尼康发布ArF浸没式光刻机，整体产率提升10-15%

NSR-S636E ArF浸没式光刻机

12月6日，日本尼康公司官网发布新闻稿，宣布推出NSR-S636E ArF浸没式光刻机。NSR-S636E是尼康历史上所有光刻系统中生产率最高的产品，是一款用于关键层的浸没式光刻机，可提供卓越的覆盖精度和超高吞吐量。NSR-S636E是尖端半导体（包括3D器件）中使用的许多不同结构的最佳图形化解决方案。该型号产品将于明年2月正式发售。

开发背景

随着数字化转型的加速，能够更快地处理和传输大量数据的高性能半导体变得越来越重要。电路图案小型化和 3D 半导体器件结构是技术创新的关键推动因素，而 ArF 浸没式光刻机对于这两种制造工艺都至关重要。与传统半导体相比，晶圆翘曲和失真在3D半导体制造过程中更容易发生，因此需要比以往任何时候都更先进的光刻机校正和补偿功能。

NSR-S636E ArF浸入式扫描器采用增强型iAS（inline Alignment Station的缩写。该系统可以高速、高精度地测量晶圆，并在不降低曝光系统吞吐量的情况下实现网格误差校正）在曝光前执行复杂的晶圆多点测量。这种创新系统使用高精度测量和广泛的晶圆翘曲和畸变校正功能，提供更高水平的覆盖精度，同时保持最大的光刻机吞吐量。与当前一代系统相比，该光刻机的整体输出也高出 10-15%（这可能因使用条件和其他因素而异），从而优化了尖端半导体器件生产的效率。尼康将继续提供NSR-S636E等宝贵的解决方案，以引领IC生产并支持数字社会的发展。

主要优点

在各种生产工艺中都具有出色的性能，包括容易发生晶圆变形的 3D-IC

在曝光前执行晶圆多点测量的iAS（inline Alignment Station） 的精度更高，可以提高测量晶圆翘曲和变形等变形的精度。先进的测量和补偿功能可提高过程的稳健性，并提供卓越的覆盖性能，而不会影响生产率。这些创新对于各种制造工艺来说是非常宝贵的，包括需要超高堆叠精度的3D-IC，并将继续开发以实现前所未有的半导体性能。

在所有尼康半导体光刻系统中生产率最高

NSR-S636E ArF浸没式光刻机通过全面提高吞吐量和优化日常生产力，与现有型号相比，将整体产量提高了10-15%。这是尼康半导体光刻系统整个历史上最高的生产力水平。尼康致力于通过NSR-S636E等行业领先的解决方案继续突破光刻的极限，以支持客户在未来许多年的制造目标。

性能概览

MMO（混合搭配叠加）：相同型号的机器之间的叠加精度（例如 S636E #1 至 S636E #2）