电镜制样设备Gentle Mill 离子精修仪

电镜制样设备Gentle Mill 离子精修仪

--用于制备高质量 TEM/FIB 样品的离子束工作站

Technoorg Gentle Mill 离子精修仪产品专为最终抛光、精修和改善 FIB 处理后的样品而设计。 Gentle Mill 型号非常适合要求样品无加工痕迹、表面几乎没有任何损坏的 XTEM、HRTEM 或 STEM 的用户。 同时，Gentle Mill 还适用于快速减薄凹坑或超薄平面 (< 25 μm) 以及机械抛光样品。

产品特色：

快速、可靠地精修和处理 TEM 和 FIB 样品

带有预编程的设置，可进行自动化操作

可应用于工业环境中

直接匹配日立 FIB-STEM/TEM 系统 3D 样品台

性能参数

低能离子枪（固定型）

离子能量：100 - 2000 eV，连续可调

离子电流密度：最大 10 mA/cm2

离子束流：7 - 80 μA，连续可调

离子束直径：750 - 1200 μm (FWHM)

电控优化的工作气流

在 2000 eV 离子能量和 30° 入射角下，c-Si 的研磨速

率为 28 μm/h

样品台

切削角度：0° - 40°，每 0.1° 连续可调

 可进行计算机控制的平面内样品旋转和摆动（从 ±10° 到

±120°，每 10° 连续可调）

可适用的 TEM 样品的厚度范围 (30 -200 μm)

样品处理

用于快速样品交换的真空锁系统

全机械、无胶装载

专为 XTEM 样品设计的钛夹和封装技术

真空系统

Pfeiffer 真空系统配备无油隔膜和涡轮分子泵，配备紧凑

的全范围 Pirani/Penning 真空计

供气系统

99.999% 纯氩气，绝对压力为 1.3 - 1.7 bar

带有电子出口压力监测功能的惰性气体专用压力调节器

工作气体流量高精准控制

成像系统

用于全视觉控制和切削监控/终止的 CMOS 相机图像

高分辨率彩色 CMOS 相机

50 - 400 倍放大范围的手动变焦视频镜头

电脑控制

内置工业级计算机

简单便捷的图形界面和图像分析模块

通过鼠标点击或拖动轻松控制所有重要参数

高度自动化的操作机制，最大限度地减少人工干预

支持预编程或手动调节切削和抛光次数

自动终止：图像分析模块支持的切削过程的光学终止

（ 通过检测薄区穿孔或监测表面形貌）

电源要求

100 - 120 V/3.0 A/60 Hz 或 220 - 240 V/1.5 A/50 Hz ‒ 单相

应用案例

01. Gentle Mill 对在各种 FIB 制备的样品进行低能量 Ar+ 氩离子研磨显着降低了受损的非晶表面层的厚度。可以实现对 65 nm 节点半导体器件进行原子级结构分析。

02. Si 中的晶面[110]。 使用 Gentle Mill 在 200 eV 离子能量和 3°入射角下通过 Ar+ 氩离子研磨对样品进行减薄。图片由劳伦斯伯克利实验室国家电子显微镜中心提供。

03. GaSb/InAs 超晶格。 使用 Gentle Mill 制备样品：在 2000 eV 下减薄直至穿孔，然后在 1000 eV 下修整，最后在 300 eV 下精修。 图片由 Technion（以色列）提供。

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