【新书推荐】宽禁带半导体紫外光电探测器

基于宽禁带半导体的固态紫外探测技术是继红外、可见光和激光探测技术之后发展起来的新型光电探测技术，是对传统紫外探测技术的创新发展，具有体积小、重量轻、耐高温、功耗低、量子效率高和易于集成等优点，对紫外信息资源的开发和利用起着重大推动作用，在国防技术、信息科技、能源技术、环境监测和公共卫生等领域具有极其广阔的应用前景，成为当前国际研发的热点和各主要国家之间竞争的焦点。

我国迫切要求在宽禁带半导体紫外探测技术领域取得新的突破，以适应信息技术发展和国家安全的重大需要。本书是作者团队近几年来的最新研究成果的总结，是一本专门介绍宽禁带紫外光电探测器的科技专著。本书的出版可以对我国宽禁带半导体光电材料和紫外探测器的研发及相关高新技术的发展起到促进作用。

本书从材料的基本物性和光电探测器工作原理入手，重点讨论宽禁带半导体紫外探测材料的制备、外延生长的缺陷抑制和掺杂技术、紫外探测器件与成像芯片的结构设计和制备工艺、紫外单光子探测与读出电路技术等；并深入探讨紫外探测器件的漏电机理、光生载流子的倍增和输运规律、能带调控方法、以及不同类型缺陷对器件性能的具体影响等，展望新型结构器件的发展和技术难点；同时，介绍紫外探测器产业化应用和发展，为工程领域提供参考，促进产业的发展。

本书作者都是长年工作在宽禁带半导体材料与器件领域第一线、在国内外有影响的著名学者。本书主编南京大学陆海教授是国内紫外光电探测领域的代表性专家，曾研制出多种性能先进的紫外探测芯片；张荣教授多年来一直从事宽禁带半导体材料、器件和物理研究，成果卓著；参与本书编写的陈敦军、单崇新、叶建东教授和周幸叶研究员也均是在宽禁带半导体领域取得丰硕成果的年轻学者。本书所述内容多来自作者及其团队在该领域的长期系统性研究成果总结，并广泛地参照了国际主要相关研究成果和进展。

作者团队：

中国科学院郑有炓院士撰写推荐语时表示：“本书系统论述了宽禁带半导体紫外探测材料和器件的发展现状和趋势，对面临的关键科学技术问题进行了探讨，对未来发展进行了展望。目前国内尚没有一本专门针对宽禁带半导体紫外探测器的科研参考书，本书的出版填补了这一空白，将会对我国第三代半导体紫外探测技术的研发起到重要的推动作用。”

目前市面上还没有专门讲述宽禁带半导体紫外探测器的科研参考书，该书的出版可以填补该领域的空白。本书可为从事宽禁带半导体紫外光电材料和器件研发、生产的科技工作者、企业工程技术人员和研究生提供一本有价值的科研参考书，也可供从事该领域科研和高技术产业管理的政府官员和企业家学习参考。详见本书目录：

本书目录：

第1章 半导体紫外光电探测器概述

1.1 引言

1.2 宽禁带半导体紫外光电探测器的技术优势

1.3 紫外光电探测器产业发展现状

1.4 本书的章节安排

参考文献

第2章 紫外光电探测器的基础知识

2.1 半导体光电效应的基本原理

2.2 紫外光电探测器的基本分类和工作原理

2.2.1 P-N/P-I-N结型探测器

2.2.2 肖特基势垒探测器

2.2.3 光电导探测器

2.2.4 雪崩光电二极管

2.3 紫外光电探测器的主要性能指标

2.3.1 光电探测器的性能参数

2.3.2 雪崩光电二极管的性能参数

参考文献

第3章 氮化物半导体紫外光电探测器

3.1 引言

3.2 氮化物半导体材料的基本特性

3.2.1 晶体结构

3.2.2 能带结构

3.2.3 极化效应

3.3 高Al组分AlGaN材料的制备与P型掺杂

3.3.1 高Al组分AlGaN材料的制备

3.3.2 高Al组分AlGaN材料的P型掺杂

3.4 GaN基光电探测器及焦平面阵列成像

3.4.1 GaN基半导体的金属接触

3.4.2 GaN基光电探测器

3.4.3 焦平面阵列成像

3.5 日盲紫外雪崩光电二极管的设计与制备

3.5.1 P-I-N结GaN基APD

3.5.2 SAM结构GaN基APD

3.5.3 极化和能带工程在雪崩光电二极管中的应用

3.6 InGaN光电探测器的制备及应用

3.6.1 材料外延

3.6.2 器件制备

3.7 波长可调超窄带日盲紫外探测器

参考文献

第4章 SiC紫外光电探测器

4.1 SiC材料的基本物理特性

4.1.1 SiC晶型与能带结构

4.1.2 SiC外延材料与缺陷

4.1.3 SiC的电学特性

4.1.4 SiC的光学特性

4.2 SiC紫外光电探测器的常用制备工艺

4.2.1 清洗工艺

4.2.2 台面制备

4.2.3 电极制备

4.2.4 器件钝化

4.2.5 其他工艺

4.3 常规类型SiC紫外光电探测器

4.3.1 肖特基型紫外光电探测器

4.3.2 P-I-N型紫外光电探测器

4.4 SiC紫外雪崩光电探测器

4.4.1 新型结构SiC紫外雪崩光电探测器

4.4.2 SiC APD的高温特性

4.4.3 材料缺陷对SiC APD性能的影响

4.4.4 SiC APD的雪崩均匀性研究

4.4.5 SiC紫外雪崩光电探测器的焦平面成像阵列

4.5 SiC紫外光电探测器的产业化应用

4.6 SiC紫外光电探测器的发展前景

参考文献

第5章 氧化镓基紫外光电探测器

5.1 引言

5.2 超宽禁带氧化镓基半导体

5.2.1 超宽禁带氧化镓基半导体材料的制备

5.2.2 超宽禁带氧化镓基半导体光电探测器的基本器件工艺

5.3 氧化镓基日盲探测器

5.3.1 基于氧化镓单晶及外延薄膜的日盲探测器

5.3.2 基于氧化镓纳米结构的日盲探测器

5.3.3 基于非晶氧化镓的柔性日盲探测器

5.3.4 基于氧化镓异质结构的日盲探测器

5.3.5 氧化镓基光电导增益物理机制

5.3.6 新型结构氧化镓基日盲探测器

5.4 辐照效应对宽禁带氧化物半导体性能的影响

5.5 氧化镓基紫外光电探测器的发展前景

参考文献

第6章 ZnO基紫外光电探测器

6.1 ZnO材料的性质

6.2 ZnO紫外光电探测器

6.2.1 光电导型探测器

6.2.2 肖特基光电二极管

6.2.3 MSM结构探测器

6.2.4 同质结探测器

6.2.5 异质结探测器

6.2.6 压电效应改善ZnO基紫外光电探测器

6.3 MgZnO深紫外光电探测器

6.3.1 光导型探测器

6.3.2 肖特基探测器

6.3.3 MSM结构探测器

6.3.4 P-N结探测器

6.4 ZnO基紫外光电探测器的发展前景

参考文献

第7章 金刚石紫外光电探测器

7.1 引言

7.2 金刚石的合成

7.3 金刚石光电探测器的类型

7.3.1 光电导型光电探测器

7.3.2 MSM光电探测器

7.3.3 肖特基势垒光电探测器

7.3.4 P-I-N和P-N结光电探测器

7.3.5 异质结光电探测器

7.3.6 光电晶体管

7.4 金刚石基光电探测器的应用

参考文献

第8章 真空紫外光电探测器

8.1 真空紫外探测及其应用

8.1.1 真空紫外探测的应用

8.1.2 真空紫外光的特性

8.2 真空紫外光电探测器的类型和工作原理

8.2.1 极浅P-N结光电探测器

8.2.2 肖特基结构光电探测器

8.2.3 MSM结构光电探测器

8.3 真空紫外光电探测器的研究进展

8.3.1 极浅P-N结光电探测器的研究进展

8.3.2 肖特基结构光电探测器的研究进展

8.3.3 MSM结构光电探测器的研究进展