触达全产业链：第三代半导体相关政策盘点

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分享： 2021/08/26 15:33:31

导读：随着第三代半导体，特别是氮化镓和碳化硅的市场爆发，为扶持第三代半导体产业发展和加速第三代半导体研发进度，相关部门也不断推出相关政策推动产业发展。

第三代半导体材料主要是以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)等为代表的宽禁带半导体材料。

与第一、二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常又被称为宽禁带半导体材料(禁带宽度大于2.3eV)，亦被称为高温半导体材料。

从目前第三代半导体材料及器件的研究来看，较为成熟的第三代半导体材料是碳化硅和氮化镓，而氧化锌、金刚石、氮化铝等第三代半导体材料的研究尚属起步阶段。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，被行业称为第三代半导体材料的双雄。

基于第三代半导体的优良特性，其在通信、汽车、高铁、卫星通信、航空航天等应用场景中颇具优势。其中，碳化硅、氮化镓的研究和发展较为成熟。以SiC为核心的功率半导体，是新能源汽车充电桩、轨道交通系统等公共交通领域的基础性控件；射频半导体以GaN为原材料，是支撑5G基站建设的核心；第三代半导体在消费电子、工业新能源以及人工智能为代表的未来新领域，发挥着重要的基础作用。近年来，随着新能源汽车的兴起，碳化硅IGBT器件逐渐被应用于超级快充，展现出了强大的市场潜力，第三代半导体发展进入快车道。

随着第三代半导体，特别是氮化镓和碳化硅的市场爆发，为扶持第三代半导体产业发展和加速第三代半导体研发进度，相关部门也不断推出相关政策推动产业发展。第三代半导体正在成为市场焦点。

发布时间	发布部门	政策名称	政策内容	全文链接
2016年8月	国务院	“十三五”国家科技创新规划	发展微电子和光电子技术，重点加强极低功耗芯片、新型传感器、第三代半导体芯片和硅基光电子、混合光电子、微波光电子等技术与器件的研发。	“十三五”国家科技创新规划
2016年9月	科技部、发改委、外交部、商务部	推进“一带一路”建设科技创新合作专项规划	开展第三代半导体等先进材料制造技术合作研发。	《推进“一带一路”建设科技创新合作专项规划》
2016年11月	国务院	“十三五”国家战略性新兴产业发展规划	加快制定宽禁带半导体等标准	“十三五”国家战略性新兴产业发展规划的通知
2016年12月	国家能源局	能源技术创新“十三五”规划	研究Ⅲ-Ⅴ族光伏材料的制备技术	P020170113571241558665.pdf
2016年12月	工信部、发改委	信息产业发展指南	加紧布局超越“摩尔定律”相关领域，推动特色工艺生产线建设和第三代化合物半导体产品开发	信息产业发展指南
2016年12月	工信部、发改委、科技部、财政部	新材料产业发展指南	以宽禁带半导体材料等市场潜力巨大、产业化条件完备的新材料品种，组织开展应用示范。宽禁带半导体材料等为重点，突破材料及器件的技术关和市场关，完善原辅料配套体系，提高材料成品率和性能稳定性，实现产业化和规模应用。	新材料产业发展指南
2017年2月	发改委	战略性新兴产业重点产品和服务指导目录	将化合物半导体材料，蓝宝石和碳化硅等衬底材料列入	《战略性新兴产业重点产品和服务指导目录》2016版
2017年4月	科技部	“十三五”材料领域科技创新专项规划	大力发展第三代半导体材料、新型显示技术等新材料；战略性电子材料技术以第三代半导体材料与半导体照明、新型显示为核心；要求第三代半导体材料与半导体照明、新型显示两大核心方向整体达到国际先进水平，部分关键技术达到国际领先水平	《“十三五”材料领域科技创新专项规划》
2017年5月	科技部、交通运输部	“十三五”交通领域科技创新专项规划	开展IGBT、碳化硅、氮化镓等电力电子器件技术研发及产品开发和零部件、系统的软硬件测试技术研究与测试评价技术规范体系研究；突破以宽禁带半导体为基础的电驱动控制器技术，实现规模产业化。	“十三五”交通领域科技创新专项规划的通知
2019年10月	发改委	产业结构调整指导目录（2019年本）	实现直径 125mm 以上直拉或直径 50mm 以上水平生长化合物半导体材料生产	《产业结构调整指导目录（2019年本）》
2019年11月	工信部	重点新材料首批次应用示范指导目录（2019年版）	重点新材料：碳化硅外延片、碳化硅单晶衬底、化镓单晶衬底、功率器件用氮化镓外延片	《重点新材料首批次应用示范指导目录（2019年版）》
2019年12月	中共中央、国务院	中共中央国务院印发《长江三角洲区域一体化发展规划纲要》	面向第三代半导体等八大领域，加快培育布局一批未来产业	中共中央国务院印发《长江三角洲区域一体化发展规划纲要》
2020年8月	国务院	新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策	集成电路线宽小于0.5微米（含）的化合物集成电路生产企业和先进封装测试企业进口自用生产性原材料、消耗品，免征进口关税。	新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策
2020年12月	发改委、商务部	鼓励外商投资产业目录（2020年版）	支持引进：化合物半导体材料（砷化镓、磷化镓、磷化铟、氮化镓）；碳化硅、氮化硅超细粉体；高纯超细氧化铝微粉；低温烧结氧化锆（ZrO2）粉体；高纯氮化铝（AlN）粉体等	鼓励外商投资产业目录（2020年版）
2021年3月	全国人大	中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要	实现绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等特色工艺突破,碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体发展。	中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要

本次盘点共涉及15项政策，不完全盘点仅供参考。从这些政策可以看出，我国对第三代半导体支持力度很大，第三代半导体被纳入了“十三五”和“十四五”规划，从产业调整、科研投入、税收优惠、海外投资、一带一路等方面都有所支持，相关政策更是触达了第三代半导体材料、制造、器件、应用等产业链的各个方面。政策发布部门也涉及中共中央、全国人大、国务院、发改委、科技部、工信部、能源部、交通部、商务部、财政部等。

在一些列政策的支持下，我国第三代半导体产业持续向前推进，2019年，我国第三代半导体整体产值超过7600亿元。其中，光电子（主要为半导体照明）为7548亿元，电力电子和微波射频产值约为60亿元。其中，SiC、GaN电力电子产值规模近24亿元，同比增长超过80%；GaN微波射频产值规模近38亿元，同比增长近75%。目前我国第三代半导体产业得到快速发展，已基本形成了涵盖上游衬底、外延片，中游器件设计、器件制造及模块，下游应用等环节的产业链布局。

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