硅探测器

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硅探测器相关的厂商

  • 深圳市汇成探测科技有限公司始建于2007年是一家专业从事金属探测器研发、生产、销售为一体的企业。公司严格依照ISO9001国际质量标准体系的要求,从产品的研发设计、生产制造到销售及售后服务全过程,已建立一套严谨的品质管理和保证体系。目前公司主营品种齐全有地下可视成像仪、可视地下金属探测器、远程地下金属探测器、探盘式地下金属探测器、手持金属探测器。品质彰显价值,服务缔造信誉。为广大客户提供更优质的服务,公司以“专业、信誉、质量第一、用户至上”为经营宗旨,以高品质的产品与服务满足客户的梦想。追求卓越是我公司致力追求的目标。我们更坚信:有了您的支持和我们不断的努力,我们与社会各界同仁携手并进,开拓创新,共创美好未来。
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  • 东莞市嘉乐仕金属探测设备有限公司是一家专业金属探测器,金属探测仪,金属检测仪,金属检测器,食品金属探测器,金属分离器,x光机,x射线异物检测仪的集研发、生产、销售于一体的民营高科技企业.经过多年的经营发展和科技上的不断创新,已成为中国最大的金属探测器生产厂家之一,嘉乐仕凭借优质的产品,卓越的技术和完善的服务,产品遍及祖国各地,并远销美洲,欧洲,非洲,中东,东南亚等国际市场。   东莞市嘉乐仕金属探测设备有限公司以“诚信是我风格,质量是我生命“ 为宗旨,视用户为“上帝”,一贯秉承“质量第一、顾客满意,持续改进,争创一流”的方针,从产品的研发设计、生产制造到销售及售后服务全过程,已建立一套严谨的品质管理和质量保证体系,且采取有效的市场保护措施,确保为每个用户提供最优质的产品和最完善的服务。   展望未来,嘉乐仕将一如继往的秉承”敬业,诚信,融合,创新“的企业精神,研制出更好的产品,提供更好的服务,树立更好的形象,愿与各界新老朋友进行更广泛的合作,共创辉煌!   嘉乐仕热忱欢迎企事业单位前来参观考察,洽商合作,愿与您携手共创更辉煌的明天! 联系人:卢生15907693763(微信同号)QQ:2777469253 欢迎来电咨询!官网:www.jls668.net
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硅探测器相关的仪器

  • 仪器简介:硅光电探测器(Si)&mdash &mdash &mdash 室温型探测器,波长范围:200-1100nm技术参数:型号列表及主要技术指标:技术指标\型号名称 DSi200 紫敏硅探测器 DSi300 硅探测器 进口紫外增强型 国产低暗电流型有效接收面积(mm2) 100(&Phi 11.28) 100(10× 10)波长范围(nm) 200-1100 300-1100峰值波长(nm) ------- 800± 20峰值波长响应度(A/W) 0.52 0.4254nm的响应度(A/W) 0.14(0.09) -------响应时间(&mu s) 5.9 -------工作温度范围(℃) -10~+60 -------储存温度范围(℃) -20~+70 -------分流电阻RSH(M&Omega ) 10(5) -------等效噪声功率NEP (W/&radic Hz) 4.5× 10-13 -------暗电流(25℃;-1V) ------- 1X10-8&mdash 5× 10-11 A结电容(pf) 4500 3000(-10V)信号输出模式 电流 电流输出信号极性 正(P) 正(P)主要特点:■ DSi200/DSi300硅光电探测器硅光电探测器(Si)&mdash &mdash &mdash 室温型探测器,波长范围:200-1100nm两种型号的探测器室的外观相同,其中:◆ DSi200型内装进口紫敏硅光电探测器◆ DSi300型内装国产低暗电流硅光电探测器◆ 推荐配合I-V放大器(型号:ZAMP)使用 硅光电探测器使用建议:◆ DSi200/DSi300均为电流输出模式的光电探测器,在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前,建议采用I-V跨导放大器ZAMP(Page85做为前级放大并转换为电压信号,标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号,但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度;◆ DSi200/DSi300配合DCS103数据采集系统(Page95)使用时,建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度;◆ DSi200/DSi300配合DCS300PA数据采集系统(Page95)使用时,由于DCS300PA双通道已集成信号放大器,故可不再需要另行选配前置放大器。
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  • 仪器简介:DSR100系列探测器光谱响应度测量系统,是适应不断增长的材料科学对检测设备的需求而诞生的。它结合了北京卓立汉光仪器有限公司给多家科研单位定制的探测器光谱响应测量系统的特点和经验,采用国家标准计量方法进行测试,是光电探测器、器件、光电转换材料科研和检验的必备工具。技术参数:型号 DSR100UV-A DSR100UV-B DSR100IR-A DSR100IR-B波长范围 200~2500nm 1~14&mu m测试光斑\光斑模式 均匀平行光斑 汇聚光斑 均匀平行光斑 汇聚光斑尺寸 Ф2~20mm Ф0.3~3mm Ф2~20mm Ф0.3~3mm 光源 光源 氘灯/溴钨灯复合光源 溴钨灯/碳化硅复合光源光强稳定性 &le 0.8% &le 2%光源切换方式 软件自动切换 软件自动切换三光栅单色仪 光 谱分辨率 <0.1nm(435.8nm@1200g/mm光栅) <2.5nm (2615nm@75g/mm光栅)扫描间隔 最小可至0.005nm输出波长带宽 <5nm <10nm多级光谱滤除装置 根据波长自动选择滤光片,消除多级光谱杂散光  光调制频率 4~400Hz数据采集装置灵敏度 锁相放大器 2nV;直流数据采集可选标准探测器 标准硅探测器 (标定200~1100nm) 标准热释电探测器(标定1~14mm)光谱响应度测量重复性* &le ± 1.5% &le ± 5%光路中心高 305mm仪器尺寸 1500mm× 1200mm× 560mm控制机柜 标准4U控制柜,含计算机主要特点:◆ 宽光谱范围(200~2500nm或1~14&mu m可选),适用面广宽光谱范围意味着适用于各种不同样品,如响应在日盲区的深紫外探测器、响应在可见光的太阳能电池、响应在近红外的光纤传感器、响应在中远红外的红外光电传感器,都可以在DSR100上测量光谱响应度。◆ 开机即用的Turnkey系统设计,维护简单系统采用替代法的测量原理,设计成开机即用的turnkey模式,用户不需要在实验前对系统进行复杂的调试,日常维护也十分简单。◆ 调制法测量技术,提升测量结果信噪比DSR100系统采用调制法测量技术。调制法是目前国家计量单位采用的标准方法,通过选频放大的技术,可以大幅度抑制杂散光或环境噪声对测量精度带来的负面影响。DSR100系统针对弱信号采集专门设计了独特的前置放大电路,同时采用高性能的锁相放大器进行调制法测量。锁相放大器测量灵敏度达到2nV,动态范围达到100dB。通过提高测量灵敏度并且抑制噪声,DSR100系统可以从背景噪声中提取非常微弱的光电探测器响应信号。◆ 全反射光路设计,优化光斑质量由于各种光电探测器的光谱响应范围不同,因此好的探测器光谱响应度测量系统应该是宽光谱范围的,这样才能具备较强的通用性。在宽光谱范围的光学设计中,采用反射式的光路设计要比透射式得到更高品质的光束质量和均匀光斑。在透射式的光学系统中,影响光束质量和光斑品质的重要因素是色差,色差源自于不同波长的单色光在光学材料中的折射率不同,波长范围越宽,色差越明显。而在反射式的光学系统中,由于根本不涉及折射,所以不存在色差的问题。因此采用反射式光路,成像质量大大优于透射式光路,从而可以得到更高均匀度的平行光斑,或者更小尺寸的汇聚光斑。◆ 高稳定性光源,降低背景噪声影响尽管采用调制法可以降低系统杂散光和背景噪声对测量的影响,但光源本身的波动依然无法消除。因此,在采用调制法的系统中,光源稳定性反而成为系统噪声的主要来源。DSR100采用高稳定性的光源来保证系统的高重复性。右图是典型的光源相对强度的稳定度测量数据。◆ 全自动测量流程1)自动化测量流程得到高重复性样品的重复定位精度很大程度上决定了测量重复性,电动平移台重复定位精度10um,远远高于手动样品定位2)自动化测量流程降低了操作人员的要求按软件文字提示即可正确操作系统进行测量,不需要对操作人员进行复杂的培训,特别适合工业客户做检测用3)自动化测量流程提高时间利用率系统在预设方案后即自动运行测量流程,可提高操作人员时间利用率◆ 大空间样品仓,四壁可拆卸,方便系统调试特别设计的四壁方便拆卸的样品仓,给实验人员足够大的空间进行样品安装和调试。同时,也能容纳一些特殊体积的探测器,比如液氮制冷的探测器、条纹变相管等。实验人员的可操作性大大增强。◆ 激光监视光路选项,CCD图像监控,可对极小面积的光电探测器进行精确定位◆ 标准测量软件,数据导出格式支持第三方软件DSR100系统的软件保存所有测试第一手原始数据,可供实验人员导出成txt、xls等常见格式的文档,以便后期分析处理。
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  • 硅/硅微条探测器常用于带电粒子测量,当探测器在加有一定反向偏压并正常工作时,如果具有一定能量的带电粒子注入硅探测器,由于粒子对半导体材料的电离作用,会产生大量的电子空穴对。由于每产生一对电子空穴对需要的电离能是一定的(约为3 eV),因此产生的总的电子空穴对数目与粒子在探测器中损失的能量成正比。硅探测器对电离产生的电子空穴对进行收集,得到的电信号幅度就正比于粒子在探测器中的能量损失,可以准确的测量带电粒子能谱。同时,由于硅探测器对信号的时间响应较快,还可用于带电粒子的定时测量。硅微条探测器是在硅片表面通过蚀刻工艺,将硅片分割成多个独立的有效探测区域,通过不同的信号来源判断粒子位置和方向。硅/硅微条探测器广泛接受用户定制,根据用户需要提供合适的探测器。
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硅探测器相关的资讯

  • 硅单光子探测器取得重要进展
    p style="text-align: justify text-indent: 2em " 由无锡中微晶园电子有限公司牵头承担的国家重点研发计划“重大科学仪器设备开发”重点专项“高灵敏硅基雪崩探测器研发及其产业化技术研究”项目经过近两年的努力,突破了低抖动、大光敏面硅单光子探测芯片设计、界面电场调控的离子注入和氧化层制备、低噪声芯片封装等关键技术,开发出硅单光子探测器样机。近日,项目顺利通过了科技部高技术中心组织的中期检查。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "硅单光子探测器具有超高灵敏度,是300-1100nm波段超高灵敏探测不可替代的关键芯片,且器件性能稳定可靠、易形成面阵,是实现远距离精密测量、激光雷达等重大科学仪器的关键核心部件之一。目前国内硅单光子探测芯片主要依赖进口,且阵列芯片禁运。开展硅单光子探测器的自主化研究,对独立自主研制精密测量、激光雷达等装备具有重要意义。项目提出了雪崩过程随机性电场抑制方法,基于国产硅片和研发平台,研制出大光敏面、低时间抖动的硅雪崩探测器芯片,开发了一系列可工程化应用的制备关键技术,并在“北斗系统”开展了激光测距示范应用;同时还面向智能交通的市场需求,研制出线性模式硅雪崩探测器。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "该项目下一步将加快产品化开发,提高产品技术成熟度,加快产品应用示范及推广。 /p
  • 赛默飞发布新型UltraDry硅漂移(电制冷)探测器
    -- 为NORAN System 7微区分析系统提供最优的探测器尺寸、分析速度和分辨率中国上海,2012年8月10日 &mdash &mdash 7月30日,科学服务领域的世界领导者赛默飞世尔科技(以下简称:赛默飞)在2012显微镜学和微区分析大会上发布新型赛默飞UltraDry硅漂移(电制冷)X射线探测器。该探测器为同类最优,为金属和矿物、先进材料和半导体等行业应用提供更快速、准确的(微区)X射线分析。它进一步提升了广受赞誉的赛默飞NORAN System 7 X射线微区分析系统的性能。赛默飞副总裁兼分子光谱和微区分析产品总经理John Sos指出:&ldquo 我们的UltraDry硅漂移(电制冷)探测器在超高的采集速率下具有优异的分辨率,这在当今的纳米技术和先进材料应用分析中是至关重要的!我们对该探测器的卓越改进使我们NORAN System 7系统整体能以最快的速度获得最多的数据。加之使用我们独有的高级数据处理工具 &mdash &mdash COMPASS软件和直接倒相软件,用户可以满怀信心地将其EDS分析结果提升至全新的水平。&rdquo UltraDry硅漂移(电制冷)探测器性能的提升是其设计和技术工艺改进的直接成果。该探测器提升了能量分辨率的界限,在Mn-K&alpha 的能谱谱峰分辨率高达123eV。采用尺寸较小先进的场效应晶体管(FET)与晶体一体化的卓越设计在最大程度上减小了导致电噪声的分布电容。UltraDry探测器能够高效地操控脉冲堆积处理,使其在高速处理中具有最佳的分辨率和最小的死时间比率。无需外部附属设备或液氮制冷。新型的UltraDry探测器提供宽范围的晶体有效面积选择(10mm2,30mm2,60mm2 和100mm2),并具有先进的窗口工艺技术和独一无二的可分析至元素铍的轻元素完整的分析算法。其他关键特征包括:&bull 旨在使样品至探测器距离最小化和探测器立体角最大化的用户定制设计&bull 独有的旨在创造最大工作距离范围的垂直开槽的准直器&bull 操作环境温度至35° CNORAN System 7是非常适用于金属和采矿、先进材料、学术研究、半导体和微电子、失效分析、缺陷审查等材料电子显微微区应用分析的卓越平台!欲了解更多有关NORAN System 7和UltraDry(电制冷)探测器的信息,请访问网站www.thermoscientific.com。关于赛默飞世尔科技赛默飞世尔科技(纽约证交所代码: TMO)是科学服务领域的世界领导者。我们的使命是帮助客户使世界更健康、更清洁、更安全。公司年销售额120亿美元,员工约39,000人。主要客户类型包括:医药和生物技术公司、医院和临床诊断实验室、大学、科研院所和政府机构,以及环境与过程控制行业。借助于Thermo Scientific、Fisher Scientific和Unity&trade Lab Services三个首要品牌,我们将创新技术、便捷采购方案和实验室运营管理的整体解决方案相结合,为客户、股东和员工创造价值。我们的产品和服务帮助客户解决在分析领域所遇到的复杂问题与挑战,促进医疗诊断发展、提高实验室生产力。欲了解更多信息,请浏览公司网站:www.thermofisher.com关于赛默飞中国赛默飞世尔科技进入中国发展已有30年,在中国的总部设于上海,并在北京、广州、香港、成都、沈阳等地设立了分公司,目前已有超过1900名员工、6家生产工厂、5个应用开发中心、2个客户体验中心以及1个技术中心,成为中国分析科学领域最大的外资企业。赛默飞的产品主要包括分析仪器、实验室设备、试剂、耗材和软件等,提供实验室综合解决方案,为各行各业的客户服务。为了满足中国市场的需求,目前国内已有6家工厂运营,苏州在建的大规模工厂2012年也将投产。赛默飞在北京和上海共设立了5个应用开发中心,将世界级的前沿技术和产品带给国内客户,并提供应用开发与培训等多项服务;位于上海的中国技术中心结合国内市场的需求和国外先进技术,研发适合中国的技术和产品;遍布全国的维修服务网点和特别成立的维修服务中心,旨在提高售后服务的质量和效率。我们致力于帮助客户使世界更健康、更清洁、更安全。欲了解更多信息,请登录www.thermofisher.cn
  • 合工大在高灵敏硅基超窄带探测器领域取得重要进展
    近日,合肥工业大学微电子学院先进半导体器件与光电集成实验室的王莉副教授和罗林保教授,成功研发出一种基于单p-型硅肖特基结的超灵敏近红外窄带光电探测器。相关成果以“Ultra-Sensitive Narrow-Band P-Si Schottky Photodetector with Good Wavelength Selectivity and Low Driving Voltage”为题于2023年12月31日作为封面文章在线发表在半导体器件领域的著名杂志IEEE Electron Device Letters上。图1. IEEE Electron Device Letters 2024年第一期封面窄带光电探测器由于仅对目标波长敏感,可以有效抑制背景噪声光的干扰,因此在机器视觉、特定波段成像、光学通信和生物材料识别等领域均具有重要的应用价值。但现有的加装滤波片、电荷收集变窄或热电子效应等窄带探测机制普遍存在着量子效率低的问题。为了提高窄带探测的灵敏度,研究人员通过将电荷陷阱引入有源层进行界面隧穿注入,或者利用场增强激子电离过程来实现器件内的光电倍增效应。但这些机制往往需要几十伏较高的电压才能激发启动,导致窄带探测器的性能易退化和工作能耗高。该研究团队在深入分析了上述问题的基础上,提出并实现了一种可在低驱动电压下工作的高灵敏窄带光电探测器。通过采用双层结构肖特基电极以及增大光生电子和空穴之间的渡越时间差,在保证高波长选择性的前提下实现了器件光电转化效率的大幅提高。该探测器仅在1050nm附近有探测峰,对紫外及可见光几乎无响应。在零偏压下器件的比探测率达∼4.14×1012Jones,线性动态范围约为128 dB。当工作偏压由0 V增加到- 3 V时,器件外部量子效率可以从96.2 %显著提升到6939%,同时探测峰半高宽保持在约74 nm不变。这一成果为实现可在低驱动电压下工作的超高灵敏窄带光电探测器提供了新思路,有望在光电子领域得到广泛应用。图2. (a)器件内光强分布模拟结果,零偏压下(b)器件在不同波长光照下的电流-电压曲线,(c)线性动态范围,(d)不同偏压下器件的外部量子效率随波长变化曲线。上述工作得到国家自然科学基金、安徽省重点研发计划、安徽省自然科学基金、中央高校基本科研业务费专项等项目的资助。论文链接:https://ieeexplore.ieee.org/ d ocument/10312826

硅探测器相关的方案

  • 硅光电二极管探测器EUV响应的温度依赖性
    使用同步加速器和实验室辐射源测量了硅光电二极管在3至250nm波长范围内从-100℃到+50℃的响应性。研究了两种类型的硅光电二极管,具有薄氮化二氧化硅表面层的AXUV系列和具有薄金属硅化物表面层的SXUV系列。根据波长的不同,响应率随着温度的升高而增加,AXUV光电二极管的速率为0.013%/C至0.053%/C,SXUV光电二极管为0.020%/C至0.084%/C。响应度的增加与硅带隙能量的减少相一致,这导致对产生能量的增加。这些结果对于极紫外(EUV)光刻步进器和光源中的剂量测量尤其重要,因为所涉及的高EUV强度通常会导致探测器温度增加。
  • 新型UVD探测器在锆石研究中的应用
    Hitachi公司自主研发的超级可变压力探测器UVD,设计原理和阴极荧光探测器类似,同时可实现接收阴极荧光的功能,可应用在日立钨灯丝扫描电镜SU3500以及场发射扫描电镜SU5000等可以配置UVD探测器的设备上进行相应的形貌、成分、阴极发光等观察。
  • 氦质谱检漏仪红外探测器杜瓦封装检漏
    随着空间遥感技术的不断发展, 对空间探测器的性能和光谱提出越来越高的要求. 红外探测器是红外探测系统的核心元件, 在航天和天文领域有广泛的应用, 随着波长向长波扩展和探测灵敏度的提高, 红外探测器必须在超低温下工作. 因此需要将红外探测器封装在杜瓦瓶中, 组装成杜瓦封装器件, 目前红外探测器在空间应用中多采用机械制冷方式, 将外部制冷机与杜瓦封装器件连接. 从而实现低温工作. 真空度的保持是杜瓦封装器件的重要指标. 真空度差或者真空度保持时间短将直接影响红外探测器组件的性能. 因此需要进行泄漏检测, 上海伯东德国 Pfeiffer 氦质谱检漏仪提供无损的检漏方法, 成功应用于红外探测器杜瓦封装器件检漏!

硅探测器相关的资料

硅探测器相关的论坛

  • 硅漂移探测器咨询

    请问各位,国内现在有研发生产硅漂移探测器(SDD)的厂家吗?能介绍几个吗?还有,国内有没有研发生产Si-pin探测器的厂家啊?谢谢各位

  • 【分享】半导体探测器

    【分享】半导体探测器

    半导体探测器(semiconductor detector)是以半导体材料为探测介质的辐射探测器。最通用的半导体材料是锗和硅,其基本原理与气体电离室相类似。半导体探测器发现较晚,1949年麦凯(K.G.McKay)首次用α 射线照射PN结二极管观察到输出信号。5O年代初由于晶体管问世后,晶体管电子学的发展促进了半导体技术的发展。半导体探测器有两个电极,加有一定的偏压。当入射粒子进入半导体探测器的灵敏区时,即产生电子-空穴对。在两极加上电压后,电荷载流子就向两极作漂移运动﹐收集电极上会感应出电荷,从而在外电路形成信号脉冲。但在半导体探测器中,入射粒子产生一个电子-空穴对所需消耗的平均能量为气体电离室产生一个离子对所需消耗的十分之一左右,因此半导体探测器比闪烁计数器和气体电离探测器的能量分辨率好得多。半导体探测器的灵敏区应是接近理想的半导体材料,而实际上一般的半导体材料都有较高的杂质浓度,必须对杂质进行补偿或提高半导体单晶的纯度。通常使用的半导体探测器主要有结型、面垒型、锂漂移型和高纯锗等几种类型(下图由左至右)。金硅面垒型探测器1958年首次出现,锂漂移型探测器60年代初研制成功,同轴型高纯锗(HPGe)探测器和高阻硅探测器等主要用于能量测量和时间的探测器陆续投入使用,半导体探测器得到迅速的发展和广泛应用。[img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2009/12/200912291643_192752_1615922_3.jpg[/img]

  • 【分享】日金星探测器未能进入预定轨道 与金星擦身而过

    中新网12月8日电 据日本共同社报道,关于为进入金星轨道进行了引擎反向喷射的日本“拂晓”号金星探测器,日本宇宙航空研究开发机构8日上午召开记者会宣布,探测器未能成功进入预定轨道。这是继火星探测器“希望”号之后,日本行星探测器进入轨道再次以失败告终。   日本宇航机构将成立以宇宙科学研究所所长为首的调查对策组调查具体原因。  日本宇航机构项目负责人中村正人透露,由于“拂晓”号的反向喷射在短时间内停止,因此已经与金星擦身而过。  若“拂晓”号完好无损,6年后将有机会再次接近金星,运作小组将研究届时能否再次尝试进入轨道。  “拂晓”号7日早晨进行反向喷射后,与地球的通信出现故障。

硅探测器相关的耗材

  • 硅漂移探测器
    这款硅漂移探测器(SDD,Silicon Drift Detector)专业为XRF光谱仪和SEM扫描电镜EDS能谱仪探测器应用而设计,提供窗口材料的选择,从铍(8μm)到薄型聚合物(用于轻型X射线透射),并提供10mm2至60mm2的传感器有源区域。 此外,所有或我们的SEM SDD版本都是无振动的。硅漂移探测器在与创新的基于以太网的数字脉冲处理器相结合时得到优化。 具体配置给每个客户,SDD硅漂移探测器在广泛的输入计数率下提供卓越和稳定的性能,以产生快速X射线图。硅漂移探测器规格SDD探测器典型特征传感器区域窗口选项分辨率eV(Mn K / C)10mm2光元件(AP3.3)或8μmBe≤123-13330mm2光元件(AP3.3)或8μmBe≤126-13360mm2光元件(AP3.3)或8μmBe≤126-133100mm2光元件(AP3.3)或8μmBe≤128-133
  • SiLi探测器
    SiLi探测器是专业为X射线分析和探测而设计的一种电子制冷的硅锂探测器,不需要液氮制冷,因此可随时便携到现场使用,SiLi探测器非常适合各种X射线荧光分析仪,X射线光谱仪和X射线衍射仪等使用。 SiLi探测器产品特色: 不需要液氮冷却     高能量分辨率 超薄铍窗       任何空间方位都可探测 断电后的自动重启  长期持续工作能力 轻质紧凑设计,方便携带 硅锂探测器组成 SiLi探测器 气体连线 SiLi探测器参数 能量范围:1-60KeV 探测单元面积:20mm2 (可根据用户要求提供60mm^2面积的探测单元面积) 能量分辨率:能量为5.9keV时的分辨率: ■ 16μs的成峰时间:138keV ■ 1μs的成峰时间:268keV ■ 记数率为105cps,成峰时间1μs:275keV 峰值/背景比:4000 制冷时间:3小时 工作模式:连续工作 环境温度:-5~38摄氏度 探测单元尺寸重量:80x135x150mm, 1.8kg 压缩器尺寸重量:140x160x300mm, 7.5kg 功耗:60W 电源要求:200V AC, 50Hz http://www.f-lab.cn/radiation-detectors/sili.html
  • SiLi探测器配件
    SiLi探测器配件是专业为X射线分析和探测而设计的一种电子制冷的硅锂探测器,不需要液氮制冷,因此可随时便携到现场使用。 SiLi探测器配件特色不需要液氮冷却     高能量分辨率 超薄铍窗 非常适合各种X射线荧光分析仪等使用      任何空间方位都可探测 断电后的自动重启  长期持续工作能力 轻质紧凑设计,方便携带 硅锂探测器组成 SiLi探测器 气体连线 SiLi探测器配件参数能量范围:1-60KeV 探测单元面积:20mm2 (可根据用户要求提供60mm^2面积的探测单元面积) 能量分辨率:能量为5.9keV时的分辨率: ■ 16μs的成峰时间:138keV ■ 1μs的成峰时间:268keV ■ 记数率为105cps,成峰时间1μs:275keV 峰值/背景比:4000 制冷时间:3小时 工作模式:连续工作 环境温度:-5~38摄氏度 探测单元尺寸重量:80x135x150mm, 1.8kg 压缩器尺寸重量:140x160x300mm, 7.5kg 功耗:60W 电源要求:200V AC, 50Hz
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