与硅器件相比，碳化硅(Silicon Carbide, SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)具有更低的开关损耗，更高的开关速度。但是，其高速开关过程的寄生参数敏感性、短路耐受能力短等问题也给应用带来巨大挑战。因此，对其电气特性进行测试表征可以有效指导应用，基于电感钳位双脉冲测试电路，为SiC MOSFET的应用研究提供有益的支撑。
