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产品简介:
SE椭偏仪系列薄膜分析产品来自美国AST公司,其可以实现薄膜厚度精准测量,同时可以实现12层的薄膜厚度测试,同样对于材料NK参数也可以实现准确测量,为人们针对薄膜进行分析提供了极大便利。
特点:
· 易于安装
· 基于视窗结构的软件,很容易操作
· 先进的光学设计,以确保能发挥出最佳的系统性能
· 能够自动的以0.01度的分辨率改变入射角度
· 高功率的DUV-VIS光源,能够应用在很宽的波段内
· 基于阵列设计的探测器系统,以确保快速测量
· 最多可测量12层薄膜的厚度及折射率
· 能够用于实时或在线的监控光谱、厚度及折射率等参数
· 系统配备大量的光学常数数据及数据库
· 对于每个被测薄膜样品,用户可以利用先进的TFProbe3.0软件功能选择使用NK数据库、也可以进行色散或者复合模型(EMA)测量分析;
· 三种不同水平的用户控制模式:专家模式、系统服务模式及初级用户模式
· 灵活的专家模式可用于各种独特的设置和光学模型测试
· 健全的一键按钮(Turn-key)对于快速和日常的测量提供了很好的解决方案
· 用户可根据自己的喜好及操作习惯来配置参数的测量
· 系统有着全自动的计算功能及初始化功能
· 无需外部的光学器件,系统从样品测量信号中,直接就可以对样品进行精确的校准
· 可精密的调节高度及倾斜度
· 能够应用于测量不同厚度、不同类型的基片
· 各种方案及附件可用于诸如平面成像、测量波长扩展、焦斑测量等各种特殊的需求
· 2D和3D的图形输出和友好的用户数据管理界面。
系统配置:
· 型号:SE200BM-M300
· 探测器:阵列探测器
· 光源:高功率的DUV-Vis-NIR复合光源
· 指示角度变化:手动调节
· 平台:ρ-θ配置的自动成像
· 软件:TFProbe 3.2版本的软件
· 计算机:Inter双核处理器、19”宽屏LCD显示器
· 电源:110–240V AC/50-60Hz,6A
· 保修:一年的整机及零备件保修
规格:
· 波长范围:250nm到1000 nm
· 波长分辨率: 1nm
· 光斑尺寸:1mm至5mm可变
· 入射角范围:0到90度
· 入射角变化分辨率:5度 间隔
· 样品尺寸:最大直径为300mm
· 基板尺寸:最多可至20毫米厚
· 测量厚度范围*:0nm〜10μm
· 测量时间:约1秒/位置点
· 精确度*:优于0.25%
· 重复性误差*:小于1 Ǻ
选项:
· 用于反射的光度测量或透射测量
· 用于测量小区域的微小光斑
· 用于改变入射角度的自动量角器
· X-Y成像平台(X-Y模式,取代ρ-θ模式)
· 加热/致冷平台
· 样品垂直安装角度计
· 波长可扩展到远DUV或IR范围
· 扫描单色仪的配置
· 联合MSP的数字成像功能,可用于对样品的图像进行测量
应用:
· 半导体制造(PR,Oxide, Nitride..)
· 液晶显示(ITO,PR,Cell gap... ..)
· 医学,生物薄膜及材料领域等
· 油墨,矿物学,颜料,调色剂等
· 医药,中间设备
· 光学涂层,TiO2, SiO2, Ta2O5... ..
· 半导体化合物
· 在MEMS/MOEMS系统上的功能性薄膜
· 非晶体,纳米材料和结晶硅
应用实例:
主要应用于透光薄膜分析类领域: l 玻璃镀膜领域(LowE、太阳能…) l 半导体制造(PR,Oxide, Nitride…) l 液晶显示(ITO,PR,Cell gap...) l 医学,生物薄膜及材料领域等 l 油墨,矿物学,颜料,调色剂等 l 医药,中间设备 l 光学涂层,TiO2, SiO2, Ta2O5... .. l 半导体化合物 l 在MEMS/MOEMS系统上的功能性薄膜 l 非晶体,纳米材料和结晶硅 |
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