电子束实验仪结构原理

EBIC电子束感生电流电性失效分析系统是一种基于扫描电子显微镜（SEM）的图像采集及分析系统，主要用于半导体器件及其他材料的失效及结构分析。它通过分析电子束照射样品时在样品内产生的电流信号，以图像方式直观表征出样品特征、样品中P-N结位置、失效区域，并可以突出显示样品的非同质性区域，从而对样品进行全面分析。EBIC原理当扫描电镜电子束作用于半导体器件时，如果电子束穿透半导体表面，电子束电子与器件材料晶格作用将产生电子与空穴。这些电子和空穴将能较为自由地运动，但如果该位置没有电场作用，它们将很快复合湮灭（发射阴极荧光），若该位置有电场作用（如晶体管或集成电路中的pn结），这些电子与空穴在电场作用下将相互分离。故一旦在pn结的耗尽层或其附近位置产生电子空穴对，空穴将向p型侧移动，电子将向n型侧移动，这样将有一灵敏放大器可检测到的电流通过结区。该电流即为电子束感生电流（EBIC）。由于pn结的耗尽层有最多的多余载流子，故在电场作用下的电子空穴分离会产生最大的电流值，而在其它的地方电流大小将受到扩散长度和扩散寿命的限制，故利用EBIC进行成像可以用来进行集成电路中pn结的定位和损伤研究。 EBIC应用领域包括但不限于：1）材料晶格缺陷探测分析，缺陷以黑点和黑线标识出来；2）P-N结缺陷区域定位；3）双极电路中导致集电极-发射极漏电电流的收集管路的探测；4）探测额外连接或者多层掺杂；5）确定静电放电/电过载（ESD/EOS）导致的失效位置；6）测量减压层/耗尽层（depletion layer）宽度和少数载流子扩散长度和时间（minority carrier diffusion lengths/lifetimes）等等。EBIC图像对于电子-空穴的重新组合非常敏感，因此EBIC技术能够非常有效的对半导体材料缺陷等进行失效分析。 EBIC 信号采集系统一流的硬件和软件，构成高品质的用于SEM/TEM的定量电性分析系统和电子活动相关联的样品形貌、组成及结构图像 同步记录EIBC电子束感生电流、二次电子、背反射电子以及X射线能谱信号。为样品空间关联信息赋予不同颜色和混合信号。区分样品主动和被动缺陷。 为透射电镜TEM和原子探针显微镜制样 高空间分辨率条件下，对TEM样品制备中的缺陷进行定位有效避免在FIB电镜中使用EBIC直接获取图像时造成的校正误制样过程中，可通过实时EBIC图像功能随时停止样品研磨通过内置直流偏压及实时覆盖（live overlay）功能，确认设备操作模式 通过图像直接显示延迟装置（delayered device）中的节点及区域形貌直接显示太阳能电池中的电子活动图像 通过系统模拟功能可直观地通过图像对比样品电学性能 系统允许的最高分辨率下，以图像方式直接显示样品连结缺陷 通过电子运动特征，对样品结构缺陷进行观测分析通过图像直观显示PN结活动区域和电场区域 可获得样品掺杂区域分布图 运用样品的高度数据，获取样品三维信息 通过调整扫描电镜中电压，获得EBIC信号中的样品高度信息可对FIB电镜中的样品截面EBIC图像进行分析可为样品3D图像重构输出样品高度信息获取更多信息，敬请联络裕隆时代。

产品类型：1. 紫外光刻胶（Photoresist）各种工艺：喷涂专用胶，化学放大胶，lift-off胶，图形反转胶，高分辨率胶，LIGA用胶等。各种波长: 深紫外(Deep UV)、I线(i-line)、G线(g-line)、长波(longwave)曝光用光刻胶。各种厚度: 光刻胶厚度可从几十纳米到上百微米。 2. 电子束光刻胶（电子束抗蚀剂）（E-beam resist）电子束正胶：PMMA胶，PMMA/MA聚合物， LIGA用胶等。电子束负胶：高分辨率电子束负胶，化学放大胶（高灵敏度电子束胶）等。3. 特殊工艺用胶（Special manufacture/experimental sample）电子束曝光导电层，耐酸碱保护胶，全息光刻用胶，聚酰亚胺胶（耐高温保护胶）等特殊工艺用胶。4. 配套试剂（Process chemicals）显影液、除胶剂、稀释剂、增附剂（粘附剂）、定影液等。 产品特点1. 光刻胶种类齐全，可以满足多种工艺要求的用户。 产品种类包含：各种厚度的紫外光刻胶（正胶或负胶），lift-off工艺用胶，LIGA用胶，图形反转胶，化学放大胶，耐刻蚀保护胶，聚酰亚胺胶，全息曝光用胶，电子束光刻胶（包含PMMA胶、电子束负胶、三维曝光用胶（灰度曝光用胶）、混合曝光用胶等） 2. 光刻胶包装规格灵活多样，适合各种规模的生产、科研需求。 包装规格包含：250毫升、1升、2.5升等常规包装，还提供试验用小包装，如30毫升、100毫升等。 3. 交货时间短。 4. 可以提供高水准的技术咨询服务，具有为客户开发、定制特殊复杂工艺用光刻产品的能力。 5. 储存条件： 密闭储存在容器中并置于避光、干燥阴凉、通风良好之处。 储存在适当的温度下。详情请联系我们的销售人员。 光刻胶理论光刻胶定义 光刻胶是一大类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料，是转移紫外曝光或电子束曝照图案的媒介。光刻胶的英文名为resist，又翻译为抗蚀剂、光阻等。因为光刻胶的作用就是作为抗刻蚀层保护衬底表面。光刻胶只是一种形象的说法，因为光刻胶从外观上呈现为胶状液体。 光刻胶通常是以薄膜形式均匀覆盖于基材表面。当紫外光或电子束的照射时，光刻胶材料本身的特性会发生改变，经过显影液显影后，曝光的负性光刻胶或未曝光的正性光刻胶将会留在衬底表面，这样就将设计的微纳结构转移到了光刻胶上，而后续的刻蚀、沉积等工艺，就可进一步将此图案转移到光刻胶下面的衬底上，最后再使用除胶剂将光刻胶除去就可以了。 光刻胶按其形成图形的极性可以分为：正性光刻胶和负性光刻胶。正胶指的是聚合物的长链分子因光照而截断成短链分子；负胶指的是聚合物的短链分子因光照而交链长链分子。 短链分子聚合物可以被显影液溶解掉，因此正胶的曝光部分被去掉，而负胶的曝光部分被保留。 光刻胶一般由4部分组成：树脂型聚合物（resin/polymer），溶剂（solvent），光活性物质（photoactive compound，PAC），添加剂（Additive）。 其中，树脂型聚合物是光刻胶的主体，它使光刻胶具有耐刻蚀性能；溶剂使光刻胶处于液体状态，便于涂覆；光活性物质是控制光刻胶对某一特定波长光/电子束/离子束/X射线等感光，并发生相应的化学反应；添加剂是用以改变光刻胶的某些特性，如控制胶的光吸收率/溶解度等。 光刻胶的主要技术参数1. 灵敏度（Sensitivity） 灵敏度是衡量光刻胶曝光速度的指标。光刻胶的灵敏度越高，所需的曝光剂量越小。单位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。2．分辨率（resolution） 区别硅片表面相邻图形特征的能力。一般用关键尺寸（CD，Critical Dimension）来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。 光刻胶的分辨率是一个综合指标。影响该指标的因素通常有如下3个方面： （1）曝光系统的分辨率。 （2）光刻胶的对比度、胶厚、相对分子质量等。一般薄胶容易得到高分辨率图形。 （3）前烘、曝光、显影、后烘等工艺都会影响光刻胶的分辨率。3. 对比度（Contrast） 对比度指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。 对比度越好，越容易形成侧壁陡直的图形和较高的宽高比。4. 粘滞性/黏度 （Viscosity） 衡量光刻胶流动特性的参数。黏度通常可以使用光刻胶中聚合物的固体含量来控制。同一种光刻胶根据浓度不同可以有不同的黏度，而不同的黏度决定了该胶的不同的涂胶厚度。5. 抗蚀性（Anti-etching） 光刻胶必须保持它的粘附性，在后续的刻蚀工序中保护衬底表面。耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力。6. 工艺宽容度（Process latitude） 光刻胶的的前后烘温度、曝光工艺、显影液浓度、显影时间等都会对最后的光刻胶图形产生影响。每一套工艺都有相应的最佳的工艺条件，当实际工艺条件偏离最佳值时要求光刻胶的性能变化尽量小，即有较大的工艺宽容度。 这样的光刻胶对工艺条件的控制就有一定的宽容性。 特殊光刻胶介绍1. 化学放大光刻胶（CAR，Chemical Amplified Resist） 化学放大胶中含有一种叫做“光酸酵母”（PAG, Photo Acid Generator）的物质。在光刻胶曝光过程中，PAG分解，首先产生少量的光酸。在曝光后与显影前经过适当温度的烘烤，即后烘（PEB, Post Exposure Baking）这些光酸分子又发连锁反应，产生更多的光酸分子。大量的光酸使光刻胶的曝光部分变成可溶（正胶）或不可溶（负胶）。 主要的化学反应是在后烘过程中发生的，只需要较低的曝光能量来产生初始的光酸，因此化学放大胶通常有很高的灵敏度。 光刻胶推荐： AR-N 4340，AR-N 4400，AR-N 7700等。2. 灰度曝光（Grey Scale Lithography） 灰度曝光可以产生曲面的光刻胶剖面，是制作三维浮雕结构的光学曝光技术之一。灰度曝光的关键在于灰度掩膜板的制作、灰度光刻胶工艺与光刻胶浮雕图形向衬底材料的转移。传统掩膜板只有透光区和不透光区，而灰度掩膜板的透光率则是以灰度等级来表示的。实现灰度掩膜板的方法是改变掩膜的透光点密度。 灰度曝光用胶的特点：光刻胶要有较大的黏度。光刻胶要有比较低的对比度。光刻胶的抗刻蚀比尽量和衬底材料的接近。 光刻胶推荐：AR-N 7720 3. LIGA技术 由厚胶曝光形成深结构的目的是进行电铸，使之转化为金属深结构，因为只有金属结构才是为系统器件所需要的功能结构。这种技术又称为LIGA技术。LIGA是德文Lithographie(LI) Galvanoformung(G) Abformung(A)，即“光刻、电镀、注塑复制”的缩写。 光刻胶推荐：AR-P 6510，AR-N 4400， PMMA等 4. lift-off工艺 溶脱剥离法（lift-off）是微纳加工中应用到的最普遍的图形转移技术之一。其基本原理是由光学或电子束曝光首先形成光刻胶的图形，在薄膜沉积之后将光刻胶用除胶剂等溶解清除，凡是没有被光刻胶覆盖的区域都留下了金属薄膜，实现了由光刻胶图形向金属薄膜图形的转移。 光刻胶推荐: AR-P 5350，AR-P 5400，AR-N 4240，AR-N 4340，AR-N 4400等 5. 电镀法（electroplating） 电镀法是转移较厚的金属结构时使用到的一种转移技术。其过程一般为3个步骤：首先，在衬底材料上制作一层金属导电薄膜作为电镀的起始衬底，然后通过光刻或电子束曝光形成光刻胶或抗蚀剂掩膜； 第二步是将制作有光刻胶图形的基片放在电镀液中与被镀金属电极连接成电流通路，金属电极在电解液作用下释放金属离子并在电场驱动下沉积到基片表面暴露的金属层上； 最后，将光刻胶去除，并腐蚀清除衬底表面其余的金属膜，便得到金属微结构图形。 光刻胶推荐： AR-P 3200, AR-N 4400等

1. 产品概述：高真空电子束蒸发薄膜沉积系统是一种先进的物理气相沉积（PVD）技术设备，主要用于在超高真空环境下，通过电子束加热蒸发源材料，使其蒸发并在基片表面沉积形成薄膜。该系统广泛应用于物理学、材料科学、动力与电气工程等域，特别适用于纳米材料、太阳能光伏电池、半导体器件等高精度薄膜的制备。2 设备用途/原理：1. 薄膜制备：该系统能够制备各种金属、半导体、氧化物等材料的薄膜，满足不同材料和器件的制备需求。2. 科学研究：在材料科学研究中，用于探索新材料、新结构的物理和化学性质。3. 工业生产：在半导体、光电子、太阳能电池等行业中，用于大规模生产高精度、高质量的薄膜产品。3 设备特点CMP抛光机具有以下几个显著特点：1 高真空度：系统能够达到高的真空度（≤6.0E-5Pa），有助于减少薄膜制备过程中的杂质和气体干扰，提高薄膜质量。2 电子束加热：采用电子束加热技术，具有热效率高、束流密度大、蒸发速度快等优点，能够蒸发高熔点材料，制备高纯薄膜。3 多源蒸发：系统配备多个蒸发源（如6个40cc坩埚），可同时或分别蒸发多种不同材料，实现多层膜的均匀沉积。4 精确控制：配备高精度的膜厚监控仪和控制系统，能够实现对薄膜厚度、成分和结构的精确控制，确保薄膜的均匀性和一致性。5 灵活定制：样品尺寸及数量可定制，工件架有拱形基片架和行星形基片架等多种选择，可根据用户基片尺寸设计工件架。6 稳定可靠：系统整体设计合理，结构紧凑，具有良好的设备稳定性和可靠性，以及完善的售后及质保服务。综上所述，高真空电子束蒸发薄膜沉积系统以其高真空度、高精度、多源蒸发和灵活定制等特点，在薄膜制备域具有广泛的应用景和重要的科学价值。4 特色参数：本系统配有一套电子枪及电源，可满足在Al，Ni，Ag，Pt，Pd，Mo,Cr和Ti等多种金属和介质膜基片上均匀沉积多层膜的需要。真空室结构:U形开门真空室尺寸:700x700x900mm限真空度:≤6.6E-5Pa沉积源:6个40cc坩埚样品尺寸，温度:φ4英寸，26片，高300℃占地面积（长x宽x高）:约3.2米x3.9米x2.1米电控描述:全自动控制系统：通过工控机和 PLC 实现对整个系统的控制，具有自动和手动控制两种功能，操作过程可在触摸屏上进行，提供配方设置、真空系统、电子枪系统、工艺系统、充气系统、冷却系统等人机操作界面；在工控机上可通过配方式参数设置方式实现对程序工艺过程和设备参数的设置。工艺:片内膜厚均匀性：≤±3%特色参数 :工件架有拱形基片架和行星形基片架：可根据用户基片尺寸设计工件架

RAITH电子束曝光设备资料一、基本信息:品牌名称：RAITH主要设备：电子束曝光及成像系统、图形发射器。主要用途：在化合物半导体等领域加工线宽8-350纳米图形或掩膜板加工。 二、设备及应用:(一). 多功能电子束光刻设备Pioneer Two: Pioneer Two是一款高性价比的成套的电子束光刻设备，采用30kV Gemini电子束技术，应用于2英寸以下晶圆的纳米级光刻、高分辨成像及低压电子束光刻。 20keV下在HSQ胶上曝光亚8nm线条(二). 多功能电子束光刻设备eLine Plus: eLine Plus是一款集成了纳米操纵设备，如纳米探针、用于聚焦电子束诱导过程的气体注入系统等各种多功能选件的电子束光刻设备，广泛应用于学校和各大科研机构，采用30kV Gemini电子束技术，应用于4英寸以下基板的纳米级光刻、纳米工程、纳米操纵、纳米探测、纳米轮廓仪、聚焦电子束诱导和成像分析等。 HSQ胶上制作亚5nm线条(三). 专业型电子束光刻设备Raith150 Two: Raith150 Two是一款高分辨电子束光刻设备，采用30kV Gemini电子束技术，应用于8英寸以下基板（可曝光面积6英寸）的纳米级光刻、高分辨成像及低压电子束光刻，可实现亚5nm的曝光结构。 HSQ胶上制作亚4.5nm线条及PMMA胶上制作精细的11nm线条(四). 专业型电子束光刻设备Voyager: Voyager是一款高性价比采用创新的eWrite体系结构的电子束光刻设备，采用50kV eWrite 电子束技术，应用于8英寸以下基板（可曝光面积6英寸）的高速直写，适合衍射光学元件、防伪元件的加工及化合物半导体器件的高速加工。 HSQ胶上制作亚7nm线条(五). 专业型电子束光刻设备EBPG5150/5200: EBPG5150/5200是一款高自动化的电子束光刻设备，采用100kV EBPG 电子束技术，应用于8英寸以下基板（5150可曝光面积6英寸、5200可曝光面积8英寸）的高深宽比纳米结构曝光、高速电子束直写，适合防伪标识的加工及化合物半导体器件的高速加工。 制作GaAs T型器件及在化合物半导体上的应用(六). 纳米加工和纳米光刻升级配件Elphy: Elphy系列光刻升级配件可以将现有的SEM、SEM-FIB、HIM等聚焦离子束电子束系统升级为纳米光刻和纳米加工设备。

1 产品概述: 电子束光刻（E-beam Lithography，简称EBL或EBD）设备，是在电子显微镜基础上发展起来的一种用于微电路研究和制造的曝光技术。它作为半导体微电子制造及纳米科技的关键设备，主要通过高能量电子束与光刻胶的相互作用，实现高精度的曝光和图形制作。电子束光刻设备主要包括电子光学系统、图形发生器系统、真空系统以及高精度运动系统等核心组件。2 设备用途：电子束光刻设备具有广泛的应用领域，主要包括：半导体制造：用于制作光刻掩模版，是半导体芯片制造中不可或缺的一部分。特别是在EUV光刻机掩模版的制作上，目前只能依赖于电子束光刻技术。纳米科学技术研究：由于电子束光刻具有极高的分辨率，它能够制造出微米甚至亚微米级别的精细结构，因此在纳米科技领域有着广泛的应用。集成电路制造：在集成电路的制造过程中，电子束光刻技术用于制作高精度、高密度的芯片结构，提高芯片的性能和可靠性。3 设备特点电子束光刻设备具有以下显著特点：高分辨率：相比于传统光刻技术，电子束光刻技术可以实现更高的分辨率，能够制造出更精细的图案和结构。高精度：电子束光刻设备具有极高的制造精度，能够满足微纳加工领域对精度的严格要求。灵活性：电子束光刻技术可以灵活曝光任意图形，适应不同形状和尺寸的加工需求。高速度：现代电子束光刻设备已经实现了高速、连续的加工过程，大大提高了生产效率。真空环境：设备中的真空系统提供了稳定的真空环境，消除了空气对加工过程的干扰，保证了设备的稳定性和生产效率。 4 技术参数和特点：电子枪ZrO/W热场发射型加速电压50 kV 光束电流1 nA ～ 800 nA小光束直径D 2.8 nm标准写场大小1000 μm□ 小/大写场大小小 100 μm大（选项）3000 μm扫描频率大 400 MHz发射间距小 0.2 nm大试样尺寸8” 晶片 / 12” 晶片大绘图区域200 mm x 200 mm / 300 mm x 300 mm输送机构单自动加载器机器人装载机Softwareelms&bull 束流调整功能&bull 曝光文件功能 &bull 图案数据转换功能&bull 帐户管理功能&bull Python脚本

1 产品概述: 电子束光刻（E-beam Lithography，简称EBL或EBD）设备，是在电子显微镜基础上发展起来的一种用于微电路研究和制造的曝光技术。它作为半导体微电子制造及纳米科技的关键设备，主要通过高能量电子束与光刻胶的相互作用，实现高精度的曝光和图形制作。电子束光刻设备主要包括电子光学系统、图形发生器系统、真空系统以及高精度运动系统等核心组件。2 设备用途：电子束光刻设备具有广泛的应用领域，主要包括：半导体制造：用于制作光刻掩模版，是半导体芯片制造中不可或缺的一部分。特别是在EUV光刻机掩模版的制作上，目前只能依赖于电子束光刻技术。纳米科学技术研究：由于电子束光刻具有极高的分辨率，它能够制造出微米甚至亚微米级别的精细结构，因此在纳米科技领域有着广泛的应用。集成电路制造：在集成电路的制造过程中，电子束光刻技术用于制作高精度、高密度的芯片结构，提高芯片的性能和可靠性。3 设备特点电子束光刻设备具有以下显著特点：高分辨率：相比于传统光刻技术，电子束光刻技术可以实现更高的分辨率，能够制造出更精细的图案和结构。高精度：电子束光刻设备具有极高的制造精度，能够满足微纳加工领域对精度的严格要求。灵活性：电子束光刻技术可以灵活曝光任意图形，适应不同形状和尺寸的加工需求。高速度：现代电子束光刻设备已经实现了高速、连续的加工过程，大大提高了生产效率。真空环境：设备中的真空系统提供了稳定的真空环境，消除了空气对加工过程的干扰，保证了设备的稳定性和生产效率。 4 技术参数和特点： 电子枪ZrO/W 热场发射型加速电压50 kV 光束电流1 nA ～ 800 nA小光束直径D 10 nm标准写场大小5000 μm□小/大写场大小小 1000 μm□ 大 5000 μm□扫描频率大 400 MHz发射间距小 1.0nm大试样尺寸8” 晶片 / 12” 晶片大绘图区域200 mm x 200 mm / 300 mm x 300 mm输送机构单自动加载器多自动加载器机器人装载机Softwareelms&bull 射束调整功能&bull 曝光文件功能&bull 图案数据转换功能&bull 帐户管理功能&bull Python脚本

1 产品概述: 电子束光刻（E-beam Lithography，简称EBL或EBD）设备，是在电子显微镜基础上发展起来的一种用于微电路研究和制造的曝光技术。它作为半导体微电子制造及纳米科技的关键设备，主要通过高能量电子束与光刻胶的相互作用，实现高精度的曝光和图形制作。电子束光刻设备主要包括电子光学系统、图形发生器系统、真空系统以及高精度运动系统等核心组件。2 设备用途：电子束光刻设备具有广泛的应用域，主要包括：半导体制造：用于制作光刻掩模版，是半导体芯片制造中不可或缺的一部分。特别是在EUV光刻机掩模版的制作上，目只能依赖于电子束光刻技术。纳米科学技术研究：由于电子束光刻具有高的分辨率，它能够制造出微米甚至亚微米别的精细结构，因此在纳米科技域有着广泛的应用。集成电路制造：在集成电路的制造过程中，电子束光刻技术用于制作高精度、高密度的芯片结构，提高芯片的性能和可靠性。3 设备特点电子束光刻设备具有以下显著特点：高分辨率：相比于传统光刻技术，电子束光刻技术可以实现更高的分辨率，能够制造出更精细的图案和结构。高精度：电子束光刻设备具有高的制造精度，能够满足微纳加工域对精度的严格要求。灵活性：电子束光刻技术可以灵活曝光任意图形，适应不同形状和尺寸的加工需求。高速度：现代电子束光刻设备已经实现了高速、连续的加工过程，大大提高了生产效率。真空环境：设备中的真空系统提供了稳定的真空环境，消除了空气对加工过程的干扰，保证了设备的稳定性和生产效率。4 技术参数和特点： 电子枪ZrO/W 热场发射型加速电压50 kV光束电流1 nA ～ 800 nA小光束直径D 2.8 nm标准写场大小1000 μm小/大写场大小小 100 μm 大（选项）3000 μm扫描频率大 100 MHz发射间距小 0.2 nm大试样尺寸8” 晶片 / 12” 晶片大绘图区域200 mm x 200 mm / 300 mm x 300 mm搬送机构单自动加载器多自动加载器机器人装载机Softwareelms束流调整功能曝光文件功能图案数据转换功能帐户管理功能Python脚本

Nano analytik公司成立于2010年4月，技术源自德国伊尔梅瑙科技大学，公司的核心竞争力在于传感器、微系统和控制技术，公司宗旨是让纳米分析技术简单化，在保证科研严谨性的同时提高科研效率。Nano analytik研发了一款基于新型扫描探针的高性能光刻系统。可在大气环境下，高经济效益、快速直写10纳米以下结构和制备纳米级器件。该系统的闭环回路可实现使用同一扫描探针对纳米结构的成像、定位、检测和操纵。扫描针尖电子束光刻机（SPL）技术特点：场发射低能电子束大幅降低电子束背底散射几乎消除电子束临近效应无需调制电子束聚光10 nm 以下光刻精度接近原子级分辨的套刻精度线写速度高达 300 μm/s大气环境下可实现正负光刻正光刻流程无需显影步骤大范围分步重复工艺Mix & Match 混合光刻模式闭环系统：光刻成像同一针尖反复交替进行多针尖并联阵列提高效率产品规格光刻模式正光刻、负光刻工作环境大气、真空最小线宽5 nm （验收指标）直写速度300 μm/s套刻精度 7 nm拼接精度 10 nm最大光刻区域200 μm x 200 μm最大样品尺寸直径：150 mm （6 英寸）占用空间80 cm x 100 cm x 190 cm探针扫描头配置工作模式顶部XYZ扫描头扫描范围（XYZ） 10 μm × 10 μm × 5 μm 可扩展至 200 μm × 200 μm定位精度（XYZ）0.01 nm；0.01 nm；0.01 nm传感器压阻闭环传感输入/输出频道3样品台配置工作模式底部XY定位器运动范围（XY）18 mm × 18 mm 可扩展 150 mm × 150 mm最大运动速度20 mm/s运动精度7 nm运动重复性80 nm （每运动100 μm）AFM功能参数样品/探针接近自动（无需激光对准）探针调谐自动悬臂梁激发模式双材料热机械激发检测原理压阻读数扫描模式接触式，非接触式探针移动范围20 mm × 20 mm × 10 mm精度 10 nm重复性± 25 nmAFM成像范围10 μm × 10 μm × 5 μm 可扩展至 200 μm × 200 μm本底噪声0.01 nm rms 垂直方向横向精度99.7% 闭环扫描扫描速度0.01 线/秒 至 10 线/秒实时图像显示二维、三维形貌,相位,频移,振幅电子配置分辨率 振幅/相位16-bit反馈控制平台实时FPGA带宽8 MHz计算机接口USB, 以太网可选传感器调节0-4 V可编程电桥软件实时修正线, 面, 多项式轮廓线测量YES粗糙度测量YES对比度/亮度/色彩调节YES3D 图像YES线平均YES图像输出bmp, png, jpg格式原始数据输出txt格式图像后续处理软件Gwyddion, WSxM

Nano analytik公司成立于2010年4月，技术源自德国伊尔梅瑙科技大学，公司的核心竞争力在于传感器、微系统和控制技术，公司宗旨是让纳米分析技术简单化，在保证科研严谨性的同时提高科研效率。Nano analytik研发了一款基于新型扫描探针的高性能光刻系统。可在大气环境下，高经济效益、快速直写10纳米以下结构和制备纳米级器件。该系统的闭环回路可实现使用同一扫描探针对纳米结构的成像、定位、检测和操纵。扫描针尖电子束光刻机（SPL）技术特点：场发射低能电子束大幅降低电子束背底散射几乎消除电子束临近效应无需调制电子束聚光10 nm 以下光刻精度接近原子级分辨的套刻精度线写速度高达 300 μm/s大气环境下可实现正负光刻正光刻流程无需显影步骤大范围分步重复工艺Mix & Match 混合光刻模式闭环系统：光刻成像同一针尖反复交替进行多针尖并联阵列提高效率产品规格光刻模式正光刻、负光刻工作环境大气、真空最小线宽5 nm （验收指标）直写速度300 μm/s套刻精度 7 nm拼接精度 10 nm最大光刻区域200 μm x 200 μm最大样品尺寸直径：150 mm （6 英寸）占用空间80 cm x 100 cm x 190 cm探针扫描头配置工作模式顶部XYZ扫描头扫描范围（XYZ） 10 μm × 10 μm × 5 μm 可扩展至 200 μm × 200 μm定位精度（XYZ）0.01 nm；0.01 nm；0.01 nm传感器压阻闭环传感输入/输出频道3样品台配置工作模式底部XY定位器运动范围（XY）18 mm × 18 mm 可扩展 150 mm × 150 mm最大运动速度20 mm/s运动精度7 nm运动重复性80 nm （每运动100 μm）AFM功能参数样品/探针接近自动（无需激光对准）探针调谐自动悬臂梁激发模式双材料热机械激发检测原理压阻读数扫描模式接触式，非接触式探针移动范围20 mm × 20 mm × 10 mm精度 10 nm重复性± 25 nmAFM成像范围10 μm × 10 μm × 5 μm 可扩展至 200 μm × 200 μm本底噪声0.01 nm rms 垂直方向横向精度99.7% 闭环扫描扫描速度0.01 线/秒 至 10 线/秒实时图像显示二维、三维形貌,相位,频移,振幅电子配置分辨率 振幅/相位16-bit反馈控制平台实时FPGA带宽8 MHz计算机接口USB, 以太网可选传感器调节0-4 V可编程电桥软件实时修正线, 面, 多项式轮廓线测量YES粗糙度测量YES对比度/亮度/色彩调节YES3D 图像YES线平均YES图像输出bmp, png, jpg格式原始数据输出txt格式图像后续处理软件Gwyddion, WSxM

电子束光刻机（多功能超高精度电子束光刻机P21）依托垄断性专利技术，百及纳米推出国际领先的超高精度大面积写场电子束光刻机 P21 系列。 百及纳米首次开发了新一代电子束光刻机的电子束闭环控制新原理。百及超高精度电子束光刻机 P21 是第一款新一代电子束光刻机的代表，在著名电子束光刻机制造商德国 Raith 公司的成熟机型上 升级而成。该系列主要包括 P21-2，P21-4 和 P21-6 三个型号，区别主要在于样品尺寸（2，4，6 英寸晶圆）及扩展使用功能。P21 不仅完整地保留了原电子束光刻机的整体功能，且集多项国际领先的关 键指标于一身，包括： &bull 国际上首次开发的新颖电子束闭环控制系统，能够实现电子束的原位检测与校正 &bull 国际领先的写场拼接精度≤2 nm &bull 电子束光刻的长期稳定性。精确校正电子束的空间漂移，将其位置稳定性提高到≤10 nm/h； 有利于通过提高电子束光刻时间实现大尺寸图形的曝光需求。 百及纳米的 P21 系列以常规电子束光刻机为载体，通过独家专利技术对其进行功能及性能指标的大幅提升。P21 光刻机组件均为德国原装制造，以高品质、高性能满足客户的科研高端需求，实现新 一代超高精度电子束光刻功能。

德Zeiss电子束直写仪SEM 型号：Zeiss Sigma SEM 主要功能：利用曝光抗蚀剂，采用电子束直接曝光，可在各种衬底材料表面直写各种图形，图形结构（最小线宽为10mm），是研究材料在低维度、小尺寸下量子行为的重要工具。广泛应用于纳米器件，光子晶体，低维半导体等前沿领域。技术指标：肖特基热场发射电子源加速电压：100V～30kV放大倍率：12X～1000,000XSEM分辨率：1nm@30kV,1.5nm (15kV),2.8nm（1kV）电子束曝光：10nm（20kV）场拼接精度：100nm扫描频率：6MHz图形格式：GDSII

产品详情德Zeiss Sigma SEM 电子束直写仪型号：Zeiss Sigma SEM 主要功能：利用曝光抗蚀剂，采用电子束直接曝光，可在各种衬底材料表面直写各种图形，图形结构（最小线宽为10mm），是研究材料在低维度、小尺寸下量子行为的重要工具。广泛应用于纳米器件，光子晶体，低维半导体等前沿领域。 技术指标：肖特基热场发射电子源加速电压：100V～30kV放大倍率：12X～1000,000XSEM分辨率：1nm@30kV,1.5nm (15kV),2.8nm（1kV）电子束曝光：10nm（20kV）场拼接精度：100nm扫描频率：6MHz图形格式：GDSII

电子束束闸用于开关扫描电镜电子束（打开和关闭电子束），这种功能主要需要用于电子束光刻，有时EDX、CL或EBIC也需要使用。许多SEM都有一个内置的电子束开关，通过用扫描线圈使电子束关闭。虽然这种方法适用于某些应用，但它通常在数毫秒内完成开关，如果需要更快的关闭速度，应该安装一个单独的电场型束闸。DEBEN PCD型电子束闸适配与场发射扫描、钨灯丝扫描和六硼化镧扫描电镜，为其提供高速关闭电镜束，脉冲开关电子束以及其他形式的电子束控制。n 电子束光刻n 阴极荧光n EBIC/电压对比n EDXn 电子声学显微镜 n 集成法拉第杯n 50nS开关频率n 电动插入n 5V TTL输入n RS-232遥控 n 1MHz最大频率n 可用于JEOL和Hitachi SEMs束闸安装与电镜镜筒PCD端口（物镜光栏对面）30kV电压下具有50ns的开关速度。集成一个法拉第杯在束闸前端，具备测量电子束束流强度的能力。如果您需要一个更加精确的电流数据，束闸的尾部具有一个BNC接口，允许外接皮安表读取。束闸极板由钴金涂层的磷青铜制成，以确保在插入板时不影响扫描电镜的正常运行。极板可以伸到电子束光路中使用，在不使用时缩回。极板的长度和间距是一个开关效率最佳的设计，可适用的电镜电压范围1kV~30kV。

电子束光刻系统EBL (E-Beam Lithography)电子束直写系统 、 电子束曝光系统纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技术制作的方法之一。 技术参数：1.最小线宽：小于10nm（8nm available) 2.加速电压：5-50kV 3.电子束直径：小于2nm 4.套刻精度：20nm(mean+2σ) 5.拼接精度：20nm(mean+2σ) 6.加工晶圆尺寸：4-8英寸(standard)，12英寸(option) 7.描电镜分辨率：小于2nm主要特点：1.采用高亮度和高稳定性的TFE电子枪 2.出色的电子束偏转控制技术 3.采用场尺寸调制技术，电子束定位分辨率（address size)可达0.0012nm 4.采用轴对称图形书写技术，图形偏角分辨率可达0.01mrad 5.应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs 兼容工艺，研究用掩膜制造，纳 米加工（例如单电子器件、量子器件制作等），高频电子器件中的混合光刻（Mix & Match），图形线宽和图形位移测量等。

日本Elionix 微细加式电子束曝光电子束直写机ELS-F125/F100/HS50 ELS-F125是Elionix推出的世界上首台加速电压达125KV的电子束曝光系统，其可加工线宽下限为5nm的精细图形。(以下参数基于ELS-F125) ELS-F125具有以下优点： l 。超高书写精度- 5 nm 线宽精度 @125 kV- 1.7 nm 电子束直径&邻近效应小化 @125 kV 2. 大通量、均匀性好- 宽视野书写:500um视场下10 nm线宽- 高束流下电子束直径依然很小，大通量而不影响分辨率，2 nm电子束直径@1 nA 3. 界面用户友好基于Windows系统的CAD和SEM界面:-简单易用的图案设计功能-易于控制的电子束条件 二、主要功能 2.1 主要应用纳米器件的微结构集成光学器件，如光栅，光子晶体等NEMS结构，复杂精细结构光刻掩模板，压印模板 2.2 技术能力 三、应用

百及纳米ParcanNano 探针电子束光刻机P-SPL21 简介： 公司以全球首家专利的针尖技术为核心竞争力，技术源自于德国伊尔默瑙工业大学，致力于主动式针尖技术在微纳米结构制备和表征方面的研发，及其相关设备的产业化。 公司研制一套基于扫描针尖低能电子场发射的原理、采用压阻式微纳米针尖和多维纳米定位与测量技术、在半导体器件材料表面制造尺寸小于5纳米线宽结构的高性能微纳加工系统。可在大气环境下，高经济效益、快速直写5纳米以下结构和制备纳米级器件。该系统的闭环回路可实现使用同一扫描探针对纳米结构的成像、定位、检测和操纵。 技术特点：。场发射低能电子束。大幅降低电子束背底散射。几乎消除电子束临近效应。光刻5纳米以下单线宽结构。光刻结构间距小于2纳米。接近原子级分辨的套刻精度。线写速度高达 300 μm/s。大气环境下可实现正负光刻。正光刻流程无需显影步骤。无需调制电子束聚光。大范围分步重复工艺。Mix & Match 混合光刻模式。针尖曝光与结构成像实时进行。真空原位观测光刻图案 功能指标

产品详情德国Parcan（Nano analytik)扫描针尖电子束光刻机SPL 简介： 公司以全球独家专利的针尖技术为核心竞争力，技术源自于德国伊尔默瑙工业大学，致力于主动式针尖技术在微纳米结构制备和表征方面的研发，及其相关设备的产业化。 公司研制一套基于扫描针尖低能电子场发射的原理、采用压阻式微纳米针尖和多维纳米定位与测量技术、在半导体器件材料表面制造尺寸小于5纳米线宽结构的高性能微纳加工系统。公司致力于为微纳米制造企业提供制备微纳米功能结构和功能器件（比如最高速且最省电的基于单电子器件的芯片）的高性能设备和技术服务。 技术特点：。场发射低能电子束。大幅降低电子束背底散射。几乎消除电子束临近效应。光刻5纳米以下单线宽结构。光刻结构间距小于2纳米。接近原子级分辨的套刻精度。线写速度高达 300 μm/s。大气环境下可实现正负光刻。正光刻流程无需显影步骤。无需调制电子束聚光。大范围分步重复工艺。Mix & Match 混合光刻模式。针尖曝光与结构成像实时进行。真空原位观测光刻图案

品牌：Elionix型号：ELS-F125/F100/HS50电子束曝光，电子束直写，电子束光刻用途：利用电子束在抗蚀剂上书写纳米级图案，通过ELB设备曝光和显影，可用于加工sub-10nm的精细结构。一、简介ELS-F125是Elionix推出的世界上最早的加速电压高达125KV的电子束曝光系统之一，其可加工线宽下限为5nm的精细图形。(以下参数基于ELS-F125)ELS-F125具有以下优点：l 超高书写精度- 5 nm 线宽精度 @ 125 kV- 1.7 nm 电子束直径&邻近效应最小化 @ 125 kVl 高通量、均匀性好- 超大视野书写:500um视场下10 nm线宽- 高束流下电子束直径依然很小，高通量而不影响分辨率，2 nm 电子束直径@ 1 nAl 界面用户友好基于Windows系统的CAD和SEM界面:-简单易用的图案设计功能-易于控制的电子束条件二、主要功能l 主要应用纳米器件的微结构集成光学器件，如光栅，光子晶体等NEMS结构，复杂精细结构光刻掩模板，压印模板l 技术能力型号ELS-F125ELS-F100ELS-HS50电子枪ZrO/W 热场发射枪ZrO/W 热场发射枪ZrO/W 热场发射枪加速电压125 kV, 75 kV, 25 kV100 kV, 50 kV, 25 kV50 kV, 20 kV最小束流直径Φ 1.7 nm (@ 125 kV)Φ 1.8 nm (@ 100 kV)Φ 2.8nm (@ 50 kV,1 nA)最小线宽5 nm or less (@125 kV)6 nm or less (@100 kV)20 nm (@ 50 kV, 2 nA)电子束束流5 pA to 100 nA20 pA to 100 nA1 nA to 1 μA视场范围Max. 3,000 μm ｘ 3,000 μmMax. 3,000 μm ｘ 3,000 μmMax. 3,000 μm ｘ 3,000 μmMin. 100 μm ｘ 100 μmMin. 100 μm ｘ 100 μmMin. 100 μm ｘ 100 μm束流定位Max. 1,000,000 ｘ 1,000,000 (20bit DAC)Max. 1,000,000 ｘ 1,000,000 (20bit DAC)Max. 1,000,000 ｘ 1,000,000 (20bit DAC)束流定位分辨率Min. 0.1 nmMin. 0.1 nmMin. 0.1 nm大样品尺寸8" wafer or 7" square mask8" wafer or 7" square mask8" wafer or 7" square mask三、应用

请联系：张先生一、设备简介纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用，而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是的方法之一。电子束光刻系统（EBL）又称电子束直写（EBD）或电子束曝光系统。 日本CRESTEC是世界上制造电子束光刻设备的厂商之一，其制造的电子束光刻机具有电子束稳定，电子束定位精度高以及拼接套刻精度高等特点，赢得了科研机构以及半导体公司的青睐。二、设备特点CRESTEC CABL系列采用恒温控制系统，使得整个主系统的温度保持恒定，再加上主系统内部传感装置，使得电子束电流稳定性，电子束定位稳定性，电子束电流分布均一性都得到了极大的提高，其性能指标远远高于其它厂家的同类产品，在长达 5 小时的时间内，电子束电流和电子束定位非常稳定，电子束电流分布也非常均一。三、设备参数型号CABL-UH（130kV）系列CABL-AP（50kV）系列电子发射枪／加速电压范围TFE（ZrO／W）／25～130kVTFE（ZrO／W）／5～50kV加速电压130 kV，110 kV，90 kV50kV，30kV电子束直径1.6nm2.0nm (研发) /3.0nm (量产) 最小线宽＜10nm＜10/20nm扫描方式矢量扫描(x, y)(标准)矢量扫描(r，θ)，光栅扫描，点扫描(可选)矢量扫描(x, y)(标准)矢量扫描(r，θ)，光栅扫描，点扫描(可选)高级光刻功能场尺寸调制光刻，轴对称图案光刻场尺寸调制光刻，轴对称图案光刻写场的尺寸30μm² ，60μm² ，120μm² ，300μm² ，600μm² , 1000μm² 30μm² - 1000μm² （50kV) (研发) 30μm² - 1500μm² （50kV) (量产)加工晶圆尺寸4/6/8寸，其他尺寸和形状的工件都可以用我们的柔性装置进行安装4/6/8寸CAD软件专用的CAD(标准)，GDSⅡ转换(可选),DXF转换(可选)专用的CAD(标准)，GDSⅡ转换(可选),DXF转换(可选)操作系统WindowsWindows

Electron Beam Lithography System(EBL)电子束光刻系统 由于 EBL 刻写精度很高，因此写满整个 Wafer 需要比较长的时间，因此电子束电流，电子束定位， 电子束电流分布均一性在长时间内的稳定性就显得尤为重要，这对大范围内的图形制备非常关键。 采用其独有的技术使其具有极高的电子束稳定性以及电子束定位精度，在大范围内可以实现图形的高精度拼接和套刻。 Stitching accuracy50nm (500μm sq., μ+ 3σ) 20nm (50μm sq., μ+ 2σ) Overlay accuracy50nm (500μm sq., μ+ 3σ) 20nm (50μm sq., μ+ 2σ)Stitching accuracy for slant L&S ＜10nm该图是在 2 英寸 wafer 上，采用 50 um 的图案进行拼接，写满整个片子，其拼接精度低于 10 nm.（实验室数据）。 主要特点：1.采用高亮度和高稳定性的 TFE 电子枪2.出色的电子束偏转控制技术 3.采用场尺寸调制技术，电子束定位分辨率（address size)可达 0.0012nm4.采用轴对称图形书写技术，图形偏角分辨率可达 0.01mrad5.应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs 兼容工艺，研究用掩膜制造，纳米加工（例如单电子器件、量子器件制作等），高频电子器件中的混合光刻（Mix & Match），图形线宽和图形位移测量等。 电子束光刻 最小线宽可达 8nm，最小束斑直径 2nm，套刻精度20nm(mean+2σ)，拼接精度 20nm(mean+2σ)。 技术参数： 1.最小线宽：小于 10nm（8nm available) 2.加速电压：5-50kV3. 电 子 束 直 径 ： 小 于 2nm 4.套刻精度：20nm(mean+2σ) 5.拼接精度：20nm(mean+2σ) 6.加工晶圆尺寸：4-8 英寸(standard)，12 英寸(option)7.描电镜分辨率：小于 2nm 超高分辨率的电子束光刻 技术参数：加速电压：最高 130keV单段加速能力达到 130keV，尽量减少电子枪的长度超短电子枪长度，无微放电电子束直径＜1.6nm 最小线宽＜7nm双热控制，实现超稳定直写能力 光束直径：1.6nm①最小线宽：7 nm（在130kV时）加速电压：130 kV，110 kV或90 kV载物台尺寸：8英寸晶圆（可以使用少于8英寸晶圆的任何其他晶圆）我的特色?Vacc：最大130kV（25-130kV，5kV步进）?单级加速能力高达130kV，以最小化EOC尺寸?无放电电子枪?光束直径： 1.6nm?细线能力：7nm?发射极和阳极之间的静电透镜设计为在消隐电极的中心实现非常低的像差和近距离交叉图像?使用双热控制器实现超稳定的写入能力I规格电子发射器/加速电压TFE（ZrO / W）Z25?130kV最小光束直径/最小线宽1.6nm / 7.0nm扫描方式矢量扫描（x，y）（标准）矢量扫描（r，6），光栅扫描，点扫描（可选）高级光刻功能（可选）场尺寸调制光刻，轴向对称图案光刻字段大小30 pmZ、60pmZ、120prr）Z，SOOpmZ，600pm3（标准）1200pmZi，2400pmZi（可选）20,000 x20,000点，60,000 x 60，OO点，96,000 x 96，OO点，像素数240,000x 240，OO点© 矢量扫描（标准）10,000xl0,000dot @ R3Ster扫描（可选）最小地址大小10nm @ 600pmZfield，2nm @ 120pmZfield（标准）0.0012nm@600pmZfield（可选）尺寸为4、6、8英寸的工件（其他尺寸和其他形状的工件可以通过我们的灵活装置安装）■拼接业纭苏• 50nm（3u）@ 600pmZ，20nm（2a）@ 60pmZ重叠精度50nm（3o）@ 600pmZCAD软件专用CAD（标准），GDS n转换（可选），DXF转换（可选）操作系统Windows

品牌：Elionix型号：ELS-F125/F100/HS50关键词标签：电子束曝光，电子束直写简短描述：（40字）：利用电子束在抗蚀剂上书写纳米级图案，通过ELB设备曝光和显影，可用于加工sub-10nm的精细结构。一、简介ELS-F125是Elionix推出的世界上最早的加速电压高达125KV的电子束曝光系统之一，其可加工线宽下限为5nm的精细图形。(以下参数基于ELS-F125)ELS-F125具有以下优点：l 超高书写精度- 5 nm 线宽精度 @ 125 kV- 1.7 nm 电子束直径&邻近效应最小化 @ 125 kVl 高通量、均匀性好- 超大视野书写:500um视场下10 nm线宽- 高束流下电子束直径依然很小，高通量而不影响分辨率，2 nm 电子束直径@ 1 nAl 界面用户友好基于Windows系统的CAD和SEM界面:-简单易用的图案设计功能-易于控制的电子束条件二、主要功能l 主要应用纳米器件的微结构集成光学器件，如光栅，光子晶体等NEMS结构，复杂精细结构光刻掩模板，压印模板l 技术能力型号ELS-F125ELS-F100ELS-HS50电子枪ZrO/W 热场发射枪ZrO/W 热场发射枪ZrO/W 热场发射枪加速电压125 kV, 75 kV, 25 kV100 kV, 50 kV, 25 kV50 kV, 20 kV最小束流直径Φ 1.7 nm (@ 125 kV)Φ 1.8 nm (@ 100 kV)Φ 2.8nm (@ 50 kV,1 nA)最小线宽5 nm or less (@125 kV)6 nm or less (@100 kV)20 nm (@ 50 kV, 2 nA)电子束束流5 pA to 100 nA20 pA to 100 nA1 nA to 1 μA视场范围Max. 3,000 μm ｘ 3,000 μmMax. 3,000 μm ｘ 3,000 μmMax. 3,000 μm ｘ 3,000 μmMin. 100 μm ｘ 100 μmMin. 100 μm ｘ 100 μmMin. 100 μm ｘ 100 μm束流定位Max. 1,000,000 ｘ 1,000,000 (20bit DAC)Max. 1,000,000 ｘ 1,000,000 (20bit DAC)Max. 1,000,000 ｘ 1,000,000 (20bit DAC)束流定位分辨率Min. 0.1 nmMin. 0.1 nmMin. 0.1 nm大样品尺寸8" wafer or 7" square mask8" wafer or 7" square mask8" wafer or 7" square mask三、应用

电子束光刻系统 产品特点1.采用高亮度和高稳定性的TFE电子枪 2.出色的电子束偏转控制技术 3.采用场尺寸调制技术，电子束定位分辨率（address size)可达0.0012nm 4.采用轴对称图形书写技术，图形偏角分辨率可达0.01mrad 5.应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs 产品参数产品参数1.最小线宽：小于10nm（8nm available) 2.加速电压：1-50kV 3.电子束直径：小于2nm 4.套刻精度：20nm(mean+2σ) 5.拼接精度：20nm(mean+2σ) 6.加工晶圆尺寸：4-8英寸(standard)，12英寸(option) 7.描电镜分辨率：小于2nm 产品介绍产品介绍纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技 术制作中是zui好的方法之一。为21世纪先进纳米科技提供尖端 的电子束纳米光刻（EBL）系统，或称电子束直写（EBD）、电子束爆光系统。 系列zui小线宽可达8nm，zui小束斑直径2nm，套刻 精度 20nm(mean+2σ)，拼接精度 20nm(mean+2σ)。

产品详情 德国Allresist 正电子束光刻胶 AR-P 610系列用于纳米光刻的 AR - P617电子束电阻共聚物抗蚀剂系列用于生产集成电路和掩模 描述-电子束，深紫外光(248nm)-高分辨率，高对比度-对玻璃、硅和金属有很强的附着力-比PMMA敏感3-4倍-敏感性可以通过软烤调整-用于平面化和多层工艺-温度稳定，可达240℃-以甲基丙烯酸甲酯为基础的共聚物甲基丙烯酸，安全溶剂1-甲氧基-2-丙醇 属性 I 属性 II工艺条件该图显示了AR-P 610系列电阻的典型工艺步骤。所有规范都是指导原则必须适应自身具体情况的价值观。For 进一步 信息 processing, ? “Detailed 电子束电阻的处理说明"。For 建议 废水 处理 和 general 安全 instructions, ? ”General 产品 信息 Allresist 电子束 resists”. Processing instructions 抗蚀剂的敏感性随软烤温度的升高而增加，这是因为抗蚀剂的形成更加强烈下的甲基丙烯酸酐的分离 水 ( 图剂量 与 softbake temperature).AR-P 617,因此，在200℃回火比在180℃回火大约敏感20%。剂量可以是对两层AR-P 617系统进行相应的调整，对于两层系统具有重要意义。在这种情况下,首先，底层在200℃下干燥，然后在180℃与上层膜一起回火。由于差异化的过程，较低的层次被开发人员更快地攻击，并明显削弱结构形成(起飞)。这些起飞结构也可以由双层系统PMMA/共聚物。首先在190℃下对ar - p617进行涂层回火处理，然后对其进行PMMA抗AR-P 679.03纺丝涂膜，150℃烘干。曝光后，两层都是一步显影，如AR 600-56处理瓶塞AR 600-60并冲洗。 剥离结构为ar - p617两层侧切结构， 采用PMMA/共聚物经过AR 600-50的开发 开发后的PMMA/共聚物双层体系底部:AR-P 617.06, 400纳米厚，200℃回火 底部:AR-P 617.06, 400纳米厚，在190℃回火 顶部:AR-P 617.06, 500纳米厚，180℃回火 顶部:AR-P 679.06, 180纳米厚，150℃回火 由甲基丙烯酸甲酯和甲基丙烯酸组成的共聚物与纯PMMA产品相比，在热载荷作用下能形成6环。在这种情况下，两个甲基丙烯酸基团必须相邻排列在聚合物链上(见大的结构式左)，这在统计学上发生足够高混合比例为2:1时的频率(见右上方分子式)。在这个温度下反应是可能的，因为在反应过程中产生的水是非常好的离开组织。 The 6-ring形成分裂比脂肪链更容易在与电子辐照 remainder 导致 copolymer. 的灵敏度越高一旦调整，灵敏度将保持不变。逆开环反应是不可能的。 由于其优异的涂层性能，使其成为可能存在的水平出拓扑 wafer 发展之前在这个例子中，200纳米高氧化层结构采用AR-P 617.08涂层的薄膜厚度为780纳米。曝光后(20kv)和开发(AR 600- 50,2分钟)，晶圆片结构被完全平面的抗蚀剂线覆盖。

高真空电子束蒸发镀膜机（电子束蒸镀机是在高真空条件下，采用电子束轰击材料加热蒸发的方法，在衬底上镀制各种金属、氧化物、导电薄膜、光学薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、超硬膜等；可镀制混合物单层膜、多层膜或掺杂膜；可镀各种高熔点材料。可用于生产、科学实验及教学，可根据用户要求专门订制。可根据用户使用要求，选配石英晶体膜厚自动控制及光学膜厚自动控制两种方式, 通过PLC 和工控机联合实现对整个镀膜过程的全程自动控制, 包括真空系统、烘烤系统、蒸发过程和膜层厚度的监控功能等，从而提高了工作效率和保证产品质量的一致性和稳定性。设备特点设备具有真空度高、抽速快、基片装卸方便的特点，配备 E 型电子束蒸发源和电阻蒸发源。PID自动控温，具有成膜均匀、放气量小和温度均匀的优点。可根据用户使用要求，选配石英晶体膜厚自动控制及光学膜厚自动控制两种方式,通过PLC和工控机联合实现对整个镀膜过程的全程自动控制,包括真空系统、烘烤系统、蒸发过程和膜层厚度的监控功能等，从而提高了工作效率和保证产品质量的一致性和稳定性。真空性能极限真空：7×10-5Pa～7×10-6Pa设备总体漏放率：关机12小时，≤10Pa恢复工作真空时间短，大气至7×10-4Pa≤30分钟；设备构成E 型电子束蒸发枪、电阻热蒸发源组件（可选配）、样品掩膜挡板系统、真空获得系统及真空测量系统、分子泵真空机组或低温泵真空机组、旋转基片加热台、工作气路、样品传递机构，膜厚控制系统、电控系统、恒温冷却水系统等组成。可选件：膜厚监控仪，恒温制冷水箱。热蒸发源种类及配置 E 型电子束蒸发系统 1套 功率 6kW～10kW 其它功率(可根据用户要求选配） 坩埚 1～8只 （可根据用户要求选配） 电阻热蒸发源组件 1～4套 （可根据用户要求配装）电阻热蒸发源种类-钽（钨或钼）金属舟热蒸发源组件-石英舟热蒸发源组件-钨极或钨蓝热蒸发源组件-钽炉热蒸发源组件（配氮化硼坩埚或陶瓷坩埚）-束源炉热蒸发组件（配石英坩埚或氮化硼坩埚）操作方式手动、半自动关于鹏城半导体鹏城半导体技术（深圳）有限公司（简称：鹏城半导体），由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司已投放市场的部分半导体设备|物理气相沉积（PVD）系列磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机，离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机|化学气相沉积（CVD）系列MOCVD、PECVD、LPCVD、热丝CVD、ICPECVD、等离子刻蚀机、等离子清洗机|超高真空系列分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE）|OLED中试设备（G1、G2.5）|其它金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉|太阳能薄膜电池设备（PECVD+磁控溅射）团簇式太阳能薄膜电池中试线团队部分业绩分布完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用，至今仍在正常使用。设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。设计制造了MOCVD及合金退火炉，用于GaN和ZnO的外延生长，实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累2001年 与南昌大学合作设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。2006年 与中国科技大学合作设计超高温CVD 和MBE。用于4H晶型SiC外延生长。2007年 与兰州大学物理学院合作设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室合作设计制造了金刚石薄膜制备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。2017年-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。2021年 MBE生产型设计。2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备（≥Φ6英寸）。2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。

1.产品概述：高真空电子束蒸发薄膜沉积系统主要由蒸发室、主抽过渡管路、旋转基片架、光加热系统、电子枪及电源、石英晶体振荡膜厚监控仪、工作气路、抽气系统、控制系统、安装机台等部分组成，体现立方整体外观，适用于超净间间壁隔离安装，操作面板一端处在相对要求较高超净环境，其余部分（含低温泵抽系统）处在相对要求较低超净环境。2.设备用途：高真空电子束蒸发薄膜沉积系统配有一套电子枪及电源，可满足在Al，Ni，Ag，Pt，Pd，Mo,Cr和Ti等多种金属和介质膜基片上均匀沉积多层膜的需要。该系统的主要功能是利用电子束蒸发技术在基片上沉积各种薄膜材料。3.产品优势：限真空度高：能够达到≤6.×10^-5 Pa，这有助于减少薄膜制备过程中的杂质和气体干扰，提高薄膜质量。电子枪功率可调范围大：电子枪功率 0—10kW 可调，可以满足不同材料蒸发和薄膜沉积的需求，适应多种工艺条件。配备水冷式坩埚：4 穴坩埚，每个容量不少于一定数值（具体容量可能因型号而有所不同），可容纳多种材料同时蒸发。样品台性能优良：可容纳较大尺寸的样品，并且能够加热至较高温度（具体温度可能因型号而有所不同），转速可在一定范围内调节，满足不同实验需求。具备精确的膜厚监测仪：彩色 LCD 显示屏，提供英文或中文版本，设有“quick setup”（快速设定）菜单、多个区分上下文按钮以及简便的参数设定旋钮，易于设定和操作，且测量速率和分辨率较高，存储容量大，能够使用单传感器或多传感器监控源材料，提供精确的源分布监控，有利于实现对薄膜沉积过程的精确控制和质量监测。包含金属蒸发源组件：可提供多套蒸发电源，大输出功率满足一定要求（如 1.8kW，电压 6V，电流×A），有助于提高薄膜沉积的效率和稳定性。拥有较高的分子泵抽速：≥×l/s，能够快速有效地抽取真空室内的气体，维持高真空环境。其他方面：可能还具有良好的设备稳定性、可靠性，以及完善的售后及质保服务等。4.产品参数：真空室结构:U形开门真空室尺寸:900×900×1100mm限真空度:≤6.0E-5Pa沉积源:6个40cc坩埚样品尺寸，温度:φ4英寸，26片，高300℃占地面积（长x宽x高）:约3.5米x3.9米x2.1米电控描述:全自动工艺:片内膜厚均匀性：≤±3%特色参数 :样品尺寸及数量可定制，工件架有拱形基片架和行星形基片架：可根据用户基片尺寸设计工件架

1.产品概述：eLINE Plus -专为多种原位纳米加工技术的最宽带宽应用而设计，超越了经典的电子束光刻(EBL)。2.产品优势：世界上专业EBL系统中最小的波束尺寸（ 1.6 nm）EBL抗蚀剂的线宽小于5nm使用电子束诱导沉积（EBID）技术演示了亚7纳米线新的eLINE Plus被设计为最通用的多重技术纳米光刻系统，用于所有科学学科的广泛应用ELINEPlus公司的先进光刻基础设施使超高分辨率和大面积纳米制造成为可能，并统一了电子束光刻、纳米工程和超高分辨率成像的世界。专业和无损的EBL：保证优越的系统规格和世界上最小的光束尺寸与全球应用支持基础设施相结合，使eLINE Plus成为努力有效地建立纳米制造新前沿的学术机构的理想解决方案。3. 产品参数：最小线宽≤8nm 光栅周期≤40nm50KV加速电压下，写场可在0.5μm~500μm的范围内连续可调肖特基热场发射电子束源，最高加速电压≥50kv，束电流范围至少为50pA~40nA，最大束电流≥40nA图像发生器扫描频率≥50MHz，20bit分辨率，最小步距为0.5nm通用样品架可承载散片，4inch以下的衬底，4inch专用晶圆专用样品架，6inch专用晶圆专用样品架，多样品专用样品架拼接精度：100μm写场下，拼接精度≤20nm【mean】+3sigma500μm写场下，拼接精度≤30nm【mean】+3sigma套刻精度：100μm写场下，拼接精度≤20nm【mean】+3sigma500μm写场下，拼接精度≤25nm【mean】+3sigma束电流稳定性＜0.2%/h 束位置稳定性＜120nm/8h

德国Raith Voyager 新一代电子束光刻系统高速且价格合理的电子束光刻机实现精确的曝光效果对于工业界和学术界所有关注速度和高分辨的电子束曝光应用，我们推荐您选择VOYAGERTM这款专业电子束光刻系统。Raith非常重视这款具有吸引力的在使用寿命期间具有高性价比、新开发的、创新的eWRITE体系结构。系统的硬件和软件被一致设计为自动曝光操作，先进的高性能图形发生器和电子光学系统优化设计并协同一致。系统可实现8英寸样品的高速曝光。系统的稳定性是非常关键的指标，可保证大面积均匀曝光。该系统外部采用环境屏蔽罩，即使在稍差的实验室环境下，仍然能确保系统具有非常好的热稳定性，提高系统对外界环境的容忍度。 超高分辨率曝光系统从最初设计到样品制备完成，实现高速样品加工，提高产量智能设计：设备占地面积小，且集成环境屏蔽罩创新的、未来安全型系统架构专业的电子束曝光系统，可实现每小时1cm2的高速曝光，高性价比 eWrite技术Raith新推出的eWrite技术结合了专业电子束光刻的光学系统和创新的图形发生器设计，该技术适用于研发及批量生产的所有工作。 VOYAGER 应用.HSQ胶上制作亚7nm线条 .SU8胶上制作 1x1 cm2 菲涅尔透镜，曝光时间为53分钟，图为菲涅尔透镜中心区域 .PMMA双层胶上制作150nm T型栅结构 .ZEP520胶上制作 1x1 cm2光栅结构，曝光时间小于2小时 高速度模式（40nA束电流下曝光160um大结构）和高分辨模式（0.4nA束电流下曝光10nm细小结构）自动切换 ZEP520胶上制作光子晶体波导结构 VOYAGER 产品详情 主要应用:。高速直写。衍射光学元件。防伪元件。批量加工化合物半导体器件 样品台:。6“ 移动范围。Z方向移动范围大 电子枪技术:。eWrite。电子。50 kV 独特直写模式:。traxx 长线条无写场拼接曝光模式。periodixx周期结构无写场拼接曝光模式

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纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是最好的方法之一。或称电子束直写（EBD）、电子束爆光系统。 超高分辨率的电子束光刻技术参数：加速电压：最高130keV单段加速能力达到130keV，尽量减少电子枪的长度超短电子枪长度，无微放电电子束直径＜1.6nm最小线宽＜7nm双热控制，实现超稳定直写能力

Electron Beam Lithography System(EBL)电子束光刻系统 应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs 兼容工艺，研究用掩膜制造，纳米加工（例如单电子器件、量子器件制作等），高频电子器件中的混合光刻（Mix & Match），图形线宽和图形位移测量等。电子束光刻最小线宽可达 8nm，最小束斑直径 2nm，套刻精度20nm(mean+2σ)，拼接精度 20nm(mean+2σ)。 技术参数： 1.最小线宽：小10nm（8nm available) 2.加速电压：5-50kV3. 电 子 束 直 径 ： 小 于 2nm 4.套刻精度：20nm(mean+2σ) 5.拼接精度：20nm(mean+2σ) 6.加工晶圆尺寸：4-8 英寸(standard)，12 英寸(option)7.描电镜分辨率：小于 2nm