利用SU9000对化合物半导体的高空间分辨率能谱分析

    由于量子限制效应，量子阱中的二维激子，其结合能接近半导体材料激子束缚能的4倍，使得在室温下就可能观察到由激子效应引起的强吸收峰或强荧光峰。这一特性加上量子阱中态密度的二维特性以及能带工程各种调控手段，可使量子阱激光器的阈值电流减小、发射波长可调、微分增益提高、特征温度等性能得到改善。半导体量子阱在其他光电器件中也得到了广泛的应用。

    多量子阱（MQW）的势垒层厚度对于半导体的性能至关重要，因此其层厚的评估及检测是一个关键步骤。目前，势垒层厚度已经达到了原子级别的尺寸，因此高分辨的检测设备十分必要。

    图1为多量子阱 InGaAs/InAlAs MQW结构示意图，图2，3为利用日立超高分辨率SEM SU9000测量的结果，其中图2中1nm的InGaAs层结构清晰可见。而在EDX Mapping中，同一视野内也分析出了1nm的InGaAs层的元素分布。  

样品 : 化合物半导体

加速电压：30kV

放大倍数：x 1,000k

分析时间: 15min

样品杆：High resolution STEM holder

FIB : NX9000

EDX : X-MaxN 100TLE (Windowless type, Sensor size 100mm2)

SU9000  http://www.instrument.com.cn/netshow/SH102446/C138508.htm

超高分辨冷场发射扫描电镜SU9000，达到扫描电镜世界最高二次电子分辨率0.4nm和STEM分辨率0.34nm。日立SU9000采取了全新改进的真空系统和电子光学系统，不仅分辨率性能明显提升，而且作为一款冷场发射扫描电镜甚至不需要传统意义上的Flashing操作，可以高效率的快速获取样品超高分辨扫描电镜图像。

关于日立高新技术公司：

日立高新技术公司，于2013年1月，融合了X射线和热分析等核心技术，成立了日立高新技术科学。以“光”“电子线”“X射线”“热”分析为核心技术，精工电子将本公司的全部股份转让给了株式会社日立高新，因此公司变为日立高新的子公司，同时公司名称变更为株式会社日立高新技术科学，扩大了科学计测仪器领域的解决方案。日立高新技术集团产品涵盖半导体制造、生命科学、电子零配件、液晶制造及工业电子材料，产品线更丰富的日立高新技术集团，将继续引领科学领域的核心技术。更多信息敬请关注日立高新官方网站：http://www.hitachi-hightech.com/cn/