生产成本可降低22%，三星开发3.3D先进封装技术

7月3日消息，据韩国媒体ETNews的报导，韩国三星电子正在通过旗下先进封装（AVP）部门开发下一代半导体封装技术，被称之为“3.3D先进封装技术”，以替代昂贵的“硅中介层”。目标是应用在AI芯片上，计划于2026年第二季正式量产。

AI芯片通常在中央有一个负责计算的逻辑芯片，例如图形处理单元（GPU）或神经网络处理单元（NPU），并整合了高带宽內存（HBM）。而为了通过水平连接逻辑芯片和HBM，在半导体和主板之间应用了硅中介层，这就是市场所说的2.5D先进封装。而在这2.5D先进封装当中，硅中介层发挥了连接不同特性异质半导体的作用。但由于其价格昂贵且加工困难，是导致先进封装价格上涨的因素。

三星目前正在开发通过安装“铜再分配（RDL）中介层”，而非硅中介层来连接逻辑和HBM的技术。据了解，使用RDL中介层代替硅中介层，可以将材料价格降低到1/10，仅在必要的零组件中使用到硅，可以最大限度的减少芯片性能下降。另外，三星也同时进行3D堆叠技术的发展，将逻辑芯片堆叠在运算所需的高速站存內存（LLC）之上。对此，三星将其命名为3.3D封装，意思是通过3D堆叠逻辑芯片后，进一步连接HBM。

报道强调，这种尝试被解读为通过降低先进封装的价格来吸引更多客户下单。三星认为，如果将新技术商业化，与现有基于硅中介层的先进封装技术相比，将能够在不降低性能的情况下，进一步降低22%的生产成本。未来通过价格竞争力和生产力将提升，预计这将有利于获得半导体代工制造的订单。

报导进一步指出，三星还将借助通过导入面板级封装（PLP）技术进行3.3D封装。PLP是通过将芯片封装在方形面板，而不是圆形晶圆中，可以进一步提高芯片的产能。目前，三星被认为是较台积电更早进行PLP技术研发的企业。

一位韩国半导体封装产业人士表示，“只有当我们提供人工智能等先进芯片客户所需的价格和性能，并成功抢占产能是暂时，我们才能在市场上获得领先优势。”