排列不对称的气孔也可以产生很大的双折射效应,这为设计高性能的偏振器件提供了可能。EACHWAVE可提供不同波段、不同类型的空芯光子晶体光纤(HC-PCF)及其功能化形式的商业Photonic Microcells™ (PMC)。空芯光子晶体光纤具有不同于传统光纤的带隙导光机制,在光通信系统、高功率激光器、工业制造和生物医疗等许多领域有广阔的应用前景。随着光纤拉制技术的不断进步,不同纤芯结构的 HC-PCF出现并带来了更好的光传输特性。产品特性: 近单模传输 低色散 光谱范围宽 高激光损伤阈值 大芯径规格参数:规格 PMC-C- Blue PMC-C-Green-26 PMC-C-TiSa-Er-7C PMC-C-Yb-7C PMC-C-Er-7C PMC-C-2um-7C 纤芯轮廓 Hypocycloid Hypocycloid Hypocycloid Hypocycloid Hypocycloid Hypocycloid 内芯径um 30±2 26±2 63±1 57±1 61±1 56±1 外芯径um 200±1% 200±1% 300±1% 320±3% 435±3% 415±3% 包层直径um 375±25 400±30 Primary polymer coating Primary polymer coating Primary polymer coating Primary polymer coating 中心波长nm 450 515/532 800n/1600 1030 1550 2000 衰减dB/km 50 30 80±5 100 50 60 色散ps/nm.km 0.5±0.5 1±0.5 1±0.5 1±0.5 1±0.5 1±0.5 模场直径um(1/e2) 21±2 19±1 44±1 39±1 42±1 42±1 N.A. 0.014± 0.002 0.02± 0.002 / / / / M2 / 1,2 / / / / 透射带 / / 100nm /300nm 300nm 400 nm 350nm 3dB弯曲损耗半径 / / 5cm±2 5cm±2 5cm±2 5cm±2 典型图示: PMC-C-Blue 蓝光波段GLOPHOTONICS空芯光子晶体光纤PMC(HC-PCF) PMC-C-Green-26 绿光波段GLOPHOTONICS空芯光子晶体光纤PMC(HC-PCF) PMC-C-TiSa-Er-7C 800nm和1550nm波段GLOPHOTONICS空芯光子晶体光纤PMC(HC-PCF),适用于掺铒和钛蓝宝石激光器 PMC-C-Yb-7C 900-1100nm GLOPHOTONICS空芯光子晶体光纤PMC(HC-PCF),适用于掺Yb和 Nd:YAG激光器 PMC-C-Er-7C 1550nm GLOPHOTONICS空芯光子晶体光纤PMC(HC-PCF),适用于掺Er激光器 PMC-C-2 μm-7C 2-3μm波段GLOPHOTONICS空芯光子晶体光纤PMC(HC-PCF)
  • 光子晶体光纤_微结构光纤(PCF)
    光子晶体光纤/微结构光纤(PCF)所属类别: ? 光纤/光纤器件 ? 其他特种光纤/光子晶体光纤 所属品牌: 产品简介 昊量光电提供各种定制型光子晶体光纤(PCF,微结构光纤)! 光子晶体光纤(Photonic Crystal Fibers,PCF)又称为微结构光纤(Micro-Structured Fibers, MSF),这种光线的横截面上有较复杂的折射率分布,通常含有不同排列形式的小孔,这些小孔的尺度与光波波长大致在同一量级且贯穿器件的整个长度,光波可以被限制在低折射率的光纤芯区传播。昊量光电提供各种光子晶体光纤。 关键词:光子晶体光纤,Photonic Crystal Fibers, PCF,微结构光纤,Micro-Structured Fibers, 结构光纤 光子晶体光纤(Photonic Crystal Fibers,PCF)又称为微结构光纤(Micro-Structured Fibers, MSF),这种光线的横截面上有较复杂的折射率分布,通常含有不同排列形式的小孔,这些小孔的尺度与光波波长大致在同一量级且贯穿器件的整个长度,光波可以被限制在低折射率的光纤芯区传播。 光子晶体光纤(微结构光纤)按照其导光机理可以分为两大类:折射率导光型(IG-PCF)和带隙引导型(PCF)。 折射率引导型光子晶体光纤(微结构光纤,PCF)具有无截止单模特性 、大模场尺寸 /小模场尺寸和 色散可调特性等特性。广泛应用于色散控制 (色散平坦,零色散位移可以到800nm),非线性光学 (高非线性,超连续谱产生),多芯光纤 ,有源光纤器件(双包层PCF有效束缚泵浦光)和光纤传感等领域。 空隙带隙型光子晶体光纤(微结构光纤,PCF) 具有易耦合,无菲涅尔反射,低弯曲损耗、低非线性和特殊波导色散等特点被广泛应用于高功率导光,光纤传感和气体光纤等方面。光子晶体光纤的发展为光纤传感 开拓了广阔的空间,尤其是在生物传感和气体传感方面为光纤传感技术带来新的发展。昊量光电提供各种光子晶体光纤及光子晶体光纤的定制化服务, 昊量可以提供的产品及服务:材料:石英或硫化物提供各种定制服务可提供各种套管,接头及相应光线器件各种解决方案设计及模拟 主要产品: 1,基于石英的各种有源及无源光纤: 保偏型光子晶体光纤,定制色散型光子晶体光纤,光子晶体光纤预制棒空气包层、双包层光子晶体光纤,LMA空心光纤,光子带隙光纤掺杂光子晶体光纤多心光子晶体光纤 2,基于硫化物的光子晶体光纤超高非线性光纤(50,000/W*km)中红外光子晶体光纤定制化服务 3,各种解决方案基础研究传感激光器光谱学 主要应用:高功率低损耗近红外激光传输脉冲整形脉冲压缩非线性光学光纤传感超连续激光产生可调谐光纤耦合器多波长激光器光纤耦合 指标参数: 常规产品: 相关产品 覆盖紫外波段超连续激光器(320~1750nm) FROG 超短脉冲测量仪 啁啾布拉格光栅

晶体管特性图示仪原理相关的资料

晶体管特性图示仪原理相关的资讯

  • 【好书推荐】薄膜晶体管液晶显示(TFT LCD)技术原理与应用
    内容简介  薄膜晶体管液晶显示产业在中国取得了迅猛的发展,每年吸引着大量的人才进入该产业。本书基于作者在薄膜晶体管液晶显示器领域的开发实践与理解,并结合液晶显示技术的最新发展动态,首先介绍了光的偏振性及液晶基本特点,然后依次介绍了主流的广视角液晶显示技术的光学特点与补偿技术、薄膜晶体管器件的SPICE模型、液晶取向技术、液晶面板与电路驱动的常见不良与解析,最后介绍了新兴的低蓝光显示技术、电竞显示技术、量子点显示技术、Mini LED和Micro LED技术及触控技术的原理与应用。作者简介  邵喜斌博士从20世纪90年代初即从事液晶显示技术的研究工作,先后承担多项国家863计划项目,研究领域涉及液晶显示技术、a-Si 及p-Si TFT技术、OLED技术和电子纸显示技术,在国内外发表学术论文100多篇,获得专利授权150余项,其中海外专利40余项。曾获中国科学院科技进步二等奖、吉林省科技进步一等奖、北京市科技进步一等奖。目录封面版权信息内容简介序前言第1章 偏振光学基础与应用1.1 光的偏振性1.1.1 自然光与部分偏振光1.1.2 偏振光1.2 光偏振态的表示方法1.2.1 三角函数表示法1.2.2 庞加莱球图示法1.3 各向异性介质中光传播的偏振性1.3.1 反射光与折射光的偏振性1.3.2 晶体的双折射1.3.3 单轴晶体中的折射率1.4 相位片1.4.1 相位片的定义1.4.2 相位片在偏光片系统中1.4.3 相位片的特点1.4.4 相位片的分类1.4.5 相位片的制备与应用1.5 波片1.5.1 快轴与慢轴1.5.2 λ/4波片1.5.3 λ/2波片1.5.4 λ波片1.5.5 光波在金属表面的反射1.5.6 波片的应用参考文献第2章 液晶基本特点与应用2.1 液晶发展简史2.1.1 液晶的发现2.1.2 理论研究2.1.3 应用研究2.2 液晶分类2.2.1 热致液晶2.2.2 溶致液晶2.3 液晶特性2.3.1 光学各向异性2.3.2 电学各向异性2.3.3 力学特性2.3.4 黏度2.3.5 电阻率2.4 液晶分子合成与性能2.4.1 单体的合成2.4.2 混合液晶2.4.3 单体液晶分子结构与性能关系2.5 混合液晶材料参数及对显示性能的影响2.5.1 工作温度范围的影响2.5.2 黏度的影响2.5.3 折射率各向异性的影响2.5.4 介电各向异性的影响2.5.5 弹性常数的影响2.5.6 电阻率的影响2.6 液晶的应用2.6.1 显示领域应用2.6.2 非显示领域应用参考文献第3章 广视角液晶显示技术3.1 显示模式概述3.2 TN模式3.2.1 显示原理3.2.2 视角特性3.2.3 视角改善3.2.4 响应时间影响因素与改善3.3 VA模式3.3.1 显示原理3.3.2 视角特性3.3.3 视角改善3.4 IPS与FFS模式3.4.1 显示原理3.4.2 视角特性3.5 偏光片视角补偿技术3.5.1 偏振矢量的庞加莱球表示方法3.5.2 VA模式的漏光补偿方法3.5.3 IPS模式的漏光补偿方法3.6 响应时间3.6.1 开态与关态响应时间特性3.6.2 灰阶之间的响应时间特性3.7 对比度参考文献第4章 薄膜晶体管器件SPICE模型4.1 MOSFET器件模型4.1.1 器件结构4.1.2 MOSFET器件电流特性4.1.3 MOSFET器件SPICE模型4.2 氢化非晶硅薄膜晶体管器件模型4.2.1 a-Si:H理论基础4.2.2 a-Si:H TFT器件电流特性4.2.3 a-Si:H TFT器件SPICE模型4.3 LTPS TFT器件模型4.3.1 LTPS理论基础4.3.2 LTPS TFT器件电流特性4.3.3 LTPS TFT器件SPICE模型4.4 IGZO TFT器件模型4.4.1 IGZO理论基础4.4.2 IGZO TFT器件电流特性4.4.3 IGZO TFT器件SPICE模型4.5 薄膜晶体管的应力老化效应参考文献第5章 液晶取向技术原理与应用5.1 聚酰亚胺5.1.1 分子特点5.1.2 聚酰亚胺的性能5.1.3 聚酰亚胺的合成5.1.4 聚酰亚胺的分类5.1.5 取向剂的特点5.2 取向层制作工艺5.2.1 涂布工艺5.2.2 热固化5.3 摩擦取向5.3.1 工艺特点5.3.2 摩擦强度定义5.3.3 摩擦取向机理5.3.4 预倾角机理5.3.5 PI结构对VHR和预倾角的影响5.3.6 摩擦取向的常见不良5.4 光控取向5.4.1 取向原理5.4.2 光控取向的光源特点与影响参考文献第6章 面板驱动原理与常见不良解析6.1 液晶面板驱动概述6.1.1 像素结构与等效电容6.1.2 像素阵列的电路驱动结构6.1.3极性反转驱动方式6.1.4 电容耦合效应6.1.5 驱动电压的均方根6.2 串扰6.2.1 定义与测试方法6.2.2 垂直串扰6.2.3 水平串扰6.3 闪烁6.3.1 定义与测试方法6.3.2 引起闪烁的因素6.4 残像6.4.1 定义与测试方法6.4.2 引起残像的因素参考文献第7章 电路驱动原理与常见不良解析7.1 液晶模组驱动电路概述7.1.1 行扫描驱动电路7.1.2 列扫描驱动电路7.1.3 电源管理电路7.2 眼图7.2.1 差分信号7.2.2 如何认识眼图7.2.3 眼图质量改善7.3 电磁兼容性7.3.1 EMI简介7.3.2 EMI测试7.3.3 模组中的EMI及改善措施7.4 ESD与EOS防护7.4.1 ESD与EOS产生机理7.4.2 防护措施7.4.3 ESD防护性能测试7.4.4 EOS防护性能测试7.5 开关机时序7.5.1 驱动模块的电源连接方式7.5.2 电路模块的时序7.5.3 电源开关机时序7.5.4 时序不匹配的显示不良举例7.6 驱动补偿技术7.6.1 过驱动技术7.6.2 行过驱动技术参考文献第8章 低蓝光显示技术8.1 视觉的生理基础8.1.1 人眼的生理结构8.1.2 感光原理说明8.1.3 光谱介绍8.2 蓝光对健康的影响8.2.1 光谱各波段光作用人眼部位8.2.2 蓝光对人体的影响8.3 LCD产品如何防护蓝光伤害8.3.1 LCD基本显示原理8.3.2 低蓝光方案介绍8.3.3 低蓝光显示器产品参考文献第9章 电竞显示技术9.1 电竞游戏应用瓶颈9.1.1 画面拖影9.1.2 画面卡顿和撕裂9.2 电竞显示器的性能优势9.2.1 高刷新率9.2.2 快速响应时间9.3 画面撕裂与卡顿的解决方案9.4 电竞显示器认证标准9.4.1 AMD Free-Sync标准9.4.2 NVIDA G-Sync标准参考文献第10章 量子点材料特点与显示应用10.1 引言10.2 量子点材料基本特点10.2.1 量子点材料独特效应10.2.2 量子点材料发光特性10.3 量子点材料分类与合成10.3.1 Ⅱ-Ⅵ族量子点材料10.3.2 Ⅲ-Ⅴ族量子点材料10.3.3 钙钛矿量子点材料10.3.4 其他量子点材料10.4 量子点显示技术10.4.1 光致发光量子点显示技术10.4.2 电致发光量子点显示技术参考文献第11章 Mini LED和Micro LED原理与显示应用11.1 概述11.2 LED发光原理11.2.1 器件特点11.2.2 器件电极的接触方式11.2.3 器件光谱特点11.3 LED直显应用特点11.3.1 尺寸效应11.3.2 外量子效应11.3.3 温度效应11.4 巨量转移技术11.4.1 PDMS弹性印章转移技术11.4.2 静电吸附转移技术参考文献第12章 触控技术原理与应用12.1 触控技术分类12.1.1 从技术原理上分类12.1.2 从显示集成方式上分类12.1.3 从电极材料上分类12.2 触控技术原理介绍12.2.1 电阻触控技术12.2.2光学触控技术12.2.3 表面声波触控技术12.2.4 电磁共振触控技术12.2.5 电容触控技术12.3 投射电容触控技术12.3.1 互容触控技术12.3.2 自容触控技术12.3.3 FIC触控技术12.4 FIC触控的驱动原理12.4.1 电路驱动系统架构12.4.2 FIC触控屏的两种驱动方式12.4.3 触控通信协议12.4.4 触控性能指标参考文献附录A MOSFET的Level 1模型参数附录B a-Si:H TFT的Level 35模型参数附录C LTPS TFT的Level 36模型参数附录D IGZO TFT的Level 301模型参数(完善中)反侵权盗版声明封底
  • 我国科学家创制极化激元晶体管
    纳米尺度的光电融合是未来高性能信息器件的重要发展路线。如何在微纳甚至原子尺度对光进行精准操控是其中的关键的科学问题。中国科学院国家纳米科学中心研究员戴庆研究团队率先提出利用极化激元作为光电互联媒介的新思路,充分发挥它对光的高压缩和易调控优势,不仅有望实现高效光电互联,而且可以提供额外的信息处理能力,从而进一步提升光电融合系统的性能。   该团队通过十多年的努力,实现了极化激元的高效激发和长程传输。在此基础上,研究设计并构筑了微纳尺度的石墨烯/氧化钼范德华异质结,实现了用一种极化激元调控另一种极化激元开关的“光晶体管”功能。研究表明该晶体管可实现光正负折射的动态调控,类似电子晶体管能切换(1,0)两个高低电位,为构筑与非门等光逻辑单元奠定了重要基础。该研究充分发挥了不同材料的纳米光子学特性,从而突破了传统结构光学方案如使用人工结构(超材料和光子晶体等)在波段、损耗、压缩和调控等方面的性能瓶颈。   与电子相比,光子具有速度快、能耗低、容量高等优势,被寄予未来大幅提升信息处理能力的厚望。因此,光电融合系统被认为是构建下一代高效率、高集成度、低能耗信息器件的重要方向。光电互联(电-光-电转换)是光电融合主的基础,相当于光电两条高速公路交汇的收费站。而现有硅基光电集成方案存在效率低(依赖多次光电效应)、体积大(光模块无法突破衍射极限)等问题,制约光电器件之间的信息流转。然而,光子不携带电荷且光的传输受限于光学衍射极限,相比于能轻易通过电学调控的电子,对光子的纳米尺度局域和操控并不容易。   极化激元是一种由入射光与材料表界面相互作用形成的特殊电磁模式(表面波)。它具有优异的光场压缩能力,可轻易突破光学衍射极限从而实现纳米尺度上光信息的传输和处理。   戴庆团队以攻克高速光电互联这一世界技术难题为目标,提出以纳米材料的表面波(极化激元)为媒介,实现高效光电互联的新思路。构筑光-极化激元-电转换路径相当于将高速公路的收费站改造成立交桥,具有显著优势:一是效率高,光/电激发材料表面波的效率相比光电效应提升潜力巨大;二是集成度高,光波转化成材料表面波可将波长压缩百倍轻松突破衍射极限,从而显著提升光模块集成度;三是算力强,材料表面波具有光子性质可进行高效并行计算,从而将现有光电融合的“光传输、电计算”拓展成为“光传输、电计算+光计算”,实现“1+12”的效果。   戴庆提出,我们利用电学栅压对极化激元这种光波的折射行为实现了动态调控,使其从常规的正折射转变到奇异的负折射。这好比可以像操纵电子一样操纵光子,为将来高性能光电融合器件与系统的发展提供重要促进作用。这一研究在应用上面向光电融合器件大规模集成缺乏高效、紧凑光电互联方式的重大需求,在科学上为解决突破衍射极限下高效光电调制的难题提供了新思路。   2月10日,相关研究成果以Gate-tunable negative refraction of mid-infrared polaritons为题,发表在《科学》(Science)上。该论文审稿人评价道,这证实了一项非常规的物理现象,为研究纳米尺度的光操控提供了崭新的平台。图示极化激元晶体管的基本原理,通过在氧化钼上覆盖石墨烯构筑范德华异质结,天线激发极化激元传输穿过界面后形成负折射。极化激元晶体管的光学显微镜照片
  • 基于光电晶体管架构的X射线直接探测器研发成功
    中国科学院深圳先进技术研究院先进材料科学与工程研究所材料界面研究中心副研究员李佳团队,中科院院士、西北工业大学教授黄维团队,以及深圳先进院生物医学与健康工程研究所生物医学成像研究中心合作,首次将具有内部信号增益效应的异质结光电晶体管用于X射线直接探测器,实现了超灵敏、超低辐射剂量、超高成像分辨的X射线直接探测。相关研究成果以Ultrathin and Ultrasensitive Direct X-ray Detector Based on Heterojunction Phototransistors为题,发表在Advanced Materials上。   当前,X射线直接探测器多采用反向偏置二极管结构(图1a)。这类器件普遍缺乏内部信号增益效应或增益较低,这意味着没有足够的信号补偿方案来补充载流子复合过程中湮灭的电子-空穴对。因此,这类设备的光-电转化效率较低,且需要使用高质量和高度均匀的X射线光电导材料(Photoconductor)以保证有效的电子-空穴的产生和传输,这对探测器性能的进一步提升设定了难以突破的上限,也增加了材料、器件制备的复杂性和成本。   科研团队在前期研究的基础上(Advanced Materials, 31,1900763,2019),提出异质结X射线光电晶体管(Heterojunction X-ray Phototransistor)这一新型器件概念,首次将具有内部信号增益效应的异质结光电晶体管引入X射线直接探测。光电晶体管是三电极型光电探测器,其沟道载流子密度可通过调控栅压和入射光子进行有效调制,从而结合了晶体管和光电导的综合增益效应,如图1b所示。将这种高增益机制引入X射线探测器可以对光生电流进行放大,并使外量子效率远超过100%,进而实现超灵敏的X射线直接探测。本工作中,研究团队设计了由钙钛矿光电导材料与有机半导体沟道材料组成的异质结光电晶体管,实现了高效的X射线吸收,获得了快速的载流子再注入与循环,导致高效的载流子产生、输运与巨大的信号增益效应,使X射线直接探测灵敏度达到109μCGyair-1cm-2(图2c),最低可检测剂量率低至1 nGyair s-1。同时,探测器具有较高的成像分辨率(图2e)——X射线成像调制传递函数(MTF)在20%值下显示每毫米11.2线对(lp mm-1),成像分辨率高于目前基于CsI:Tl的X射线探测器。   高增益异质结X射线光电晶体管为高性能X射线直接探测与成像开辟了新机遇,并体现出超灵敏、超低检测限、高成像分辨率、轻量、柔性(图2d)、低成本等优点,在医学影像、工业检测、安检安防、科学设备等领域具有广阔的应用前景。该成果将激发科研人员开发各种高增益器件以实现直接探测不同类型高能辐射的研究动力。   研究工作得到国家自然科学基金、深圳市科技计划等的资助。图1.a、传统X射线探测器中,间接探测(左)使用闪烁体材料与光电二极管可见光探测器相互集成,X射线通过闪烁体材料转换为可见光,可见光由光电二极管探测器探测;直接探测(右)使用如非晶硒等半导体材料,半导体吸收X射线后直接产生电子-孔穴对,在半导体材料上施加高电场,分离和收集电子-空穴对;b、X射线光电晶体管结构,异质结中电子-空穴对产生(1)、分离(2)、电子捕获/空穴注入(3)和空穴再循环(4)产生高增益效应的过程图示图2.a、X射线光电晶体管器件结构;b、X射线探测的时间响应;c、X射线辐照下探测器灵敏度随栅压的变化关系;d、柔性X射线光电晶体管器件;e、金属光栅的光学显微照片(上)与X射线成像图(下),scale-bar为200微米;f、X射线光电晶体管的MTF曲线

晶体管特性图示仪原理相关的试剂

Instrument.com.cn Copyright©1999- 2023 ,All Rights Reserved版权所有,未经书面授权,页面内容不得以任何形式进行复制