基于电子鼻

该智能无线解决方案包括各种低功耗高稳定可靠的传感器，无线低功耗数传设备，基站，服务器及功能强大软件平台，该软件可以PC终端或手机终端打开使用。提供全天24小时稳定可靠快速的数据服务。在农业、环境、水文和饮用水污水市场获得持续增长，取得很好市场地位。除了支持ADCON自身的传感器之外，也支持很多第三方的传感器，历经20多年内部已经形成一个庞大的传感器库可以支持系统采集各种现场数据，详情请咨询公司。无线低功耗的数传设备是该系统前端的基本单元,具有采集、存储、传输功能，可以达到最低功耗传送最远的距离，并通过WMO世界气象组织认证。设备小型紧凑，采用铝合金外壳，高性能防水接头，IP67防护等级能在低温恶劣环境下使用，无需现场配置和维护，安装简单方便快速成本低。无线网络支持无线电波及GPRS混合通讯方式，该方式非常适用应用于野外需要覆盖大型区域的项目。 基站是整个智能解决方案的核心,所有无线数传设备的配置在这里进行,收集系统内所有的数据存储并传送到服务器,是现场站点和以太网网络连接的桥梁.? 是工业级的设备,全天24小时工作,不是家庭PC机 ? 运行嵌入式Linux系统,非常稳定,没有干扰变化,完全控制 ? 可以与10 mw、500 mw、GSM、GPRS和UMTS设备通信，支持不同的频率。? 是一个网络服务器。有自己的IP地址,可以坐在任何地方远程操作网络。? 有一个内置的UPS。短时断电没有影响。? 支持技术人员远程访问。技术人员可以在世界上的任何地方进行故障诊断和维护。 软件平台AddVANTAGE Pro 是一个强大而通用软件包, 是通用数据可视化、加工和发布平台。它是完全基于web,运行在快速和可靠的Oracle数据库上,收集成千上万个现场站点的数据到一个超级服务器,为成千上万的客户服务。该软件历经多年使用并不断开发更新，目前已经是6.4版本，功能强大，运行稳定，界面友好，画面精致。用户客户端访问、操作不用安装任何软件，通过普通上网的IE，Foxfire浏览器就能操作软件.AddVANTAGE Pro支持多种数据图形化显示,如曲线，仪表盘及表格，并可导出数据。 可用鼠标拖曳选择时间段，在线简单分析数据段的最大值、最小值、平均值，累计值。更为复杂的分析，请看其他界面。Advantage pro 可以设立用户不同的权限管理各自区域的设备。也可对具体的事件设定邮件或短信的通知或警报。 同时根据客户的需求提供了大量的计算工具来处理数据,如总运行时间，包含9个参数的数学公式计算，条件判断，流量统计及各种作物统计公式等等，可以生成各种简单或复杂的报表。同时提供复杂的专家系统,如疾病模型里的马铃薯疫病菌。而且这些扩展功能在持续不断的开发中。详见各种应用。对外发布LiveData软件是一个非常实用工具，是目前最先进的数据显示发布方法, 能够快速而高效的把你的数据发布到网上去，,不需要登录用户名和密码即能观看。Livedata将展示你所有可用的现场站点放置在谷歌地图上(您可以很容易地修改放置位置)。用你的鼠标光标指向站点,将自动显示所有最新的值,数据的采集时间和源/位置。

基于改装SEM纳米图形电子束曝光机NPGS V9.2仪器简介：在过去的几年中，半导体器件和IC生产等微电子技术已发展到深亚微米阶段及纳米阶段。为了 追求晶片更高的运算速度与更高的效能，三十多年 来，半导体产业遵循著摩尔定律 （Moore’s Law）：每十八个月单一晶片上电晶体的数量倍增，持续地朝微小化努力 。为继续摩尔定律 ，在此期间，与微电子领域相关的微/纳加工技术得到了飞速发展，科学家提出各种解决方案如：图形曝光（光刻）技术、材料刻蚀技术、薄膜生成技术等。其中，图形曝光技术（微影术）是微电子制造技术发展的主要推动者，正是由于曝光图形的分辨率和套刻精度的不断提高，促使集成电路集成度不断提高和制备成本持续降低。 电子束曝光系统（electron beam lithography, EBL）是一种利用电子束在工件面上扫描直接产生图形的装置。由于SEM、STEM及FIB的工作方式与电子束曝光机十分相近，美国JC Nabity Lithography Systems公司成功研发了基于改造商品SEM、STEM或FIB的电子束曝光装置（Nanometer Pattern Generation System纳米图形发生系统，简称NPGS，又称电子束微影系统）。电子束曝光技术具有可直接刻画精细图案的优点，且高能电子束的波长短（ 1 nm），可避免绕射效应的困扰，是实验室制作微小纳米电子元件非常好的选择。相对于购买昂贵的专用电子束曝光机台，以既有的SEM等为基础，外加电子束控制系统，透过电脑介面控制电子显微镜中电子束之矢量扫描，以进行 直接刻画图案，在造价方面可大幅节省 ，且兼具原SEM 的观测功能，在功能与价格方面均具有优势。由于其具有高分辨率以及低成本等特点，在北美研究机构中，JC Nabity的NPGS是非常热销的配套于扫描电镜的电子束微影曝光系统，而且它的应用在世界各地越来越广泛。 NPGS的技术目标是提供一个功能强大的多样化简易操作系统，结合使用市面上已有的扫描电镜、扫描透射电镜或聚焦离子束装置，用来实现艺术级的电子束或离子束平版印刷技术。NPGS能成功满足这个目的，得到了当前众多用户的强烈推荐和一致肯定。 应用简述 基于改装SEM纳米图形电子束曝光机NPGS V9.2能够制备出具有高深宽比的微细结构纳米线条，从而为微电子领域如高精度掩模制作、微机电器件制造、新型IC研发等相关的微/纳加工技术提供了新的方法。NPGS系统作为制作纳米尺度的微小结构与电子元件的技术平台，以此为基础可与各种制程技术与应用结合。应用范围和领域取决于客户的现有资源，例如： NPGS电子束曝光系统可与等离子应用技术做非常有效的整合，进行 各项等离子制程应用的开发研究，简述如下： (一) 半导体元件制程 等离子制程已广泛应用于当前半导体元件制程，可视为电子束微影曝光技术的下游工程。例如： (1) 等离子刻蚀（plasma etching） (2) 等离子气相薄膜沉积（plasma-enhanced chemical vapor deposition, PECVD） (3) 溅镀（sputtering） (二) 微机电元件制程（Semiconductor Processing） 微机电元件在制程上与传统半导体元件制作有其差异性。就等离子相关制程而言，深刻蚀（deep etching）是主要的应用，其目标往往是完成深宽比达到102 等级的深沟刻蚀或晶圆穿透刻蚀。而为达成高深宽比，深刻蚀采用二种气体等离子交替的过程。刻蚀完成后可轻易 以氧等离子去除侧壁覆盖之高分子。在微机电元件制作上，深刻蚀可与电子束微影曝光技术密切 结合。电子束微影曝光技术在图案设计上之自由度 十分符合复杂多变化的微机电元件构图。一旦完成图案定义，将转由深刻蚀技术将图案转移到晶圆基板。技术参数：型号：NPGS V9.2最细线宽（μm）：根据SEM 最小束斑（μm）：根据SEM 扫描场：可调 加速电压：根据SEM，一般为0-40kV 速度：5MHzA. 硬件： 微影控制介面卡：NPGS PCIe-516A High Speed Lithography Board，high resolution (0.25%) 控制电脑：DELL或类似品牌主流配置电脑工作站皮可安培计：KEITHLEY 6485 Picoammeter B. 软件： 微影控制软件 NPGS V9.2 for Windows10图案设计软件 QCAD for Windows主要特点：技术描述： 为满足纳米级电子束曝光要求，JC Nabity出品的NPGS系统设计了一个纳米图形发生器和数模转换电路，并采用PC机控制。PC机通过图形发生器和数模转换电路去驱动SEM等仪器的扫描线圈，从而使电子束偏转并控制束闸的通断。通过NPGS可以对标准样片进行图像采集以及扫描场的校正。配合精密定位的工件台，还可以实现曝光场的拼接和套刻。利用配套软件也可以新建或导入多种通用格式的曝光图形。 (一) 电子源（Electron Source） 曝照所需电子束是由既有的SEM、STEM或FIB产生的电子束（离子束）提供。 (二) 电子束扫描控制（Beam Scanning Control） 电子射出后，受数千乃至数万伏特之加速电压驱动沿显微镜中轴向下移动，并受中轴周围磁透镜（magnetic lens）作用形成聚焦电子束而对样本表面进行 扫描与图案刻画。扫描方式可分为循序扫描（raster scan）与矢量扫描（vector scan）。 循序扫描是控制电子束在既定的扫描范围内进行 逐点逐行 的扫描，扫描的点距与行 距由程式控制，而当扫描到有微影图案的区域时，电子束开启进行 曝光，而当扫描到无图案区域时，电子束被阻断；矢量扫描则是直接将电子束移动到扫描范围内有图案的区域后开启电子束进行 曝光，所需时间较少。 扫描过程中，电子束的开启与阻断是由电子束阻断器（beam blanker）所控制。电子束阻断器通常安装在磁透镜组上方，其功效为产生一大偏转磁场使电子束完全偏离中轴而无法到达样本。 (三) 阻剂（光阻） 阻剂（resist）是转移电子束曝照图案的媒介。阻剂通常是以薄膜形式均匀覆盖于基材表面。高能电子束的照射会改变阻剂材料 的特性，再经过显影（development）后，曝照（负阻剂）或未曝照（正阻剂）的区域将会留 在基材表面，显出所设计的微影图案，而后续的制程将可进一步将此图案转移到阻剂以下的基材中。 PMMA（poly-methyl methacrylate）是电子束微影中非常常用的正阻剂，是由单体甲基丙烯酸甲酯（methyl methacrylate, MMA）经聚合反应而成。用在电子阻剂的PMMA 通常分子量在数万至数十万之间，受电子束照射的区域PMMA 分子量将变成数百至数千，在显影时低分子量与高分子量PMMA 溶解度 的对比非常大。 负阻剂方面，多半由聚合物的单体构成。在电子束曝照的过程中会产生聚合反应形成长链或交叉链结（crosslinking）聚合物，所产生的聚合物较不 易 被显影液溶解因而在显影后会留 在基板表面形成微影图案。目前常用的负阻剂为化学倍增式阻剂（chemically amplified resist），经电子束曝照后产生氢离子催化链结反应，具有高解析度 、高感度 ，且抗蚀刻性高。 (四) 基本工序 电子束微影曝光技术的基本工序与光微影曝光技术相似，从上阻、曝照到显影，各步骤的参数（如温度 、时间等等）均有赖于使用者视需要进行 校对与调整。

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