晶体管图示仪自校规程

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  • 品牌: 华科智源 名称: 晶体管图示仪 型号: HUSTEC-DC-2020 用途: 测试二三极管,MOS管,IGBT,晶闸管,可控硅等件测试仪设备扩展性强,通过选件可以提高电压、电流和测试品种范围。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条件点击即可完成测试任务。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座,自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降,保证测试结果准确可靠。面板显示装置可及时显示系统的各种工作状态和测试结果,前面板的功能按键方便了系统操作。通过功能按键,系统可以脱离主控计算机独立完成多种工作。系统提供与机械手、探针台、电脑的连接口,可以支持各种不同辅助设备的相互连接使用。产品介绍 产品为桌面放置的台式机结构,由测试主机和程控电脑两大部分组成。外接各类夹具和适配器,还能 够通过 Prober 接口、Handler 接口可选(16Bin)连接分选机和机械手建立工作站,实现快速批量化测 试。通过软件设置可依照被测器件的参数等级进行自动分类存放。能够极好的应对“来料检验”“失效分 析”“选型配对”“量产测试”等不同场景。 产品的可靠性和测试数据的重复性以及测试效率都有着非常优秀的表现。创新的“点控式夹具”让操 作人员在夹具上实现一点即测。操作更简单效率更高。测试数据可保存为 EXCEL 文本。 应用场景Ø 模化、自动化测试) 测试分析(功率器件研发设计阶段的初始测试) Ø 失效分析(对失效器件进行测试分析,查找失效机理。以便于对电子整机的整体设计和使用过程提 出改善方案) Ø 选型配对(在器件焊接至电路板之前进行全部测试,将测试数据比较一致的器件进行分类配对) Ø 来料检验(研究所及电子厂的质量部(IQC)对入厂器件进行抽检/全检,把控器件的良品率) Ø 量产测试(可连接机械手、扫码枪、分选机等各类辅助机械设备,实现规 产品特点(1) 可测试 7 大类 26 分类的各类电子元器件; (2) PC 机为系统的主控机; (3) 基于 Lab VIEW 平台开发的填充式菜单软件界面; (4) 自动识别器件极性 NPN/PNP (5) 16 位 ADC,100K/S 采样速率; (6) 程控高压源 10~1400V,提供 2KV 选配; (7) 程控高流源 1uA~40A,提供 100A,300A,500A 选配; (8) 驱动电压 10mV~40V; (9) 控制极电流 10uA~10mA; (10) 四线开尔文连接保证加载测量的准确;(11) 通过 RS232 接口连接校准数字表,对系统进行校验; (12) Prober 接口、Handler 接口可选(16Bin) (13) 可为用户提供丰富的测试适配器(14) 连接分选机最高测试量为每小时 1 万个 (15) 可以测试结电容,诸如 Cka,Ciss,Crss,Coss; (16) 脉冲电流自动加热功能,方便高温测试,无需另加升温装置; 测试参数 (1) 二极管类:二极管 Diode Kelvin,Vrrm,Irrm,Vf,△Vf,△Vrrm,Cka,Tr(选配);(2) 二极管类:稳压二极管 ZD(Zener Diode)Kelvin,Vz,lr,Vf,△Vf,△Vz,Roz,lzm,Cka; (3) 二极管类:稳压二极管 ZD(Zener Diode)Kelvin、Vz、lr、Vf、△Vf、△Vz、Roz、lzm、Cka;(4) 二极管类:三端肖特基二极管 SBD(SchottkyBarrierDiode)Kelvin 、Type_ident 、Pin_test 、Vrrm、Irrm、Vf、△Vf、V_Vrrm、I_Irrm、△Vrrm、Cka、Tr(选配);(5) 二极管类:瞬态二极管 TVSKelvin 、Vrrm 、Irrm、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka ; (6) 二极管类:整流桥堆 Kelvin 、Vrrm、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka;(7) 二极管类:三相整流桥堆Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm、Cka;(8) 三极管类:三极管Kelvin 、Type_ident、Pin_chk 、V(br)cbo 、V(br)ceo 、V(br)ebo 、Icbo、lceo、Iebo、Hfe、Vce(sat)、 Vbe(sat)、△Vsat、△Bvceo 、△Bvcbo 、Vbe、lcm、Vsd 、Ccbo 、Cces、Heater、Tr (选配)、Ts (选配)、Value_process; (9) 三极管类:双向可控硅 Kelvin、Type_ident、Qs_chk、Pin_test、Igt、Vgt、Vtm、Vdrm、Vrrm、Vdrm rrm、Irrm、 Idrm、Irrm_drm、 Ih、IL、C_vtm、△Vdrm、△Vrrm、△Vtm;(10)三极管类:单向可控硅Kelvin、 Type_ident、 Qs_chk、 Pin test、 lgt、 Vgt、 Vtm、 Vdrm Vrrm、 IH、IL、△Vdrm△Vrrm、 Vtm; (11)三极管类:MOSFETKelvin 、Type_ident、Pin_test、VGS(th) 、V(BR)Dss 、Rds(on) 、Bvds_rz、△Bvds、Gfs、Igss、ldss 、 Idss zero 、Vds(on)、 Vsd、Ciss、Coss、Crss、Bvgs 、ld_lim 、Heater、Value_proces、△Rds(on) ; (12)三极管类:双 MOSFET Kelvin、 Pin_chk、Ic_fx_chk、 Type_ident、 Vgs1(th)、 VGs2(th)、 VBR)Dss1、 VBR)Dss2、 Rds1(on)、 Rds2(on)、 Bvds1 rz、 Bvds2_rz、 Gfs1、Gfs2、lgss1、lgss2、Idss1、Idss2、Vsd1、Vsd2、Ciss、 Coss、Crss;(13)三极管类:JFET Kelvin、VGS(off )、V(BR)Dss、Rds(on)、Bvds_rz、Gfs、lgss、 Idss(off)、 Idss(on)、 vds(on)、 Vsd、 Ciss、Crss、Coss; (14)三极管类:IGBTKelvin、VGE(th)、V(BR)CES、Vce(on)、Gfe、lges、 lces、Vf、Ciss、Coss、Crss;(15)三极管类:三端开关功率驱动器Kelvin、Vbb(AZ)、 Von(CL)、 Rson、Ibb(off)、Il(lim)、Coss、Fun_pin_volt; (16)三极管类:七端半桥驱动器 Kelvin、lvs(off)、lvs(on)、Rson_h、Rson_l、lin、Iinh、ls_Volt、Sr_volt; (17)三极管类:高边功率开关Kelvin、Vbb(AZ)、Von(CL)、Rson、Ibb(off)、ll(Iim)、Coss、Fun_pin_volt; (18)保护类:压敏电阻Kelvin、Vrrm、 Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、 △Vr (19)保护类:单组电压保护器 Kelvin 、Vrrm、Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、△Vr; (20)保护类:双组电压保护器Kelvin、Vrrm、Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、△Vr; (21)稳压集成类:三端稳压器 Kelvin 、Type_ident 、Treg_ix_chk 、Vout 、Reg_Line、Reg_Load、IB、IB_I、Roz、△IB、VD、 ISC、Max_lo、Ro、Ext _Sw、Ic_fx_chk; (22)稳压集成类:基准 IC(TL431)Kelvin、Vref、△Vref、lref、Imin、loff、Zka、Vka; (23)稳压集成类:四端稳压Kelvin、Type_ident、Treg_ix_chk、Vout、Reg_Line、Reg_Load、IB、IB_I、Roz、△lB、VD、Isc、 Max_lo、Ro、Ext_Sw、Ic_fx_chk; (24)稳压集成类:开关稳压集成器 选配; (25)继电器类:4 脚单刀单组、5 脚单刀双组、8 脚双组双刀、8 脚双组四刀、固态继电器 Kelvin、Pin_chk、Dip6_type_ident、Vf、Ir、Vl、Il、Ift、Ron、Ton(选配)、Toff(选配); (26)光耦类:4 脚光耦、6 脚光耦、8 脚光耦、16 脚光耦 Kelvin、Pin_chk、Vf、Ir、Bvceo、Bveco、Iceo、Ctr、Vce(sat)、Tr、Tf;(27)传感监测类: 电流传感器(ACS712XX 系列、CSNR_15XX 系列)(选配); 霍尔器件(MT44XX 系列、A12XX 系列)(选配); 电压监控器(选配); 电压复位 IC(选配);
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  • 泰克Tektronix370A 晶体管测试仪TEK370A 泰克Tektronix 370A 晶体管测试仪名称:泰克Tektronix 370A 晶体管测试仪主要参数:半导体器件高精度测量-上限达2000V或电流到10A的源(370A/B)-上限到3000V(371A)-上限到220W(370A/B)-上限到400A(371A)-1nA的测量分辨率-上限到3000W(371A)-上限到2mV的测量分辨率(370A/B)-波形对比-包络显示-波形平均-点光标(370A)-Kelvin传感测量-全程控-MS-DOS兼容的软盘,方便设置参孝存储和调用交互式程-所有交互式程控测量是通过有鲜明特点的前面板或GPIB来完成的。使用几种存储方式,调整和存储操作参数,包括370A的非易失存储器、内置的MS-DOS兼容的软盘或到外部控制器。测试夹具-测试夹具是标准附件,它提供被测器件安全防护,以保护测量人员的安全。测试夹具适应标准的A1001,中间通过Kelvin传感的A1005适配器、无Kelvin传感的3芯适配器和A1023、A1024表面封装适配器。程控特性曲线图示仪高分辨率特性曲线图示仪,可应用到许多场合。370A能完成晶体管、闸流管、二极管、可控硅、场效应管、光电元件、太阳能电池、固态显示和其它半导体器件的直流参数特性的测试。-在研发实验室,用370A来完成新器件、SPIEC参数的提取、失败分析和产生数据报告这些具体的测试工作。应用-手动或自动进行半导体高分辨率DC参数测量-来料检查-生产测试-过程监视及质量控制-数据报告的生成-元件配对-失效分析-工程测试370A.jpg标签泰克Tektronix 370A 晶体管测试仪,泰克Tektronix 370A 晶体管测试仪价格相关产品半导体测试仪半导体测试仪备注: 本公司十年专业销售、租赁、维修、回收二手仪器,公司货源广阔,绝大部分直接从国外引进,成色新,价格低,资金雄厚,库存充足,售前严格,售后快捷是我们的特点:致力于为客户提供更专业,方便,快捷的人性化服务是我们的宗旨;勇于创新,敢于探索是我们的优势;凡在我司购买的仪器免费送较准服务一年!-鹏庆电子
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  • 产品目录? 晶体管图示仪(曲线追踪仪)? 半导体分立器件测试筛选系统。? 静态测试设备:包括导通、关断、击穿、漏电、增益等直流参数? 动态测试设备:包括 Tr, Trr , Qg , Rg , FRD , UIS , SC , Ci , RBSOA 等? 环境老化测试:包括 HTRB , HTGB , H3TRB , Surge 等? 热特性测试:包括 PC , TC , Rth , Zth , Kcurve 等? 测试范围:Si , SiC , GaN 材料的 IPM , IGBT , MOSFET , DIODE , BJT , SCR等分立器件及功率器件。ST-SP2000_5 (Curve版)晶体管曲线追踪仪可测试 19大类27分类 的大中小功率分立器件及模块的 静态直流参数(测试范围包括Si/SiC/GaN材料的 IGBTs/DIODEs/MOSFETs/BJTs/SCRs 等器件)主极2000V / 50~1250A,分辨率*高至1mV / 10pA支持曲线扫描图示功能?产品应用应用领域军工院所、高校、半导体器件生产厂商、电源、变频器、逆变器、变流器、数控、电焊机、白色家电、新能源汽车、轨道机车等所有的半导体器件应用产业链 ……主要用途? 测试分析(功率器件研发设计阶段的初始测试)? 失效分析(对失效器件进行测试,查找失效机理。以便于对电子整机的整体设计和使用过程提出改善方案 )? 选型配对(在器件焊接至电路板之前进行全部测试,将测试数据比较一致的器件进行分类配对)? 来料检验(研究所及电子厂的质量部(IQC)对入厂器件进行抽检/全检,把控器件的良品率)? 产线自动化测试(可连接机械手、扫码枪、分选机等各类辅助机械设备,实现规模化、自动化测试)?产品简述 产品扩展性强,通过选件可以提高电压、电流和测试品种范围。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条点击即可完成测试任务。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座,自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降,保证测试结果准确可靠。面板显示装置可及时显示系统的各种工作状态和测试结果,前面板的功能按键方便了系统操作。通过功能按键,系统可以脱离主控计算机独立完成多种工作。 曲线追踪仪(晶体管图示仪)功能则是利用高速ATE测试步骤逐点生成曲线,可快速而准确地生成精确的数据点。数据增量是可编程的线性或对数,典型的每步测试时间为6到20ms。一个两百条数据点曲线通常只需几秒钟就能完成。使用该系列跟踪仪更容易获取诸如 Transistor hFE vs. IC, Transistor VCESAT vs. IB and MOSFET RDSvs. VGS 等曲线数据。此外, 针对多条曲线,设备可以根据每条曲线的数据运行并将所获数据自动发送到一个单独的 Excel 工作表。系统能够更快,更简洁的创建曲线(单击,双击,选择输入菜单,单击)。就是这么简单。设备支持在单个 DUT 上运行高达 10 条不同曲线的能力,在运行过程中,每个图表都是可视的,每个数据集都被加载到一个被命名的 Excel 工作表中。系统运行速度快,可进行数据记录,提供更高级的数据工具箱,能够运行多条曲线并自动排序,自动将数据存入 Excel 表格,具有缩放功能,光标重新运行功能以及其他许多优点。 系统提供与机械手、探针台、电脑的连接口,可以支持各种不同辅助设备的相互连接使用。?可供选择的曲线Tel:d173h4295a2894
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晶体管图示仪自校规程相关的方案

晶体管图示仪自校规程相关的论坛

  • 【原创】晶体管特性图示仪

    晶体管特性图示仪是一种可以检测晶体管的特性参数的电子测量仪器。晶体管特性图示仪操作简便,主要有六个旋钮,每个旋钮代表不同的功能作用。它们分别是用来测试调控电流开关、电压开关、峰值电压开关、功耗限制电阻、零电压、零电流开关。晶体管特性图示仪的工作原理大致是这样的:通过示波管的内刻度可直接读测半导体管的低频直流参数,通过摄影装置可记录所需的特性曲线;根据需要还可以测试隧道二极管、场效应管、VMOS管、达林顿管及可控硅等半导体材料制做的器件。晶体管特性图示仪可同时在示波器管荧光屏上显示两只同类型半导器件的特性曲线。晶体管特性图示仪的具体参数如下:集电极扫描电压0-500V 二端测试电压0-5KV、 集电极电流1μA-500mA/div 、具有脉冲阶梯信号。

晶体管图示仪自校规程相关的耗材

  • 磷化镓晶体GaP晶体太赫兹晶体
    磷化镓晶体GaP晶体太赫兹晶体产品简介 磷化镓是一种人工合成的化合物半导体材料。外观:橙红色透明晶体。磷化镓是一种由n从族元素镓(Ga)与vA族元素磷(P)人工合成的m- V族化合物半导体材料。磷化镓的晶体结构为闪锌矿型,晶格常数5.447±0.06埃,化学键是以共价键为主的混合键,其离子键成分约为20%,300K时能隙为2.26eV,属间接跃迁型半导体。磷化镓与其他大带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如GaAS、 InP)相同,可通过引入深中心使费米能级接近带隙中部,如掺入铬、铁、氧等杂质元素可成为半绝缘材料。目前尚未得到非掺杂半绝缘材料。 (110)晶向的GaP晶体常常被用在太赫兹时域光谱仪中作为探测晶体,其横光学支声子线在11THz。通常可探测的频谱宽度在0.1-6.5THz。 中文名:磷化镓外文名:Gallium phosphide分子式:GaP分子量:100.6968实验结果图为40fs钛蓝宝石激光泵浦宽谱光电导天线,400um厚GaP晶体探测的结果GaP磷化镓晶体产品GaP 磷化镓晶体基本规格(a) Description 1 GaP (110), 10x10x4 mm, 2 sides polished. 2 GaP (110), 10x10x2 mm, 2 sides polished.. 3GaP (110), 10x10x0.5 mm, 2 sides polished.. 4GaP (110), 10x10x0.4 mm, 2 sides polished.. 5 GaP (110), 10x10x0.2 mm, 2 sides polished.. 6GaP (110), 10x10x0.1 mm, 2 sides polished..(a)其他规格要求可以定制
  • 硒化镓晶体 GaSe晶体 太赫兹晶体
    产品简介 GaSe硒化镓晶体是一种暗棕色闪光的片状晶体。相对密度5.03,熔点(960±10)℃。GaSe和GaS一样是层状结构半导体,随着温度的降低,GaSe光电效应最大值向短波方向移动。硒化镓作为一种非线性晶体和光电导体,通常被应用于这些方面:于CO2激光器的二次谐波的产生,CO2激光器频率上转换至近红外或可见光,中红外波段的光学混频,以及5.5um-18.0um中红外波段的的不同频率的产生。同时GaSe晶体也可以被用来产生太赫兹辐射。 GaSe(硒化镓晶体)的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域,至41THz。GaSe硒化钾晶体是负单轴层状半导体晶体,拥有六边形结构的62m空间点群,300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe硒化钾晶体抗损伤阈值高,非线性系数大(54pm/V),非常合适的透明范围,以及超低的吸收系数,这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源,GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe硒化钾晶体厚度的选取,我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。注:GaSe硒化钾晶体的解理面为(001),因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软,易碎。GaSe 硒化钾晶体参数Structure62m a = 3.74 c = 15.89Density5.03 g/cm3Mohs hardness2Eg, eV2.02Refractive indices at 5.3 μmno = 2.8340 ne = 2.4599Refractive indices at 10.6 μmno = 2.8136 ne = 2.4389Refractive index at 0.633 μmno= 2.9365 GaSe 硒化钾晶体透射谱GaSe硒化钾晶体产品Diameter/Width5-30 mm (can be elliptical)Thickness/Length0.1-40 mmOrientationX, Y, ZSurface qualityCleaved更多晶体相关产品 碲化锌晶体 ZnTe晶体 铌酸锂晶体 LiNbO3晶体 硒化锌晶体 ZnSe晶体 硒化镓晶体 GaSe晶体 硫化锌晶体 ZnS晶体 磷化镓晶体 GaP晶体 有机晶体 DAST晶体 有机晶体 DSTMS晶体 有机晶体 OH1晶体
  • ZnGeP2 晶体 ZGP晶体 太赫兹晶体
    产品简介 ZnGeP2(ZGP)单晶是用于频率转换产生中红外以及太赫兹波的高效的非线性光学材料。ZnGeP2晶体具有正的双折射,可以在0.75um-12.0um的波长范围进行相位匹配光学参量频率转换。其有用的传输范围位于从2.1至10.6微米,此范围内具有低至 0.04cm-1的吸收。ZnGeP2具有很大的非线性光学系数和相对高的激光损伤阈值。ZnGeP2晶体具有以下应用:经由与1.06毫米混频上转换CO2激光光到近红外范围 :合频CO和CO2产生的激光辐射 高效的倍频CO,CO2脉冲激光(49%的倍频效率 1GW/cm2光强,2ns脉冲宽度,9.52毫米波长),在铒激光和钬激光激发下用于中红外波段OPO激光产生。ZnGeP2晶体的应用—— CO2激光器二次、三次和四次谐波产生—— 2um及光泵浦是的光参量产生—— 相干激发辐射太赫兹频段的光波 70um-1000um (0.3-4THz)详细参数透明度范围,微米0.75 - 12.0点群42m密度,g/cm34.12莫氏硬度5.5折射率:在2.00微米? ? = 3.1490 ? ? = 3.1889在4.00微米? ? = 3.1223 ? ? = 3.1608在6.00微米? ? = 3.1101 ? ? = 3.1480在8.00微米? ? = 3.0961 ? ? = 3.1350在10.00微米? ? = 3.0788 ? ? = 3.1183在12.00微米? ? = 3.0552 ? ? = 3.0949非线性系数,pm/ VD 36 = 68.9(10.6微米),D 36 = 75.0(9.6微米)光损伤阈值,MW /cm260(10.6微米,150纳秒)更多晶体相关产品 碲化锌晶体 ZnTe晶体 铌酸锂晶体 LiNbO3晶体 硒化锌晶体 ZnSe晶体 硒化镓晶体 GaSe晶体 硫化锌晶体 ZnS晶体 磷化镓晶体 GaP晶体 有机晶体 DAST晶体 有机晶体 DSTMS晶体 有机晶体 OH1晶体

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  • 我国科学家创制极化激元晶体管
    纳米尺度的光电融合是未来高性能信息器件的重要发展路线。如何在微纳甚至原子尺度对光进行精准操控是其中的关键的科学问题。中国科学院国家纳米科学中心研究员戴庆研究团队率先提出利用极化激元作为光电互联媒介的新思路,充分发挥它对光的高压缩和易调控优势,不仅有望实现高效光电互联,而且可以提供额外的信息处理能力,从而进一步提升光电融合系统的性能。   该团队通过十多年的努力,实现了极化激元的高效激发和长程传输。在此基础上,研究设计并构筑了微纳尺度的石墨烯/氧化钼范德华异质结,实现了用一种极化激元调控另一种极化激元开关的“光晶体管”功能。研究表明该晶体管可实现光正负折射的动态调控,类似电子晶体管能切换(1,0)两个高低电位,为构筑与非门等光逻辑单元奠定了重要基础。该研究充分发挥了不同材料的纳米光子学特性,从而突破了传统结构光学方案如使用人工结构(超材料和光子晶体等)在波段、损耗、压缩和调控等方面的性能瓶颈。   与电子相比,光子具有速度快、能耗低、容量高等优势,被寄予未来大幅提升信息处理能力的厚望。因此,光电融合系统被认为是构建下一代高效率、高集成度、低能耗信息器件的重要方向。光电互联(电-光-电转换)是光电融合主的基础,相当于光电两条高速公路交汇的收费站。而现有硅基光电集成方案存在效率低(依赖多次光电效应)、体积大(光模块无法突破衍射极限)等问题,制约光电器件之间的信息流转。然而,光子不携带电荷且光的传输受限于光学衍射极限,相比于能轻易通过电学调控的电子,对光子的纳米尺度局域和操控并不容易。   极化激元是一种由入射光与材料表界面相互作用形成的特殊电磁模式(表面波)。它具有优异的光场压缩能力,可轻易突破光学衍射极限从而实现纳米尺度上光信息的传输和处理。   戴庆团队以攻克高速光电互联这一世界技术难题为目标,提出以纳米材料的表面波(极化激元)为媒介,实现高效光电互联的新思路。构筑光-极化激元-电转换路径相当于将高速公路的收费站改造成立交桥,具有显著优势:一是效率高,光/电激发材料表面波的效率相比光电效应提升潜力巨大;二是集成度高,光波转化成材料表面波可将波长压缩百倍轻松突破衍射极限,从而显著提升光模块集成度;三是算力强,材料表面波具有光子性质可进行高效并行计算,从而将现有光电融合的“光传输、电计算”拓展成为“光传输、电计算+光计算”,实现“1+12”的效果。   戴庆提出,我们利用电学栅压对极化激元这种光波的折射行为实现了动态调控,使其从常规的正折射转变到奇异的负折射。这好比可以像操纵电子一样操纵光子,为将来高性能光电融合器件与系统的发展提供重要促进作用。这一研究在应用上面向光电融合器件大规模集成缺乏高效、紧凑光电互联方式的重大需求,在科学上为解决突破衍射极限下高效光电调制的难题提供了新思路。   2月10日,相关研究成果以Gate-tunable negative refraction of mid-infrared polaritons为题,发表在《科学》(Science)上。该论文审稿人评价道,这证实了一项非常规的物理现象,为研究纳米尺度的光操控提供了崭新的平台。图示极化激元晶体管的基本原理,通过在氧化钼上覆盖石墨烯构筑范德华异质结,天线激发极化激元传输穿过界面后形成负折射。极化激元晶体管的光学显微镜照片
  • 基于光电晶体管架构的X射线直接探测器研发成功
    中国科学院深圳先进技术研究院先进材料科学与工程研究所材料界面研究中心副研究员李佳团队,中科院院士、西北工业大学教授黄维团队,以及深圳先进院生物医学与健康工程研究所生物医学成像研究中心合作,首次将具有内部信号增益效应的异质结光电晶体管用于X射线直接探测器,实现了超灵敏、超低辐射剂量、超高成像分辨的X射线直接探测。相关研究成果以Ultrathin and Ultrasensitive Direct X-ray Detector Based on Heterojunction Phototransistors为题,发表在Advanced Materials上。   当前,X射线直接探测器多采用反向偏置二极管结构(图1a)。这类器件普遍缺乏内部信号增益效应或增益较低,这意味着没有足够的信号补偿方案来补充载流子复合过程中湮灭的电子-空穴对。因此,这类设备的光-电转化效率较低,且需要使用高质量和高度均匀的X射线光电导材料(Photoconductor)以保证有效的电子-空穴的产生和传输,这对探测器性能的进一步提升设定了难以突破的上限,也增加了材料、器件制备的复杂性和成本。   科研团队在前期研究的基础上(Advanced Materials, 31,1900763,2019),提出异质结X射线光电晶体管(Heterojunction X-ray Phototransistor)这一新型器件概念,首次将具有内部信号增益效应的异质结光电晶体管引入X射线直接探测。光电晶体管是三电极型光电探测器,其沟道载流子密度可通过调控栅压和入射光子进行有效调制,从而结合了晶体管和光电导的综合增益效应,如图1b所示。将这种高增益机制引入X射线探测器可以对光生电流进行放大,并使外量子效率远超过100%,进而实现超灵敏的X射线直接探测。本工作中,研究团队设计了由钙钛矿光电导材料与有机半导体沟道材料组成的异质结光电晶体管,实现了高效的X射线吸收,获得了快速的载流子再注入与循环,导致高效的载流子产生、输运与巨大的信号增益效应,使X射线直接探测灵敏度达到109μCGyair-1cm-2(图2c),最低可检测剂量率低至1 nGyair s-1。同时,探测器具有较高的成像分辨率(图2e)——X射线成像调制传递函数(MTF)在20%值下显示每毫米11.2线对(lp mm-1),成像分辨率高于目前基于CsI:Tl的X射线探测器。   高增益异质结X射线光电晶体管为高性能X射线直接探测与成像开辟了新机遇,并体现出超灵敏、超低检测限、高成像分辨率、轻量、柔性(图2d)、低成本等优点,在医学影像、工业检测、安检安防、科学设备等领域具有广阔的应用前景。该成果将激发科研人员开发各种高增益器件以实现直接探测不同类型高能辐射的研究动力。   研究工作得到国家自然科学基金、深圳市科技计划等的资助。图1.a、传统X射线探测器中,间接探测(左)使用闪烁体材料与光电二极管可见光探测器相互集成,X射线通过闪烁体材料转换为可见光,可见光由光电二极管探测器探测;直接探测(右)使用如非晶硒等半导体材料,半导体吸收X射线后直接产生电子-孔穴对,在半导体材料上施加高电场,分离和收集电子-空穴对;b、X射线光电晶体管结构,异质结中电子-空穴对产生(1)、分离(2)、电子捕获/空穴注入(3)和空穴再循环(4)产生高增益效应的过程图示图2.a、X射线光电晶体管器件结构;b、X射线探测的时间响应;c、X射线辐照下探测器灵敏度随栅压的变化关系;d、柔性X射线光电晶体管器件;e、金属光栅的光学显微照片(上)与X射线成像图(下),scale-bar为200微米;f、X射线光电晶体管的MTF曲线
  • 分子大小的晶体管新鲜出炉
    在一个砷化铟晶体上,12个带正电的铟原子环绕着一个酞菁染料分子,这就是科学家最新研制的分子大小的晶体管。按照摩尔定律的硬限制,这很可能是一个晶体管所能达到的最小尺寸。  新型晶体管是由德国PDI固体电子学研究所、柏林自由大学、日本NTT基础研究实验室和美国海军研究实验室研究人员组成的国际团队开发的。这一发表在科学期刊《自然物理》上的最新成果朝着量子计算迈出一大步。  构成晶体管的每个铟原子的直径是167皮米(0.167纳米),比目前的最小电路——IBM公司刚刚推出的7纳米芯片(晶体管尺寸为7纳米)要小42倍。人类发丝厚度为10万纳米,大约是铟原子尺寸的60万倍 红血球直径6000纳米,是它的36000倍 甚至只有2.5纳米宽的DNA链,大小也达到了铟原子的15倍。  在这样的原子尺度上,电子流通常很难得到可靠地控制,电子会跳到晶体管外,导致晶体管无效。英国《卫报》网站21日报道称,研究团队使用一个扫描隧道电子显微镜,将铟原子放置在精确位置上,并对通过栅极的电子流进行控制。他们意外发现,位于晶体管中心的酞菁染料分子的方向是由其电荷决定的,这意味着,与传统晶体管只有一种简单的类似开关的状态相比,新型晶体管可能并不只限于此。  研究证明,通过精确控制原子来创建一个比现有任何其他量子系统都要小的晶体管是可能的,它也为进一步研究如何将这些微晶体管应用于处理能力超过目前水平几个数量级的计算机和系统打开了大门。  摩尔定律说,集成电路上可容纳的元器件的数目约每隔18个月到24个月便会增加一倍,性能也将提升一倍。芯片上集成的晶体管越多,其功能越强大。目前最新款计算机芯片已经突破7纳米尺度,向更小型化发展越来越难。虽然单分子晶体管距离集成到芯片中还很遥远,但这项新研究仍将有助于下一代计算机——量子计算机的开发。
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