仪器简介：
采用示波管显示半导体器件的各种特性曲线，并测量其静态参数；
本仪器具有二簇曲线显示，双向集电极扫描电路，可以对被测半导体器件的
特司长进行对比分析，便于对管或配件配对。本仪器IR测量达200nA/div，
配备扩展装置后，VC可达3KV；可测试CMOS及TTL门电路传输特性；
可对场效应管进行配对或对管测试；可测试三端稳压管特性；
技术参数：
集电极扫描信号：
输出电压范围及电流容量：
0～5V 10A，0～10V 5A，
0～50V 1A， 0～100V
0.5A，0～500V 0.1A；
基极阶梯信号：
阶梯电流：0.2μA/级～100mA/级，分18档；
阶梯电压：0.1V级～2V/级，分5档；
Y轴偏转系数：
集电极电流：10μA/div～1A/div，分16档；
二极管电流：0.2μA/div～5μA/div，分5档；
倍率：×0.1；
X轴偏转系数：
集电极电压：
0.05V/div～50V/div，分10档，
0.05V/div～1V/div，分5档；
二族显示：
二簇曲线左右分列显示并可左右位移；
一般性能：
适应电源：AC220V±10% 50Hz±4%；
视在功率：约50VA（非测试状态），约80VA(最大功率)；
外形尺寸：320B×220H×400Dmm；
重量：17kg；
主要特点：
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