晶体管特性图示仪
晶体管特性图示仪

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L511114

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核心参数
仪器简介:
·显示半导体器件的各种特性曲线 
·测量半导体器件的静态参数 
·能在不损坏器件的情况下,测量半导体器件极限参数 
·晶体管双簇显示 



技术参数:
集电极电流范围:
10μA/div~0.5A/div,分15档,误差不超过±5%;
二极管反向电流:
0.2μA/div~5μA/div,分5档;
集电极电压范围:
0.1V/div~50V/div,分9档,误差不超过±5%;
基极电流范围:
0.1V/div~5V/div,分6档,误差不超过±5%;
阶梯电流范围:
0.1μA/div~50mA/div,分18档;
阶梯电压范围:
0.05V/级~1V/级,分5档,误差不超过±5%;
外形尺寸:320H×240W×420D(mm);
重量:约16kg;产地:中国

主要特点:
您如果想进一步了解产品及其它LAB信息,
敬请致电EHSY西域中国各地区代表处,谢谢!
公司网站 www.ehsy.com
Tel:(021)400-880-8822
Fax:(021)400-880-8812
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