电子束实验仪结构原理

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  • EBIC电子束感生电流电性失效分析系统是一种基于扫描电子显微镜(SEM)的图像采集及分析系统,主要用于半导体器件及其他材料的失效及结构分析。它通过分析电子束照射样品时在样品内产生的电流信号,以图像方式直观表征出样品特征、样品中P-N结位置、失效区域,并可以突出显示样品的非同质性区域,从而对样品进行全面分析。EBIC原理当扫描电镜电子束作用于半导体器件时,如果电子束穿透半导体表面,电子束电子与器件材料晶格作用将产生电子与空穴。这些电子和空穴将能较为自由地运动,但如果该位置没有电场作用,它们将很快复合湮灭(发射阴极荧光),若该位置有电场作用(如晶体管或集成电路中的pn结),这些电子与空穴在电场作用下将相互分离。故一旦在pn结的耗尽层或其附近位置产生电子空穴对,空穴将向p型侧移动,电子将向n型侧移动,这样将有一灵敏放大器可检测到的电流通过结区。该电流即为电子束感生电流(EBIC)。由于pn结的耗尽层有最多的多余载流子,故在电场作用下的电子空穴分离会产生最大的电流值,而在其它的地方电流大小将受到扩散长度和扩散寿命的限制,故利用EBIC进行成像可以用来进行集成电路中pn结的定位和损伤研究。 EBIC应用领域包括但不限于:1)材料晶格缺陷探测分析,缺陷以黑点和黑线标识出来;2)P-N结缺陷区域定位;3)双极电路中导致集电极-发射极漏电电流的收集管路的探测;4)探测额外连接或者多层掺杂;5)确定静电放电/电过载(ESD/EOS)导致的失效位置;6)测量减压层/耗尽层(depletion layer)宽度和少数载流子扩散长度和时间(minority carrier diffusion lengths/lifetimes)等等。EBIC图像对于电子-空穴的重新组合非常敏感,因此EBIC技术能够非常有效的对半导体材料缺陷等进行失效分析。 EBIC 信号采集系统一流的硬件和软件,构成高品质的用于SEM/TEM的定量电性分析系统和电子活动相关联的样品形貌、组成及结构图像 同步记录EIBC电子束感生电流、二次电子、背反射电子以及X射线能谱信号。为样品空间关联信息赋予不同颜色和混合信号。区分样品主动和被动缺陷。 为透射电镜TEM和原子探针显微镜制样 高空间分辨率条件下,对TEM样品制备中的缺陷进行定位有效避免在FIB电镜中使用EBIC直接获取图像时造成的校正误制样过程中,可通过实时EBIC图像功能随时停止样品研磨通过内置直流偏压及实时覆盖(live overlay)功能,确认设备操作模式 通过图像直接显示延迟装置(delayered device)中的节点及区域形貌直接显示太阳能电池中的电子活动图像 通过系统模拟功能可直观地通过图像对比样品电学性能 系统允许的最高分辨率下,以图像方式直接显示样品连结缺陷 通过电子运动特征,对样品结构缺陷进行观测分析通过图像直观显示PN结活动区域和电场区域 可获得样品掺杂区域分布图 运用样品的高度数据,获取样品三维信息 通过调整扫描电镜中电压,获得EBIC信号中的样品高度信息可对FIB电镜中的样品截面EBIC图像进行分析可为样品3D图像重构输出样品高度信息获取更多信息,敬请联络裕隆时代。
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  • 产品类型:1. 紫外光刻胶(Photoresist)各种工艺:喷涂专用胶,化学放大胶,lift-off胶,图形反转胶,高分辨率胶,LIGA用胶等。各种波长: 深紫外(Deep UV)、I线(i-line)、G线(g-line)、长波(longwave)曝光用光刻胶。各种厚度: 光刻胶厚度可从几十纳米到上百微米。 2. 电子束光刻胶(电子束抗蚀剂)(E-beam resist)电子束正胶:PMMA胶,PMMA/MA聚合物, LIGA用胶等。电子束负胶:高分辨率电子束负胶,化学放大胶(高灵敏度电子束胶)等。3. 特殊工艺用胶(Special manufacture/experimental sample)电子束曝光导电层,耐酸碱保护胶,全息光刻用胶,聚酰亚胺胶(耐高温保护胶)等特殊工艺用胶。4. 配套试剂(Process chemicals)显影液、除胶剂、稀释剂、增附剂(粘附剂)、定影液等。 产品特点1. 光刻胶种类齐全,可以满足多种工艺要求的用户。 产品种类包含:各种厚度的紫外光刻胶(正胶或负胶),lift-off工艺用胶,LIGA用胶,图形反转胶,化学放大胶,耐刻蚀保护胶,聚酰亚胺胶,全息曝光用胶,电子束光刻胶(包含PMMA胶、电子束负胶、三维曝光用胶(灰度曝光用胶)、混合曝光用胶等) 2. 光刻胶包装规格灵活多样,适合各种规模的生产、科研需求。 包装规格包含:250毫升、1升、2.5升等常规包装,还提供试验用小包装,如30毫升、100毫升等。 3. 交货时间短。 4. 可以提供高水准的技术咨询服务,具有为客户开发、定制特殊复杂工艺用光刻产品的能力。 5. 储存条件: 密闭储存在容器中并置于避光、干燥阴凉、通风良好之处。 储存在适当的温度下。详情请联系我们的销售人员。 光刻胶理论光刻胶定义 光刻胶是一大类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料,是转移紫外曝光或电子束曝照图案的媒介。光刻胶的英文名为resist,又翻译为抗蚀剂、光阻等。因为光刻胶的作用就是作为抗刻蚀层保护衬底表面。光刻胶只是一种形象的说法,因为光刻胶从外观上呈现为胶状液体。 光刻胶通常是以薄膜形式均匀覆盖于基材表面。当紫外光或电子束的照射时,光刻胶材料本身的特性会发生改变,经过显影液显影后,曝光的负性光刻胶或未曝光的正性光刻胶将会留在衬底表面,这样就将设计的微纳结构转移到了光刻胶上,而后续的刻蚀、沉积等工艺,就可进一步将此图案转移到光刻胶下面的衬底上,最后再使用除胶剂将光刻胶除去就可以了。 光刻胶按其形成图形的极性可以分为:正性光刻胶和负性光刻胶。正胶指的是聚合物的长链分子因光照而截断成短链分子;负胶指的是聚合物的短链分子因光照而交链长链分子。 短链分子聚合物可以被显影液溶解掉,因此正胶的曝光部分被去掉,而负胶的曝光部分被保留。 光刻胶一般由4部分组成:树脂型聚合物(resin/polymer),溶剂(solvent),光活性物质(photoactive compound,PAC),添加剂(Additive)。 其中,树脂型聚合物是光刻胶的主体,它使光刻胶具有耐刻蚀性能;溶剂使光刻胶处于液体状态,便于涂覆;光活性物质是控制光刻胶对某一特定波长光/电子束/离子束/X射线等感光,并发生相应的化学反应;添加剂是用以改变光刻胶的某些特性,如控制胶的光吸收率/溶解度等。 光刻胶的主要技术参数1. 灵敏度(Sensitivity) 灵敏度是衡量光刻胶曝光速度的指标。光刻胶的灵敏度越高,所需的曝光剂量越小。单位:毫焦/平方厘米或mJ/cm2。2.分辨率(resolution) 区别硅片表面相邻图形特征的能力。一般用关键尺寸(CD,Critical Dimension)来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小,光刻胶的分辨率越好。 光刻胶的分辨率是一个综合指标。影响该指标的因素通常有如下3个方面: (1)曝光系统的分辨率。 (2)光刻胶的对比度、胶厚、相对分子质量等。一般薄胶容易得到高分辨率图形。 (3)前烘、曝光、显影、后烘等工艺都会影响光刻胶的分辨率。3. 对比度(Contrast) 对比度指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。 对比度越好,越容易形成侧壁陡直的图形和较高的宽高比。4. 粘滞性/黏度 (Viscosity) 衡量光刻胶流动特性的参数。黏度通常可以使用光刻胶中聚合物的固体含量来控制。同一种光刻胶根据浓度不同可以有不同的黏度,而不同的黏度决定了该胶的不同的涂胶厚度。5. 抗蚀性(Anti-etching) 光刻胶必须保持它的粘附性,在后续的刻蚀工序中保护衬底表面。耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力。6. 工艺宽容度(Process latitude) 光刻胶的的前后烘温度、曝光工艺、显影液浓度、显影时间等都会对最后的光刻胶图形产生影响。每一套工艺都有相应的最佳的工艺条件,当实际工艺条件偏离最佳值时要求光刻胶的性能变化尽量小,即有较大的工艺宽容度。 这样的光刻胶对工艺条件的控制就有一定的宽容性。 特殊光刻胶介绍1. 化学放大光刻胶(CAR,Chemical Amplified Resist) 化学放大胶中含有一种叫做“光酸酵母”(PAG, Photo Acid Generator)的物质。在光刻胶曝光过程中,PAG分解,首先产生少量的光酸。在曝光后与显影前经过适当温度的烘烤,即后烘(PEB, Post Exposure Baking)这些光酸分子又发连锁反应,产生更多的光酸分子。大量的光酸使光刻胶的曝光部分变成可溶(正胶)或不可溶(负胶)。 主要的化学反应是在后烘过程中发生的,只需要较低的曝光能量来产生初始的光酸,因此化学放大胶通常有很高的灵敏度。 光刻胶推荐: AR-N 4340,AR-N 4400,AR-N 7700等。2. 灰度曝光(Grey Scale Lithography) 灰度曝光可以产生曲面的光刻胶剖面,是制作三维浮雕结构的光学曝光技术之一。灰度曝光的关键在于灰度掩膜板的制作、灰度光刻胶工艺与光刻胶浮雕图形向衬底材料的转移。传统掩膜板只有透光区和不透光区,而灰度掩膜板的透光率则是以灰度等级来表示的。实现灰度掩膜板的方法是改变掩膜的透光点密度。 灰度曝光用胶的特点:光刻胶要有较大的黏度。光刻胶要有比较低的对比度。光刻胶的抗刻蚀比尽量和衬底材料的接近。 光刻胶推荐:AR-N 7720 3. LIGA技术 由厚胶曝光形成深结构的目的是进行电铸,使之转化为金属深结构,因为只有金属结构才是为系统器件所需要的功能结构。这种技术又称为LIGA技术。LIGA是德文Lithographie(LI) Galvanoformung(G) Abformung(A),即“光刻、电镀、注塑复制”的缩写。 光刻胶推荐:AR-P 6510,AR-N 4400, PMMA等 4. lift-off工艺 溶脱剥离法(lift-off)是微纳加工中应用到的最普遍的图形转移技术之一。其基本原理是由光学或电子束曝光首先形成光刻胶的图形,在薄膜沉积之后将光刻胶用除胶剂等溶解清除,凡是没有被光刻胶覆盖的区域都留下了金属薄膜,实现了由光刻胶图形向金属薄膜图形的转移。 光刻胶推荐: AR-P 5350,AR-P 5400,AR-N 4240,AR-N 4340,AR-N 4400等 5. 电镀法(electroplating) 电镀法是转移较厚的金属结构时使用到的一种转移技术。其过程一般为3个步骤:首先,在衬底材料上制作一层金属导电薄膜作为电镀的起始衬底,然后通过光刻或电子束曝光形成光刻胶或抗蚀剂掩膜; 第二步是将制作有光刻胶图形的基片放在电镀液中与被镀金属电极连接成电流通路,金属电极在电解液作用下释放金属离子并在电场驱动下沉积到基片表面暴露的金属层上; 最后,将光刻胶去除,并腐蚀清除衬底表面其余的金属膜,便得到金属微结构图形。 光刻胶推荐: AR-P 3200, AR-N 4400等
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  • 1. 产品概述:高真空电子束蒸发薄膜沉积系统是一种先进的物理气相沉积(PVD)技术设备,主要用于在超高真空环境下,通过电子束加热蒸发源材料,使其蒸发并在基片表面沉积形成薄膜。该系统广泛应用于物理学、材料科学、动力与电气工程等域,特别适用于纳米材料、太阳能光伏电池、半导体器件等高精度薄膜的制备。2 设备用途/原理:1. 薄膜制备:该系统能够制备各种金属、半导体、氧化物等材料的薄膜,满足不同材料和器件的制备需求。2. 科学研究:在材料科学研究中,用于探索新材料、新结构的物理和化学性质。3. 工业生产:在半导体、光电子、太阳能电池等行业中,用于大规模生产高精度、高质量的薄膜产品。3 设备特点CMP抛光机具有以下几个显著特点:1 高真空度:系统能够达到高的真空度(≤6.0E-5Pa),有助于减少薄膜制备过程中的杂质和气体干扰,提高薄膜质量。2 电子束加热:采用电子束加热技术,具有热效率高、束流密度大、蒸发速度快等优点,能够蒸发高熔点材料,制备高纯薄膜。3 多源蒸发:系统配备多个蒸发源(如6个40cc坩埚),可同时或分别蒸发多种不同材料,实现多层膜的均匀沉积。4 精确控制:配备高精度的膜厚监控仪和控制系统,能够实现对薄膜厚度、成分和结构的精确控制,确保薄膜的均匀性和一致性。5 灵活定制:样品尺寸及数量可定制,工件架有拱形基片架和行星形基片架等多种选择,可根据用户基片尺寸设计工件架。6 稳定可靠:系统整体设计合理,结构紧凑,具有良好的设备稳定性和可靠性,以及完善的售后及质保服务。综上所述,高真空电子束蒸发薄膜沉积系统以其高真空度、高精度、多源蒸发和灵活定制等特点,在薄膜制备域具有广泛的应用景和重要的科学价值。4 特色参数:本系统配有一套电子枪及电源,可满足在Al,Ni,Ag,Pt,Pd,Mo,Cr和Ti等多种金属和介质膜基片上均匀沉积多层膜的需要。真空室结构:U形开门真空室尺寸:700x700x900mm限真空度:≤6.6E-5Pa沉积源:6个40cc坩埚样品尺寸,温度:φ4英寸,26片,高300℃占地面积(长x宽x高):约3.2米x3.9米x2.1米电控描述:全自动控制系统:通过工控机和 PLC 实现对整个系统的控制,具有自动和手动控制两种功能,操作过程可在触摸屏上进行,提供配方设置、真空系统、电子枪系统、工艺系统、充气系统、冷却系统等人机操作界面;在工控机上可通过配方式参数设置方式实现对程序工艺过程和设备参数的设置。工艺:片内膜厚均匀性:≤±3%特色参数 :工件架有拱形基片架和行星形基片架:可根据用户基片尺寸设计工件架
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  • 加速电压与电子束能量的关系

    大家好,最近在研究扫描电镜原理方面的知识,有一点不太理解,还请大家帮忙解答!!!Q:通常情况下,选择高的加速电压,电子束能量高,探针电流大,但现在的电压和电流在用户界面上都是可以独立调节的,即选择高电压的同时,也可以选择小的电流,那这个时候的电流是不随电压变化的,那么问题来了,这个时候的电流是靠什么调节的???是光阑吗还是其他什么?问题引申:通常讲的电子束能量高低,指的是束斑尺寸还是电子束的速度,还是指波长短?或者,三者兼而有之???亦或是其他?

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  • 一次性培养皿 (电子束灭菌)
    一次性培养皿 (电子束灭菌)产品参数及型号:编号型号直径×高(mm)数量RMB(含税)3-1491-01ND90-15φ90×151箱(10张/袋×50袋)398.003-1491-51优惠装φ90×151套(10箱)3,980.00携带方便,采用叠放时不易横向滑动的结构等,已进行电子束灭菌。特点:● 外围四周有加强棱,叠放起来不易倒塌。 ● 透明度好,便于菌落观察。 ● 采用可防止盖子与主体吸附的构造,不影响通气性。 ● 底面有4分割点,便于对菌落的观察。规格:● 材质:PS(聚苯乙烯) ● 已进行电子束灭菌
  • 电子束光刻胶 AR-PC 5090.02, 5091.02(导电胶)
    特点:• 用于消除电子束曝光、SEM成像、FIB等工艺中的荷电效应• 通过旋涂的方式涂胶,操作简单• 涂胶厚度:40nm @ 4000rpm• 电子束曝光后可溶于水,非常容易去除,且不损伤衬底材料 • 对紫外光、电子束不敏感,无需黄光室 5090.02,适于PMMA、CSAR 62、 HSQ等; 5091.02,适于酚醛树脂基电子束光刻胶,如AR-N 7520导电性:[注]导电胶电阻测量实验结果:胶层越薄,电阻越大,导电性降低。 应用实例:欢迎致电咨询(电话:010-82867920/21/22),更多光刻胶信息请查看官网:http://www.germantech.com.cn/new/cplook.asp?id=514
  • SCRC 塑料培养皿(电子束灭菌)
    通过电子束照射,对活体组织(DNA、细胞等)进行损伤无需使用气体、药品等,因此不必担心残留比γ射线灭菌更节省设施空间(在实验室也可设置专门的照射室)

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  • 一种有望替代电子束光刻的新技术
    目前光刻技术存在被美国“卡脖子”,不只是工业用的,包括科研用的电子束曝光机也只能购买到落后国外两三代的产品。而电子束曝光是由高能量电子束和光刻胶相互作用,使胶由长(短)链变成断(长)链,实现曝光,相比于光刻机具有更高的分辨率,主要用于制作光刻掩模版、硅片直写和纳米科学技术研究,是半导体微电子制造及纳米科技的关键设备、基础设备。3D纳米结构高速直写机的技术起源光刻技术严重制约着我国半导体工业及科研领域的发展。近年来,一种基于热扫描探针光刻技术的产品3D纳米结构高速直写机有望替代电子束曝光机。3D纳米结构高速直写机(NanoFrazor)的主要技术起源于上世纪九十年代,由诺贝尔奖获得者Binnig教授在IBM Zurich实验室所主导的千足虫计划。该计划原本的目标是用类似原子力显微镜探针的热探针达到1Gb/s的高速数据存储读写。图1为千足虫计划中,制备的热探针的扫描电子显微图像。[1]图1. 千足虫计划所制备的热探针的扫描电子显微图像。[1]2010年后,研究团队逐渐把研究热点从数据的高速读写逐渐转向了扫描热探针用于高精度灰度光刻技术(t-SPL)。随着t-SPL技术的逐渐成熟,2014年推出了首款商业化高精度3D纳米结构高速直写机,NanoFrazor Explore 图2b)。为满足市场的不同需求,2017年推出台式系统NanoFrazor Scholar,图2a)。[2]图2 不同型号的NanoFrazor。a)为台式NanoFrazor Scholar系统,b)为旗舰型NanoFrazor Explore。[2]随后,于2019年无掩模激光直写系统被成功地整合到了旗舰型NanoFrazor Explore系统中,实现了在NanoFrazor中从微米加工到纳米加工的无缝衔接。有望替代电子束光刻技术目前NanoFrazor的技术主要用于科研院所的高端纳米器件制备,已有集成激光直写的系统以加快大尺寸大面积微纳米结构的刻写。由10根探针组成的探针阵列已经在Beta客户端测试中。在和IBM苏黎世的合作项目中已经开始了用于工业批量生产的全自动系统的原型设计。。NanoFrazor的优势体现在以下几个方面。首先,NanoFrazor是首款实现3D纳米结构直写的光刻设备,其垂直分辨率可高达1nm。因此,此设备不仅可以制备在2D方向上高分辨率复杂图案的无掩模刻写,还可以制备3D复杂纳米结构,例如复杂的光学傅里叶表面结构,图3所示。[3]图3,用NanoFrazor制备的光学傅里叶表面结构。[3]第二,由于NanoFrazor的光刻原理是通过热探针直接在热敏胶上进行刻写,与热探针接触的胶体部分被直接分解,与电子束曝光(EBL)技术相比所制备的图案不会被临近场效应所影响。因此使用t-SPL技术制备的器件,光刻胶可以被去除的非常干净,从而改善半导体材料和金属电极的接触情况,提高电子器件的性能。图4为NanoFrazor工艺中所用的热敏胶和EBL工艺中所用的光敏胶在去胶工艺后的光刻胶表面残留情况。[4]图4 采用t-SPL技术和EBL技术去胶后光刻胶表面残留对比,图中比例尺为500nm。[4]第三, 由于NanoFrazor所采用的的t-SPL光刻技术,避免了电子注入对材料的损伤,特别适合电子敏感类材料相关器件的制备。与此同时NanoFrazor针尖虽然温度很高,但是和样品的接触面积只有纳米尺度,所以样品表面不会受到高温影响,样品表面温度升高小于50度。第四,传统光刻技术中,需要通过显影才能观察到光刻图案。而使用t-SPL技术进行光刻时,热敏胶直接被热探针分解,然后再通过同步成像系统可以立即得到刻蚀图案的形貌。同时使用闭环控制刻写深度,保证纵向1nm的刻写精度。在实际使用中,可以对样品表面已有的微结构成像,实时设计套刻图案进行刻写,非常适合科学科研和新品研发。此外,相比于传统的电子束刻蚀等技术产品,NanoFrazor可以在常温常压环境中使用,维护简单费用低。其主要耗材为热探针,耗材费用将低于目前通用的电子束刻蚀系统的耗材维护费用。科研领域的得力干将目前情况来看,国内和国外的主要用户都集中在科研院所。这一特点在推广尚属早期的国内市场尤为突出。QD中国正在尽全力把NanoFrazor和相关技术介绍给中国区的用户。NanoFrazor在国内的高精度3D光刻领域暂无竞争对手,在2D光刻领域与EBL存在着某些重叠。NanoFrazor产于中立国瑞士,受国际政治影响较小。热敏胶由德国AllResist公司生产销售,热探针目前仍然由IBM苏黎世供应,计划明年由德国IMS公司生产提供,不存在卡脖子问题。凭借强大的性能,NanoFrazor帮助科研人员在多领域中取得了一系列优秀成果。在光学方面,苏黎世联邦理工的Nolan Lassaline等人使用NanoFrazor制备了周期性和非周期性的光学表面结构。[3] 制备的多元线性光栅允许利用傅里叶光谱工程精确调控光信号。实验表面,使用NanoFrazor制备的任意3D表面的方法,将为光学设备(生物传感器,激光器,超表面和调制器)以及光子学的新兴区域(拓扑结构,转换光学器件和半导体谷电子学)带来新的机遇。该论文已于2020年经发表于Nature。在电子学方面,纽约城市大学的Xiaorui Zheng等人利用NanoFrazor制备了基于MoS2的场效应管。[4] 他们的研究结果表明,使用t-SPL技术制备的器件很好地解决了困扰EBL工艺的非欧姆接触和高肖脱基势垒等问题。器件的综合电子学性能也远优于传统工艺所制备的器件。该论文于2019年发表于Nature Electronics。在3D微纳加工方面,IBM使用NanoFrazor制备的纳米微流控系统控制纳米颗粒的输运方向,并成功分离不同大小尺寸的纳米颗粒,直径相差1nm的纳米颗粒可以用此方法进行分离[6]。该方法可以用于分离样品中的病毒等纳米物体。该论文于2018年发表于Science。IBM苏黎世研究院的Pires等人利用NanoFrazor的3D加工工艺,成功地制备出了高度仅为25nm的瑞士最高峰马特宏峰,如图5所示。[5] 后经吉尼斯世界纪录认证为世界上最小的马特宏峰。优于新颖的加工工艺和优异的3D加工精度,该论文与2010年发表于Science。图5 利用NanoFrazor制备的高度仅有25nm的世界最小马特宏峰。[5]在二维材料研究方面,NanoFrazor的热探针可以直接用于二维材料的掺杂[7],切割[8]和应力调制[9],开创了二维材料器件制备的新方法。论文于2020年发表于Nature Communications, Advanced Materials和NanoLetters等期刊上。目前国内用户对NanoFrazor在实验上的表现十分满意,已有国内用户在Advanced Materials等顶级期刊发表文章。关于QUANTUM量子科学仪器QUANTUM量子科学仪器贸易(北京)有限公司(以下简称QDC)是世界知名的科学仪器制造商——美国 Quantum Design International 公司(以下简称QD Inc.)在全世界设立的诸多子公司之一。QD Inc.生产的 SQUID 磁学测量系统 (MPMS) 和材料综合物理性质测量系统 (PPMS) 已经成为世界公认的顶级测量平台,广泛的分布于世界上几乎所有材料、物理、化学、纳米等研究领域尖端的实验室。同时QD Inc.还利用自己遍布世界的专业营销和售后队伍打造一个代理分销网络,与世界其他领先的设备制造商合作,为其提供遍布全球的专业产品销售和售后服务网络,2007 年QD Inc.并购了欧洲最大的仪器分销商德国 LOT 公司,使得QD Inc.全球代理分销和售后网络变得更加完整和强大。由于在华业务的不断发展,QD Inc.于2004年在中国注册成立了全资中国子公司QDC。经过10多年的耕耘发展,目前QDC拥有一支高素质的科学技术服务队伍,其中技术销售及售后技术支持团队全部由硕士学历以上人才组成(其中近70%为博士学历),多年来为中国的顶级实验室和科研机构提供专业科学仪器设备、技术支持、以及科技咨询服务。这些优秀的雇员都曾被派往美国总部及欧美日等尖端科研仪器厂家进行专业系统的培训,经过公司十多年的培养,成为具有丰富的科学实验仪器应用经验的专家。他们为中国的研究机构带来了最尖端的产品和最新的科技动态,为中国科研人员的研究工作提供了强有力的支持。QDC作为引进先进技术设备进入中国的桥梁,靠着过硬的尖端产品、坚实的技术实力、一流的服务质量赢得了中国广大科研客户的赞誉。Quantum Design中国子公司还积极致力于发展与中国本地科学家的合作,并将先进的实验室技术通过技术转移进行商业化。目前Quantum Design中国子公司正立足于公司本部产品,积极致力于材料物理、纳米表征和测量技术、生物及生命科学技术领域的新业务。Quantum Design中国子公司已逐渐成为中国与世界进行先进技术、先进仪器交流的一个重要桥头堡。引用文献1. Eleftheriou, E., et al., Millipede-a MEMS-based scanning-probe data-storage system. IEEE transactions on magnetics, 2003. 39(2): p. 938-945.2. https://heidelberg-instruments.com/product/nanofrazor-explore/ .3. Lassaline, N., et al., Optical fourier surfaces. Nature, 2020. 582(7813): p. 506-510.4. Zheng, X., et al., Patterning metal contacts on monolayer MoS 2 with vanishing Schottky barriers using thermal nanolithography. Nature Electronics, 2019. 2(1): p. 17-25.5. Pires, D., et al., Nanoscale three-dimensional patterning of molecular resists by scanning probes. Science, 2010. 328(5979): p. 732-735.6. Skaug et al., Nanofluidic rocking Brownian motors. Science, 2018. 359: p. 1505-1508.7. Zheng, X, et al., Spatial defects nanoengineering for bipolar conductivity in MoS2. Nature Communications, 2020. 11:3463.8. Liu, et al., Thermomechanical Nanocutting of 2D Materials. Advanced Materials.9. Liu, et al., Thermomechanical Nanostraining of Two-Dimensional Materials. NanoLetters.关注Quantum Design中国官方微信公众号,了解更多前沿资讯!(Quantum Design 中国 供稿)
  • 重大成果!电子束曝光(EBL)技术首次应用于蝉翅结构纳米柱的仿生制造!
    生物体从宏观到微观,再到纳米尺度的多级复合结构,使其具有诸多独特的优异性能。人们很早就开始模仿生物的特殊功能,来发明和应用新技术。例如人们根据苍蝇特殊的“复眼”结构,仿照制成了“蝇眼透镜”,用它作镜头可以制成“蝇眼照相机”,一次就能照出千百张相同的相片;还有仿照水母耳朵的结构和功能,人们设计了水母耳风暴预测仪;根据蛙眼的视觉原理,研制成功了一种电子蛙眼,能准确无误地识别出特定形状的物体!图:苍蝇特殊的“复眼”结构(图片来源于网络)这就是早期的仿生学应用,但随着科技的进步和纳米技术的迅速发展,人们开始将仿生学应用到纳米尺度,研究者通过模仿生物的纳米结构仿生制造出类似的超微结构,以此来探究和获取生物的特殊功能。在纳米微结构加工领域,常用的微纳光刻技术有纳米压印、紫外光刻、X射线曝光等技术。而在最近的一项研究中,昆士兰科技大学的研究团队首次将电子束曝光(EBL)技术应用于生物纳米结构的仿生制造,并取得了重要研究成果。目前,该项研究论文已被Journal of Materials Chemistry(IF=4.776)录用,论文题目为Multi-biofunctional properties of three species of cicada wings and biomimetic fabrication ofnanopatterned titanium pillars。研究中涉及的大量仿生制备工作由TESCAN 的EBL完成,并使用了TESCAN MIRA3场发射扫描电子显微镜表征细胞间相互作用。图:研究论文已被Journal of Materials Chemistry(IF=4.776)录用由于蝉翼具有多功能生物特性,如超疏水性,自清洁和杀菌作用等,人们对其在生物医学上的应用产生了浓厚兴趣。昆士兰科技大学Prasad KDV Yarlagadda及其研究团队对蝉翼的杀菌和细胞相容特性进行了系统研究,并首次使用电子束曝光技术(EBL)进行蝉翼结构的仿生制造,加工出类似的纳米锥阵列结构,经研究发现,其同样具有杀菌和生物相容性。首先,研究人员使用了SEM,AFM,TEM等多种微观分析技术对三种不同种类的澳大利亚蝉翅膀表面的纳米结构进行了表征。研究人员观察到,三种蝉翼表面均具有独特的形貌结构,虽然凸起的高度、直径、间距和密度并不完全相同,但都呈现出锥状的纳米柱阵列。图:不同物种的蝉翅具有不同高度、间距、直径和密度的纳米柱结构研究人员分别采用了在蝉翼上附着铜绿假单胞菌、金黄色葡萄球菌细胞和人成骨细胞的方法来探究昆虫翅膀的杀菌活性和生物相容性。实验证明,三种蝉翼均具有很好的杀菌活性,且附着人成骨细胞的蝉翅细胞形态在24小时后仍然保持完整,表明它们仍然具有生物相容性。在该项研究中,研究人员尝试进行蝉翼结构的仿生制造。由于是纳米尺度的阵列结构,一般的刻蚀、沉积方法均无法实现。而常规的电子束曝光(EBL)技术也无法实现如此规模的锥体制造。昆士兰科技大学的研究团队巧妙地利用电子束在光刻胶中的散射,通过控制电子束能量,制作出椎体的“模子”,然后利用沉积生长出需要的椎体,最后腐蚀掉所有光刻胶,得到了完美的纳米锥阵列。图:仿生纳米锥阵列的制作过程示意图最终制备的仿生Ti纳米锥的高度为116 ~282nm,锥形柱的顶端直径最小达13.3nm,底部直径93.6nm左右。并且,进一步实验发现,其同样具有杀菌性和生物相容性。昆士兰科技大学的这项研究成果对于纳米仿生学的应用具有重大意义。 图:通过EBL技术制备的仿蝉翼结构的Ti纳米锥陈列图:(E)在制备出的仿生Ti纳米锥阵列上附着铜绿假单胞菌细胞;(F)对照Ti柱和仿生纳米Ti柱上附着的人成骨细胞的活性;(G)在仿生Ti纳米锥阵列上附着扩散良好的成骨细胞;电子束曝光(EBL)技术是一种电子束直写技术,是利用电子束在涂有对电子敏感的高分子聚合物(光刻胶)的基底上直接描画出图形,通过刻蚀实现微小结构的加工。电子束曝光(EBL)技术避免了传统方法中对模板加工和使用的复杂过程,其高分辨、高度灵活性、高灵敏度的特点也受到研究人员关注,且EBL制备方法更加简单,更容易制备出小尺寸的各种花样的周期性结构。在上述工作中,昆士兰科技大学研究团队使用了TESCAN MIRA3高分辨场发射扫描电子显微镜搭配TESCAN自主研发的电子束曝光(EBL)技术出色完成了相关工作。不久前,昆士兰科技大学新采购了一台TESCAN最新的S8000X Xe Plasma FIB-SEM,这是一款功能强大的氙等离子源FIB,配置了TESCAN最新一代的多项专利技术,期待昆士兰科技大学未来取得更多的研究成果!图:昆士兰科技大学最新采购的TESCAN S8000X Xe等离子源FIB-SEM 注释:该项研究由昆士兰科技大学研究团队完成,相关论文目前已通过了英国皇家化学学会(Royal Society of Chemistry)评审,论文稿件已被录用,将于不久后在网上公开发布。
  • 中科院高能所在电子束品质提升方面获重要进展
    超短超强激光脉冲可以在等离子体中激发梯度超过100 GV/m的加速电场,这比传统金属射频腔可以提供的加速电场高了1000倍以上,有望大幅缩小加速器规模,使桌面型粒子源/辐射源成为现实。目前,激光等离子体加速所采用的主流注入机制(如自注入,离化注入,碰撞光注入等)无法兼顾被加速束团电荷量、能散和发射度等参数,很难让它们同时得到优化。近日,李大章、曾明特聘青年研究员带领的加速器中心新加速原理研究团队提出一种新型注入机制,利用两束同轴激光干涉形成的多壳层空泡结构的演化,俘获背景等离子体中的电子。模拟结果显示,在此种注入机制下,有望利用200 TW量级激光器,产生中心能量750 MeV,能散0.4%,电荷量150 pC,归一化发射度0.2 mm mrad的高品质电子束。此结果已在近期发表在《Matter and Radiation at Extreme》杂志上。当一束波前曲率迅速变化的紧聚焦激光脉冲与一束波前平坦的大光斑激光脉冲同轴同向传播时,两束光会发生干涉,并在等离子体中形成洋葱状的周期性多壳层空泡结构(如图a所示)。随着两束光继续向前传播,空泡将在横向发生膨胀,电子回流时间变长,从而引起空泡结构的纵向拉伸,最终导致尾场相速度降低。此时等离子体背景电子将有机会被尾场俘获并加速。在此种注入机制下,较长的注入长度保证了较大的电荷量,空泡纵向膨胀诱导的注入减弱了束流的相混合,空泡尾部壳层的散焦力降低了电子被俘获时的横向动量。因此,此注入机制可兼具高电荷量,低能散和小发射度的优点(如图b,图c所示)。

电子束实验仪结构原理相关的试剂

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