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日本电子推出新一代场发射电子探针显微分析仪JXA-8530FPlus

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分享: 2017/01/07 21:00:22
导读: 作为第三代FE-EPMA,JXA-8530F在继承了JXA-8500F强力硬件(包括 FE 电子枪、电子光学系统和真空系统)的基础上,通过改进电子光学系统增强了分析和成像功能。

  2017年1月5日,日本电子株式会社(董事长兼总裁 栗原权右卫门)宣布发布新一代肖特基场发射电子探针显微分析仪(EPMA)JXA-8530FPlus。

  搭配场发射 (FE) 电子枪的电子探针显微分析仪( EPMA)是日本电子的特色。自2003年推出世界首台商业化的场发射电子探针显微分析仪(FE-EPMA)以来,备受赞誉的FE-EPMA就一直在金属、材料、地质行业及学术研究等领域有所应用。

  作为第三代FE-EPMA,JXA-8530F在继承了JXA-8500F强力硬件(包括 FE 电子枪、电子光学系统和真空系统)的基础上,通过改进电子光学系统增强了分析和成像功能。仪器采用电脑操作进行数据的采集和分析,实现了微区分析。友好的PC控制操作环境,使得在极高的放大倍数下能够便利地进行快速、便捷的分析。

  主要特征

  肖特基热场发射电子探针Plus版本

  肖特基热场发射电子探针Plus版本优化了角电流密度,允许对2μA或更高的探针电流进行分析,甚至在通过自动调整为正确收敛角的分析条件下,保证得到的二次电子图像已得到改进。

  先进的软件

  基于先进Microsoft Windows®的高级应用系统,包括

  1)跟踪元素分析程序:通过添加5个光谱仪的收集来的数据来优化分析微量元素;

  2)基于主要成分自动化的创建阶段图像;

  3)自动化非平坦表面分析程序WDS可对不规则表面样品进行分析。

  灵活的WDS配置

  可以选择各种x射线光谱仪(WDS):罗兰圆半径的140毫米(140 r)或140毫米(100 r),2水晶或4水晶配置和标准或大尺寸晶体的混合体。

  XCE(2 xtl) X射线光谱仪,FCS(4 xtl)X射线光谱仪和L(大2 xtl)x射线光谱仪140 r宽光谱范围,提供优越的波长分辨率和峰背比率。

  100 r的H型x射线光谱仪提供高x射线强度。用户可以选择从这些光谱仪取决于需求。

  组合WDS/EDS系统

  JXA-8530FPlus附带JEOL 30 mm2硅漂移探测器(SDD)。高计数率SDD以及一个原位可变孔径可以EDS分析改进算法的条件。EDS光谱、地图和线扫描和改进算法可以同时获得数据。

  多功能室

  jxa-8530 fplus配有大量可扩展样品室,样品室交换,使您能够集成各种可选附件室。包括:

  电子背散射衍射系统(EBSD)

  阴极发光检测器(全色、单色、彩色高光谱)

  软x射线发射光谱仪

  空气分离器

  高蚀刻率离子源

  强大清洁的真空系统

  JXA-8530FPlus采用一个强大的、清洁的真空系统,包括两条磁悬浮涡轮高真空泵。此外,提供了一个双阶段电子光学列的中间室,从而维持高真空电子枪腔内的微分抽水。添加可选的滚动泵和液氮创建最终的无油真空系统。

  软x射线发射光谱仪(sx)

  超高能量分辨率软x射线发射光谱仪是由先进材料多学科研究所,日本东北大学和日本电子有限公司等联合开发。可变线距(VLS)光栅可以同时检测(EDS),并允许检测Li-K常数与高灵敏度CCD光谱。这种光谱仪达到非常高的能量分辨率,支持详细化学键的状态分析。

  显微镜使用 (相关显微镜)

  通过x,y轴的坐标,可以把光学显微镜锁定在你感兴趣的位置,记录并转换成电子探针来对所选位置进行成像和分析。

  主要参数

元素分析范围

WDS:BeB to U,EDS:B to U

X射线范围

WDS谱:0.087-9.3nm,EDS能谱:20keV

X射线光谱仪数量

WDS1-5可选,EDS1

样品最大尺寸

100mm*100mm*50mm(H)

加速电压

1-30Kv(每次0.1Kv)

探针电流稳定性

±0.3%/h(10kV50nA)

二次电子图像分辨率

3 nm at WD 11 mm, 30 kV

20 nm at 10 kV, 10 nA, WD 11 mm

50 nm at 10 kV, 100 nA, WD 11 mm

放大倍数

×40 to ×300,000 (WD 11 mm)

扫描图像像素分辨率

最高5,120 ×   3,840

  计划销售数量

  35台/年(第一年)


[来源:仪器信息网译] 未经授权不得转载

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