第十一场研讨会 | 使用正切、反切和平面切割方式制备逻辑和存储器件的TEM薄片样品

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分享： 2021/05/11 14:53:28

主题：Prepare Top-down, Inverted and Planar TEM lamella from Logic and Memory Devices

演讲人：Lukas Hladik

Lukas Hladik 是失效分析半导体研发实验室的FIB-SEM、表征和去层/电子探针解决方案的产品经理。Lukas毕业于捷克布尔诺理工大学，获得物理工程和纳米技术硕士学位。他于2012年加入TESCAN ORSAY HOLDING，担任Plasma FIB-SEM的应用专家，长期从事与全球半导体行业有关的工作。

时间段1：5月12日，下午3:00–4:00 （北京时间）

时间段2：5月13日，上午1:00–2:00 （北京时间）

全球集成电路(IC)行业不仅面临着对电子器件需求的持续增长，而且还需要面对器件性能和能耗的提高——并且于此同时还要减少其占用空间。为了达到这一目的，TEM样品制备已成为失效分析过程中不可避免的一部分。

当今3D结构的器件需要通过多个方位观察才能对缺陷进行定位。越来越精细的尺寸则决定了必须使用反切TEM薄片的方式才能获得10纳米以下的样品厚度。由于缺陷大小往往已达到纳米级别，就需要使用STEM（扫描透射电子探头）从平面方向上对TEM薄片进行观测。因此，TEM薄片提取过程可能需要多个操作步骤，甚至需要将样品室泄真空后再倒置或平面放置样品。TESCAN SOLARIS通过一种专利设置解决了这些问题，只需要一个简单的操作步骤，就可以将块状样品的薄片转移到TEM网格上，并且不需要样品室泄真空或重新放置样品。最重要的是，这种方法不需要安装任何额外的硬件。

本次研讨会上，您可以深入了解TESCAN SOLARIS及其辅助系统如何在半导体失效分析实验室环境中半自动化、高质量、低束流损伤地完成样品制备。

如您对本场研讨会感兴趣，点击“我要报名”立即报名参会吧！

说明：为了让更多的用户可以参与到本次研讨会中，每一场研讨会都有两个时间段可供选，内容相同，与会者可自行选择报名参加其中一个时间段的研讨会。