-
专题研讨会
-
精彩回放
产品在生产、研发过程中会涉及到原料或成品的微区结构分析,当发现缺陷时还需要行定性定量判断。对于形貌观察可以使用动态颗粒图像分析系统、电子探针、原子力显微镜,对于失效或异物分析可以使用电子探针、红外显微镜、拉曼显微镜、X射线光电子能谱。本节内容将介绍上述仪器的应用及合适的选择方法
-
精彩回放
? 分析中心应用支持体系简介
简单介绍岛津及岛津分析中心
? 综合应用解决方案
介绍岛津强有力的应用支持及综合解决方案的能力
? 元素分析概要介绍
系统介绍各种常见元素分析仪器的原理,剖析各机种间的关联
? 应用实例介绍
以最浅显的方式介绍几个XPS、EPMA的应用实例。
-
精彩回放
薄膜,通常是指形成于基底之上、厚度在一微米或几微米以下的固态材料。薄膜材料广泛应用于不同的工业领域,譬如半导体、光学器件、汽车、新能源等诸多行业。沉积工艺决定了薄膜的成分和结构,最终影响薄膜的物性。马尔文帕纳科的X射线衍射(XRD)和X射线荧光光谱(XRF)分析设备,可以对不同类型的薄膜材料进行表征,帮助用户获取薄膜成分、厚度、微结构、取向等关键信息,帮助研究者优化或控制工艺参数,以改善薄膜材料的性能。 完整会议内容请前往微观丈量 膜力无限——马尔文帕纳科 X 射线分析技术应用于薄膜测量_网络讲堂_仪器信息网 (instrument.com.cn)
-
精彩回放
半导体材料和器件的性能及稳定性往往与材料本身的性质联系在一起,包括材料应力、缺陷、杂质、载流子浓度还有温度响应等等。拉曼光谱检测可以获得以上半导体材料的性质,并且拉曼光谱还具有速度快、无需制样、无损伤等表征优势,可以同时获得静态及动态变化中的结构信息,已经成为半导体材料表征和器件测试的一个重要手段。本次报告主要介绍雷尼绍拉曼技术在半导体领域的应用方向和相关案例,同时分享适用于半导体领域的拉曼技术的发展和应用。
-
精彩回放
报告主要围绕半导体行业材料的力学及热性能评估展开。材料的玻璃化转变、热分解温度、热膨胀系数、吸湿性、模量等参数,决定了材料的稳定性和最终使用性能,报告将介绍如何使用热分析和力学表征设备得到这些重要相关参数。
-
精彩回放
半导体产业链中的痕量元素分析解决方案
-
精彩回放
铅基钙钛矿的毒性阻碍了其在光电子学中的广泛应用。由于载流子寿命长和稳定性好,无铅钙钛矿Cs2AgBiBr6被认为是一种很有前途的候选者[1-2]。然而,相对较大的1.98 eV带隙限制了其在可见光区的吸收[3-4]。鉴于此,我们掺铁将Cs2AgBiBr6的吸收扩展到具有中波段的近红外区域 (≈1350 nm)的研究成果[5]。Fe2+被选为掺杂剂以合金化成Cs2AgBiBr6单晶,并导致吸收范围扩大至≈1350 nm,这是无铅钙钛矿中记录的最长近红外(NIR)响应。大约1%的Fe离子合金化到Cs2AgBiBr6晶格中,导致晶格收缩。正如三次谐波生成结果所证实的那样,Fe掺杂不会缩小其本征带隙,而是会在Cs2AgBiBr6的原始带隙内引入一个新的中间带,以强烈吸收近红外光。此外,在近红外照射下,在Fe掺杂的Cs2AgBiBr6晶体中产生了大量的光生载流子。这项工作为扩展用于近红外电探测器和中间带光伏器件的无铅钙钛矿的光学响应提供了一种新方法。
-
精彩回放
GaN电力电子器件经过20多年的科研与产业化发展,已在电力电子器件研究领域与市场占据一席之地,但还有很大提升空间。GaN器件与Si、SiC器件相比有何优点,有何不足?本报告将从当前商业化pGaN器件遇到的问题、新型双向阻断功率应用等角度出发探讨GaN电力电子器件的关键技术。
-
精彩回放
In this talk, we will discuss current challenges and summarize our latest progresses in the growth of thick GaN layers on Si substrates and physics of the carbon impurity in GaN. We firstly propose a large lattice-mismatch induced stress control technology to grow crack-free GaN and high mobility AlGaN/GaN as well as InAl(Ga)N/GaN heterostructures on Si substrates. Then, a Ga vacancy engineering is demonstrated for growth of thick GaN layers on Si substrates and fabrication of quasi-vertical GaN devices. Finally, the C doping behaviors in GaN are discussed, including the observation of two localized vibrational modes of CN in GaN and clarifying the formation and dissociation process of C-H complex in GaN.