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半导体情报,科学家利用自旋整流器实现低功率射频能量的高效收集与应用!

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分享: 2024/08/21 21:46:16
导读: 本文的研究通过优化自旋整流器的设计,包括垂直各向异性和设备几何形状,研究成功实现了在极低射频功率下的高灵敏度检测。

科学背景】

随着无线传感器网络在健康监测、环境监测和物联网(IoT)等应用中的重要性日益增加,如何有效供电成为一个关键问题。当前,许多传感器需要在难以接触的地方进行安装,例如用于空气质量、温度和湿度监测的传感器,这些传感器的电力需求通常无法依赖传统电池供给。因此,开发一种能够从环境中收集能量并转化为电力的技术成为了一个重要研究方向。在众多能源收集技术中,射频(RF)能量收集因其全天候可用、易于获取且可以与小型无线传感器网络集成的优点而备受关注。

射频能量收集的关键挑战之一是如何在低功率条件下提高能量转换效率。尽管已有技术如肖特基二极管和隧道二极管在较高功率条件下表现出较高的效率,但在环境射频功率低于 -20 dBm 的情况下,这些技术的效率大幅降低,无法满足实际应用需求。此外,传统射频整流器面临热力学极限和高频寄生阻抗等问题,这些因素严重制约了其在低功率环境下的性能。

为此,新加坡国立大学Hyunsoo Yang等科学家们致力于改进自旋整流器的性能。例如,作者的研究团队开发了一种新型的自旋整流器 rectenna,其在 -62 dBm 的射频功率下具有约 10,000 mV mW−1 的高灵敏度,能够在弱且嘈杂的环境中有效收集射频能量。

此外,作者还开发了一种基于片上共面波导的自旋整流器阵列,该阵列展示了约 34,500 mV mW−1 的零偏灵敏度和 7.81% 的高效率。作者的研究解决了传统自旋整流器在低功率环境下效率低的问题,通过利用电压控制的磁各向异性(VCMA)驱动的自参量效应,显著提高了灵敏度和检测带宽。这一进展使得作者的自旋整流器可以在 -27 dBm 的低射频功率下为传感器提供无线供电,展现出良好的应用前景。


科学亮点

1. 实验首次展示了高灵敏度自旋整流器(SR)rectenna的应用:本文首次报道了一种具有高灵敏度的 SR rectenna,能够在 -62 dBm 的低射频功率下进行能量收集,达到约 10,000 mV mW−1 的灵敏度。这种 SR rectenna 能够在弱且嘈杂的环境中有效捕获射频能量。


2. 通过优化器件特性提升灵敏度:研究中指出,单个 SR 的灵敏度与其内在特性密切相关,包括垂直各向异性、器件几何形状和来自极化层的偶极场。这些因素共同定义了纳米磁体的能量景观,并促使低输入功率下的大角度磁化进动。此外,SR 的灵敏度还与磁隧道结(MTJ)的动态响应相关,尤其是零场隧道磁阻(TMR)和电压控制的磁各向异性(VCMA)系数对增强零偏置整流电压的作用。


3. SR 阵列的自参量效应提升了性能:实验还显示了 SR 阵列在没有外部天线或匹配设置的情况下,通过 VCMA 驱动的自参量效应,增强了灵敏度和检测带宽。该 SR 阵列基础的能量收集模块(EHM)能够在 -27 dBm 的低射频功率下为商业传感器供电,展示了其在实际应用中的有效性和高效性。


科学图文

图1:利用自旋整流器Spin rectifiers,SRs的射频Radiofrequency,RF能量收集。

图2: 自旋整流器SR整流天线的性能。

图3: 宽带和谐振整流的调谐。

图4:基于宽带低功率自旋整流器SR的能量收集器energy harvesting module,EHM。

图5: 肖特基二极管、自旋整流器SR阵列和SR整流天线之间的整流性能比较。

科学启迪

本文的研究通过优化自旋整流器的设计,包括垂直各向异性和设备几何形状,研究成功实现了在极低射频功率下的高灵敏度检测。这表明,通过精细调控材料和结构特性,可以显著提高纳米尺度整流器的能量转换效率,从而扩展其在低功率环境下的应用范围。

其次,本文引入了基于电压控制的磁各向异性(VCMA)的自参量效应,展示了在没有外部天线或匹配设置的情况下,如何通过自参量激发实现更高的灵敏度和更宽的检测带宽。这一发现不仅突破了传统射频整流器在低功率和复杂环境下的性能瓶颈,还为未来开发更高效的射频能量收集模块提供了新的思路。

最后,本研究表明,基于自旋整流器的射频能量收集模块在实际应用中具有良好的性能,如在 -27 dBm 的低射频功率下为商业传感器供电。这表明这些整流器不仅具备高灵敏度和高效率,还具备良好的实际应用潜力,适合于未来无线传感器网络和物联网设备的集成与应用。

原文详情:Sharma, R., Ngo, T., Raimondo, E. et al. Nanoscale spin rectifiers for harvesting ambient radiofrequency energy. Nat Electron (2024). https://doi.org/10.1038/s41928-024-01212-1


[来源:仪器信息网] 未经授权不得转载

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作者:仪器 Go

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