CryoSAS 是一款低温硅材料分析仪,可用于太阳 能和电子硅行业的超高灵敏度质量控制。它可以同时定量分析碳、氧以及浅层杂质(如硼、磷、砷等)。
根据ASTM/SEMI标 准,CryoSAS操作简便,无需液氦等制冷剂。相比于传统的湿 化学分析法,CryoSAS更为快速、灵敏,并且对样品没有任何 损害。
·对单晶硅中所含的第三、五族杂质(硼、磷、砷、铝、镓、锑) 的定量分析,检出限达ppta量级。
·多晶或单晶硅中代位碳的定量分析,检出限达ppba量级。
·多晶或单晶硅中间隙氧的定量分析,检出限达ppba量级。
·全自动检测流程,自动分析数据、自动生成检测报告。
根据ASTM/SEMI MF1389标准,低温近红外光致发光(PL)实验可以用于单晶硅中浅层杂质(如硼、磷等)的定量分析。
我们将高灵敏度VERTEX 80 傅立叶变换光谱仪和专为硅材料低温光致发光实验 设计的低温恒温器相结合,实现了低检出限小于1ppta的超高检出水平。
根据 ASTM/SEMI MF1389标准,定量分析单晶硅中的硼、磷和铝含量。 用CVD方法制备的TCS(三氯硅烷)硅外延层也可进行PL实验,以实现TCS的质量控制。
多种附加功能,如自动控制恒温器制冷、专用的PL硅材料QC软件、标准建模样品和第二个激 发激光。
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