硅探测器

仪器简介：硅光电探测器（Si）&mdash &mdash &mdash 室温型探测器，波长范围：200-1100nm技术参数：型号列表及主要技术指标：技术指标＼型号名称 DSi200 紫敏硅探测器 DSi300 硅探测器 进口紫外增强型 国产低暗电流型有效接收面积(mm2) 100(&Phi 11.28) 100(10× 10)波长范围(nm) 200-1100 300-1100峰值波长(nm) ------- 800± 20峰值波长响应度(A/W) 0.52 0.4254nm的响应度(A/W) 0.14(0.09) -------响应时间(&mu s) 5.9 -------工作温度范围(℃) -10～+60 -------储存温度范围(℃) -20～+70 -------分流电阻RSH(M&Omega ) 10(5) -------等效噪声功率NEP (W/&radic Hz) 4.5× 10-13 -------暗电流(25℃；-1V) ------- 1X10-8&mdash 5× 10-11 A结电容(pf) 4500 3000(-10V)信号输出模式 电流 电流输出信号极性 正（P） 正（P）主要特点：■ DSi200/DSi300硅光电探测器硅光电探测器（Si）&mdash &mdash &mdash 室温型探测器，波长范围：200-1100nm两种型号的探测器室的外观相同，其中：◆ DSi200型内装进口紫敏硅光电探测器◆ DSi300型内装国产低暗电流硅光电探测器◆ 推荐配合I-V放大器（型号：ZAMP）使用 硅光电探测器使用建议：◆ DSi200/DSi300均为电流输出模式的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前，建议采用I-V跨导放大器ZAMP（Page85做为前级放大并转换为电压信号，标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号，但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度；◆ DSi200/DSi300配合DCS103数据采集系统（Page95）使用时，建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度；◆ DSi200/DSi300配合DCS300PA数据采集系统（Page95）使用时，由于DCS300PA双通道已集成信号放大器，故可不再需要另行选配前置放大器。

仪器简介：DSR100系列探测器光谱响应度测量系统，是适应不断增长的材料科学对检测设备的需求而诞生的。它结合了北京卓立汉光仪器有限公司给多家科研单位定制的探测器光谱响应测量系统的特点和经验，采用国家标准计量方法进行测试，是光电探测器、器件、光电转换材料科研和检验的必备工具。技术参数：型号 DSR100UV-A DSR100UV-B DSR100IR-A DSR100IR-B波长范围 200~2500nm 1~14&mu m测试光斑\光斑模式 均匀平行光斑 汇聚光斑 均匀平行光斑 汇聚光斑尺寸 Ф2~20mm Ф0.3~3mm Ф2~20mm Ф0.3~3mm 光源 光源 氘灯/溴钨灯复合光源 溴钨灯/碳化硅复合光源光强稳定性 &le 0.8% &le 2%光源切换方式 软件自动切换 软件自动切换三光栅单色仪 光 谱分辨率 ＜0.1nm（435.8nm@1200g/mm光栅） ＜2.5nm (2615nm@75g/mm光栅)扫描间隔 最小可至0.005nm输出波长带宽 ＜5nm ＜10nm多级光谱滤除装置 根据波长自动选择滤光片，消除多级光谱杂散光 　光调制频率 4~400Hz数据采集装置灵敏度 锁相放大器 2nV；直流数据采集可选标准探测器 标准硅探测器 （标定200~1100nm） 标准热释电探测器（标定1~14mm）光谱响应度测量重复性* &le ± 1.5% &le ± 5%光路中心高 305mm仪器尺寸 1500mm× 1200mm× 560mm控制机柜 标准4U控制柜，含计算机主要特点：◆ 宽光谱范围（200~2500nm或1~14&mu m可选），适用面广宽光谱范围意味着适用于各种不同样品，如响应在日盲区的深紫外探测器、响应在可见光的太阳能电池、响应在近红外的光纤传感器、响应在中远红外的红外光电传感器，都可以在DSR100上测量光谱响应度。◆ 开机即用的Turnkey系统设计，维护简单系统采用替代法的测量原理，设计成开机即用的turnkey模式，用户不需要在实验前对系统进行复杂的调试，日常维护也十分简单。◆ 调制法测量技术，提升测量结果信噪比DSR100系统采用调制法测量技术。调制法是目前国家计量单位采用的标准方法，通过选频放大的技术，可以大幅度抑制杂散光或环境噪声对测量精度带来的负面影响。DSR100系统针对弱信号采集专门设计了独特的前置放大电路，同时采用高性能的锁相放大器进行调制法测量。锁相放大器测量灵敏度达到2nV，动态范围达到100dB。通过提高测量灵敏度并且抑制噪声，DSR100系统可以从背景噪声中提取非常微弱的光电探测器响应信号。◆ 全反射光路设计，优化光斑质量由于各种光电探测器的光谱响应范围不同，因此好的探测器光谱响应度测量系统应该是宽光谱范围的，这样才能具备较强的通用性。在宽光谱范围的光学设计中，采用反射式的光路设计要比透射式得到更高品质的光束质量和均匀光斑。在透射式的光学系统中，影响光束质量和光斑品质的重要因素是色差，色差源自于不同波长的单色光在光学材料中的折射率不同，波长范围越宽，色差越明显。而在反射式的光学系统中，由于根本不涉及折射，所以不存在色差的问题。因此采用反射式光路，成像质量大大优于透射式光路，从而可以得到更高均匀度的平行光斑，或者更小尺寸的汇聚光斑。◆ 高稳定性光源，降低背景噪声影响尽管采用调制法可以降低系统杂散光和背景噪声对测量的影响，但光源本身的波动依然无法消除。因此，在采用调制法的系统中，光源稳定性反而成为系统噪声的主要来源。DSR100采用高稳定性的光源来保证系统的高重复性。右图是典型的光源相对强度的稳定度测量数据。◆ 全自动测量流程1)自动化测量流程得到高重复性样品的重复定位精度很大程度上决定了测量重复性，电动平移台重复定位精度10um，远远高于手动样品定位2)自动化测量流程降低了操作人员的要求按软件文字提示即可正确操作系统进行测量，不需要对操作人员进行复杂的培训，特别适合工业客户做检测用3)自动化测量流程提高时间利用率系统在预设方案后即自动运行测量流程，可提高操作人员时间利用率◆ 大空间样品仓，四壁可拆卸，方便系统调试特别设计的四壁方便拆卸的样品仓，给实验人员足够大的空间进行样品安装和调试。同时，也能容纳一些特殊体积的探测器，比如液氮制冷的探测器、条纹变相管等。实验人员的可操作性大大增强。◆ 激光监视光路选项，CCD图像监控，可对极小面积的光电探测器进行精确定位◆ 标准测量软件，数据导出格式支持第三方软件DSR100系统的软件保存所有测试第一手原始数据，可供实验人员导出成txt、xls等常见格式的文档，以便后期分析处理。

硅/硅微条探测器常用于带电粒子测量，当探测器在加有一定反向偏压并正常工作时，如果具有一定能量的带电粒子注入硅探测器，由于粒子对半导体材料的电离作用，会产生大量的电子空穴对。由于每产生一对电子空穴对需要的电离能是一定的（约为3 eV），因此产生的总的电子空穴对数目与粒子在探测器中损失的能量成正比。硅探测器对电离产生的电子空穴对进行收集，得到的电信号幅度就正比于粒子在探测器中的能量损失，可以准确的测量带电粒子能谱。同时，由于硅探测器对信号的时间响应较快，还可用于带电粒子的定时测量。硅微条探测器是在硅片表面通过蚀刻工艺，将硅片分割成多个独立的有效探测区域，通过不同的信号来源判断粒子位置和方向。硅/硅微条探测器广泛接受用户定制，根据用户需要提供合适的探测器。

仪器简介：硅光电二极管探测器分为双波长发射二极管与接收管，硅光电二极管探测器，雪崩二极管 三种不同系列产品，其中硅光电二极管探测器包含光导/光伏型光电探测器，紫外增强探测器，单点软X射线探测器，位置探测器这四种探测器。技术参数：双波长发射二极管与接收管1.陶瓷或塑料封装；发射管有背对背（二引脚）和共阳极（三引脚）连接方式。 2.660nm LED峰值波长偏差小于+/-3nm, 半波宽小于25nm，保证了测量数据的精准度。 3.相应提供最佳匹配度的探测器，可使仪器的设计更简单可靠。 4.发射管主要型号：DLED-660/905-CSL-2 ；DLED-660/940-CSL-3 DLED-660/880-CSL-2 DLED-660/895-CSL-2 DLED-660/905-LLS-2(陶瓷封装)；DLED-660/940-LLS-3(陶瓷封装) 5.接收管型号：PIN-8.0-CSL；PIN-4.0-CSL；PIN-8.0-LLS(陶瓷封装)；PIN-4.0-CSL(陶瓷封装)硅光电二极管探测器1.波长范围：350-1100nm 2.高速响应：光导型加偏压10ns 3.低暗电流：0.01nA 4.高灵敏度：0.65A/W紫外增强探测器1.高灵敏度：0.14A/W@254nm2.反转通道型:*100%内量子效率 3.平面扩散型：红外截止，高稳定度单点软X射线探测器1.探测范围：6eV-17600eV 2.直接探测，不需要闪烁体 3.不需要偏压 4.高量子效率，低噪声 5.真空低温可适应位置探测器1.四象限和线性位置探测； 高精度，高分辨率，高速响应； 2.在长时间和温度变化下仍何以保持高稳定性；雪崩二极管1.响应峰值波长: 820nm 2.响应速度快： 0.4ns @850nm,G=100 (APD-300) 3.高灵敏度： 42A/W @850nm, G=100 4.低偏置电压高增益：G=100@200V5.标准TO封装方式： TO-18；TO-5 6.有平面窗和适合光纤应用的球透镜可选；主要特点：双波长发射二极管与接收管应用：血氧探头（SpO2）；血液分析；比例测量相关仪器硅光电二极管探测器 光导/光伏型光电探测器应用：光脉冲探测；光通信；条码读取；医疗设备；高速光度测量紫外增强探测器应用：污染监测；紫外荧光；紫外线测试；水质净化；紫外线验钞单点软X射线探测器应用：X光医疗设备；放射量测定；X光光谱仪；带电粒子探测位置探测器应用：光路准直；位置测量；测绘；导航系统；表面分析雪崩二极管应用：激光测距；高速光通讯；条码读取仪；光遥控；医疗仪器

特性波长范围：200到1100 nm 固定或可调增益的低噪声放大器负载阻抗：50 Ω或以上(带宽≥3 kHz的版本)自由空间光学输入我们提供多种硅(Si)自由空间型带放大的光电探测器，光灵敏范围从紫外到近红外。Thorlabs带放大的光电探测器内置低噪声跨阻放大器(TIA)或低噪声TIA后接电压放大器。Menlo Systems的FPD系列带放大光电探测器内置射频(RF)放大器或跨阻放大器。我们提供固定增益和可调增益的版本，前者具有固定的最大带宽和总跨阻增益，后者提供两个或八个增益设置。Thorlabs光电探测器能够满足多种要求，380 MHz的PDA015A固定增益探测器具有1 ns脉冲响应，高灵敏PDF10A2具有最小3.0 fW/Hz1/2噪声等效功率(NEP)，可调增益的PDA100A2具有八种可调的最大增益(带宽)组合，范围从1.51 kV/A (11 MHz)到4.75 MV/A(3 kHz)。具有飞瓦灵敏度的PDF10A2为低频器件，只能端接高阻抗(Hi-Z)负载，而其它所有带放大的硅光电探测器都能够驱动从50 Ω到Hi-Z的负载。每个探测器都有SM05 (0.535"-40)内螺纹与SM1 (1.035"-40)外螺纹。除了有些特定的探测器，所有装置外壳上都有8-32螺孔 (-EC和/M型号为M4螺孔)。PDA10A2、PDA8A2、PDA36A2、PDA100A2和PDF10A2使用新外壳，具有兼容8-32和M4的通用螺孔。关于安装孔位置及如何安装的详细信息，请看外壳特性和安装选项标签。Menlo Systems的FPD系列探测器具有易用的光电二极管封装，集成高增益、低噪声RF放大器(FPD310-FS-VIS)或跨阻放大器(FPD510-FS-VIS和FPD610-FS-VIS) 。FPD310-FS-VIS非常适合需要高带宽和超短上升时间( 1 ns)的应用，它能以0和20 dB两种步长调节增益。FPD510-FS-VIS和FPD610-FS-VIS具有固定增益，能够在探测低水平光学拍频信号时提供最高信噪比，最高探测频率分别为250 MHz和600 MHz。FPD510-FS-VIS上升时间为2 ns，而FPD610-FS-VIS上升时间为1 ns。这些是直流耦合器件，FPD510-FS-VIS的3 dB带宽为200 MHz，而FPD610-FS-VIS为500 MHz。FPD探测器设计紧凑，便于OEM集成。每个Menlo探测器外壳上有一个用于安装接杆的M4螺孔。更多有关外壳的信息，请看外壳特性标签。如需带FC/PC输入端的探测器，请看光纤耦合型带放大的硅探测器。电源每个带放大的光电探测器都附带一个±12 V的线性电源，支持100、120和230 VAC输入电压。更换用的电源在下方出售。将电源连接到线路之前，请确保电源模块上的线性电压开关已经设定在正确的电压范围。请始终使用电源上的电源开关来给电源通电。建议装置不要热插拔。

特点：探测器室设计标准安装尺寸，可与我公司的相关产品配套使用其中7ID219采用日本进口滨松器件，7ID230采用国产高性能器件技术参数：型号名称7ID219紫外增强型硅探测器7ID230普及型硅探测器感光面积100(10×10) mm2100(10×10) mm2波长使用范围190-1100 nm300-1100 nm峰值波长960 nm800±20 nm峰值波长响应度0.5 A/W0.4 A/W200nm的响应度0.1-0.12 A/W-------响应时间3μs-------工作温度范围-20～+60℃-------储存温度范围-20～+80℃-------分流电阻200(50) MΩ-------等效噪声功率1.8×10-14W/√Hz-------暗电流（25℃；-1V）2×10-10 A1×10-8-5×10-11 A结电容1100 pf（VR =0V,f=10KHz）3000 pf (-10V)重量0.18kg0.18kg 光谱响应参考图：

下一代硅漂移探测器 (Next Generation SDD)超快型硅漂移探测器 (Super Fast SDD) 10倍通量 & 不损失任何分辨率 能量分辨率（FWHM,[eV]）峰化时间（微秒）125813511450.2图1. 能量分辨率和峰化时间曲线图2. 不同峰化时间条件下超快型硅漂移探测器的输出计数率和输入计数率的关系 图3. 不同峰化时间条件下超快型硅漂移探测器的能量分辨率和输入计数率的关系 图4. 一秒钟采集结果的定量分析1（样品为316型不锈钢-NIST 3155） 而以下表格则显示了图4中数据的定量分析结果。 元素合格浓度Super SDD仅需1秒V0.050.16±0.28Cr18.4518.32±0.80Mn1.630.0±0.55Fe64.5165.89±1.64Co0.10.00±0.40Ni12.1812.56±0.47Cu0.170.19±0.02Mo2.382.34±0.08 图5. 1.2Mcps输入计数率（ICR）情况下测量锰（Mn）样品 图6. 一秒钟采集结果的定量分析2（样品为焊锡）

Thorlabs硅光电探测器，光纤耦合型，带放大探测波长在400 nm - 1000 nm的光易于使用的OEM封装，带有FC/PC光纤耦合输入集成低噪声放大器附带电源应用FPD310-FC-VISFPD510-FC-VIS & FPD610-FC-VIS探测快速激光脉冲探测弱光信号激光光源的射频和脉冲形状提取外差激光拍频信号探测光学拍频信号的高效零差和外差提取探测弱光信号脉冲调制光源表征探测斩波光源Menlo Systems的高灵敏度PIN硅(Si)光电探测器使用方便，集成了高增益、低噪声的RF放大器(FPD310-FC-VIS)或跨阻放大器(FPD510-FC-VIS和FPD610-FC-VIS)。FPD310-FC-VIS光电探测器经过优化，具有高增益、高带宽、超短上升时间和高信噪比。它还有两种增益设置以供切换，在许多应用中可实现最佳性能。此AC耦合装置的3 dB带宽为5 - 1000 MHz。FPD510-FC-VIS和FPD610-FC-VIS光电探测器针对信噪比最大值进行了优化，分别适用于探测频率最高不超过250 MHz和600 MHz的低电平光学拍频信号和脉冲形状。两种光电探测器都具有固定增益。FPD510-FC-VIS的上升时间为2 ns，而FPD610-FC-VIS的上升时间为1 ns。FPD510-FC-VIS的3 dB带宽为200 MHz，而FPD610-FC-VIS的为500 MHz。这些探测器设计紧凑，易于OEM集成。它们还有一个FC/PC输入端，用于光纤耦合应用，且附带一个电源，具有通用AC输入。规格图：

下一代硅漂移探测器 (Next Generation SDD)超快型硅漂移探测器 (Super Fast SDD) 10倍通量 & 不损失任何分辨率 能量分辨率（FWHM,[eV]）峰化时间（微秒）125813511450.2图1. 能量分辨率和峰化时间曲线图2. 不同峰化时间条件下超快型硅漂移探测器的输出计数率和输入计数率的关系 图3. 不同峰化时间条件下超快型硅漂移探测器的能量分辨率和输入计数率的关系 图4. 一秒钟采集结果的定量分析1（样品为316型不锈钢-NIST 3155） 而以下表格则显示了图4中数据的定量分析结果。 元素合格浓度Super SDD仅需1秒V0.050.16± 0.28Cr18.4518.32± 0.80Mn1.630.0± 0.55Fe64.5165.89± 1.64Co0.10.00± 0.40Ni12.1812.56± 0.47Cu0.170.19± 0.02Mo2.382.34± 0.08 图5. 1.2Mcps输入计数率（ICR）情况下测量锰（Mn）样品 图6. 一秒钟采集结果的定量分析2（样品为焊锡）更多信息请关注AMPTEK英文官方网站：。

特性波长范围：200到1100 nm 固定或可调增益的低噪声放大器负载阻抗：50 Ω或以上(带宽≥3 kHz的版本)自由空间光学输入我们提供多种硅(Si)自由空间型带放大的光电探测器，光灵敏范围从紫外到近红外。Thorlabs带放大的光电探测器内置低噪声跨阻放大器(TIA)或低噪声TIA后接电压放大器。Menlo Systems的FPD系列带放大光电探测器内置射频(RF)放大器或跨阻放大器。我们提供固定增益和可调增益的版本，前者具有固定的zui 大带宽和总跨阻增益，后者提供两个或八个增益设置。Thorlabs光电探测器能够满足多种要求，380 MHz的PDA015A固定增益探测器具有1 ns脉冲响应，高灵敏PDF10A2具有最小3.0 fW/Hz1/2噪声等效功率(NEP)，可调增益的PDA100A2具有八种可调的zui 大增益(带宽)组合，范围从1.51 kV/A (11 MHz)到4.75 MV/A(3 kHz)。具有飞瓦灵敏度的PDF10A2为低频器件，只能端接高阻抗(Hi-Z)负载，而其它所有带放大的硅光电探测器都能够驱动从50 Ω到Hi-Z的负载。Click to EnlargePDA10A2与附带的±12 V电源。更换用的电源在下方出售。每个探测器都有SM05 (0.535"-40)内螺纹与SM1 (1.035"-40)外螺纹。除了有些特定的探测器，所有装置外壳上都有8-32螺孔 (-EC和/M型号为M4螺孔)。PDA10A2、PDA8A2、PDA36A2、PDA100A2和PDF10A2使用新外壳，具有兼容8-32和M4的通用螺孔。Menlo Systems的FPD系列探测器具有易用的光电二极管封装，集成高增益、低噪声RF放大器(FPD310-FS-VIS)或跨阻放大器(FPD510-FS-VIS和FPD610-FS-VIS) 。FPD310-FS-VIS非常适合需要高带宽和超短上升时间( 1 ns)的应用，它能以0和20 dB两种步长调节增益。FPD510-FS-VIS和FPD610-FS-VIS具有固定增益，能够在探测低水平光学拍频信号时提供zui 高信噪比，zui 高探测频率分别为250 MHz和600 MHz。FPD510-FS-VIS上升时间为2 ns，而FPD610-FS-VIS上升时间为1 ns。这些是直流耦合器件，FPD510-FS-VIS的3 dB带宽为200 MHz，而FPD610-FS-VIS为500 MHz。FPD探测器设计紧凑，便于OEM集成。每个Menlo探测器外壳上有一个用于安装接杆的M4螺孔。

硅雪崩光电探测器，可变增益，温度补偿连续可变增益温度补偿，在18 - 28 °C的温度范围上M因子的稳定性≤±3%SM05内螺纹和SM1外螺纹，可安装光纤转接件、透镜套管和其它组件包含电源这些雪崩光电探测器具有可变增益，通过外壳右侧的旋钮进行控制。与上方的APD130A探测器一样，这些探测器具有集成热敏电阻，它通过调节雪崩光电探测器两端的偏置电压，在23 ± 5 °C的温度范围内可将M因子的稳定性维持在±3%或更好。相比于上面的标准APD和温度可控的APD，APD430A2和APD430A还提供从DC至400 MHz的更大可用带宽。APD410A2和APD410A的可用带宽略小(DC至10 MHz)，但是灵敏度更高。APD440A2和APD440A探测器提供高跨阻抗增益，最大带宽为100 kHz。机械连接和电连接的方向，以及薄型外壳设计，确保了这些探测器可装在狭小空间中。外壳上有三个8-32(M4)安装孔，每侧面上一个，进一步确保它可以轻松集成到复杂的机械装置中。外壳还兼容SM05和SM1透镜套管。包含一个SM1内螺纹的盖子。光纤耦合注意事项：对于光纤耦合应用，我们不推荐使用Thorlabs带APD410A2(/M)、APD430A2(/M)和APD430A的S120-FC等光纤接头转接件，因为探测器的尺寸较小。可能会出现较高的耦合损耗以及频率响应降低。为了实现高耦合效率，可使用光纤准直器、聚焦透镜和X-Y平移调整架。

探测器Thorlabs提供一系列光学探测器产品，能够探测整个紫外、可见、近红外、红外以及太赫兹光谱区域内的光源。根据所选择的传感器可以测量不同参数，如强度、功率、强度分布、波前形状、能量和波长。未安装的光电二极管 校准过的光电二极管 已安装的无偏压的光电二极管 带尾纤的光电二极管 偏压探测器 放大探测器 位置传感探测器 积分球 平衡放大探测器 单光子计数器 光电倍增管模块 多通道光电倍增管模块 雪崩探测器 光纤耦合PMT模块 太赫兹 CCD / CMOS Cameras 光电二极管放大器 激光观察卡 光电二极管 Related Products 概述 Thorlabs提供一系列分立光电二极管和经过校准的光电二极管。其中包括铟镓砷（InGaAs）光电二极管，磷化镓 （GaP）光电二极管，硅（Si）光电二极管， 和锗（Ge）光电二极管。我们也提供一些专用的光电二极管。例如DSD2双波段光电二极管，它在一个包装内同时提供硅光电二极管和铟砷化镓光电二极管，两者结合起来可以达到400到1700纳米的波长范围。FGA20是一个具有高响应率的铟镓砷光电二极管，波长范围从1200到2600纳米，能够探测到的波长范围比典型的铟镓砷光电二极管的1800纳米要高。我们也提供FGAP71，它是一种磷化镓（GaP）光电二极管，它的波长范围是我们所提供的光电二极管中最短的，从150纳米到550纳米。已校准的光电二极管 Related Products 概述 Thorlabs公司提供5种NIST可追溯校准的光电二极管，有库存随时发货，包括一种铟镓砷（InGaAs）、两种硅（Si）和两种锗（Ge）光电二极管。校准特性：在光电二极管的整个光谱范围内，每隔10纳米测量响应度测量不确定度± 5%NIST可追溯每个光电二极管都附带响应度与波长的关系的数据表和图。不同批次的光电二极管之间的响应度不一样。因此，您收到的光电二极管的响应也许与下面描述的会有轻微的差异，但是仍将附带有校准数据。右图显示了不同FDS1010光电二极管之间的响应特性有多显著。这些数据是从104个光电二极管中采集的。在每个数据点都计算了最小、平均和最大响应度，并给出了曲线。 点击放大已封装的光电二极管 Related Products 概述 SM05PD和SM1PD系列光电二极管包含安装在方便的SM05（Ø 0.535英寸-40）和SM1（Ø 1.035英寸-40）外螺纹套管的铟镓砷、锗、硅或磷化镓光电二极管。光电二极管的电信号输出是通过一个能快速连接到测量电路上的标准SMA接头（SM05PD系列）或BNC接头（SM1PD系列）提供的。该光电二极管可分为A型（阴极接地）或B型（阳极接地）布置。所有的型号都是测量脉冲和CW光源的理想选择。主体上的绝缘外螺纹能使这些光电二极管与Thorlabs公司的所有SM05和SM1安装适配器兼容。 带尾纤光电二极管 Related Products 概述 特性适用于610-770纳米和780-970纳米的单模型号多模型号高速宽带特性低偏置电压增强型光纤典型应用光通信高速光度测定监测Thorlabs 的FDSP系列带尾纤光电二极管是高速带尾纤硅PIN光电二极管，设计用于可见到近红外范围的光探测。这些光电二极管具有在低偏置电压下的宽带特性，是光通信、高速光度测定和监测等应用的理想选择。FDSP系列的外壳为不锈钢套管，用来实现光纤到光电二极管的主动耦合。光纤用一个900微米的松套管外保护和橡胶护套进行强化，以便于减少光纤的弯曲应力。 提供两种型号的单模光纤和一种型号的多模光纤：FDSP780 Nufern的780-HP单模光纤，780-970纳米，芯径5微米，数值孔径0.13FDSP660 Nufern的630-HP，单模光纤，610-770纳米，芯径4微米，数值孔径0.13FDSP625 梯度折射率多模光纤，320-1000纳米，芯径62.5微米，数值孔径0.27单模光纤的型号设计用于低背反射，同时单模光纤也能抑制模式干扰（也称为MPI－多路径干扰），是基于光纤的干涉仪的信号探测中的基本组件。根据需要，可提供带工业标准光纤接头的连接。偏压探测器该页面是我们的各种偏压探测器。我们提供自由空间型和光纤耦合型两种类型。可通过转接件将光纤和自由空间探测器耦合起来。偏压探测器 光纤耦合探测器 放大探测器Thorlabs提供一系列自由空间型和光纤耦合型放大探测器。此外，光纤转接件可用于本公司的自由空间探测器，以获得更多的功能和灵活性。放大探测器 飞瓦光电探测器 TEC HgCdTe 探测器 光纤耦合探测器 Menlo Systems快速PIN光电探测器 雪崩探测器 位置传感器 Related Products 横向效应位置传感器概述 特性2D横向效应位置传感探测器对光斑形状和功率密度不敏感SM05镜筒兼容结构紧凑Item #PDP90AWavelength Range320 to 1100 nmResolution, @ 635 nm0.68 µ m @ 100 µ W,6.8 µ m @ 10 µ WNoise2.25 µ mpp, 340 nmrmsRecommended Spot SizeØ 0.2 &ndash 7 mm PDP90A位置传感器利用针垫横向传感器来精确测量入射光与校准中心之间的位移。这些器件适用于测量光线的移动，传播的距离或者作为对准系统的反馈。 大的探测表面允许光束直径9毫米，然而，我们推荐光束直径范围在0.2到7 毫米。与象限传感器需要所有象限均有覆盖不同，横向传感器可以提供在探测区域内任何点的位置信息，与光斑形状，尺寸和能量分布无关。PDP90A的噪声很小2毫伏峰峰值（300微伏有效电压），对应的探测误差为0.675微伏有效电压。分辨率与输入光功率直接相关，表示为以下方程，这里，&Delta R是分辨率，Lx是探测器长度，9毫米，en是输出噪声电压，300微伏有效电压，Vo是总输出电压水平，4伏特最大值因此，对于最高功率水平，分辨率将达到0.675微米。更多详细技术信息参见技术信息标签。每个PDP90A象限探测器与一个8-32到M4适配器一同包装，提供与英制或者公制安装接杆的兼容性。 下表中阴影区域显示最小和最大输入光强水平与波长的关系。确保输入光功率与最大水平接近来获得最佳的分辨率和噪声系数。超过最大水平传感器将饱和，结果将会有误差。 积分球Thorlabs提供已定标的（NIST标定）和未标定的积分球。已定标的积分球有一个接口，能连接自由空间光源或光纤光源。它能与本公司的所有C系列接头的功率计兼容。未定标的积分球有三到四个接口，这些接口可以连接多种探测器和输入转接件。多端口积分球 校准的积分球功率传感器 平衡探测器这里介绍了Thorlabs的平衡探测器。根据这个模型，硅或者InGaAs探测器可以用于320-1000纳米、800-1700纳米或者1270-1350纳米范围内。偏振非敏感平衡探测器 偏振相关平衡探测器 带高速输出监测的平衡放大光电探测器 平衡放大探测器 单光子计数器 Related Products 概述 Item #SPCM20ASPCM20A/MSPCM50ASPCM50A/MDetector TypeSi Avalanche PhotodetectorWavelength Range350 - 900 nmActive Detector Diameter20 µ m50 µ mTypical Max Responsivity35% @ 500 nmDark Count Rate Typical60 Hz Max (25 Hz Typical)200 Hz Max(150 Hz Typical)Max Count Rate *28 MHz22 MHz* 对于脉冲光特点低暗计数 SPCM20A(/M): 25赫兹 (常规值)SPCM50A(/M): 150赫兹(常规值l)两种探头面积 SPCM20A(/M): Ø 20微米 有效面积SPCM50A(/M): Ø 50微米 有效面积有源抑制温度稳定USB接口脉冲输出TTL 开启/触发 输入体积小: 68毫米x 85毫米x 25毫米应用单分子的光谱学研究光谱-光度计测量流式细胞计光子相关谱法激光雷达图 1: 光子探测几率作为其波长的函数如图显示。SPCM仅在白框区域内对光子有感应。Thorlabs的光子计数器模块使用雪崩硅光电二极管探测单光子。SPCM计数器对发出的光子在350至900纳米范围内敏感，最高灵敏度在500纳米（见图1）。其工作原理是用光电探头将接收的光子转换成一个TTL脉冲，然后由内部的31位计数器计数。另有一个额外的USB接头可直接输出脉冲信号，可以输出到示波器查看或连接到外部计数器模块。这个光子计数器的功能的详细信息，请参阅&ldquo 教程&rdquo 选项。用一个集成的Peltier元件来稳定二极管的温度，使之降低到环境温度以下，那么低暗计数率也就降低了。有两种型号供选择，SPCM20A 和 SPCM50A，其典型的低暗计数率分别为25赫兹和150赫兹，能够探测到的功率低至0.4飞瓦。SPCM中的二极管集成了有源抑制电路，从而能获得高计数率。它的高速性能让用户每35-45 ns计数一个光子，取决于不同的型号。 SPCM20A提供的有效探测面积为Ø 20微米，而SPCM50A为Ø 50微米。软件SPCM包括一个GUI 软件包来进行暗箱操作。以下操作模式可以通过软件设置：手动模式 用于手动操作自由运行时间计数器用于计数一定&ldquo 时间块长度&rdquo 内的入射光子数量外部触发时间计数器用于触发时间器开始计算一定周期内的入射光子数量外部触发计数器通过一个外部触发来开启或关闭计数器外部启动 用于外部激活计数器和 雪崩光电二极管如需获得更多关于软件和它的操作方法的信息，请见&ldquo 软件 &rdquo 选项光电倍增管模块 Related Products 概述 特性提供两种光谱范围：280&ndash 630纳米，或280&ndash 850纳米端窗型光电倍增管结构静电和磁屏蔽转换增益：阳极电流1伏/微安圆形打拿极链配置外壳有SM1螺纹外壳有4个螺纹孔，用于ER系列笼式支杆可以三种不同方式接杆安装附带120和230伏插接适配器的电源SMA输出无需高压电源需要可变（0-1.8伏直流）电源（不包括）Thorlabs提供两种光电倍增管模块，结合了一个端窗型光电倍增管（PMT），外壳，以及高增益、直流耦合的跨阻抗放大器：PMM01用于280 &ndash 630纳米光谱范围，PMM02用于280 &ndash 850纳米光谱范围。PMM01具有一个半透明的双碱光电阴极，与PMM02（点击规格标签了解详细信息）相比，它具有更高的增益，&lambda 500纳米时更高的量子效率，和更低的暗电流，但是它适用的光谱范围较窄。由于灵敏度与最常用的闪烁体材料非常匹配，双碱光电阴极在闪烁光探测方面具有广泛应用。相比之下，PMM02具有半透明的多碱（S20型）光电阴极，具有&lambda 500纳米时更高的量子效率，和更宽的光谱范围。多碱光电阴极常用于宽带分光光度计和光子计数应用。Thorlabs的PMT模块具有内置高压电路，消除了PMT运行时通常对外部高压电源的需要。通过将高压电路加入PMT模块，Thorlabs的PMT降低了成本和设备的大小，以及触电的风险。此外，该PMT模块由± 12伏直流电源（包括120伏和230伏插接适配器）和0&ndash 1.8伏的可变直流电源（不包括在内）供电。两种模块都配备有3个8-32螺纹，可在不同方向接杆安装。附带1个公制兼容的AS4M8E（8-32至M4）适配器。此外，在该模块的正面有4个4-40螺纹孔，使其与我们的30毫米笼式共轴系统 （点击笼式兼容性标签了解更多信息）兼容。这些部件与PMT孔径上的保护盖一起发货。一旦去除保护盖，该模块带有的SM1兼容内孔，可与我们一系列的SM1透镜套管兼容。因此，成像光学元件和滤光片可便捷地安装并位于PMT光电阴极的中心。此外，使用透镜管可阻止杂散光和散射光到达探测器，这对探测弱光或噪声信号非常有利。光电倍增管模块 Related Products 概述 特性极其适合用于激光扫描显微应用兼容Thorlabs公司的激光扫描必备套件光电倍增管模块可以扩展到最多8个通道附带双通道模块 两个多碱光电倍增管可替换荧光滤光片立方SM1螺纹光电倍增管安装座用于安装滤光片模块我们还提供单体多碱光电倍增管宽带光谱响应：185 - 900纳米 点击了解详情 Thorlabs公司的光电倍增管（PMT）模块设计使成像系统，如我们的激光扫描必备套件，更容易集成PMT探测功能。PMTSS2双通道PMT模块包含两个多碱标准灵敏度的PMT、一个DFMT1滤光片立方插件、和一个底座。该模块中的两个多碱PMT能够进行高效探测，并具有185 -900纳米的宽带光谱响应范围。模块的底座装备有一个MDFB滤光片立方和一些插槽，这些插槽可以用来安装英制或公制光学平台、面包板的配件。其滤光片模块的输入端口带有SM1（1.035英寸-40）螺纹，可以直接兼容Thorlabs公司的各种SM1透镜套筒和光纤准直适配器。PMT已经经过准直，可以和附带的滤光片立方插件配合使用，该滤光片立方插件可以轻松替换进行分色镜/发射滤光套件。通过购买额外的单通道附加模块（PMTSS2-SCM），该双通道PMT模块可以最多被扩展为8个探测通道。这些PMT模块在我们的C共聚焦激光扫描显微系统中有专题介绍。对于只需要购买PMT的用户，我们提供不带滤光片模块和底座的PMTSS系列的多碱PMT探测器。该探测器带有C安装座内螺纹，可以直接兼容常用显微镜相机接口。这些PMT探测器附带一根电源线，用于连接用户自备的± 15伏电压和0.25 - 1伏的增益控制。探测器数据输出则由BNC接头输出。将一个PMTSS2双通道模块与额外的PMTSS2-SCM单通道模块相结合可以实现三通道探测。附带的滤光片模块可以实现荧光滤光片套件的简易插入和替换。雪崩探测器Thorlabs提供两种雪崩探测器。第一种是由Thorlabs的合作公司Menlo系统设计和制造的，该探测器能探测最高1GHz频率的信号。第二种是由本公司自己设计和制造的。两种探测器的探测波长范围从400纳米到1700纳米可选。Menlo Systems雪崩探测器 雪崩探测器 用于共聚焦荧光成像的光电倍增管 Related Products 概述 特性设计用于VCM-F共聚焦基础系统有单PMT和双PMT单元可供选择低噪声高灵敏度的镓砷磷PMT或标准灵敏度的多碱PMT选项光谱响应 300-720纳米，高灵敏度型号185-900纳米，标准灵敏度型号软件控制在附带的三种发射滤光片之间选择 带通：440 ± 40纳米带通：525 ± 50纳米长通：600纳米 Thorlabs提供两种不同的光电倍增管（PMT）单元，用于VCM-F共聚焦基础系统。PCU2A包含两个宽带，标准灵敏度的PMT模块。 PCUxB系列包含一个（PCU1B）或者两个（PCU2B）高灵敏度低噪声PMT模块（详细信息请看表格）。双PMT单元（PCU2A或者PCU2B）是使用基于VCM-F共聚焦基础系统进行多通道荧光成像的理想选择，因为它们可用ThorVCM软件完全控制。每个双PMT单元标配三种发射滤光片，能通过软件控制进行选择。用户可以在440/40带通滤光片和525/50带通滤光片之间，或者525/50带通滤光片和600纳米长通滤光片之间切换。需要其他发射滤光片，请联系我们的技术支持询问具体信息和价格。太赫兹该指南介绍了Thorlabs的太赫兹系列产品。我们目前提供的产品有THz天线/接收器安装座、THz天线和THz套件。太赫兹套装 太赫兹天线 太赫兹接收器安装座 CCD/CMOS相机Thorlabs提供一系列结构紧凑的CCD和CMOS面阵列相机，以及CCD线阵列相机。我们的CCD面阵列相机属于高端设备，提供外部触发输入。而对于不需要外部触发的应用，我们的CMOS相机是高性价比的替代方案。CCD和CMOS面阵列相机都有黑白或者彩色版本。这些相机与Thorlabs的MVL系列C接口相机镜头兼容。CCD线阵列相机提供外部触发输入，可用于自制光谱仪等应用中。CMOS相机，C形安装 CCD相机，C形安装 线性CCD相机 C形安装相机镜头 台式光电二极管放大器 Related Products 概述 特性阻抗光电流放大器整个动态范围内噪声极低分辨率高达10皮安的5位数字显示支持单点功率校准支持两种光电二极管极性（CG和AG）偏压可调输入放大器及光电二极管暗电流偏移补偿符合RoHS标准PDA200C型光电二极管放大器适用于很小光电二极管电流的超低噪声放大。可以提供从100纳安到10毫安满量程的六种电流范围，以及最10pA大的显示分辨率。该设备同时支持阴极接地（CG）以及阳极接地（AG）光电二极管。这种放大器可以在光伏或光导模式下工作。可调节的偏压提供更好的响应线性度和增强的频率响应。利用升级的PDA200C系列，我们的光电流放大器符合RoHS标准，此外，还改变了电流测量范围。其余的特性与以前的PDA200系列几乎相同。

硅光电倍增（SiPM）高灵敏度中子探测器SiPM(Silicon Photo-multiplier,硅光电倍增探测器)是近年来逐渐兴起的一种用于光探测领域的光电探测器件。与传统的PMT(Photo-multiplier tube,光电倍增管)相比,它有着尺寸小、工作电压低、几乎不受磁场影响等优点,但其缺点是对环境温度变化较敏感。为了掌握SiPM性能指标随环境温度的变化规律,搭建了SiPM温度特性实验系统,通过改变环境温度来实时测量记录SiPM的雪崩临界电压和增益,从而定量得出SiPM的温度特性,并通过理论计算对实验数据进行分析。简单集成化探测系统取代过去He3探测组件可扩展性能 极高性价抗冲击和振动，特别适用于恶劣环境下

SOLARLIGHT硅探测器OL 731产品型号：OL 731产品介绍OL 731 USB智能探测器是一款低成本、灵活、可编程、紧凑的辐射计光度计，可轻松设置以满足专业需求。性能特点 一系列传感器和滤波器可用于根据特定应用的要求定制光谱响应。 提供了一个命令集，用于创建采集程序。 交付时，OL 731系列探测器可由任何具有USB连接的计算机进行操作。技术参数产地：美国输出光束尺寸：0.4英寸（1厘米）光束方向：垂直向下、垂直向上或水平（适用于所有型号-请按订单 ）灯具类型：氙短弧（适用于所有型号）灯功率（标称）：150W（适用于所有型号）光束均匀性：±5%（适用于所有型号）时间不稳定性分类：A（IEC 60904-9 2007）A（JIS C 8912）A（ASTM E927-05）灯光波纹：±2%rms均匀性分类：B（IEC 60904-9 2007）B（JIS C 8912）B（ASTM E927-05）水平梁工作距离：3英寸（7.6厘米）垂直梁工作距离：不适用长期漂移（＜4小时）：接近零功率限制：出厂设置限制max.150 W工作温度：40-100°F储存温度：-4°F至185°F/-20°C至+85°C湿度：0至95%非冷凝冷却：强制空气工作温度：40-100°F电源要求：5 VDC通过USB连接器重量：0.5磅

3543数字DR成像系统 3543数字DR成像系统，用于X-RAY成像；尺寸可选. 技术参数描述 GOS CsI 探测器类别 非晶硅 非晶硅 闪烁体 GOS CsI 图像尺寸 (mm) 350×427.28 350×427.28 像素矩阵 2560×3072 (14×17 in) 2560×3072 (14×17 in) 像素间距 (um) 139 139 A/D转换 (bits) 16 16 探测剂量 (nGy) 20 14 灵敏度 (LSB/uGy, RQA5) 375/395/415 525/553/581 线性剂量 (uGy, RQA5). 150 110 动态范围 (dB) 80/83.5/- 80/83.5/- 调制传递函数 @ 1.0 LP/mm 0.51/0.56/- 0.60/0.63/- 调制传递函数 @ 2.0 LP/mm 0.22/0.24/- 0.30/0.32/- 调制传递函数 @ 3.0 LP/mm 0.09/0.11/- 0.18/0.20/- 残影 (%, 300uGy, 60s) -/0.10/0.25 -/0.10/0.25 量子探测效率 @ 0.0 LP/mm (2.5uGy) 0.48/0.50/ - 0.70/0.72/- 量子探测效率 @ 1.0 LP/mm (2.5uGy) 0.30/0.32/ - 0.43/0.46/- 量子探测效率 @ 3.0 LP/mm (2.5uGy) 0.04/0.05/- 0.08/0.10/- 空间分辨率 (LP/mm) 3.6/3.6/- 3.6/3.6/- 采集时间 (s，有线) 1.0 1.0 采集时间 (s，无线) -/2.0/6.0 -/2.0/6.0 图像处理时间 (s，有线) 2.0 2.0 图像处理时间 (s，无线) -/2.3/6.3 -/2.3/6.3 X-射线工作范围 (kV) 40/-/150 40/-/150 平板存图 (幅) 20 20 电池待机时间(h，无线) 11.5/12.1/- 11.5/12.1/- 数据接口 千兆以太网/802.11n 千兆以太网/802.11n 功率 (W) 20 20 交流电源 (V) 100/-/240 AC 100/-/240 AC 交流电源频率 (Hz) 50/-/60 50/-/60 适配器输出电压 (V) 24 DC 24 DC 探测器尺寸 (mm) 383.0×460.0×15.0 383.0×460.0×15.0 探测器重量 (kg,不含线缆) 3.7±0.1 3.7±0.1 探测器外壳材料 碳板,铝合金 碳板,铝合金 探测器线缆长度 (m) 标准1m(最长8m) 标准1m(最长8m) 防水等级 IPX3 IPX3 存储温度 (º C) -20/-/55 -20/-/55 工作温度 (º C) 5/-/35 5/-/35 存储和运输湿度 (%RH) 10/-/75 10/-/75 工作湿度 (%RH) 10/-/75 10/-/75 承重(kg，均匀分布表面) 150 150 承重(kg，分布在4厘米直径的圆盘) 100 100

全景无线长形平板探测器 长形探测器,长度107X430mm 探测器类别 非晶硅 闪烁体 GOS图像尺寸 107×43 cm像素矩阵 7680×3072像素间距 描述 A/D 转换 16 bit最小探测剂量 20nGy最大线性剂量(RQA5).150uGy调制传递函数 @ 1.0 LP/mm0.51/0.56/-调制传递函数 @ 2.0 LP/mm0.22/0.24/-调制传递函数 @ 3.0 LP/mm0.09/0.11/-量子探测效率 @ 0.0 LP/mm(2.5uGy)0.36/0.38/-量子探测效率 @ 1.0 LP/mm(2.5uGy)0.30/0.32/-量子探测效率@ 2.0 LP/mm(2.5uGy)0.16/0.18/-量子探测效率 @ 3.0 LP/mm(2.5uGy)0.07/0.08/-残影 (%, 300uGy, 60s)0.5空间分辨率 3.6 LP/mm图像采集时间 (有线)3S图像采集时间 (无线)-/5/7S无线电池待机时间 10HX-射线工作范围 40-150 KV数据接口 GigE, Wifi功率 20 W适配器输入电压 AC 100-240V,50-60Hz适配器输出电压 DC 24V,60W探测器尺寸 111.5x 47.1 x 1.5cm探测器重量(无线含电池/有 线)10kg/9.6kg探测器外壳材料 Carbon, Al Alloy防水等级 IPX3工作环境 5-35º C,10-75% RH

仪器简介：XR-100SDD 硅漂移探测器(SDD)是Amptek 公司X 光探测器系列的最新成员，是一代革命性的产品。它 性能高、尺寸小、低成本，使它成为OEM 制造商的理想选择，用于生产从手持式到台式分析仪器。硅漂 移探测器(SDD)实现了极高计数率下优异的能量分辨率。同其它Amptek 公司生产的探测器一样，它被封 装在TO-8 外壳内，所以它的波形因数可直接转换为现有系统所用，兼容Amptek 公司生产的所有配件。规格： Detector TypeSilicon Drift Detector (SDD)Detector Size25 mm2Silicon Thickness500 µ m, See efficiency curvesCollimatorMultilayer, click here for more informationEnergy Resolution @ 5.9 keV (55Fe)125 - 140 eV FWHM at 11.2 µ peaking timePeak to Background8200:1 (ratio of counts from 5.9 keV to 2 keV)Background Counts3 x 10-3/s, 2 keV to 150 keVDetector Be Window Thickness0.5 mil (12.5 µ m), See transmission curvesCollimatorInternal MultiLayer Collimator (ML). Click here for more information.Charge Sensitive PreamplifierAmptek custom reset preamplifier.Gain Stability20 ppm/° C (typical)XR100SDD Case Size3.00 x 1.75 x 1.13 in (7.6 x 4.4 x 2.9 cm) Click here for mechanical dimensionsXR100SDD Weight4.4 ounces (125 g)Total Power1 WattWarranty Period1 YearTypical Device Lifetime5 to 10 years, depending on useOperation conditions0° C to +50° CStorage and ShippingLong term storage: 10+ years in dry environmentTypical Storage and Shipping: -20° C to +50° C, 10 to 90% humidity non condensing主要特点：&bull 高计数率：500,000 CPS&bull 在 5.9 keV 峰处分辨率可达136 eV 半峰宽(FWHM)&bull 高峰强:背噪 (P/B) 比:7000:1&bull 7 mm2 × 450 &mu m&bull 无需液氮

NLIR（非线性红外传感器）公司是由丹麦技术大学(DTU Fotonik)光子学工程系的3名研究人员和NLIR的首席执行官创立的一家初创公司，隶属于Nynomic集团。该公司基于新颖的上转换专利技术，开发了中红外光谱仪、单波长探测器和光源等一系列产品。相较于传统的红外光谱仪，NLIR公司的同类产品具有快几个数量级的光谱扫描速度和更高的灵敏度。上转换技术的核心是可将中红外光转换为近可见光的非线性晶体。这使得可以使用快速高效的硅基传感器来检测中红外（MIR）光。非线性中红外光谱仪的实现代表了一种新测量范式。该公司被命名为非线性红外传感器(NLIR)，以突出与当今领先的傅里叶变换红外光谱(FTIR)的MIR光谱方法的技术差异。NLIR公司开发的产品可广泛应用于中红外光谱领域，如光谱测量、光学镀膜、激光系统诊断、光纤光谱探针（样品检测）、实时工业过程监控、颜色识别、快速事件光谱分析、弱光光谱测试、自由空间光通信等。 中红外探测器面临的最大挑战通常是大量的固有噪声，并且它们从周围环境中收集大量噪声。NLIR单波长探测器通过使用窄带和高效的上转换技术以及低噪声硅基探测器来突破这两个限制。处理细节在即插即用探测器模块中完成，其中红外信号与NLIR的高功率泵浦激光器混合，以产生可被各种高响应硅基探测器检测到的近可见信号。如果客户不需要超弱光信号检测，NLIR还提供宽带解决方案搭配中红外探测器使用，这些解决方案会降低效率，但适配客户的宽带光源，并可产生高速和低噪声的中红外信号。 NLIR先进的中红外探测器产品可以满足客户对小信号和快速信号的探测需求。 产品特点-高达10 GHz的电气带宽-2.2–5.0 μm中心波长-高达GV/W响应-自由空间或光纤耦合输入-即插即用，内置前置放大 应用领域-脉冲表征-快速事件分析-超低电平信号提取-自由空间光通信-遥感-QCL和OPO光束分析 测量中红外纳秒脉冲来自NKT Photonics MIR紧凑型超连续谱源的光，以40 kHz发射5 ns脉冲，覆盖2 μm至4.2 μm的光谱，使用两个不同的点探测器进行测量。MIR 单色器选择波长为 2.4 μm 的 20 nm 带宽，输出耦合到 200 μm 的 MIR 光纤。光纤的输出依次发送到两个探测器中的每一个：NLIR 240 MHz 2.4 μm 单波长探测器（衰减为 50 dB）和市售的 9 MHz InAsSb 探测器，可直接曝光。图显示了两个探测器的响应。产品参数 型号D2250-DCD2250-2MD2250-100MD2250-240MD2250-1GD2250-10G中心波长（μm）2.2-5.0 (调谐可选2.7-4.3 μm)光学带宽（1），（2）（nm）15-200电气带宽，3dB（Hz）DC-20DC-2×106103-1006103-240×106103-1×10920×103-109噪声等效功率(W/√Hz)10×10-153×10-130.5×10-120.5×10-122×10-121×10-9最小探测功率（3）（W）45×10-154×10-105×10-98×10-96×10-8100×10-6交流电响应（4）(V/W)NA20×106600×103300×1033×103120直流电响应（4）(V/W)200×10920×106NANANA50暗噪声标准差(mV)93.56446输出电压，限阻50Ω（V）104.71.51.510.45抬升时间（10%-90%）（ns）NA1703.41.410.340.034输入接口类型（5）SMA光纤接头（可拆卸用于自由空间光输入）偏振方向垂直最佳输入光斑尺寸（mm）0.5（可定制）最大操作温度（℃）30尺寸（高×长×宽）（mm3）100×306×200重量（kg）5封装4×1英寸支柱（1）最小带宽取决于中心波长，中心波长越长，最小带宽越大；（2）带宽可根据要求选择：更宽的带宽会降低响应值；（3）最小功率是在全电气带宽情况下测得；（4）该参数是在中心波长为3.5 μm的最小光谱范围条件下获得；（5）使用数值孔径（NA）为0.26的200 μm光纤可获得较好测量结果。

单光子计数模块|硅APD探测模块SPDSi|Si-APD单光子探测器 单光子计数模块SPDSi是基于Si-APD的超灵敏光电探测器。探测波段覆盖200 -1060 nm，可工作在线性模式和盖革模式。盖革模式下增益超过60 dB。SPDSi特有的高性能主动抑制电路，可以实现连续的单光子探测，并且可加载任意宽度和周期的探测门。该电路实现了大于20 dB的雪崩抑制，从而将Si APD的性能发挥到最佳状态。在700 nm波段的探测效率超过60%，暗计数200-2000 cps，死时间小于50 ns。SPDSi标准型号的有效光敏探测面积最高可达500 um，单光子计数信号在模块内部转化为数字TTL信号，并通过SMA接口送出。高度集成的模块化设计便于OEM应用和工业集成。APD通过模块内部制冷工作在-20 ℃的低温环境下，以获得最佳的信噪比。制冷模块由高效的TEC控制。控制精度可达±0.2 ℃。技术特点： 高探测效率：65%@700 nm500 um光敏面积TTL数字信号输出低暗计数低后脉冲低时间抖动 应用领域： 荧光测量 激光测距量子通信 光谱测量光子关联 自适应光学 Fig1. 量子效率 Fig2. Si单光子探测器 Fig3. Si单光子探测器结构图 产品参数：参数规格 参数值单位供电电压*122 -28V供电电流0.5A光谱响应范围200 ----1060nm探测效率@200 nm@700 nm@850 nm@1060 nm 265453%暗计数200 -2000cps死时间50ns后脉冲3 - 8%时间抖动300 - 500ps饱和计数率*210Mcps光敏面积500umAPD制冷温度-20℃工作温度-15 - +50℃输出信号电平LVTTL 输出信号脉宽530ns门脉冲输入电平Disable=LVTTL lowEnable=LVTTL high 0-0.42 -3.3V产品说明：1.不正确的电压可能损坏模块，应保证接入电源不高于28V，并可提供足够电流。2.APD属于高灵敏光电探测器件，在雪崩状态下应控制输入光信号强度，过高的光强可能损坏APD，这种损害可能降低APD的探测灵敏度，严重时甚至会造成二极管击穿。3.在特殊的应用场景下，应保证模块的工作温度不超过50 ℃，过高的温度可能导致APD工作温度上升，从而引起暗计数水平升高。4.SPDSi的默认死时间为50ns。死时间设定会影响模块的最大计数率，当死时间设定在50ns时，最大计数率为10Mcps，如您的应用对死时间设定有特别要求，请在订购时与我们联系。5.同样，输出信号的脉宽也会影响最大计数率，典型脉宽为30 ns，如您的应用对输出信号有特别要求，请在订购时与我们联系。6.SPDSi支持空间和光纤接口接入。单光子探测器选型：

光电探测器是光电系统的核心组成部分，其种类的选择和器件的性能特点直接影响着光电系统的性能。不同光电探测器敏感光波长的范围和程度是有差异的。所以在选择合适的探测器前必须清楚该探测器的光谱响应特性。探测器光谱响应检测设备主要由单色仪和标准探测器组成，通过替代法先测试标准探测器的光谱响应特性然后再换上被测探测器进行测试，通过对比标准探测器的值就可以得到被测探测器的光谱响应特性。OL750光谱响应测试系统主要由单色仪，标准探测器以及控制系统组成。单色仪主要负责把复合光分成单色光再通过探测器测出能量值，从而得到被测光源的光谱分布。所以单色仪作为一个分光系统，它的分光能力以及对杂散光的抑制就显得尤为重要，目前还是主要选用光栅作为分光元件，配合准直镜以及滤光片就可以得到较纯的单色光，另外为了提高整套系统的分光能力，通常会把两个单色仪连接起来形成双单色仪结构。这种二次分光设计不仅可以大大提高单色光的纯度而且可以有效地抑制杂散光，提高测试的精度。 图1-1 1、2、9、10 ----准直镜 6、7----光栅塔轮 3、11----反射镜 5、13、14----狭缝 4----斩波器 12---滤光片 光从单色仪的入口狭缝进入，入口狭缝出安装了一个光学斩波器，它可以直流信号变成交流信号方便后续信号的处理。然后后需通过准直镜把发散光准直成平行光束，因为只有当光线平行照射到光栅上才能得到最纯的单色光，而且也可以把杂散光减少到最低，准直镜可以通过控制器精确地调整位置，然后再经过光栅分光。如图1-1所示，光栅塔轮是一个三角形结构，有三个边，每边可以放置一片光栅所以总计可以放置三片，通过控制系统可以精确地控制塔轮旋转达到分光的效果。3片光栅的分光波段总和就是整套单色仪的分光范围，一般来说3片光栅已经足以覆盖很大的波长范围，但如果需要分光的波段超过了这个范围则需手动更换光栅。经一次光栅分光后还要再准直然后进行二次分光，提高单色光的纯度。当然这个时候的光并非是单色光，最后还要经过滤光片轮滤掉其它波段的杂散光。滤光片轮可以装11片二阶滤光片，通过控制器控制选择合适的滤光片。整套系统除了元器件的选择，对于它们的控制要求也十分高，两个光栅塔轮必须同时精确地旋转，斩波器、滤波轮以及准直镜都要精确地控制。这样就能得到高纯度的单色光提高结果的精确性。得到单色光之后用标准探测器把光信号转换成电信号，因为标准探测器都是经过标定的，它的光电转换效率是明确的，所以就可以依据收集到的电信号来计算出光信号的大小。从而确定光源经过分光系统后到达探测器时的能量值。对于探测器的选择，灵敏度和信噪比是较重要的指标，首先不同的材料对不同波段的光源响应是不一样的，所以一定要选用相对灵敏度较高的探测器。对于紫外和可见波段一般会选用硅探测器。 设备参数光栅光谱范围：200nm-30um 波长精度：±0.05% 波长重复性：±0.01% 线色散倒数：2nm/mm 带宽：0.25-10nm 杂散光：≤10-8 光栅尺寸：68mmX68mm 焦长：254 nm (f/4) 斩波器频率：可设置，10-500HZ 控制接口：RS-422 非线性误差：0.1% 硅探测器：（光谱范围：0.2μm-1.1μm，噪声不大于：2×10-14(Watts)）； 硫化铅探测器：（光谱范围：1.0μm ~3.2μm, 噪声不大于：1×10-12(Watts)）；

2529动态平板探测器，具有图像清晰、高DQE、高分辨率等优点，可以实现全分辨率14帧/秒，2x2 binning 30帧/秒，4x4 binning 60帧/秒，适用于X射线实时成像应用描述 规格(GOS) 规格(CsI) 探测器类别 非晶硅 非晶硅 闪烁体 GOS CsI 图像尺寸 250.88×286.72mm 250.88×286.72 mm 像素矩阵 2048×1792 2048×1792 像素间距 140 um 140 um A/D转换 16bit 16 bit 探测剂量 20nGy 14nGy 大线性剂量(uGy, RQA5) 150 110 帧速率(1x1, 140um, 2048×1792) 14 14 帧速率(2x2, 280um, 1024x896) 30 30 帧速率(4x4, 560um, 512x448, Under Development) 60 60 MTF @ 1.0 LP/mm 0.51/0.56/- 0.60/0.65/- MTF @ 2.0 LP/mm 0.22/0.24/- 0.30/0.33/- MTF @ 3.0 LP/mm 0.09/0.11/- 0.15/0.18/- DQE @ 0.0 LP/mm (2.5uGy) 0.48/0.50/ - 0.58/0.60/- DQE @ 1.0 LP/mm (2.5uGy) 0.30/0.32/ - 0.43/0.45/- DQE@ 2.0 LP/mm (2.5uGy) 0.14/0.15/- 0.30/0.32/- DQE @ 3.0 LP/mm (2.5uGy) 0.04/0.05/- 0.13/0.15/- 残影(%, 300uGy, 60s) 0.25 0.25 空间分辨率 3.6 LP/mm 3.6 LP/mm X-射线电压范围 40-150 KV 40-150 KV 数据接口 GigE/802.11ac GigE /802.11ac 功率 20 W 20 W 适配器输入电压 AC 100-240V,50-60Hz AC 100-240V,50-60Hz 适配器输出电压 DC 24V,60W DC 24V,60W 探测器尺寸 278.16×315×18.05mm 278.16×315×18.05mm 探测器重量 4.3 kg 4.3 kg 探测器外壳材料 Carbon, Al Alloy Carbon, Al Alloy 防水等级 IPX3 IPX3 工作环境 5-35º C,10-75% RH 5-35º C,10-75% RH

BOLOMETER探测器Bolometer是用于测量入射红外辐射的探测器。Bolometer探测器对热辐射非常敏感，主要用于10至5000μm（30THz至60GHz）的红外光谱。探测器核心是一个非常灵敏的热敏电阻，进行深度制冷以降低热背景。任何入射到探测器的热辐射都会引起温度变化，这将导致电阻变化并转化为电压差而被放大测量。因为Bolometer测量的是温度的变化，所以入射辐射必须经过调制，这允许Bolometer被能量激发和释放，从而进行与入射辐射的能量相对应的电阻变化的测量。Bolometer探测器对这种温度变化作出反应的速度取决于几个因素，如果需要，这些参数可以在系统订购时改变。所有复合硅Bolometer系统都安装在IRLabs的HDL-5型号液氦杜瓦瓶中，带有液氮冷却辐射屏蔽。4.2K系统的标准灌装间隔时间大于20小时，1.6K型号的标准灌装时间大于10小时。Bolometer探测器配有红外光收集锥组件、真空密封楔形窗、视场挡板和低噪声电子设备。并且，Bolometer系统可配红外截止滤光片或手动操作的2或3位置滤光片转轮。远红外长波通截止型滤波器，波长范围从10um到285μm。如果您的应用需要更长的保持时间、双探测器或更多的滤波器位置等，我们可以提供定制设计的系统，以满足您的个人需求。欢迎对定制设计提出特殊要求。应用领域：■ 傅里叶变换红外光谱 ■ 分子束光谱 ■ 强磁场研究 ■ 太赫兹探测关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等服务。

仪器简介：软X射线探测器分为AXUV系列，SXUV系列 ，UVG系列 这三个系列，其中AXUV系列适用于真空紫外、极紫外和软X射线探测器。SXUV系列探测器是专门为高通量的光子探测设计的，如配合使用在第三和第四代同步加速器和准分子激光器。该系列二极管由超大规模集成电路制造而成。UVG系列PN结光电探测器可以实现100%的光生载流子收集效率，所以被使用在近紫外和真空紫外（600--160nm）。技术参数：AXUV系列 AXUV系列适用于真空紫外、极紫外和软X射线探测器，由于不同于常见的pn结二极管，这些二极管没有掺杂死区，加之零表面复合处理，可以在紫外/极紫外范围内，达到理想化的100%内部量子效率转化。 IRD还提供与Cr,W,Au,Fe,Al等滤光片耦合的探测器，可以达到探测指定波长的效果。 SXUV系列 由于在硅PN结光电二极管前耦合铂硅化物入射窗，使得探测器可以探测超紫外光子（能量范围4ev&mdash 12KeV）。这些探测器是专门为高通量的光子探测设计的，如配合使用在第三和第四代同步加速器和准分子激光器。该系列二极管由超大规模集成电路制造而成。 IRD还提供与Zr，Si3N4,Si,SiC,Mo,Al滤光片耦合的探测器，可以达到探测指定波长的效果。 当脉冲能量超过20mJ,IRD还开发了带衰减器的探测器，以减少UV/EUV脉冲射线对探测器的冲击。 UVG系列 UVG系列PN结光电探测器可以实现100%的光生载流子收集效率，所以被使用在近紫外和真空紫外（600--160nm）。与传统的二极管不同的是，这些二极管没有掺杂死区，加之零表面复合处理，可以在紫外/极紫外范围内，达到理想化的100%内部量子效率转化主要特点：1.软X射线可直接照射探测器，无需闪烁晶体做转换 2.按可检测X射线能量范围不同及应用的需要，分为AXUV,UVG和SXUV三大产品系列，最低可检测0.04nm的软X射线 3.快速响应的探测器，响应速度达到ps量级 4.多元阵列，积分放大电路，并可根据需要集成带通滤光片 5.四象限位置传感器（Quadrant PSD）

SiPM单光子探测器硅光电倍增管（Silicon photomultiplier，简称SiPM)，是一种新型的光电探测器件，由工作在盖革模式的雪崩二极管阵列组成，SiPM单光子探测器具有增益高、灵敏度高、偏置电压低、对磁场不敏感、结构紧凑等特点。SiPM单光子探测器发明于二十世纪九十年代末，广泛应用于高能物理及核医学（PET）等领域，代表着未来极微弱光探测器的发展方向。SiPM单光子探测器主要参数：有效面积3mmX3mm像元尺寸15um微孔数量38800探测效率31% @ 430nm, ctrl=0.7V暗计数率125kHz/mm3串扰几率18%残留脉冲几率5%恢复时间15ns跨阻增益150V/A输出带宽12.5MHz偏置电压0-1V输入电压5VDC功耗350mW （typ.）外观尺寸40mm×50mm×19.8mm工作温度0-60oCSiPM单光子探测器应用图例：其他规格要求，可咨询上海昊量光电设备有限公司。更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等服务。

XR-100SDD型X射线硅漂移探测器125eV的能量分辨率！采用电冷技术 无需液氮！图1. XR-100型硅漂移探测器及配套电源PX5 图2. 硅漂移探头元件示意图 XR-100SDD系列产品由新型高性能X射线硅漂移探头，前置放大器（前放）和致冷系统组成。采用热电致冷技术保持硅漂移探头(SDD)的低温工作环境，而在两级热电致冷器上亦安装了输入场效应管(FET)和新型温度反馈控制电路，这样探头组件的温度保持在约零下55摄氏度左右，并通过组件上的温度传感器显示实时温度。探头采用TO-8封装，并利用不透光和不透气（真空封装适用）的薄铍(Be)窗以实现封装后的软X射线探测。 XR-100SDD系列产品无需采用昂贵的低温制冷系统即可获得非常优越的性能，它标志着X射线探测器生产技术上的一个突破。产品特性：1. 高计数率：500,000 CPS(每秒计数, counts per second)；2. 能量分辨率：125eV（半高全宽，FWHM，对应峰值为5.9keV的情况）；3. 高峰本比：20，000:1“(ratio of counts from 5.9 keV to 1 keV) (typical)” ；4. 面积25mm2，厚度500µ m；5. 内置多层准直器；6. 不需要液氮制冷。应用范围：1. X射线荧光分析；2. 用于RoHS/WEEE标准检测的X射线荧光谱仪；3. OEM和其他专业应用；4. 生产工艺流程反馈控制；5. 高校和科研院所实验室研究；产品参数：本产品可以适应于用户不同应用时的参数需求。I. 高能量分辨应用： 1. 超高能量分辨率：125eV（对应峰值为5.9keV的情况）； 2. 峰化时间(Peaking time)：11.2µ s； 3. 计数率：100,000 CPS； 4. 峰本比：,20，000:1；II. 快速峰化应用： 1. 能量分辨率：155eV（对应峰值为5.9keV的情况）； 2. 峰化时间(Peaking time)：0.8µ s； 3. 计数率：500,000 CPS；III. 手持设备应用： 1. 能量分辨率：150eV（对应峰值为5.9keV的情况）； 2. 峰化时间(Peaking time)：3.2µ s； 3. 探测器探头温度保持在250K（-24oC） 4. 计数率：200,000 CPS；XRF设备由此开始 ... ...图3. Amptek硅漂移探测器(SDD)测得的55Fe能谱 产品说明 XR-100SDD型硅漂移探测器（SDD）是Amptek公司出品的一款新型X射线探测器，它标志着X射线探测器生产工艺的变革。XR-100SDD因其体积小，性能优越且价格便宜等特点，是OEM手持式和台式X射线荧光谱仪设备的理想选择；而且它在保证优异的能量分辨的同时还能达到相当高的计数率，可以满足各种参数需求；另外封装采用和Amptek出品的其他探测器一样的T0-8型外壳，方便用户升级现有系统以及和其他Amptek产品配套。 硅漂移探测器工作原理和硅PIN(Si-PIN)光电二极管类似，但它利用单电极结构大大提升了性能。Amptek公司专门为X射线能谱测量应用优化了其所有硅漂移探测器产品。 同样的探头面积下，硅漂移探测器电容比传统硅PIN探测器电容低很多，则所需成型时间变短，电子学噪声也会大大降低。因此硅漂移探测器可以相同（较高）的计数率下得到比传统探测器好的能量分辨率。另外为引导电子移动到相当小的低电容阳极上，探测器中的电极结构是特制的。 产品参数常规参数探头类型硅漂移探测器(SDD)探头尺寸25mm2硅晶体厚度500μm准直器内置多层准直器(ML)能量分辨率(@55Fe, 5.9keV峰)125-140eV FWHM (11.2μs峰化时间)峰本比(Peak to Background)20，000:1 (5.9keV,1keV计数比)典型的铍(Be)窗厚度0.5mil (12.5μm)电荷敏感型前置放大器Amptek定制可复位放大器增益稳定性（温飘）20ppm/ oC (一般情况下)外壳尺寸3 x 1.75 x 1.13 inch, 7.6 x 4.4 x 2.9 cm重量4.4 ounces (125g)总功率1W保修期一年产品寿命五到十年，因具体应用而异环境温度0~+50oC仓储和物流要求长时间仓储：干燥条件下存放十年以上仓储/物流需求：-20到+50 oC，10%到90%湿度（无冷凝器）TUV CertificationCertificate #: CU 72072412 02Tested to: UL 61010-1: 2004 R7 .05CAN/CSA-C22.2 61010-1: 2004输出参数前置放大器电源电压正负8到9V，电流15mA，噪声峰峰值小于50mV探头电源电压-90到-150V，电流25μA；输入需要非常稳定：0.1%的波动。制冷器电源最大电压3.5V，最大电流350mA，噪声峰峰值小于100mV；注意：XR-100SDD探测器自身包含温度控制器输出参数前置放大器灵敏度一般为1mV/keV（不同探测器可能略有不同）前置放大器极性正脉冲信号输出（最大负载为1k欧姆）前端放大器反馈复位温度显示灵敏度利用PX5/X-123等直接读取温度（单位：开尔文）可选配置或配件X-123SDD 硅漂移探测器（SDD）也有对应的X-123SDD谱仪配置。该集成化配置包含了X射线探头，前置放大器，DP5数字脉冲处理和多道分析模块，以及PC5电源模块。而用户仅需提供+5V的直流输入和到您的电脑的USB/RS232/以太网连接。包含硅漂移探测器的X-123SDD谱仪产品真空配件和所有Amptek真空配件兼容OEM和所有Amptek OEM配件兼容注意事项：1. 硅漂移探测器需要负高压，而前放输出为正脉冲。这和标准Si-PIN探测器所要求的正高压，而前方输出为负脉冲正好相反；2. PX5电源模块可以输出正或负的高压。若您为XR100SDD配套订购了PX5模块，则PX5必须设置为负高压输出。在使用XR-100CR探测器时，因错误设定PX5为负高压输出导致的探测器损坏不在保修范围之内。而使用XR-100SDD探测器时，因设定PX5为正高压输出导致的探测器损坏亦不在保修范围之内。准直器的使用 为提高能谱测量的质量，绝大部分Amptek生产的探测器都带有内部准直器。 探测器有效面元(active volume)边缘部分和X射线的相互作用会因不完全电荷收集产生一些小脉冲信号，进而影响测得的能谱数据。而且这些信号可能正处在用户所关心的元素所在的能量范围，降低了信噪比。而内部准直器则可以限制X射线只能打到有效面元内，这就避免了噪声信号的产生。 不同类型的探测器中准直器的应用各有优点：提高峰本比（P/B）；消除边界效应；消除假尖峰信号。真空环境中的应用 XR-100SDD型产品可以工作在10-8托的真空环境到大气压下工作，而真空环境应用有如下两种方案： 1) XR-100SDD的探头和前放均置于真空室内部： a. 为保证XR-100SDD的正常工作，需避免器件过热，并做好输入的1W功率的良好导热；即利用XR-100SDD封装上的四个安装孔，根据具体真空室位形设计散热，将器件热量传导到真空室壁上； b. 在CF（Conflat Flange）刀口法兰上利用可选的真空馈通端子（如9DVF型，九接口）连接XR-100SDD和真空室外的PX5电源。 2) XR-100SDD全部置于真空室外：需利用可选的真空探测器延长组件（如EXV9型加长管，长9英寸）和标准CF刀口法兰窗口（通过O圈密封）配套。图4. 真空条件使用中可选的延长组件图5. 高采样率X射线束线系统中Amptek高性能SDD的应用（定制法兰，4个SDD探测器）其他系统说明及性能曲线图6. SDD的能量分辨率和峰化时间曲线图7. Si-PIN和SDD探测器的分辨率-峰化/成形时间曲线对比图8. 对应不同峰化时间的能量分辨率和输入计数率曲线（SDD配套DP5使用） 该图也表示了最大输出计数率曲线（黑色虚线）。而系统工作参数在该曲线右边区域时，尽管输入计数率很高，但输出计数率仍会小于最大值，具体情况见下图9。 图9. 不同峰化时间下SDD的输入计数率和输出计数率曲线（输出效率） 由于SDD探测器具有更小的电容，在成型放大器中较短的成形时间即可保证较好的能量分辨率。通常使用9.6μs或更小的成形时间，这极大提高了系统的输出效率。 图10. 使用SDD得到的55Fe能谱 图11. 不同峰化时间下SDD探测器的能量分辨率和对应能量峰值曲线 图12. 综合考虑铍窗（及保护膜）的传输效率及和Si晶体的相互作用效率后不同能量的传输率曲线。 曲线的低能量部分由铍窗厚度决定（0.3mil/8μm或0.5mil/12.5μm），而高能量部分则由Si晶体有效厚度决定：500μm。传输效率文件：包含传输效率方面系数和常见问题解答的.zip格式文件，仅提供基本信息，不能作为定量分析依据。SDD应用中的各种能谱图利用高性能硅漂移探测器（Super SDD）和Mini-X型X射线管测得的不同样品的荧光能谱:图13. SS316型不锈钢图14. PVC样品（RoHS/WEEE标准）图15. CaCl2溶液（800ppm Ca, 1200 ppm Cl）图16. 含有少量KCl的原油（1100ppm）中的S元素图17. 汽车催化剂图18. 铂金(Pt)戒指 完整的X射线荧光谱仪（XRF）系统图19. 安装于MP1型平板上的XR100SDD探测器和Mini-X发生器 完整的XRF系统包括：1. XR-100SDD型硅漂移探测器；2. PX5型数字脉冲处理器，多道分析器及电源；3. Mini-X型USB控制X射线管；4. XRF-FP定量分析软件；5. MP1型XRF系统安装平台。

XR-100SDD型X射线硅漂移探测器125eV的能量分辨率！采用电冷技术 无需液氮！图1. XR-100型硅漂移探测器及配套电源PX5 图2. 硅漂移探头元件示意图 XR-100SDD系列产品由新型高性能X射线硅漂移探头，前置放大器（前放）和致冷系统组成。采用热电致冷技术保持硅漂移探头(SDD)的低温工作环境，而在两级热电致冷器上亦安装了输入场效应管(FET)和新型温度反馈控制电路，这样探头组件的温度保持在约零下55摄氏度左右，并通过组件上的温度传感器显示实时温度。探头采用TO-8封装，并利用不透光和不透气（真空封装适用）的薄铍(Be)窗以实现封装后的软X射线探测。 XR-100SDD系列产品无需采用昂贵的低温制冷系统即可获得非常优越的性能，它标志着X射线探测器生产技术上的一个突破。产品特性：1. 高计数率：500,000 CPS(每秒计数, counts per second)；2. 能量分辨率：125eV（半高全宽，FWHM，对应峰值为5.9keV的情况）；3. 高峰本比：20，000:1&ldquo (ratio of counts from 5.9 keV to 1 keV) (typical)&rdquo ；4. 面积25mm2，厚度500µ m；5. 内置多层准直器；6. 不需要液氮制冷。应用范围：1. X射线荧光分析；2. 用于RoHS/WEEE标准检测的X射线荧光谱仪；3. OEM和其他专业应用；4. 生产工艺流程反馈控制；5. 高校和科研院所实验室研究；产品参数：本产品可以适应于用户不同应用时的参数需求。I. 高能量分辨应用： 1. 超高能量分辨率：125eV（对应峰值为5.9keV的情况）； 2. 峰化时间(Peaking time)：11.2µ s； 3. 计数率：100,000 CPS； 4. 峰本比：,20，000:1；II. 快速峰化应用： 1. 能量分辨率：155eV（对应峰值为5.9keV的情况）； 2. 峰化时间(Peaking time)：0.8µ s； 3. 计数率：500,000 CPS；III. 手持设备应用： 1. 能量分辨率：150eV（对应峰值为5.9keV的情况）； 2. 峰化时间(Peaking time)：3.2µ s； 3. 探测器探头温度保持在250K（-24oC） 4. 计数率：200,000 CPS；XRF设备由此开始 ... ...图3. Amptek硅漂移探测器(SDD)测得的55Fe能谱 产品说明 XR-100SDD型硅漂移探测器（SDD）是Amptek公司出品的一款新型X射线探测器，它标志着X射线探测器生产工艺的变革。XR-100SDD因其体积小，性能优越且价格便宜等特点，是OEM手持式和台式X射线荧光谱仪设备的理想选择；而且它在保证优异的能量分辨的同时还能达到相当高的计数率，可以满足各种参数需求；另外封装采用和Amptek出品的其他探测器一样的T0-8型外壳，方便用户升级现有系统以及和其他Amptek产品配套。 硅漂移探测器工作原理和硅PIN(Si-PIN)光电二极管类似，但它利用单电极结构大大提升了性能。Amptek公司专门为X射线能谱测量应用优化了其所有硅漂移探测器产品。 同样的探头面积下，硅漂移探测器电容比传统硅PIN探测器电容低很多，则所需成型时间变短，电子学噪声也会大大降低。因此硅漂移探测器可以相同（较高）的计数率下得到比传统探测器好的能量分辨率。另外为引导电子移动到相当小的低电容阳极上，探测器中的电极结构是特制的。 产品参数常规参数探头类型硅漂移探测器(SDD)探头尺寸25mm2硅晶体厚度500&mu m准直器内置多层准直器(ML)能量分辨率(@55Fe, 5.9keV峰)125-140eV FWHM (11.2&mu s峰化时间)峰本比(Peak to Background)20，000:1 (5.9keV,1keV计数比)典型的铍(Be)窗厚度0.5mil (12.5&mu m)电荷敏感型前置放大器Amptek定制可复位放大器增益稳定性（温飘）20ppm/ oC (一般情况下)外壳尺寸3 x 1.75 x 1.13 inch, 7.6 x 4.4 x 2.9 cm重量4.4 ounces (125g)总功率1W保修期一年产品寿命五到十年，因具体应用而异环境温度0~+50oC仓储和物流要求长时间仓储：干燥条件下存放十年以上仓储/物流需求：-20到+50 oC，10%到90%湿度（无冷凝器）TUV CertificationCertificate #: CU 72072412 02Tested to: UL 61010-1: 2004 R7 .05CAN/CSA-C22.2 61010-1: 2004输出参数前置放大器电源电压正负8到9V，电流15mA，噪声峰峰值小于50mV探头电源电压-90到-150V，电流25&mu A；输入需要非常稳定：0.1%的波动。制冷器电源最大电压3.5V，最大电流350mA，噪声峰峰值小于100mV；注意：XR-100SDD探测器自身包含温度控制器输出参数前置放大器灵敏度一般为1mV/keV（不同探测器可能略有不同）前置放大器极性正脉冲信号输出（最大负载为1k欧姆）前端放大器反馈复位温度显示灵敏度利用PX5/X-123等直接读取温度（单位：开尔文）可选配置或配件X-123SDD 硅漂移探测器（SDD）也有对应的X-123SDD谱仪配置。该集成化配置包含了X射线探头，前置放大器，DP5数字脉冲处理和多道分析模块，以及PC5电源模块。而用户仅需提供+5V的直流输入和到您的电脑的USB/RS232/以太网连接。包含硅漂移探测器的X-123SDD谱仪产品真空配件和所有Amptek真空配件兼容OEM和所有Amptek OEM配件兼容注意事项：1. 硅漂移探测器需要负高压，而前放输出为正脉冲。这和标准Si-PIN探测器所要求的正高压，而前方输出为负脉冲正好相反；2. PX5电源模块可以输出正或负的高压。若您为XR100SDD配套订购了PX5模块，则PX5必须设置为负高压输出。在使用XR-100CR探测器时，因错误设定PX5为负高压输出导致的探测器损坏不在保修范围之内。而使用XR-100SDD探测器时，因设定PX5为正高压输出导致的探测器损坏亦不在保修范围之内。准直器的使用 为提高能谱测量的质量，绝大部分Amptek生产的探测器都带有内部准直器。 探测器有效面元(active volume)边缘部分和X射线的相互作用会因不完全电荷收集产生一些小脉冲信号，进而影响测得的能谱数据。而且这些信号可能正处在用户所关心的元素所在的能量范围，降低了信噪比。而内部准直器则可以限制X射线只能打到有效面元内，这就避免了噪声信号的产生。 不同类型的探测器中准直器的应用各有优点：提高峰本比（P/B）；消除边界效应；消除假尖峰信号。真空环境中的应用 XR-100SDD型产品可以工作在10-8托的真空环境到大气压下工作，而真空环境应用有如下两种方案： 1) XR-100SDD的探头和前放均置于真空室内部： a. 为保证XR-100SDD的正常工作，需避免器件过热，并做好输入的1W功率的良好导热；即利用XR-100SDD封装上的四个安装孔，根据具体真空室位形设计散热，将器件热量传导到真空室壁上； b. 在CF（Conflat Flange）刀口法兰上利用可选的真空馈通端子（如9DVF型，九接口）连接XR-100SDD和真空室外的PX5电源。 2) XR-100SDD全部置于真空室外：需利用可选的真空探测器延长组件（如EXV9型加长管，长9英寸）和标准CF刀口法兰窗口（通过O圈密封）配套。图4. 真空条件使用中可选的延长组件图5. 高采样率X射线束线系统中Amptek高性能SDD的应用（定制法兰，4个SDD探测器）其他系统说明及性能曲线图6. SDD的能量分辨率和峰化时间曲线图7. Si-PIN和SDD探测器的分辨率-峰化/成形时间曲线对比图8. 对应不同峰化时间的能量分辨率和输入计数率曲线（SDD配套DP5使用） 该图也表示了最大输出计数率曲线（黑色虚线）。而系统工作参数在该曲线右边区域时，尽管输入计数率很高，但输出计数率仍会小于最大值，具体情况见下图9。 图9. 不同峰化时间下SDD的输入计数率和输出计数率曲线（输出效率） 由于SDD探测器具有更小的电容，在成型放大器中较短的成形时间即可保证较好的能量分辨率。通常使用9.6&mu s或更小的成形时间，这极大提高了系统的输出效率。 图10. 使用SDD得到的55Fe能谱 图11. 不同峰化时间下SDD探测器的能量分辨率和对应能量峰值曲线 图12. 综合考虑铍窗（及保护膜）的传输效率及和Si晶体的相互作用效率后不同能量的传输率曲线。 曲线的低能量部分由铍窗厚度决定（0.3mil/8&mu m或0.5mil/12.5&mu m），而高能量部分则由Si晶体有效厚度决定：500&mu m。传输效率文件：包含传输效率方面系数和常见问题解答的.zip格式文件，仅提供基本信息，不能作为定量分析依据。SDD应用中的各种能谱图利用高性能硅漂移探测器（Super SDD）和Mini-X型X射线管测得的不同样品的荧光能谱:图13. SS316型不锈钢图14. PVC样品（RoHS/WEEE标准）图15. CaCl2溶液（800ppm Ca, 1200 ppm Cl）图16. 含有少量KCl的原油（1100ppm）中的S元素图17. 汽车催化剂图18. 铂金(Pt)戒指 完整的X射线荧光谱仪（XRF）系统图19. 安装于MP1型平板上的XR100SDD探测器和Mini-X发生器 完整的XRF系统包括：1. XR-100SDD型硅漂移探测器；2. PX5型数字脉冲处理器，多道分析器及电源；3. Mini-X型USB控制X射线管；4. XRF-FP定量分析软件；5. MP1型XRF系统安装平台。 更多信息请关注AMPTEK英文官方网站：。

一,Si平衡探测器 MBD-B系列 400-1100nmSi平衡探测模块集成了两个匹配的低噪声模拟PIN探测器、低噪声宽带跨阻放大器以及超低噪声电源。具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声、高共模抑制比等特点，可以有效的减少信号的共模噪声，提高系统的信噪比。Si平衡探测器 MBD-B系列 400-1100nm,Si平衡探测器 MBD-B系列 400-1100nm通用参数产品特点噪声低高增益高带宽结构紧凑内置低噪隔离电源产品应用光纤传感光纤通信激光测距光谱测量ns 级光脉冲探测产品参数产品型号MBD-100M-BMBD-200M-BMBD-300M-BMBD-400M-BMBD-500M-BMBD-1G-BMBD-2G-B单位探测器类型Si波长400~1100nm带宽100M200M300M400M500M1G2GHz探测器响应度0.550.550.550.550.550.550.55A/W@850nm跨阻增益30K30K30K10K5K30K15KV/A最大输入光功率2402402407251450240480μWNEP11111114182020pW/Sqrt(Hz)输出阻抗50505050505050Ω输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDCACAC供电电压555551212V供电电流0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)A光学输入FC/APC（自由空间光可选）射频输出SMA外形尺寸62*47*25mm二,硅 Si 光电平衡探测器 400~1100nm 100MHz高速低噪声光电平衡探测模块集成了两个匹配的超低噪 声模拟PIN探测器、低噪声宽带跨阻放大器以及超低噪声电源。 具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声、高共模抑制比等 特点，可以有效的减少信号的共模噪声，提高系统的信噪比。产品型号 BPD-Si-100M-B BPD-Si-200M-B BPD-Si-350M-B BPD-Si-500M-B BPD-Si-1G-B硅 Si 光电平衡探测器 400~1100nm 100MHz ,硅 Si 光电平衡探测器 400~1100nm 100MHz技术参数产品特点噪声低高增益高带宽结构紧凑内置低噪隔离电源应用领域分布式光纤传感激光测风雷达光学相干层析光谱测量ns 级光脉冲探测技术参数产品型号BPD-Si-100M-BBPD-Si-200M-BBPD-Si-350M-BBPD-Si-500M-BBPD-Si-1G-B单位探测器型号Si波长400~1100400~1100400~1100400~1100400~1100nm带宽100M200M350M500M1GHz探测器响应度0.55@850nm0.55@850nm0.55@850nm0.55@850nm0.55@850nmA/W跨阻增益30K30K30K30K30KV/A饱和输入光功率250250250250250μWNEP1212121313pW/Sqrt(Hz)共模抑制比2525252525dB输出阻抗5050505050Ω输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACACAC供电电压5551212V供电电流0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)A光学输入FC/APC（自由空间可选）FC/APC（自由空间可选）FC/APC（自由空间可选）FC/APC（自由空间可选）FC/APC（自由空间可选）射频输出SMASMASMASMASMA外形尺寸62*47*2562*47*2562*47*2562*47*2562*47*25mm

积分球功率探测器YPM-8205系列描述YPM-8205系列积分球功率探测器，提供了紫外增强型硅、硅、InGaAs三种探测器，配合不同尺寸的积分球搭建而成。覆盖200nm到1650nm波段范围，可选配不同尺寸的积分球，扩大测量范围。DB15接口版本，需要连接YPM-8201功率计仪表一起使用，可在仪表上进行数据读取、数据存储和功率监控等。此外，仪表上预留了一个USB通讯接口，可拓展将探测器上采集到的数据上传至PC端的光功率计软件中进行数据在线采集与分析。USB接口版本探测器采用USB通讯，无需连接仪表，可直接连接电脑进行数据采集。电脑上需要安装专用的光功率计软件，可实现数据实时采集、数据分析及功率监控等功能。此外，USB型光电探测器还能方便地组成多通道功率采集系统，通过USB Hub可同步采集与显示多个探测器的数据。特点数字型光电探测器多波长测量集成的校准数据存储功能精度高，响应快，对波长敏感硅和紫外硅探测器可选择单独校准，并提供校准证书提供SDK，支持二次开发支持OEM/ODM定制开发技术参数更多精彩内容，请关注下方！

一,Si雪崩平衡探测器 BAPD系列 400-1100nmSi雪崩平衡探测模块集成了低噪声APD探测器、低噪声宽带跨阻放大器、超低噪声隔离电源、高压电源、 APD 温度补偿；隔离电源供电确保输出信号不受外部供电电源的影响；APD温度补偿提高探测模块的稳定性。Si雪崩平衡探测器 BAPD系列 400-1100nm ,Si雪崩平衡探测器 BAPD系列 400-1100nm通用参数产品特点噪声低高增益内置高压电源APD温度补偿结构紧凑内置低噪隔离电源产品应用光纤传感纤通信激光测距光谱测量产品参数产品型号BAPD-100M-BBAPD-200M-BBAPD-300M-BBAPD-400M-BBAPD-500M-BBAPD-1G-BBAPD-2G-B单位探测器类型Si波长400~1100nm带宽100M200M300M400M500M1G2GHz探测器响应度25252525252525A/W@850nm跨阻增益300K300K300K300K300K300K300KV/W输出阻抗50505050505050ΩNEP0.180.180.180.180.180.180.2pW/√(Hz)输出耦合方式 DC/AC DC/AC DC/AC DC/AC DC AC AC供电电压555551212V供电电流0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)A光学输入FC/APC(自由空间光可选)射频输出SMA外形尺寸80*90*25mm二, Si雪崩单元探测器 APD系列 400-1100nmSi雪崩单元探测模块集成了低噪声APD探测器、低噪声宽带跨阻放大器、超低噪声隔离电源、高压电源、APD温度补偿；隔离电源供电确保输出信号不受外部供电电源的影响；APD温度补偿提高探测模块的稳定性。雪崩光电探测器具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声等特点Si雪崩单元探测器 APD系列 400-1100nm,Si雪崩单元探测器 APD系列 400-1100nm通用参数产品特点噪声低高增益内置高压电源APD温度补偿结构紧凑内置低噪隔离电源产品应用光纤传感光纤通信激光测距光谱测量ns 级光脉冲探测产品参数产品型号APD-100M-BAPD-200M-BAPD-300M-BAPD-400M-BAPD-500M-BAPD-1G-BAPD-2G-B单位探测器类型Si波长400~1100nm带宽100M200M300M400M500M1G2GHz响应度25252525252525A/W@850nm跨阻增益300K300K300K300K300K300K300KV/W输出阻抗50505050505050Ω饱和功率13131313131330uWNEP0.180.180.180.180.180.20.2pW/√(Hz)输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDCACAC供电电压555551212V供电电流0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)A光学输入FC/APC（自由空间光可选）射频输出SMA外形尺寸65*50*20mm三,硅 Si 放大型 光电探测器 320-1100nm (DC-5MHz/200kHz)光电探测器是一种额定带宽，固定增益的光电探测器，用于检测光信号。光信号从光电sensor感应面输入，输出通过BNC以电压形式输出。本产品能测量800nm到1700nm波长范围的光信号。具体性能参数数据参考附录表格。LD-PD光电探测器外壳带有英制1/4"-20螺纹的安装孔，可以方便的安装固定。 外壳部分还附带两种不同尺寸的螺纹接圈，这两种螺纹接圈分别适合于工业应用和科研应用，可以方便适配外部光学部件，如滤光片，衰减片，镜头，FC光纤转接盘等。该产品包含一个塑料防尘盖。具体安装请参考阅读第三章节。 每个光电探测器都配有一个输出±9V的直流线性电源，该直流电源的输入额定电压为220VAC/50HZ。硅 Si 放大型 光电探测器 320-1100nm (DC-5MHz/200kHz),硅 Si 放大型 光电探测器 320-1100nm (DC-5MHz/200kHz)通用参数产品特点：低噪声，小于±lmV过冲小，过冲电压小于2.5%增益稳定：增益误差小于1%暗偏置电压输出噪声：小于ImV (rms)应用领域：&bull 显示面板检测&bull LED照明频闪分析&bull 玩具灯闪烁频率及功率测量&bull 气体分析参数PN#PDAM005B-SiPDAM36A5B6G-SIPDAM20A6B4G-InGaAs电器特性输入电压±9VDC, 60mA±9VDG 100mA±9VDC. 100mA探头Silicon PINSilicon PINInGaAs PIN感光面2.65mm * 2.65mm3.6mm * 3.6mmDiameters@2 mm波长400 nm - 1100 nm320 nm - 1100 nm800 nm - 1700 nm(Optional Extended(可选扩展) 2600nm)峰值响应0.62A/W @850nm0.6 A/W @960nm0.9 A/W@1550nm43.6mV/uW @850nm1 mV/nW @960nm9mV/uW@1550nm饱和光功率113pW@ 850nm (Hi-Z)6uW @960nm (Hi-Z)660 uW@1550nm (Hi-Z)带宽DC &bull -5MHzDC - 200kHzDC - 5MHzNEP7.2 pW/4HZ1/22.2 pW/HZ1/264.5 pW/HZ1/2输出噪声（RMS）700 uV1 mV ・ typ1.3 mV .typ暗电流偏置（MAX）±5 mV±1 mV±5 mV上升沿/下降沿（10%—90%）65 ns1.7 us68ns输出电压Hi-Z0- SV (Hi-Z)0-6V (Hi-Z)0-6V (Hi-Z)5000 &bull 2.5V (50ohm)0 &bull 25V (50ohm)0 &bull 25V (50ohm)增益倍数Hi-Z67.5 kV/A1.68 MV/A10 kV/A50033.8 kV/A0.84 MV/A5kV/A增益精度（typ）±1%±1%±1%其他参数拨动开关拨动开关拨动开关输出接口BNCBNCBNC尺寸53*50*50mm53*50*50mm53*50*50mm重量150g150g150g操作温度10-50deg10-50deg10-50deg存储温度・ 25°C - 70°C-25°C - 70°C-25°C - 70°C 硅基光电探测器，带放大，固定增益,型号参考目录波长带宽上升时间增益RMS噪声NEP感应面积工作温度电源Hi-Z 负载50Ω 负载PDA12A8B4G-VIS400 - 1100 nmDC - 140MHz2.5 nS1*104 V/A5*103 kV/A850µ V .typ2*10-11 W/√HZ1.2mm*1.2 mm10-50℃包含（±9V）PDA12A7B4G-VIS400 - 1100 nmDC - 50MHz7 nS5*104 V/A2.5*104 kV/A800µ V .typ6.3*10-12 W/√HZ1.2mm*1.2 mm10-50℃包含（±9V）PDA25A6B4G-VIS400 - 1100 nmDC - 5MHz68 nS1*105 V/A5*104 V/A700µ V .typ5.3*10-12 W/√HZ2.5mm*2.5 mm10-50℃包含（±9V）PDA36A5B6G-VIS320 - 1100 nmDC - 200KHZ1.7 µ S1.68*106 V/A8.4*105 V/A1mV .typ2.2*10-12 W/√HZ3.6mm*3.6mm10-50℃包含（±9V）PDA25A4B8G-VIS400 - 1100 nmDC - 20KHZ18 µ S1*108 V/A—1.5mV .typ1.8*10-13 W/√HZ2.5mm*2.5 mm10-50℃包含（±9V）四,硅 Si 高灵敏度雪崩光电二极管APD模块 C12702系列 200 -1000nmAPD 是具有通过施加反向电压产生的内部增益的光电二极管。它们具有比 PIN 光电二极管更高的信噪比 (SNR)，以及快速的时间响应、低暗电流和高灵敏度。光谱响应范围通常在 200 - 1150 nm 范围内。 C12702-12为短波型，有效面积：Φ3.0 mm APD 模块专为方便使用 Si APD 而设计。硅 Si 高灵敏度雪崩光电二极管APD模块 C12702系列 200 -1000nm,硅 Si 高灵敏度雪崩光电二极管APD模块 C12702系列 200 -1000nm通用参数特点使用高灵敏度Si APD。有四种类型，具有不同的光谱响应范围和感光区域。针对APD评估优化的高灵敏度检测板。APD和高速电流电压放大器电路安装在紧凑的电路板上。高速电流-电压放大器电路具有低噪声配置，是APD信号读出的理想选择，工作速度快，灵敏度高。易于操作,单个5 V电源操作内置温度补偿偏置电压电路通过热传感器控制偏置电压，以保持APD增益恒定。增益稳定到±2.5%典型值。在25±10°C的环境温度下，通常高压电源固有的波纹噪声也被最小化。小巧轻便电路板大小不超过名片大小，重量仅37克。定制设计的模块具有不同的尺寸和规格产品应用APD评估空间透光条形码阅读器激光雷达光学测距仪光通信型号参考 Type no.感光面积（mm）频率带宽-3 dB（Hz） Type of APD峰值灵敏度波长（nm）C12702-03&varphi 1.04 k to 100 MStandard type800C12702-04&varphi 3.04 k to 80 MC12702-11&varphi 1.04 k to 100 MShort-wavelength type620C12702-12&varphi 3.04 k to 40 M注意：装运前，增益（M）预设为30。(Note: Gain (M) is preset to 30 prior to shipping.)结构/绝对最大额定值 Type No. 感光面积（mm） 电源电压 VCurrent consumption (mA)消耗电流 电路板尺寸 (mm) 输出阻抗 (Ω)Weight (g)Absolute maximum ratings绝对最大额定值Supply voltage(V)Maximum Incident light level(mW)最大入射光水平工作温度Topr(°C)储存温度Tstg(°C)Min.Typ.Max.Typ.Max.C12702-03&varphi 1.0 +4.75 +5 +5.25 +50 +80 80 × 50 × 22 50 37 +7 10 0 to +60 -20 to +70C12702-04&varphi 3.0C12702-11&varphi 1.0C12702-12&varphi 3.0注：即使是暂时超过绝对最大额定值，也可能导致产品质量下降。始终确保在绝对最大额定值范围内使用产品。电气和光学特性（典型Ta=25°C，Vcc=5 V，除非另有说明）光电转换器部分（APD） Type No.光谱响应范围λ(nm)峰值灵敏度波长λp(nm)光敏性 SM=1 (A/W)增益温度稳定性*1 25 °C ± 10 °C, M=(%)λ=800 nmλ=620 nmTyp.Max.C12702-03400 to 10008000.5- ±2.5 ±5C12702-04C12702-11200 to 1000620-0.42C12702-12高速放大器部分 Type No截止频率-3 dB噪声等效功率NEP(pW/Hz1/2) 反馈电阻(kΩ) 光电灵敏度*1including APD, M=30 (104 V/W) 最小定向限制 (nW rms)High bandLow bandλ=800 nmλ=620 nmMin. (MHz)Typ. (MHz)Min. (kHz)Typ. (kHz)Typ.Max.Typ.Max.Min.Typ.Max.Min.Typ.Max.C12702-0390100 3 40.30.6--9.1-6.4-6.8-7.1-3.06.0C12702-0470800.40.8--3.0-2.1-2.3-2.4-3.67.2C12702-1190100--0.51.03.9-2.3-2.5-2.7-5.010.0C12702-123040--1.02.03.0-1.8-1.9-2.0-6.312.6*1： 装运前，增益预设为30。(*1: Gain is preset to 30 prior to shipping.)五, SI硅光电探测器模块320-1100nm 直径 1.2mmC3A系列光电检测模块将光电二极管，放大电路和电源调理电路集成在一个小型化的模块内。不仅适用于各种实验室光学系统的搭建，也适用于在用户产品中进行集成。模块安装方便，并可实现光路的密封。模块可使用宽范围正负电源进行工作，模块内部含有线性整流电路以降低输入噪声并提高信噪比。系列内可选不同的类型、尺寸和速度的光电二极管，诸如Si或InGaAs。 采用1 mm2 硅光电二极管的模块典型输出特性为 ±3V, 0~25MHz (正负5V电源时)。 SI硅光电探测器模块320-1100nm 直径 1.2mm,SI硅光电探测器模块320-1100nm 直径 1.2mm技术参数产品特点● 尺寸小巧● 4个φ6mm通孔实现同轴安装● 可实现光密和气密● 多种传感器选择● 可切换的20dB增益● 宽电源输入: ±5至±20V产品应用● Q调制激光器监控● 锁模激光器输出监控● 微弱可见光探测器项目数值光电探测器Si探测器光敏面大小φ1.2mm (1.1 mm2)光学窗口Plane borosilicate glass响应波长范围320 – 1100nm峰值波长960nm灵敏度0.45A/W @660nm 0.55A/W @830nm方向性±60º NEP6*10-15 W/Hz1/2工作带宽0 ~ 25MHz跨阻增益50k V/A @ 0dB Gain500k V/A @20dB Gain输出电压范围0~+3V (into Hi-Z)0~+1.5V (into 50Ω)输出阻抗50Ω输入工作电压V+: +5 ~ +20VV- : -5 ~ -20V工作温度10~50 º C最大压力差±50kPa响应光谱C3A-S1010光电探测器尺寸

仪器简介：DSR100系列探测器光谱响应度测量系统，是适应不断增长的材料科学对检测设备的需求而诞生的。它结合了北京卓立汉光仪器有限公司给多家科研单位定制的探测器光谱响应测量系统的特点和经验，采用国家标准计量方法进行测试，是光电探测器、器件、光电转换材料科研和检验的必备工具。技术参数：型号 DSR100UV-A DSR100UV-B DSR100IR-A DSR100IR-B波长范围 200~2500nm 1~14&mu m测试光斑\光斑模式 均匀平行光斑 汇聚光斑 均匀平行光斑 汇聚光斑尺寸 Ф2~20mm Ф0.3~3mm Ф2~20mm Ф0.3~3mm 光源 光源 氘灯/溴钨灯复合光源 溴钨灯/碳化硅复合光源光强稳定性 &le 0.8% &le 2%光源切换方式 软件自动切换 软件自动切换三光栅单色仪 光 谱分辨率 ＜0.1nm（435.8nm@1200g/mm光栅） ＜2.5nm (2615nm@75g/mm光栅)扫描间隔 最小可至0.005nm输出波长带宽 ＜5nm ＜10nm多级光谱滤除装置 根据波长自动选择滤光片，消除多级光谱杂散光 　光调制频率 4~400Hz数据采集装置灵敏度 锁相放大器 2nV；直流数据采集可选标准探测器 标准硅探测器 （标定200~1100nm） 标准热释电探测器（标定1~14mm）光谱响应度测量重复性* &le ± 1.5% &le ± 5%光路中心高 305mm仪器尺寸 1500mm× 1200mm× 560mm控制机柜 标准4U控制柜，含计算机主要特点：◆ 宽光谱范围（200~2500nm或1~14&mu m可选），适用面广宽光谱范围意味着适用于各种不同样品，如响应在日盲区的深紫外探测器、响应在可见光的太阳能电池、响应在近红外的光纤传感器、响应在中远红外的红外光电传感器，都可以在DSR100上测量光谱响应度。◆ 开机即用的Turnkey系统设计，维护简单系统采用替代法的测量原理，设计成开机即用的turnkey模式，用户不需要在实验前对系统进行复杂的调试，日常维护也十分简单。◆ 调制法测量技术，提升测量结果信噪比DSR100系统采用调制法测量技术。调制法是目前国家计量单位采用的标准方法，通过选频放大的技术，可以大幅度抑制杂散光或环境噪声对测量精度带来的负面影响。DSR100系统针对弱信号采集专门设计了独特的前置放大电路，同时采用高性能的锁相放大器进行调制法测量。锁相放大器测量灵敏度达到2nV，动态范围达到100dB。通过提高测量灵敏度并且抑制噪声，DSR100系统可以从背景噪声中提取非常微弱的光电探测器响应信号。◆ 全反射光路设计，优化光斑质量由于各种光电探测器的光谱响应范围不同，因此好的探测器光谱响应度测量系统应该是宽光谱范围的，这样才能具备较强的通用性。在宽光谱范围的光学设计中，采用反射式的光路设计要比透射式得到更高品质的光束质量和均匀光斑。在透射式的光学系统中，影响光束质量和光斑品质的重要因素是色差，色差源自于不同波长的单色光在光学材料中的折射率不同，波长范围越宽，色差越明显。而在反射式的光学系统中，由于根本不涉及折射，所以不存在色差的问题。因此采用反射式光路，成像质量大大优于透射式光路，从而可以得到更高均匀度的平行光斑，或者更小尺寸的汇聚光斑。◆ 高稳定性光源，降低背景噪声影响尽管采用调制法可以降低系统杂散光和背景噪声对测量的影响，但光源本身的波动依然无法消除。因此，在采用调制法的系统中，光源稳定性反而成为系统噪声的主要来源。DSR100采用高稳定性的光源来保证系统的高重复性。右图是典型的光源相对强度的稳定度测量数据。◆ 全自动测量流程1)自动化测量流程得到高重复性样品的重复定位精度很大程度上决定了测量重复性，电动平移台重复定位精度10um，远远高于手动样品定位2)自动化测量流程降低了操作人员的要求按软件文字提示即可正确操作系统进行测量，不需要对操作人员进行复杂的培训，特别适合工业客户做检测用3)自动化测量流程提高时间利用率系统在预设方案后即自动运行测量流程，可提高操作人员时间利用率◆ 大空间样品仓，四壁可拆卸，方便系统调试特别设计的四壁方便拆卸的样品仓，给实验人员足够大的空间进行样品安装和调试。同时，也能容纳一些特殊体积的探测器，比如液氮制冷的探测器、条纹变相管等。实验人员的可操作性大大增强。◆ 激光监视光路选项，CCD图像监控，可对极小面积的光电探测器进行精确定位◆ 标准测量软件，数据导出格式支持第三方软件DSR100系统的软件保存所有测试第一手原始数据，可供实验人员导出成txt、xls等常见格式的文档，以便后期分析处理。