半导体&电子测试测量,投稿:kangpc@instrument.com.cn
3月10日,浙江大学公布了4月的采购意向,包含了电子束曝光机、电子束蒸发镀膜机和等离子体刻蚀机,预算共计1555万元。
以下为预算详情:
序号 | 采购项目名称 | 预算金额(万元) | 预计采购日期 | 备注 |
1 | 电子束曝光机 | 1200 | 2021年4月 | 详见项目详情 |
2 | 电子束蒸发镀膜机 | 105 | 2021年4月 | 详见项目详情 |
3 | 等离子体刻蚀机 | 250 | 2021年4月 | 详见项目详情 |
据了解,电子束曝光(EBL)始于上世纪60年代,是在电子显微镜的基础上发展起来的用于微电路研究和制造的曝光技术,是半导体微电子制造及纳米科技的关键设备、基础设备。电子束曝光是由高能量电子束和光刻胶相互作用,使胶由长(短)链变成断(长)链,实现曝光,相比于光刻机具有更高的分辨率,主要用于制作光刻掩模版、硅片直写和纳米科学技术研究。电子束曝光主要有可变矩形电子束曝光系统、电子束投影光刻技术、大规模平行电子束成像三种技术。
等离子刻蚀是干法刻蚀中最常见的一种形式,其物理机制,主要包括物理溅射刻蚀、纯化学刻蚀、化学离子增强刻蚀和侧壁抑制刻蚀等。影响硅干法刻蚀效果的因素主要有三类:一是等离子体密度和能量,通过配备两套射频源,ICP和RF射频源来分别控制;二是腔室气压,由于鞘层的存在,一般需要气压小于100 mtorr使得离子平均自由程大于鞘层宽度;三是刻蚀气体选择,气体需要根据反应生成物是否容易去掉来选择,首选挥发性产物。
电子束蒸镀(Electron Beam Evaporation)是物理气相沉积的一种。与传统蒸镀方式不同,电子束蒸镀利用电磁场的配合可以精准地实现利用高能电子轰击坩埚内靶材,使之融化进而沉积在基片上。电子束蒸镀可以镀出高纯度高精度的薄膜。
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