电子束加热蒸发源研制

成果名称

电子束加热蒸发源

单位名称

中科院物理研究所

联系人

郇庆

联系邮箱

qhuan_uci@yahoo.com

成果成熟度

□正在研发 □已有样机 □通过小试 □通过中试 √可以量产

合作方式

□技术转让   □技术入股   □合作开发  √其他

成果简介：
    

    电子束加热蒸发源是采用电子束加热的方式对材料进行热蒸发，电子束加热方式具有污染小、加热集中、效率高的特点，适用于熔点高的材料的蒸发沉积。我们的电子束加热蒸发源采用超高真空兼容设计（CF35法兰），具有水冷、水冷温度检测、手动挡板、线性进样、高压接口、束流检测等功能。该蒸发源可以对棒状导电材料直接进行加热蒸发，也可采用多种材料的坩埚，对粉末、半导体以及绝缘体材料进行热蒸发。全部设计为自主开发完成，具有加热效率高、极限温度高的特点，可以完成熔点最高的金属钨的蒸发。该技术目前已在国内外多家高校和科研机构尝试性推广（中科院物理所、清华大学、北京大学、复旦大学、中国科技大学、华中科技大学、中科院武汉物数所、IBM实验室、匹兹堡大学等），收到一致好评。其主要技术指标为：
     安装法兰:  CF35
     超高真空兼容性:  是  可烘烤至 200℃
     腔内直径:  34mm
     腔内长度:  170mm~400mm可定制
     源数量:  1
     冷却方式:  水冷
     束流检测范围:  0.1nA~10uA
     灯丝电流:  0-2.5A
     高压:  0-2500V
     最高功率:  250W
     蒸发温度:  高于 3000℃
     蒸发方式和尺寸：  源棒材 尺寸 (直径 1~4mm. 长度 20~100mm )
     金属坩埚 (钨、钼、钽可选；0.1cc、0.15cc、0.25cc、0.35cc、0.45cc).

应用前景：
     主要用于分子束外延系统以及其他超高真空设备中的高温金属材料、半导体材料等的热蒸发沉积。应用范围广，每年国内市场需求在百套以上。

知识产权及项目获奖情况：
     发明专利：201310052836.1