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NIR在贵州中烟的应用与标准化历程
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简要回顾近红外光谱分析技术的在烟草领域中的应用历程,介绍近红外光谱技术在烟叶原料、辅助材料质量控制与品质分析中的应用研究进展。最后,展望大数据时代近红外光谱技术网络化在烟草领域中的应用前景。
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HORIBA拥有质量流量控制、化学药液浓度监测、终点检测及光掩模颗粒检测等技术,通过运用上述技术为半导体行业提供最适合的分析技术及解决方案。
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随着高科技的发展,纳米多层膜愈来愈多的应用于航天、通信、光电、能源等领域。溅射深度剖析作为表面分析的常规技术,已被广泛应用于对纳米层结构中元素成分随深度变化的表征,而对其测量数据的定量分析不仅可以准确地确定其膜层结构,还可以获得界面粗糙度、互扩散系数、元素的溅射速率及溅射深度分辨率等定量信息。报告给出了通过MRI(混合-粗糙度-信息深度)模型对以下测量深度谱定量分析的实例:(1)多元素60×Mo(3nm)/B4C(0.3nm)/Si(3.7nm)与硫脲单分子层的GDOES深度谱;(2)10×Si0.4Ge0.6(7nm)/Ge(11nm)量子阱与30×GaAs(8nm)/AlAs(10nm)超晶格结构的SIMS/AES深度谱;(3)10×Si(15nm)/Al(15nm)非晶与多晶纳米多层膜的SIMS/AES/XPS深度谱;(4)8×Ni(25nm)/Cr(25nm)多晶纳米多层膜的AES深度谱;(5)柔性节能功能膜的SIMS/GDOES深度谱。
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碳化硅SiC、GaN、Ga2O3和金刚石等第三代半导体具有高临界击穿电场、高电子迁移率以及良好的导热性等显著优势,是制造高压、高温、高频、大功率半导体器件的优良材料。共聚焦拉曼和PL光谱在第三代半导体材料的力学、电学和光学等性能表征中具有重要应用。共聚焦拉曼光谱可表征GaN外延层与蓝宝石衬底间的界面应力。离子注入是制备SiC半导体器件的关键加工方法,基于纵光学声子与等离子体激元耦合模(LOPC模)的信号分析,共聚焦拉曼光谱可有效表征p型掺杂SiC的电学性能演变。固态自旋色心是量子信息处理的重要研究平台,第三代半导体因其禁带宽的特点,具有非常丰富的色心构型。基于变温拉曼和PL光谱,可表征SiC色心、金刚石色心的加工产率及其温度特性。
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HORIBA可为半导体材料表征和制程监控提供多种分析技术和解决方案。包括光谱类分析技术,如拉曼、光致发光、椭圆偏振光谱及辉光放电光谱技术等,可表征半导体材料的应力、缺陷、杂质含量、薄膜厚度以及镀层各元素随深度的分布等;也包括晶圆平坦化中CMP研磨材料粒径测量以及硅片中氧含量测量等。此外,HORIBA还提供质量流量控制,药液浓度监控,终点检测以及光掩膜颗粒检测等系统。本讲座将对HORIBA在半导体中的分析技术和解决方案做简要概述。
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01 农残检测标准物质使用发展的方向
02 农残混标的研制与使用注意事项
03 BePure标准物质服务模式
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近年来铅基卤族钙钛矿(APbX3)在太阳能电池、照明显示、发光/激光、X射线探测领域展现近乎全能的光电应用,但不稳定性以及铅毒性还有待进一步解决。无铅卤化物双钙钛矿结构具有高稳定性和低毒性,但它们的光电性能不佳,掺杂调控可以有效增强发光性质。我们制备无铅的双钙钛矿(AM+M3+X6)和有序空位钙钛矿变体(A2B4+X6),通过等价/异价金属离子掺杂,有效增强环境友好型 Cs2AgBiCl6, Cs2NaInCl6, Cs2SnCl6的发光性质以及实现蓝光/黄光的可逆调控。
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拉曼光谱法作为药典的鉴别方法之一,目前在药企原辅料鉴别应用逐渐广泛。常规785nm拉曼存在一些痛点,比如易受荧光干扰,粉末状的混合样品容易误判等。瑞士万通推出了可以解决荧光干扰及检测粉末状混合样品的手持拉曼,大大扩展了拉曼在原辅料鉴别中的应用范围。