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LEEM V系统非常紧凑，提供了很高的科学灵活性。主室周围的额外空间，由于90°扇形场，允许灵活安装蒸发或照明光源。晶体表面的直接实时成像使生长、分解、熔化、相变过程和表面扩散的动态研究成为可能。该系统使用简单，具有先进的计算机控制，易于校准。这使用户能够充分利用他们的研究时间。
LEEM V还可以使用几个组件进行升级，甚至扩展其功能。热离子LaB6电子枪是标准的电子源。或者，可以安装肖特基场发射极。自旋极化电子枪可用于高横向分辨率的快速磁畴成像。
可以添加成像动能分析仪来解析光发射电子的动能，例如使用he等离子体放电光源(hv≈21 eV)或聚焦的实验室x射线源。
亮点:
最高分辨率(< 8nm)，最佳分辨率:4.6 nm
Leem, leed, mem, uv - peek, teem
快速样品交换
特高压原位晶体生长观察
宽样品温度范围(~ 100k至1800k)
先进的计算机控制
产品货期: 200天
整机质保期: 1年
培训服务: 安装调试现场免费培训
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