自动光刻设备

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自动光刻设备相关的厂商

  • 苏州威密科自动化设备有限公司是多家进口工业机器人及自动化产品正规授权的一级代理商。本公司主要代理日本DENSO(电装)工业机器人、日本东芝(TOSHIBA)工业机械手、日本安川(YASKAWA)机器人、日本JANONE(车乐美)自动点胶机、基板切割机、JANONE精密伺服压机等知名品牌自动化设备及零组件产品。本司负责在中国区所代理产品的销售、技术服务、售后维修等工作, 业务涉及非标自动化、汽车零部件、半导体、3C电子、太阳能光伏电池、机械、家电、CNC加工、食品、医疗等多个行业领域。 本司并同时承接自动化控制成套产品,负责自动化控制工程的系统设计、设备安装和运行调试。威密科是在工业机器人应用领域有着多年丰富经验的高科技公司,公司团队有中国最早从事工业机器人销售、设计应用、技术服务、维修的核心骨干人员。作为国外先进制造业中工业机器人在中国的增值服务商,威密科伴随中国自动化转型、升级的最新趋势; 目前已把工业机器人、视觉应用开发、零组件等自动化单一的产品集成以及业界最强大的技术服务团队,通过威密科的整合平台传递给客户,为客户提供最优化的一站式解决方案。
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  • " 东莞市凯尼克自动化设备有限公司成立于2012年,是一家专业从事高速静音直线模组,皮带模组,同步带模组,丝杆模组,线性模组,直线导轨,工业机械手等集研发、生产、销售于一体的国家高新技术企业。 工厂位于广东工业重镇东莞长安,毗邻深圳、广州,环境优美。公司正实施ISO9001,ISO2008质量管理认证体系。拥有CNC数控加工中心,精密尺寸公差检测设备、高度精密测试平台、直线度测试平台等完善的检测设备。 凯尼克以“成为可持续发展的更健康、更具民族影响力的传动功能核心部件科技公司”为愿景。KNK品牌直线传动系列产品正服务于“中国制造2025”自动化行业,为全面提升中国制造业发展质量和水平的重大战略部署添砖加瓦。 凯尼克以“提供有竞争力的产品和服务,为客户创造价值,让员工获得成长 ”为使命。研发直线模组、静音导轨、激光套件为核心产品。广泛服务于自动搬运,自动包装,激光切割等行业。 凯尼克以“修己 达人 本分 创新 ”为核心价值观。赢得了老客户十几年的信赖和同行的尊重。每个凯尼克员工以此为动力,向着我国经济战略方向奋力前行!"
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  • 厦门雷泰克(Ray-Tek)自动化设备有限公司隶属香港拓普实业发展有限公司旗下子公司,坐落于福建厦门高新火炬产业园区,是一家集研发、生产和销售工业微焦斑X光机为一体的厂家。本着“开拓、创新、求实、进取”的精神,雷泰克长期致力于X光无损检测领域地探索。所推出的产品广泛应用于BGA封装器件,动力电池、太阳能板、LED等检测,涉及行业包括:军工、民用、医疗、食品等众多领域。并一致受到行业好评。经营范围:1、X光机生产、销售;2、X光机OEM;3、X光机维修(包括国内外各品牌X光机光管、高压电源更换);4、X光机控制系统销售;5、X光机整机订制方案(包括软件订制)等;6、X光机租赁、以旧换新。“术业有专攻”您的选择是我们的荣幸,雷泰克愿与您共勉!
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自动光刻设备相关的仪器

  • EVG610单面/双面光刻机 一、 简介 EVG公司成立于1980年,公司总部和制造厂位于奥地利,在美国、日本和台湾设有分公司,并在其他各地设有销售代理及售后服务部,产品和服务遍及世界各地。EVG公司是一家致力于半导体制造设备的全球供应商,其丰富的产品系列包括:涂胶和喷胶/显影机/热板/冷板、掩模版光刻/键合对准系统、基片热压键合/低温等离子键合系统、基片清洗机、基片检测系统、SOI 基片键合系统、基片临时键合/分离系统、纳米压印系统。目前已有数千台设备安装在世界各地,被广泛地应用于MEMS微机电系统/微流体器件,SOI基片制造,3D封装,纳米压印,化合物半导体器件和功率器件等领域。EVG610是一款非常灵活的、适用于研发和小批量试产的对准系统,可处理200mm之内的各种规格的晶片。EVG610支持各种标准的光刻工艺,例如:真空、软、硬接触和接近曝光;也支持其他特殊的应用,如键合对准、纳米压印光刻、微接触印刷等。EVG610系统中的工具更换非常简便快捷,每次更换都可在几分钟之内完成,而不需要专门的工程人员和培训,非常适合大学、研究所的科研实验和小批量生产。 二、应用范围EVG光刻机主要应用于半导体光电器件、功率器件、微波器件及微电子机械系统(MEMS)、硅片凸点、化合物半导体等领域,涵盖了微纳电子领域微米或亚微米级线条器件的图形光刻应用。 三、主要特点u 支持背面对准光刻和键合对准工艺u 自动的微米计控制曝光间距u 自动契型补偿系统u 优异的全局光强均匀度u 免维护单独气浮工作台u 最小化的占地面积u Windows图形化用户界面u 完善的多用户管理(用户权限、界面语言、菜单和工艺控制) 四、技术参数设备咨询电话:欢迎您的来电咨询!
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  • 全自动紫外纳米压印光刻设备GL300 MLAGL300 MLA是天仁微纳最新型专门为晶圆级光学加工(WLO-Wafer Level Optics)开发的全自动紫外纳米压印光刻设备,可在200/300 mm基底面积上平行复制生产聚合物光学器件。该设备支持cassette to cassette自动上下片、自动复制柔性复合工作模具,工作模具自动更换。整个工艺过程在密闭洁净环境中进行,以保证压印结果质量。内置的高精度自动点胶系统、APC(主动模具基底平行控制)技术、以及自动脱模功能都保证了大面积晶圆级光学生产的精度、均匀性(TTV)与良率。同时,自动模具基底对位系统还可实现晶圆之间对位堆叠工艺(WLS-Wafer Level Stacking)。GL300 MLA纳米压印设备适用于DOE、匀光片(Diffuser)、微透镜阵列、菲涅尔透镜等产品的研发和量产。主要功能● 全自动200/300mm晶圆级光学加工(WLO)生产线● APC主动模具基底平行控制技术,确保大面积晶圆压印TTV均匀性● Cassette to cassette自动上下片,光学巡边预对位● 设备内自动复制柔性复合工作模具,同时支持自动更换工作模具,适合连续生产● 内置高精度自动点胶功能● 自动对位、自动压印、自动曝光固化、自动脱模,工艺过程在密闭洁净环境中自动进行,以保证压印质量● 标配高功率紫外LED面光源(365nm,光强1000mW/cm2 ),水冷冷却,特殊功率以及特殊、混合波长光源可订制,完美支持各种商用纳米压印材料● 随机提供全套纳米压印工艺与材料,包括标准示范WLO等工艺流程,帮助客户零门槛达到国际领先的纳米压印水平设备照片相关参数兼容基底尺寸200mm、300mm特殊尺寸可定制支持基底材料硅片、玻璃、石英、塑料、金属等上下片方式Cassette to cassette全自动上下片晶圆预对位光学巡边预对位纳米压印技术APC主动平行控制技术,适合大面积WLO、WLS等工艺压印精度可小于10纳米*结构深宽比优于10比1*TTV控制微米级精度(200 /300 mm晶圆)紫外固化光源紫外LED(365nm)面光源,光强1000mW/cm2,水冷冷却(2000mW/cm2类型光源可选配)设备内部环境控制标配,外部环境Class 100,内部环境可达Class 10*自动压印支持自动脱模支持自动工作模具复制支持自动工作模具更换支持模具基底对位功能支持如想了解更多产品信息,可通过仪器信息网和我们取得联系 400-860-5168转6144
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  • 研发型Desktop纳米压印光刻设备UniPrinterUniPrinter是一种专门为大学、科研院所和企业产品研发所设计,操作简单、功能强大的台面型纳米压印光刻设备。可实现4英寸以下基底面积上高精度(优于10nm * )、高深宽比(优于10比1 * )纳米结构压印,适合用作紫外纳米压印光刻工艺开发,器件原型快速验证,纳米压印材料测试等研发。它沿用天仁微纳量产型纳米压印设备的工艺与材料体系,在UniPrinter上开发的工艺可以无障碍转移到天仁微纳其它量产设备上进行生产。UniPrinter纳米压印设备适用于DOE、AR/VR衍射光波导(包括斜齿光栅)、线光栅偏振、超透镜、生物芯片、LED等应用领域的研发。主要功能● 沿用天仁微纳量产型纳米压印设备的工艺与材料体系,开发的工艺可以无障碍转移到量产设备上进行生产● 直径100mm以下面积高精度、高深宽比纳米压印● 设备内自动复制柔性复合工作模具● 自动压印、自动曝光固化、自动脱模,工艺过程无需人工干预● 标配高功率紫外LED面光源(365nm,光强300mW/cm2 ),完美支持各种纳米压印材料● 随机提供全套纳米压印工艺与材料,包括DOE、AR斜齿光栅、高密度、高深宽比结构等工艺流程,帮助客户零门槛达到高质量的纳米压印水平设备照片相关参数兼容基底尺寸直径≤100mm支持基底材料硅片、玻璃、石英、塑料、金属等纳米压印技术适合高精度、高深宽比纳米结构压印压印精度优于10纳米*结构深宽比优于10比1*残余层控制可小于10nm*紫外固化光源紫外LED(365nm)面光源,光强300mW/cm2自动压印支持自动脱模支持自动工作模具复制支持上下片方式手动上下片如想了解更多产品信息,可通过仪器信息网和我们取得联系 400-860-5168转6144
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自动光刻设备相关的资讯

  • 某国产光刻设备商公开和授权一批光刻技术专利
    近日, 合肥芯碁微电子装备股份有限公司公开和授权一批光刻技术专利。 据了解,合肥芯碁微电子装备股份有限公司(简称:芯碁微装),成立于2015年6月,注册资本12080万元,坐落于合肥市高新区集成电路产业基地,公司专业从事以微纳直写光刻为技术核心的直接成像设备及直写光刻设备的研发和生产。主要产品及服务包括PCB直接成像设备及自动线系统、泛半导体直写光刻设备及自动线系统、其他激光直接成像设备。以下为专利详情:发明名称专利类型法律状态申请号申请日公开(公告)号公开 (公告)日期一种激光直接成像设备对准相机位置关系误差的测量方法发明授权授权CN201910534115.12019-06-20CN110275399B2021-05-07一种激光直写光刻机长辊式压板机构发明公布公开CN202011626210.32020-12-30CN112764322A2021-05-07镜头畸变补偿方法、存储介质以及直写式光刻机发明公布公开CN202011635539.62020-12-31CN112748644A2021-05-04吸盘组件和具有其的光刻机实用新型授权CN202022035008.52020-09-15CN213069472U2021-04-27成像装置和光刻机实用新型授权CN202021586260.92020-08-03CN213069471U2021-04-27一种用于直写光刻机的电机串并联系统实用新型授权CN202022234271.72020-10-09CN213069473U2021-04-27《一种激光直接成像设备对准相机位置关系误差的测量方法》公开了一种激光直接成像设备对准相机位置关系误差的测量方法,包括建立激光直接成像设备基础台面的直角坐标系;在基础台面上放置尺寸标定板,该尺寸标定板布置有至少三个MARK点,其中有三个MARK点构成的直角三角形;利用左对准相机和右对准相机测量构成直角三角形的MARK点的中心坐标;以左对准相机或右对准相机为基准相机,利用所测MARK点的中心坐标计算两对准相机的位置关系误差。本发明解决了两相机距离较远无法标定位置关系的问题。《成像装置和光刻机》公开了一种成像装置和光刻机,成像装置包括:镜筒、光学组件和运动转换件,镜筒内形成有安装腔,镜筒形成有轴向延伸的限位槽,限位槽径向贯穿镜筒的壁,光学组件设置于安装腔内,光学组件外侧设置有移动件,移动件穿设限位槽,以实现光学组件轴向移动,运动转换件可转动地套设在镜筒的外侧且与移动件相配合,以在运动转换件相对镜筒转动时驱动移动件在限位槽内轴向移动。使用该运动转换件可以将光学组件的旋转和上下两个方向的运动分开,通过运动转换件的旋转推动移动件,从而可以带动光学组件实现上下移动,这样避免了传统的直接使用螺纹旋转上下调节给成像装置的成像质量带来的各种不良影响。随着半导体技术的发展,光刻技术传递图形的尺寸限度缩小了2~3个数量级(从毫米级到亚微米级),已从常规光学技术发展到应用电子束、 X射线、微离子束、激光等新技术;使用波长已从4000埃扩展到 0.1埃数量级。光刻技术成为一种精密的微细加工技术。基于此,仪器信息网拟于2021年5月14日举办“半导体光刻技术与应用主题网络研讨会”,依托“网络讲堂”栏目,邀请业内专家以及厂商技术人员参与本次网络研讨会,就半导体光刻技术等话题共同探讨,为广大从事半导体光刻设备和技术研发的专家学者和技术人员提供一个交流的空间。(点击图片免费报名参会)
  • 2020光刻设备中标盘点:疫情之后,市场活力回升!
    p style="text-align: justify text-indent: 2em "span style="text-indent: 28px "光刻机被业界誉为集成电路产业皇冠上的明珠,又名:掩模对准曝光机,曝光系统,光刻系统等,是制造芯片的核心装备。它采用类似照片冲印的技术,把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。出于众所周知的原因,中芯国际2018年订购、原预计2019年到货的ASML EUV光刻机,在2021年即将到来之际,依然听不到何时能发货的消息;近日,有消息人士透露,中芯国际新上任董事会副董事长蒋尚义将与ASML公司就EUV光刻设备进行谈判,谋求EUV光刻机发货。目前,中国光刻机技术至少落后国际先进水平2代以上,为解决中国半导体制造面临的困难,中科院率先士卒,白春礼院长表示:将光刻等卡脖子技术列入院里紧急的科研任务清单。/spanbr//pp style="text-indent: 28px text-align: justify "除了前述的紫外光刻技术外,广义的光刻设备还包括电子束光刻和离子束光刻等,在spanASML/span之外,还有众多其他生产厂商。此外,不同的应用(如:掩膜版、功率芯片等)对光刻机的制程要求也不同,中国市场上对span14nm/span以上的支撑的光刻机也有广泛的需求。硅芯片对先进制程光刻机要求很高,对于石墨烯晶圆发展出的碳基芯片而言,存在一种可能性:基于石墨烯的性能,在制造方面绕开了复杂的高端光刻技术,也可以理解为,对光刻技术的要求不像span5nm/span硅基芯片那么高的要求。span2019/span年,国际石墨烯创新大会上,中科院首次展示开发完成的span8/span英寸石墨烯晶圆,无论是在质量上或是尺寸上,该成果都达到了最顶尖的水平。仪器信息网近期特对一年内的光刻设备的中标讯息整理分析,供广大仪器用户参考。span style="color: rgb(165, 165, 165) font-size: 14px "(注:本文搜集信息全部来源于网络公开招投标平台,不完全统计分析仅供读者参考。)/span/pp style="text-align: center text-indent: 0em "span img style="max-width: 100% max-height: 100% width: 400px height: 240px " src="https://img1.17img.cn/17img/images/202012/uepic/34802fd0-c374-449f-9e6c-c4ac8e833df1.jpg" title="1.png" alt="1.png" width="400" height="240" border="0" vspace="0"//span/pp dir="ltr" style="text-align: center text-indent: 0em "strongspan style="font-family:' 微软雅黑' ,sans-serif color:#444444"各月中标量占比/span/strong/pp style="text-indent: 28px text-align: justify "span2019/span年span10/span月至span2020/span年span9/span月,根据统计数据,光刻设备的总中标数量为span104/span台,涉及金额上亿元。span2019/span年span10/span月至span2020/span年span1/span月,平均中标量约span9/span台每月。span2020/span年span2/span月,由于疫情影响,光刻设备市场低迷,无成交量。从span2020/span年span3/span月起,随着国内疫情稳定以及企业复产复工和高校复学的逐步推进,光刻设备市场逐渐回暖,其中span9/span月产品中标量高达span20/span台。 /pp style="text-indent: 0em text-align: center "img style="max-width: 100% max-height: 100% width: 400px height: 240px " src="https://img1.17img.cn/17img/images/202012/uepic/e0baace5-ac38-47dc-b240-776c8f3cb4a3.jpg" title="2.png" alt="2.png" width="400" height="240" border="0" vspace="0"//pp style="text-indent: 0em text-align: center "strongspan style="font-family:' 微软雅黑' ,sans-serif color:#444444"采购单位性质分布/span/strong/pp style="text-indent: 28px text-align: justify "从光刻设备的招标采购单位来看,高校是采购的主力军,采购量占比高达span55%/span,企业和科研院所的采购量分别占比span23%/span和span22%/span。值得注意的是,企业和科研院所采购设备的单价较高,集中于高端设备和量产型设备,而高校采购以科研为主,多采购无掩膜激光直写设备。其中,在企业采购中,华虹半导体是主力。/pp style="text-align: center text-indent: 0em "img style="max-width: 100% max-height: 100% width: 400px height: 240px " src="https://img1.17img.cn/17img/images/202012/uepic/3c69022a-3cd3-43ee-81d6-f0ac3b9e7b91.jpg" title="3.png" alt="3.png" width="400" height="240" border="0" vspace="0"//pp style="text-align: center text-indent: 0em "strongspan style="font-family:' 微软雅黑' ,sans-serif color:#444444"招标单位地区分布/span/strong/pp style="text-indent: 28px text-align: justify "本次盘点,招标单位地区分布共涉及span21/span个省份、自治区及直辖市。北京、上海、广东、江苏、浙江为光刻设备采购排名前span5/span的地区,其中北京的中标量最多,达span21/span台。在这些地区中,北京和广东以高校和科研院所采购为主,主要用于科研领域;上海以企业采购为主,这主要由于上海是我国集成电路产业发达地区;江苏以高校和企业采购为主,而浙江以科研院所采购为主。/pp style="text-indent: 0em text-align: center "img style="max-width: 100% max-height: 100% width: 400px height: 235px " src="https://img1.17img.cn/17img/images/202012/uepic/80044ef4-742c-4cb2-8c07-afdd52cb1f69.jpg" title="4.png" alt="4.png" width="400" height="235" border="0" vspace="0"//pp style="text-align: center text-indent: 0em "strongspan style="font-family:' 微软雅黑' ,sans-serif color:#444444"不同类型光刻设备占比/span/strong/pp style="text-indent: 28px text-align: justify "广义上的光刻设备还包括了电子束光刻和离子束光刻,根据搜集到的中标数据可知,传统光刻占据了中标光刻设备的主流、占比高达span92%/span。电子束光刻又称电子束曝光机,在采购中仅占span7%/span,主要用于科研领域和掩模版制作,但由于其刻蚀速率太低,无法用于量产,因此采购量较少,但span style="color: rgb(0, 0, 0) "stronga href="https://www.instrument.com.cn/news/20201106/564008.shtml"电子束曝光机是半导体制造的基础设备/a/strong/span。/pp style="text-indent: 28px text-align: justify "本次光刻设备中标盘点,涉及品牌有卡尔蔡司、spanRaith B.V./span、spanRAITH GmbH/span、span style="font-size:15px color:black"sigma、日本电子株式会社、spanSUSS MicroTec/span、spanHeidelberg Instruments/span、spanDurham Magneto Optics Ltd/span、/span span style="font-size:15px color:black"Nikon、spanEVG/span、spanTEL/span/span等。/pp style="text-indent:28px"其中,各品牌比较受欢迎的产品型号有:/pp style="text-align: center text-indent: 0em "img style="max-width:100% max-height:100% " src="https://img1.17img.cn/17img/images/202009/pic/c40ad352-119d-45d6-9361-9be039fcb2aa.jpg!w300x300.jpg" width="400"//ppbr//pp style="text-indent: 0em text-align: center "a href="https://www.instrument.com.cn/netshow/SH104744/" target="_self" style="text-decoration: none "span style="text-decoration: none color: rgb(0, 0, 0) "strong style="font-size: 16px text-decoration: underline "德国海德堡无掩膜直写设备/strong/spanstrong style="font-size: 16px text-decoration: underline "/strong/a/pp style="text-indent: 28px text-align: justify "span style="font-size: 16px "德国海德堡设备(Heidelberg Instruments),创始于1984年,在激光直写设备的发展和设计上持续地改良、在各种应用上客制化。海德堡区别于过去传统的工艺技术而开发的无掩膜激光直写技术,将设计图形直接曝光到涂覆有光刻胶的衬底材料上;曝光后,如果需要修改图形结构,可以直接通过CAD软件修改原始图形,然后重新曝光即可,无需花费重新制版的时间。主要产业应用有:生命科学、微流体、MEMS、微光学、传感器、材料研究等有微纳米结构需求的科研领域。/span/pp style="text-align:center"img style="max-width:100% max-height:100% " src="https://img1.17img.cn/17img/images/202009/pic/4b1e075e-81ff-4c18-90f1-bd342d67b07a.jpg!w300x300.jpg" width="400"//pp style="text-align:center"a href="https://www.instrument.com.cn/netshow/C435461.htm" target="_self" style="font-size: 16px text-decoration: underline "strongspan style="font-size: 15px color: black "URE-2000/35型光刻机/span/strong/a/pp style="text-indent: 29px text-align: justify "span style="font-size: 15px color: black "URE-2000/35型光刻机非常适合工厂(效率高,操作傻瓜型,自动化程度高)和高校教学科研(可靠性好,演示方便)采用自动找平,具备真空接触曝光、硬接触曝、压力接触曝以及接近式曝光四种功能,自动分离对准间隙和消除曝光间隙,采用 350W 进口(德国)直流汞灯,可调节光的能量密度。设备外形美观精制,性能非常可靠,自动化程度很高,操作十分方便。/span/pp style="text-align:center"img style="max-width:100% max-height:100% " src="https://img1.17img.cn/17img/images/201906/pic/eaf3b9a8-4055-486b-b31d-432241c0c564.jpg!w300x300.jpg" width="400"//pp style="text-align:center"a href="https://www.instrument.com.cn/netshow/C327949.htm" target="_self" style="font-size: 16px text-decoration: underline "span style="font-size: 16px "strongspan style="font-size: 15px color: black "EVG610单面/双面光刻机/span/strong/span/a/pp style="text-indent: 29px text-align: justify "span style="font-size: 15px color: black "EVG610是一款非常灵活的、适用于研发和小批量试产的对准系统,可处理200mm之内的各种规格的晶片。EVG610支持各种标准的光刻工艺,例如:真空、软、硬接触和接近曝光;也支持其他特殊的应用,如键合对准、纳米压印光刻、微接触印刷等。EVG610系统中的工具更换非常简便快捷,每次更换都可在几分钟之内完成,而不需要专门的工程人员和培训,非常适合大学、研究所的科研实验和小批量生产。/span/pp style="text-indent: 28px text-align: justify "点击此处进入span style="color: rgb(0, 176, 240) "【a href="https://www.instrument.com.cn/zc/2507.html"光刻机/a】/span专场,获取更多产品信息。/pp style="text-align: left text-indent: 0em "br//pp style=" margin-bottom:0 text-align:center"strongspan style="font-family:' 微软雅黑' ,sans-serif color:#444444"更多资讯请扫描下方二维码,关注【材料说】/span/strong/pp style="margin-bottom: 0px text-align: center "img style="max-width: 100% max-height: 100% width: 344px height: 344px " src="https://img1.17img.cn/17img/images/202012/uepic/2692bb86-ec9d-4332-9deb-ddc25bdcac7f.jpg" title="材料说.jpg" alt="材料说.jpg" width="344" height="344"//p
  • 这类仪器国产率仅11%,德国产品最受欢迎—全国共享光刻设备盘点
    光刻机被业界誉为集成电路产业皇冠上的明珠,又名:掩模对准曝光机,曝光系统,光刻系统等,是制造芯片的核心装备。它采用类似照片冲印的技术,把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。但这种光刻机主要用于工业生产,对于半导体器件等研发来说,先进的紫外光刻机显得昂贵且笨重,同时由于其对光刻速度不敏感,因此科研领域往往使用激光直写设备和电子束曝光机来处理光刻胶。但一直以来,对科研用光刻设备缺乏调查。1月22日,科技部和财政部联合发布《科技部 财政部关于开展2021年度国家科技基础条件资源调查工作的通知(国科发基〔2020〕342号)》,全国众多高校和科研院所将各种科学仪器上传共享,对其中光刻设备的统计分析或可一定程度反映科研用光刻设备的市场信息。小编特对其进行分类统计,供读者一阅。各省(直辖市/自治区)光刻设备分布各省(直辖市/自治区)光刻设备分布图根据统计数据,共享光刻设备的总数量为291台,涉及22省(直辖市/自治区)。北京、江苏、广东、上海为共享光刻设备最多的地区,其中北京的数量最多,达83台。北京共享科研光刻设备数量较多,主要是由于其实力强劲的高等院校较多,其科研经费充足,可以购买更多的设备。这四个地区的经济发展水平在全国名列前茅,而且半导体产业发达,对光刻设备的需求也更高。进一步统计发现,光刻设备主要分布于北京大学、中科院半导体研究所、中国科学技术大学和清华大学。不同类型光刻设备分布根据搜集到的数据可知,传统的紫外光刻机占据了主流,占比达58%。电子束曝光机和激光直写设备占比都为21%。电子束曝光机主要用于科研领域和掩模版制作,但由于其刻蚀速率太低,无法用于量产,因此主要用于科研或掩模版制作,但电子束曝光机是半导体制造的基础设备。虽然这其中紫外光刻机仍然占据主流,但与《2020光刻设备中标盘点:疫情之后,市场活力回升! 》中的占比相比,其占比少得多,这主要由于科研对光刻速率要求不敏感,而电子束曝光机和激光直写设备可以在一定程度上满足科研需求。光刻设备品牌分布紫外光刻机品牌分布电子束曝光机品牌分布激光直写设备品牌分布从光刻设备的整体品牌分布图可以看到,德国SUSS的光刻设备占比最多达26%,其次为美国ABM和德国Raith分别为13%和9%。需要注意的是,Raith是电子束曝光机厂商。具体到传统紫外光刻机品牌分布可以发现,SUSS占比高达45%,ABM占比达22%,SUSS在科研用紫外光刻机占据主流。全球光刻巨头ASML、尼康和佳能都不在其中,这表明工业用光刻设备和科研用光刻设备的需求不同,厂商也有所不同。在电子束曝光机中,Raith占比达45%。在激光直写设备中,德国Heidelberg占比26%,虽然占比最高,但其未呈现出压倒性优势,而且国内设备厂商苏大维格在此类设备中也占据一定份额。以上三类设备中,只有激光直写设备中前排出现了国产品牌,这可能得益于我国先进的激光技术。光刻设备产地国家分布紫外光刻机产地分布电子束曝光机产地分布激光直写设备产地分布从光刻设备的产地分布可以看出,德国设备最受国内科研用户青睐,占比达45%,而国产设备仅占11%的份额。对于紫外光刻机来说,德国占比46%,美国25%。电子束曝光机的设备中,德日占据主流,德国主要是Raith设备较多,日本凭借其强大的电子显微镜技术也占据一定的市场份额,这主要是由于电子显微镜和电子束曝光机的技术有共通之处。虽然在激光直写设备中,德国设备占比仍然最多,但国产厂商也不甘落后达34%。不同于工业领域的日本厂商和荷兰ASML的垄断,科研领域光刻厂商中,德国企业实力雄厚,涌现出一批实力强大的企业。国产厂商整体虽然占比很低,但在激光直写设备中显示出了强大的活力。本次光刻设备中标盘点,涉及品牌有Raith、SUSS、ABM、Heidelberg、DMO、Nikon、EVG、JEOL、NBL等。其中,各品牌比较受欢迎的产品型号有:德国海德堡多功能无掩膜激光直写机/光刻机-DWL66+DWL66+ 激光光刻系统是具经济效益、具有高分辨率的图形发生器。适用于小批量掩膜版制作和直写需求。DWL66+拥有多种选配模块,例如:正面和背面对准系统;405nm和375nm波长的激光发生器;进阶选配:精度校准和自动上下板加载系统。单面/双面光刻机:EVG 620EVG620 是一款非常灵活和可靠的光刻设备,可配置为半自动也可以为全自动形式。EVG620既可以用作双面光刻机也可以用作150mm硅片的精确对准设备;既可以用作研发设备,也可以用作量产设备。精密的契型补偿系统配以计算机控制的压力调整可以确保良率和掩膜板寿命的大幅提升,进而降低生产成本。EVG620先进的对准台设计在保证精确的对准精度和曝光效果的同时,可以大幅提高产能。德国Raith高分辨电子束曝光机150 TwoRaith 150 Two作为高分辨电子束曝光系统,自推出以来全球销量不容忽视。该系统被广泛地用于研发和纳米技术中心,已证明了系统的24/7使用的稳定性。Raith 150 Two 可实现亚5nm的曝光结构,可处理8”晶元及以下样片。环境屏蔽罩保证了系统的热稳定性,提高设备对实验室环境的容忍度,即使在相对糟糕的实验室环境下,也能保证系统的正常稳定运行。德国 SUSS光刻机MA/BA6MA/BA6掩模和粘结对准器专为最大 150 mm 晶圆尺寸而设计。 MA/BA6用于MEMS 应用、光学元件和复合半导体生产。 它在研究与开发环境中的多方面应用领域非常有说服力,在生产环境中也同样优秀,这得益于其良好的工艺成果。此外,SUSS的MJB系列,ABM的ABM/6/350/NUV/DCCD/M等产品也广受欢迎。

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  • 光刻工艺与刻蚀技术的研究

    光刻工艺光刻是用光刻胶、掩模和紫外光进行微制造 ,工艺如下 :(a)仔细地将基片洗净;(b)在干净的基片表面镀上一层阻挡层 ,例如铬、二氧化硅、氮化硅等;(c) 再用甩胶机在阻挡层上均匀地甩上一层几百 A厚的光敏材料——光刻胶。光刻胶的实际厚度与它的粘度有关 ,并与甩胶机的旋转速度的平方根成反比;(d) 在光掩模上制备所需的通道图案。将光掩模复盖在基片上,用紫外光照射涂有光刻胶的基片,光刻胶发生光化学反应;(e)用光刻胶配套显影液通过显影的化学方法除去经曝光的光刻胶。这样,可用制版的方法将底片上的二维几何图形精确地复制到光刻胶层上;(f) 烘干后 ,利用未曝光的光刻胶的保护作用 ,采用化学腐蚀的方法在阻挡层上精确腐蚀出底片上平面二维图形。掩模制备用光刻的方法加工微流控芯片时 ,必须首先制造光刻掩模。对掩模有如下要求:a.掩模的图形区和非图形区对光线的吸收或透射的反差要尽量大;b.掩模的缺陷如针孔、断条、桥连、脏点和线条的凹凸等要尽量少;c.掩模的图形精度要高。通常用于大规模集成电路的光刻掩模材料有涂有光胶的镀铬玻璃板或石英板。用计算机制图系统将掩模图形转化为数据文件,再通过专用接口电路控制图形发生器中的爆光光源、可变光阑、工作台和镜头,在掩模材料上刻出所需的图形。但由于设备昂贵,国内一般科研单位需通过外协解决,延迟了研究周期。由于微流控芯片的分辨率远低于大规模集成电路的要求,近来有报道使用简单的方法和设备制备掩模,用微机通过CAD软件将设计微通道的结构图转化为图象文件后,用高分辨率的打印机将图象打印到透明薄膜上,此透明薄膜可作为光刻用的掩模,基本能满足微流控分析芯片对掩模的要求。湿法刻蚀在光刻过的基片上可通过湿刻和干刻等方法将阻挡层上的平面二维图形加工成具有一定深度的立体结构。近年来,使用湿法刻蚀微细加工的报道较多,适用于硅、玻璃和石英等可被化学试剂腐蚀的基片。已广泛地用于电泳和色谱分离。湿法刻蚀的程序为 :(a) 利用阻挡层的保护作用,使用适当的蚀刻剂在基片上刻蚀所需的通道 ;(b) 刻蚀结束后 ,除去光胶和阻挡层,即可在基片上得到所需构型的微通道;(c)在基片的适当位置(一般为微通道的端头处)打孔,作为试剂、试样及缓冲液蓄池。刻有微通道的基片和相同材质的盖片清洗后,在适当的条件下键合在一起就得到微流控分析芯片。玻璃和石英湿法刻蚀时,只有含氢氟酸的蚀刻剂可用,如HF/HNO3,HF/ NH4。由于刻蚀发生在暴露的玻璃表面上,因此,通道刻的越深,通道二壁的不平行度越大 ,导至通道上宽下窄。这一现象限制了用湿法在玻璃上刻蚀高深宽比的通道。等离子体刻蚀等离子体刻蚀是一种以化学反应为主的干法刻蚀工艺,刻蚀气体分子在高频电场作用下,产生等离子体。等离子体中的游离基化学性质十分活泼,利用它和被刻蚀材料之间的化学反应,达到刻蚀微流控芯片的目的。等离子体刻蚀已应用于玻璃、石英和硅材料上加工微流控芯片 , 如石英毛细管电泳和色谱微芯片。先在石英基片上涂上一层正光胶 (爆光后脱落的光胶),低温烘干后,放置好掩模,用紫外光照射后显影,在光胶上会产生微结构的图象。然后用活性CHF3等离子体刻蚀石英基片 ,基片上无光胶处会产生一定的深度通道或微结构。这样可产生高深宽比的微结构。近来,也有将等离子体刻蚀用于加工聚合物上的微通道的报道。http://www.whchip.com/upload/201610/1477271936108203.jpg

  • 光刻机工作原理和组成

    光刻机通过一系列的光源能量、形状控制手段,将光束透射过画着线路图的掩模,经物镜补偿各种光学误差,将线路图成比例缩小后映射到硅片上,不同光刻机的成像比例不同,有5:1,也有4:1。然后使用化学方法显影,得到刻在硅片上的电路图(即芯片)。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、激光刻蚀等工序。经过一次光刻的芯片可以继续涂胶、曝光。越复杂的芯片,线路图的层数越多,也需要更精密的曝光控制过程。现在最先进的芯片有30多层。http://www.whchip.com/upload/201608/1471850877761920.png 上图是一张光刻机的简易工作原理图。下面,简单介绍一下图中各设备的作用。测量台、曝光台:承载硅片的工作台,也就是本次所说的双工作台。光束矫正器:矫正光束入射方向,让激光束尽量平行。能量控制器:控制最终照射到硅片上的能量,曝光不足或过足都会严重影响成像质量。光束形状设置:设置光束为圆型、环型等不同形状,不同的光束状态有不同的光学特性。遮光器:在不需要曝光的时候,阻止光束照射到硅片。能量探测器:检测光束最终入射能量是否符合曝光要求,并反馈给能量控制器进行调整。掩模版:一块在内部刻着线路设计图的玻璃板,贵的要数十万美元。掩膜台:承载掩模版运动的设备,运动控制精度是nm级的。物镜:物镜由20多块镜片组成,主要作用是把掩膜版上的电路图按比例缩小,再被激光映射的硅片上,并且物镜还要补偿各种光学误差。技术难度就在于物镜的设计难度大,精度的要求高。硅片:用硅晶制成的圆片。硅片有多种尺寸,尺寸越大,产率越高。题外话,由于硅片是圆的,所以需要在硅片上剪一个缺口来确认硅片的坐标系,根据缺口的形状不同分为两种,分别叫flat、notch。内部封闭框架、减振器:将工作台与外部环境隔离,保持水平,减少外界振动干扰,并维持稳定的温度、压力。

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  • 无掩膜光刻机配件
    无掩模光刻机配件具有无掩模技术的便利,大大提高影印和新产品研发的效率,节省时间,是全球领先的无掩模光刻系统。无掩模光刻机配件特色尺寸:925x925x1600mm直接用375nm或405nm紫外激光把图形写到光胶衬底上内置计算机控制接口激光光源:375nm或405nm视频辅助定位系统自动聚焦设置无掩模光刻机配件参数线性写取速度:500mm/s重复精度: 100nm晶圆写取面积:1—6英寸衬底厚度:250微米-10毫米激光点大小:1-100微米准直精度:500nm
  • 微流控芯片光刻机系统配件
    微流控芯片光刻机系统配件专业为微流控芯片制作而设计,用于刻画制作微结构表面。微流控芯片光刻机采用多功能一体化设计理念,一台光刻机具有六个传统单一的表面刻划机器的功能,而且不需要无尘环境,用户安装使用不再需要单独建设超净间,从而大大提高用户的使用经济性和方便性。微流控芯片光刻机全自动化和可编程操作,适合几乎所有常用材料,可以根据用户的芯片衬底基片尺寸,形状和厚度进行调节。微流控芯片光刻机是一种无掩模光刻系统,具有两个易操作的软件,用户可以创建个人微结构图案,从单个微通道到复杂的微观结构都可以创建。微流控芯片光刻机具有技术突破性设计和灵活性优势,非常适合加工微纳结构用于MEMS,BioMEMS,微流控系统,传感器,光学元件,MicroPatterning微图案化,实验室单芯片,CMOS传感器和所有其他需要微结构的应用。这款无掩模光刻系统可以快速而轻松地做出许多种微图案结构,从最简单到非常复杂的都可以。它的写入磁头装备有一个激光二极管(波长405纳米- 50毫瓦),光学扫描器和F-θ透镜(405纳米)。激光束根据设定微结构图案而运动。为了方便使用,较好的再现性和较高的质量,焦距是可以根据基片厚度进行调节的。图像采集期间可以使用控制面板调节焦距。几个基片厚度都可以使用。编程参数被保存以供以后使用,修改或其他用户使用。编号名称MSUP基于无掩模光刻系统和湿法刻蚀技术的微结构化表面的单位生产。
  • 非晶硅激光刻膜机配件
    超快非晶硅激光刻膜机配件是特别为太阳能产业光伏工业而设计的整套晶圆激光加工系统。可用于光伏电池激光加工,去除氮化硅膜氮化硅膜蚀刻,晶圆边缘隔离,有可以当作激光刻膜机,激光划片机使用。 提供如下四合一服务:SiNx/SiO2去除,去除二氧化硅,去除氮化硅 边缘隔离晶圆 背接触激光烧结和激光刻槽 激光打标 其中紫外飞秒激光用于SiNx/SiO2的选择性烧蚀或切除(氮化硅膜蚀刻),配备的紫外飞秒激光可以非常精密地剥蚀SiNx(去除氮化硅膜),同时在Si层的直接或热效应降低到最低,从而增加载流子寿命(少子寿命),避免微裂纹。而配备的1064nm的纳秒激光工作非常稳定而快速,将用于晶片的快速激光边缘隔离,激光打标和激光烧结。 非晶硅激光刻膜机配备自动处理和扫描系统,支持5’’和6’’直径的硅晶片加工。同时配备机械视觉系统以随时调节激光束扫描,保持高度重复性和可靠性。配1级激光安装防护装置和灰尘消除系统,营造无尘加工环境,以保证飞秒激光的精密烧蚀和热效应影响的最小化。 非晶硅激光刻膜机配件特色 配备的激光器处理能力高达800个晶片/小时或350000px/s 加工量为425个晶片/小时,优化后可用于2.5MW/a产品的生产线 适用5' ’和6' ' 硅晶片 紫外飞秒激光和红外纳秒激光光源 机械视图系统可调节激光扫描场 精密激光光束定位 激光划线激光剥蚀激光熔化 为用户提供了无银敷金属技术生产太阳能电池 成功地装配到生产能力高达2.5MWp/a的生产线上。 使用飞秒激光对晶圆wafer的发射端进行介电层(SiNx)的选择性移除。SiNx厚度为50-90nm,覆盖发射端,必须精确移除而不伤害发射层。一种应用是消蚀SiNx层的同时,也产生bus bars和fingers开口,下一步,这些开口将被镍覆盖,这样就形成了高质量的前接触。它使用振镜扫描器控制激光束切割发射端,独具的机械视图功能能够探测晶圆位置。
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