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原子层沉积技术
原子层沉积系统：原子层沉积是一项沉积薄膜的重要技术，具有广泛的应用。ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性，可以提供卓越的薄膜性能。ALD原子层工艺也可以实现到大基片上。
原子层沉积系统应用：
高介电薄膜
疏水涂层
钝化层
深硅刻蚀铜互连阻挡层薄膜
微流控台阶涂层
用于催化剂层的单金属涂层的燃料电池
ALD-4000原子层沉积系统特点：
独立的PC计算机控制的ALD原子层沉积系统
Labview软件，具备四级密码控制的用户授权保护功能
安全互锁设计，强大的灵活性，可以用于沉积多种薄膜（如：AL2O3, AlN, TiN, ZrO2, LaO2, HfO2,等等）
12”的铝质反应腔体，带有加热腔壁和气动升降顶盖
最多7个50ml的加热汽缸，用于前驱体以及反应物，同时带有N2或者Ar作为运载气体的快脉冲加热传输阀
ALD-4000原子层沉积系统选配项：
NLD-4000系统的选配项包含自动L/UL上下载(用于6”基片)
ICP离子源(用于等离子增强的PEALD)
臭氧发生器
等等客户定制选项
案例：6”晶圆片上的均匀性数据
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