日立推出CD-SEM新品GT2000，满足高NA值EUV器件开发和量产需求

GT2000高精度电子束测量系统

12月12日，日立高新技术宣布推出GT 2000高精度电子束计量系统。GT 2000采用日立在CD-SEM方面的技术和专业知识，占据了最大的市场份额。

GT2000配备了尖端3D半导体器件的新型检测系统。它还利用低损伤高速多点测量功能实现高数值孔径EUV光刻胶晶圆成像，以最大限度地减少光刻胶损坏并提高批量生产中的良率。日立GT2000 CD-SEM将在日益小型化和复杂化的先进半导体器件的制造过程中实现高精度、高速的测量和检测，并为提高客户在研发和量产方面的良率做出贡献。

注：CD-SEM（特征尺寸测量用扫描电子显微镜）：一种设计用于对晶圆上形成的精细半导体电路图案的尺寸进行高精度测量的设备。

High-NA（数值孔径）EUV（极紫外）：与传统设备相比，具有改进的数值孔径的极紫外（13.5nm波长）光刻设备。

研发背景

随着半导体器件制造工艺的发展，N2（2 nm制程节点）和A14（14 埃制程节点）的研发正在进行中。除了在最先进的器件中应用高数值孔径 EUV光刻之外，器件结构的复杂性预计还会增加，例如 GAA 和 CFET 结构。

因此，在尖端半导体器件工艺开发中，在研究阶段和量产阶段，对在各种测量条件下进行高速数据采集以测量各种材料和结构、稳定运行以及进一步提高工具间匹配的需求正在增加。

注：GAA（Gate All Around）：一种晶体管结构，其中栅极完全覆盖通道

CFET（互补场效应晶体管）：将n型和p型器件堆叠在一起的互补场效应晶体管

关键技术

1. 100V超低加速电压和超高速多点测量功能，适用于高数值孔径EUV工艺

在高数值孔径EUV光刻工艺中，使用的光刻胶更薄，因此，为了高精度测量，计量工具必须尽可能少地对光刻胶造成损坏。GT2000将开创性的100V超低加速电压与专有的高速扫描功能相结合，实现了低损伤和高精度测量。此外，它还配备了超高速多点测量模式，可快速确定制造工艺条件，检测研发阶段的异常情况。

2. 3D器件结构高灵敏度检测系统

除了传统的 CD 测量外，具有 GAA、CFET 和 3D 存储器等结构的 3D 设备还需要测量图案的深度、孔和沟槽的底部。GT2000配备了新的高灵敏度检测系统，可有效检测背散射电子，从而能够对日益复杂的器件结构进行高精度成像，并扩展了新测量应用的可能性。

3. 改善工具间匹配的新平台和新电子光学系统

负责过程监控的CD-SEM最重要的性能要求之一是多个工具之间的测量值差异很小。GT2000 新平台和电子光学系统经过重新设计，消除了导致测量值差异的任何因素，从而改善了工具之间的匹配。