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器件替换不只是简单的供电电压、管脚逻辑等基本功能的兼容,还包括了很多其他的因素需要考虑,不周密抉择的话,严重的症状是换上不好用,还有更换后会发生小概率性的故障,查找问题原因又无从查起。本报告的内容就是专门针对这个具体问题。
1、IC原位替代时的重点关注隐患参数
2、不同厂家之间器件的质量水平判别方法
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一个产品的从研发到推出往往有一个极其漫长的过程,但往往只有一次机会,错过或弄错,不仅意味着机遇的丧失、无从谈起的营收利润,更很可能是一些规模不大的设计公司的致命噩梦。我们通常讲一款产品设计研发占50%,生产制造50%,而如果设计研发阶段错误或不全面,结果往往一招致命。
集成电路产品设计初期,往往受限于空间(长宽高尺寸),时间(研发到上市时间的局限性),性能(电性能和热性能,模拟仿真),市场(应用面,利润率,研发投入,竞争产品对比)等多种因素。
设计公司design house,前期需要电路设计,封装设计(选型和结构)、电性能仿真,热性能仿真等等相当繁琐的技术研发。由于wafer设计制造和封装设计制造往往分属于两家或多家企业,导致界面(机械应力,热应力,电性能)问题频发。但任何一个设计优化、变更的修改,又牵动着研发投入和时间,材料,性能,成本,利润率和上市推出节点等诸多因素随之变动。因此,一次成功,尤为重要。如何一次成功,能用,够用,好用,实用?集成电路上下游各环节不能再单打独斗了,需要联合创新研发。
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与硅器件相比,碳化硅(Silicon Carbide, SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)具有更低的开关损耗,更高的开关速度。但是,其高速开关过程的寄生参数敏感性、短路耐受能力短等问题也给应用带来巨大挑战。因此,对其电气特性进行测试表征可以有效指导应用,基于电感钳位双脉冲测试电路,为SiC MOSFET的应用研究提供有益的支撑。
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SiC MOSFET由于材料优势带来高工作结温、高开关频率和高击穿场强,大大缩小无源元件的体积等,得到大力发展,但由于其栅极可靠性问题,会使得其结温和功率循环测试存在一定的难点。本报告首先分析了功率循环测试的基本原理,然后从三个方面(电学测方法的准确度、老化特性和栅极对参数的影响)探究结温测试方法。通过对功率循环方法的失效判定标准,不同工作模式的老化特性和失效机理分析SiC MOSFET测试中存在的难点。最后讨论了SiC MOSFET的功率循环寿命,并从根本上解释了原因。